「first memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a card connector which will not damage a first memory card or a second memory card with a first contact part or a second contact part in a main body, even when the first memory card and the second memory card of different shapes and sizes are housed mutually exclusively.例文帳に追加

形状および寸法が異なる第１のメモリーカードおよび第２のメモリーカードを互いに排他的に収容しても、本体内の第１接触部あるいは第２接触部により第１のメモリーカードあるいは第２のメモリーカードに傷が生じないカードコネクタを提供する。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory device comprises first lines, second lines, and memory cells.例文帳に追加

１つの実施形態によれば、第１のラインと第２のラインとメモリセルとを備えた不揮発性半導体記憶装置が提供される。 - 特許庁

On a cache memory CM, data read or written from/to a flash memory chip MEM is managed by a first data length.例文帳に追加

キャッシュメモリＣＭ上では、フラッシュメモリ・チップＭＥＭへ読み書きされるデータは、第一のデータ長単位で管理されている。 - 特許庁

A note number of a key depressed this time and a note number of a key depressed last time are stored in a first memory and a second memory, respectively.例文帳に追加

第１メモリ、第２メモリにはそれぞれ、今回押鍵の鍵のノートナンバ、前回押鍵の鍵のノートナンバが記憶される。 - 特許庁

A plurality of memory cells are provided in the memory cell region and they are connected by shared word lines and further, coupled to a first level shifter.例文帳に追加

メモリセル領域には複数のメモリセルを設けて共同ワードラインで接続し、さらには第１レベルシフターにカップリングする。 - 特許庁

A memory control circuit 22 is arranged between the first and second level 1 and level 2 caches 26 and a main memory 14.例文帳に追加

記憶制御回路２２は、第１と第２のレベル１キャッシュ２６とレベル２キャッシュとメイン・メモリ１４との間に配置される。 - 特許庁

Readout from the second memory into a first memory is executed during the initialization of a STB(set top box) in which the system integrated circuit is built.例文帳に追加

二次記憶から一次記憶への読み出しはシステム集積回路が組み込まれているSTBの初期化時に行われる。 - 特許庁

To stabilize and secure a data transfer band between a first memory and a second memory to enhance efficiency in the use of the data transfer band.例文帳に追加

第１のメモリと第２のメモリとの間のデータ転送帯域の安定確保を図り、その使用効率を高くする。 - 特許庁

The nonvolatile memory 1 includes a memory cell array 2, a first sense amplifier 3, a second sense amplifier 4, and a write-in part 5.例文帳に追加

不揮発性メモリ１は、メモリセルアレイ２と、第１のセンスアンプ３と、第２のセンスアンプ４と、書き込み部５とを有している。 - 特許庁

At least one of the first latch circuit 10 and the second latch circuit 20 is composed of an SRAM (Static Random Access Memory) type.例文帳に追加

第１ラッチ回路１０および第２ラッチ回路２０の少なくとも一方がＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）型で構成される。 - 特許庁

To effectively utilize a memory as a first task, and to achieve flexible memory management as a second task.例文帳に追加

メモリを有効に活用することを第１の課題とし、柔軟なメモリ管理を実現することを第２の課題とする。 - 特許庁

The first buffer memory operates by switching a clock applied from the external device and a clock inside the nonvolatile memory device.例文帳に追加

第１のバッファメモリは外部装置から印加されるクロックと不揮発性記憶装置内部のクロックとを切り替えて動作する。 - 特許庁

Data is stored in a plurality of first memory blocks, and reproduction data for reproducing this data is stored in a second memory block.例文帳に追加

複数の第１メモリブロックにデータが記憶され、このデータを再生するための再生データが第２メモリブロックに記憶される。 - 特許庁

The oxygen concentration contained in the second memory element film is higher than the oxygen concentration contained in the first memory element film.例文帳に追加

前記第２記憶素子膜に含まれる酸素濃度は、前記第１記憶素子膜に含まれる酸素濃度よりも高い。 - 特許庁

In writing data, in a first sub-system 10, data are written into a data memory device 41a from a memory interface controller 13.例文帳に追加

データのライト時には、第１のサブシステム１０では、メモリインタフェースコントローラ１３からデータをデータ用メモリ装置４１に書き込む。 - 特許庁

A first gate set is coupled with a memory cell array which stores a plurality of memory words each of which is in the given address.例文帳に追加

第１ゲート・セットは、それぞれが所与のアドレスにある複数のメモリ・ワードを格納するメモリ・セル・アレイに結合される。 - 特許庁

A memory controller 21 and a first memory 21 are provided between a signal reproduction part 10 and an MPEG 2 decoding part 22.例文帳に追加

信号再生部１０とＭＰＥＧ２復号部２２との間に、メモリコントローラ２１及び第１のメモリ２１を備えている。 - 特許庁

A three-dimensional stacked nonvolatile semiconductor memory comprises a memory cell array comprised of first and second blocks BK<i>, BK<i+1>.例文帳に追加

三次元積層不揮発性半導体メモリは、第一及び第二ブロックＢＫ＜ｉ＞，ＢＫ＜ｉ＋１＞から構成されるメモリセルアレイを備える。 - 特許庁

An electrode pad line of the second memory chip 103b is arranged in parallel with the electrode pad line of the first memory chip 103a.例文帳に追加

第二メモリチップ１０３ｂの電極パッド列は、第一メモリチップ１０３ａの電極パッド列に平行に配置される。 - 特許庁

The channel power value computed is stored in a second waveform memory of the same area as the first waveform memory but of another trance (ST5).例文帳に追加

算出したチャンネルパワー値は第１波形メモリと同じエリアで別トレースの第２波形メモリに格納される（ＳＴ５）。 - 特許庁

The memory control device specifies a memory cell on the basis of the address information by using the first address control part.例文帳に追加

メモリ制御装置は、第１のアドレス制御部を用いることにより、アドレス情報に基づいてメモリセルを特定する。 - 特許庁

Access to the first flash memory 60 and access to the second flash memory 70 can be executed at the same control timing.例文帳に追加

また、第１フラッシュメモリ６０および第２フラッシュメモリ７０へのアクセスは、同様な制御タイミングで実行することができる。 - 特許庁

A database system (900) has at least a first memory portion (920-1) and a second memory portion (920-2).例文帳に追加

データベースシステム（９００）は、少なくとも１つの第１メモリ部分（９２０−１）と第２メモリ部分（９２０−２）を有する。 - 特許庁

A memory cell layer 12 is formed on the first wiring 11 in a cell array, and a second wiring 13 is formed on the memory cell layer.例文帳に追加

セルアレイ内の第１配線の上にメモリセル層１２を形成し、メモリセル層の上に第２配線１３を形成する。 - 特許庁

A first bit FB of multi-bit data is programmed in one of the plurality of memory cells in the memory cell array from the storage unit.例文帳に追加

マルチ-ビットデータの第１ビットＦＢは、記憶ユニットからメモリーセルアレイ内の複数のメモリーセルの中に１つにプログラムされる。 - 特許庁

Prior to forming a peripheral circuit, an electrode for a memory cell is formed and a first contact for the memory cell is formed.例文帳に追加

周辺回路の形成に先立って、メモリセルの電極を形成すると共に、メモリセルの第１のコンタクトを形成する。 - 特許庁

The first memory section and the second memory section share a source and a drain, and capable of multi-bit operation of 2 bits or more.例文帳に追加

第１メモリ部及び第２メモリ部は、ソース及びドレインを共有して２ビット以上のマルチビット動作が可能である。 - 特許庁

Each of the first nonvolatile memory circuit and the second nonvolatile memory circuit has a transistor and a capacitor element.例文帳に追加

また、第１の不揮発性記憶回路及び第２の不揮発性記憶回路は、それぞれトランジスタ及び容量素子を有する。 - 特許庁

An information processor includes: a first image memory holding an image; and a second image memory holding a transmitted image.例文帳に追加

情報処理装置は、画像を保持する第１の画像メモリと、送信済みの画像を保持する第２の画像メモリとを有する。 - 特許庁

The buffer memory control unit 1 stores data from the first device 18 in the first buffer memory region 41, swaps address information corresponding to the first buffer memory region 41 and address information corresponding to the second buffer memory region 42, and transfers data stored in the first buffer memory region 41 to the second device 19 on the basis of the address information corresponding to the first buffer memory region 41 after the swapping.例文帳に追加

バッファメモリ制御部１は、第１の機器１８からのデータを第１のバッファメモリ領域４１に格納し、第１のバッファメモリ領域４１に対応するアドレス情報と第２のバッファメモリ領域４２に対応するアドレス情報を入れ替え、当該入れ替えた後の第１のバッファメモリ領域４１に対応するアドレス情報に基づき第１のバッファメモリ領域４１に格納されているデータを第２の機器１９に転送する。 - 特許庁

The interleaving access includes a clock signal having a first cycle and a second cycle for accessing the first and second memory cells respectively, wherein the second cycle enables the first local control circuit to trigger a first transition of a first read column select signal RSSL for accessing the first memory cell.例文帳に追加

インターリービングアクセスは、第一周期と第二周期を有するクロック信号を含み、それぞれ第一及び第二メモリセルにアクセスし、第二周期は、第一ローカル制御回路を有効にして、第一メモリセルにアクセスする第一読み取りカラム選択信号RSSLの第一遷移をトリガーすることを可能にする。 - 特許庁

Before migration, a first virtual computer has an operating system and an application in a first exclusive memory dedicated to the first virtual computer; a communication queue of the first virtual computer is resident in a shared memory shared by first and second computers or first and second LPAR.例文帳に追加

マイグレーションの前に、第１仮想計算機は、第１仮想計算機に専用の第１専用メモリ内にオペレーティング・システムおよびアプリケーションを有し、第１仮想計算機の通信キューは、第１および第２コンピュータまたは第１および第２ＬＰＡＲによって共用される共用メモリに常駐する。 - 特許庁

The first memory cells are arranged at the intersection points at which a plurality of first word lines cross a plurality of first bit lines which cross the plurality of first word lines, and the second memory cells are arranged at the intersection points at which second word lines arranged in parallel to the first word lines cross the plurality of the first bit lines.例文帳に追加

第１メモリセルは複数の第１ワード線と、複数の第１ワード線と交差する複数の第１ビット線の交点に配置され、第２メモリセルは第１ワード線と平行して配置される第２ワード線と複数の第１ビット線との交点に配置される。 - 特許庁

The first to P-th memory module groups are operated by corresponding first to P-th chip selection signals.例文帳に追加

第１ないし第Ｐメモリモジュール群は対応される第１ないし第Ｐチップ選択信号によって動作する。 - 特許庁

A write/read part 205 generates first data as template data of the additional information and writes the first data onto a memory card 206.例文帳に追加

書込／読取部２０５は、付加情報のテンプレートデータである第１データを生成してメモリカード２０６に書き込む。 - 特許庁

The first image processing section stores the image-processed first image data, as compressed code data in a memory.例文帳に追加

第１画像処理部は、画像処理された第１画像データを圧縮した符号データの状態でメモリに記憶する。 - 特許庁

FIRST-IN FIRST-OUT(FIFO) TYPE MEMORY CONTROL CIRCUIT DEVICE, IMAGE PROCESSING CIRCUIT DEVICE, AND IMAGE PROCESSING DEVICE PROVIDED WITH THEM例文帳に追加

先入れ先出し型メモリ制御回路装置、画像処理回路装置およびそれらを備えた画像処理装置 - 特許庁

A first memory cell MC111 is disposed on the opposite side of a semiconductor substrate SB of a first line WL11.例文帳に追加

第１のメモリセルＭＣ１１１は、第１のラインＷＬ１１の半導体基板ＳＢと反対側に配されている。 - 特許庁

The memory includes a first region 114 that is coupled to the first source to provide a source node.例文帳に追加

上記メモリは、ソースノードを設けるために、上記第１ソースに結合されている第１領域１１４を含む。 - 特許庁

The memory string includes a first semiconductor layer, a charge storage layer, a plurality of first conductive layers and a second conductive layer.例文帳に追加

メモリストリングは、第１半導体層、電荷蓄積層、複数の第１導電層、及び第２導電層を備える。 - 特許庁

In an exemplary embodiment of the present invention, a first portion of the memory is allocated to an address of a first range.例文帳に追加

本発明の一般的な実施形態によると、メモリの第１部分が第１範囲のアドレスに割り当てられる。 - 特許庁

Each first selection circuit selectively supplies the data from the memory cell array to the first or second internal data bus.例文帳に追加

各第１選択回路は、メモリセルアレイからのデータを第１又は第２内部データバスに選択的に供給する。 - 特許庁

Each memory cell comprises; a variable resistance layer, a first electrode layer, a second electrode layer, and a first barrier-height control layer.例文帳に追加

メモリセルは、可変抵抗層、第１電極層、第２電極層、及び第１バリアハイト制御層を備える。 - 特許庁

The magnetic random access memory includes a plurality of first write lines 1 extending along a first direction while separating each other.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、相互に離れて第１方向に沿って延びる複数の第１書き込み線１を含む。 - 特許庁

A request for reading data stored in a first memory cell connected to a first word line is received (S100).例文帳に追加

第１ワードラインと接続する第１メモリセルに格納されたデータを読み出すための要請を受信する（Ｓ１００）。 - 特許庁