「first memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

When the first tunnel junction is skipped, short-circuitting happens on the first tunnel junction, and a resistance of the selected memory cell changes from a first state to a second state.例文帳に追加

第１のトンネル接合を飛ばすと、該第１のトンネル接合に短絡が生じ、該選択されたメモリ・セルの抵抗が第１の状態から第２の状態に変化する。 - 特許庁

This non-volatile memory element has a plurality of first semiconductor layers, a plurality of second semiconductor layers, a plurality of first storage nodes and a plurality of first control gate electrodes.例文帳に追加

本発明の不揮発性メモリ素子は、複数の第１半導体層、複数の第２半導体層、複数の第１ストレージノード、及び複数の第１制御ゲート電極を備える。 - 特許庁

The memory control unit selectively performs either first write processing for writing data into a flash memory of the SSD or second write processing for writing data into the flash memory after deleting unnecessary data recorded in the flash memory.例文帳に追加

メモリ制御部は、ＳＳＤのフラッシュメモリにデータを書き込む第１の書き込み処理と、フラッシュメモリに記録された不要データを消去した後にフラッシュメモリにデータを書き込む第２の書き込み処理の一方を選択的に行う。 - 特許庁

This memory device is provided with a dual port memory equipped with a first port corresponding to an externally started memory access operation and a second port for dealing with the memory access operation related with an error check and error correcting operation.例文帳に追加

本発明のメモリ装置は、外部的に開始されたメモリアクセス動作に対する第一ポートを具備すると共にエラーチェック及びエラー補正動作と関連するメモリアクセス動作を取扱う第二ポートを具備しているデュアルポートメモリを有している。 - 特許庁

When data is copied from a source PC1b to a destination PC1a, the destination PC1a causes each of connected first USB memory 2 and second USB memory 3 to store a first secret key and a first open key.例文帳に追加

移動元ＰＣ１ｂから移動先ＰＣ１ａへデータをコピーする場合、移動先ＰＣ１ａは、接続されている第１ＵＳＢメモリ２及び第２ＵＳＢメモリ３のそれぞれに第１秘密鍵及び第１公開鍵を格納させる。 - 特許庁

The integrated circuit device 10 includes: first to Nth memory blocks (MB1 to MB6) disposed along a first direction (D1); a power supply circuit (PB); and a data driver (DR) disposed in a second direction (D2) of the first to Nth memory blocks.例文帳に追加

集積回路装置１０は第１の方向（Ｄ１）に沿って配置される第１〜第Ｎのメモリブロック（ＭＢ１〜ＭＢ６）と、電源回路（ＰＢ）と、第１〜第Ｎのメモリブロックの第２の方向（Ｄ２）に配置されるデータドライバ（ＤＲ）を含む。 - 特許庁

In the scanning line interpolating device for scanning line conversion from an interlace scheme to a progressive scheme, a first line memory stores a first scanning line, and a second line memory stores a second scanning line preceding for one horizontal synchronizing period of the first scanning line.例文帳に追加

インターレース方式からプログレッシブ方式に走査線変換する走査線補間装置であって、第１ラインメモリは、第１走査線を格納し、第２ラインメモリは、第１走査線の１水平同期期間前の第２走査線を格納する。 - 特許庁

A memory cell array (MCA) includes memory cells arranged in respective coordinates of orthogonal coordinate faces consisting of first and second axes, and it has a first region (DCA) along an outer circumference and a second region (MCA) located on a side opposite to the outer circumference of the first region.例文帳に追加

メモリセルアレイ（MCA）は、第１、第２軸からなる直交座標面の各座標に配置されたメモリセルからなり、外周に沿った第１領域（DCA）および第１領域の外周と反対側に位置する第２領域（MCA）を有する。 - 特許庁

The first write circuit overwrites data read from a memory cell and corrected by the error correction circuit with at least a part of first write data entered from the outside to write the data in the memory cell corresponding to a first write command.例文帳に追加

第１の書き込み回路は、メモリセルから読み出され、誤り訂正回路で訂正されたデータに、第１のライトコマンドに対応して外部から入力された第１のライトデータの少なくとも一部を上書きしてメモリセルに書き込む。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device includes a unit cell array MAT having a first metal 27, a second metal 36 crossing the first metal 27, and a memory cell MC connected at an intersection of the first metal 27 and second metal 36 between them.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、第１メタル２７、第１メタル２７と交差する第２メタル３６、第１メタル２７及び第２メタル３６の交差部でそれらの間に接続されたメモリセルＭＣを有する単位セルアレイＭＡＴを備える。 - 特許庁

The semiconductor memory includes a first pad, a second pad arranged adjacently to the first pad, a first output buffer connected to the first pad, and a second output buffer connected to the second pad.例文帳に追加

半導体メモリは、第１パッドと、第１パッドに隣接して配置される第２パッドと、第１パッドに接続される第１出力バッファと、第２パッドに接続される第２出力バッファとを有している。 - 特許庁

To provide a method for operating a nonvolatile memory device which includes a first data block for preserving the first data and a first log block for preserving an updated version of at least a part of the first data.例文帳に追加

第１データを保存する第１データブロック及び第１データの少なくとも一部のアップデートされたバージョンを保存する第１ログブロックを備える不揮発性メモリ装置を動作させる方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor storage apparatus includes a first transistor TR1 controlling potential of first bit lines BL/NBL provided to a row of memory cells and a first logic gate LG1 controlling the first transistor TR1.例文帳に追加

メモリセルの列に対して設けられた第１のビット線ＢＬ／ＮＢＬの電位を制御する第１のトランジスタＴＲ１と、当該第１のトランジスタＴＲ１を制御する第１の論理ゲートＬＧ１とを設ける。 - 特許庁

Each of the first and second read lines RWL1(j), RWL2(j) is connected to memory cells in a corresponding one of sets.例文帳に追加

第１および第２の読出用ワード線ＲＷＬ１（ｊ），ＲＷＬ２（ｊ）の各々は、対応の組のメモリセルと接続する。 - 特許庁

The memory card 18 and the internal storage device 20 are first and second storage means.例文帳に追加

メモリカード１８および内部記憶デバイス２０は第１記憶手段および第２記憶手段である。 - 特許庁

A DSP 8 processes the image data stored in the first memory 5 to generate color difference data.例文帳に追加

ＤＳＰ８は、第１のメモリ５に記憶した画像データを加工して色差データを生成する。 - 特許庁

The memory device 414 stores, for example, a first reference derailleur position for a second sprocket 54B.例文帳に追加

記憶装置４１４は、例えば、第２スプロケット５４Ｂのための第１基準ディレーラ位置を記憶する。 - 特許庁

The memory address data corresponding to PLCs of various specifications is first established in the HMI.例文帳に追加

従って、まず、様々な仕様のＰＬＣに対応したメモリ・アドレス・データをＨＭＩ内に確立する。 - 特許庁

A second image processing section reads the first image data stored in the memory as code data.例文帳に追加

第２画像処理部は、符号データとしてメモリに記憶されている第１画像データを読み出す。 - 特許庁

The plate line and the drive line are connected commonly to a column of memory cells arranged in a first direction.例文帳に追加

プレート線およびドライブ線は、第１方向に並ぶメモリセルの列に共通に接続されている。 - 特許庁

To perform calibration operations, calibration data may first be written to memory, and subsequently read back.例文帳に追加

調整操作を行うために、先ず、調整データがメモリに書込まれ、その後、それが読取られる。 - 特許庁

A plurality of selection transistors are connected in parallel between the memory cells and the first bit line.例文帳に追加

複数の選択トランジスタが記憶素子と第１のビット線との間で並列に接続されている。 - 特許庁

In an operation test of a plurality of memory cells, the bank decoder simultaneously selects the first bank and the second bank.例文帳に追加

複数のメモリセルの動作テスト時に、バンクデコーダは第１バンクと第２バンクを同時に選択する。 - 特許庁

The memory block MB and the data driver block DB are disposed adjacent to each other along the first direction D1.例文帳に追加

メモリブロックＭＢとデータドライバブロックＤＢはＤ１方向に沿って隣接して配置される。 - 特許庁

The first and second processors 110, 120 share the memory 130 via a data bus 160.例文帳に追加

第１及び第２のプロセッサ１１０，１２０は、データバス１６０を介してメモリ１３０を共有する。 - 特許庁

A module is mounted on a compressor and the processor accesses the first and the second non-volatile memory.例文帳に追加

モジュールは圧縮機に取り付けられ、プロセッサは第１および第２不揮発性メモリにアクセスする。 - 特許庁

A first signal from one pixel row is digitized after one integration period and the resulting signal is stored in a memory.例文帳に追加

一画素行からの第１の信号を第１の積分期間後にディジタル化しメモリに記憶する。 - 特許庁

A frame division section 2 divides data before compression which are in a memory 1 into first to (n)th frames.例文帳に追加

フレーム分割部２は、メモリ１内の圧縮前のデータを第１〜第ｎのフレームに分割する。 - 特許庁

The average value μ calculated at the first time is stored in a memory 6 as the initial average value μ_0.例文帳に追加

最初に算出された平均値μは、初期平均値μ_０としてメモリ６に保存される。 - 特許庁

An error detection is performed by using the first ECC51 when a memory controller has started to read data.例文帳に追加

メモリコントローラがデータを読み出すと、第１ＥＣＣ５１を利用してエラー検出が行われる。 - 特許庁

There is provided a substrate having a first conductive type well, a device separation structure, and a dummy memory sequence.例文帳に追加

第1の導電型のウェル、デバイス分離構造及びダミーメモリ列を備える基板を提供する。 - 特許庁

A language system used as the environment of an interface is acquired first from an external memory (S101).例文帳に追加

まず外部メモリから、インターフェースの環境として使用される言語体系を取得する（Ｓ１０１）。 - 特許庁

A memory cell is arranged between first wiring and second wiring and has a variable resistance element.例文帳に追加

メモリセルは、第１配線と第２配線との間に配置され且つ可変抵抗素子を有する。 - 特許庁

The second memory cell 15 has a second control gate 35 opposite to the first control gate 21.例文帳に追加

その第２メモリセル１５は、その第１コントロールゲート２１に対向する第２コントロールゲート３５を備える。 - 特許庁

The first load element includes an end connected with a bit line of main cell array within the flash memory device.例文帳に追加

第１負荷素子は、フラッシュメモリ装置内のメインセルアレイのビットラインに一端が連結される。 - 特許庁

A first and a second sense amplifiers are arranged at both sides of a bit line direction of the memory cell array, respectively.例文帳に追加

メモリセルアレイのビット線方向両側に第１、第２のセンスアンプがそれぞれ配置されている。 - 特許庁

In one embodiment, pages of a memory array are scanned to find a first free page after the power outage.例文帳に追加

一実施例では、メモリアレイのページがスキャニングされて、停電後の第１のフリーページを見出す。 - 特許庁

The first to fourth word line conductive layers 32a-32d function as control electrodes of memory transistors.例文帳に追加

第１〜第４ワード線導電層３２ａ〜３２ｄは、メモリトランジスタの制御電極として機能する。 - 特許庁

A ferroelectric capacitor Cs includes first and second terminals 21 and 22 and functions as a memory.例文帳に追加

強誘電体キャパシタＣｓは、第１端子２１、第２端子２２を有し、メモリとして機能する。 - 特許庁

The test module is configured to cause tests to be performed on the memory using the first bus.例文帳に追加

テストモジュールは、第１のバスを使用してメモリに対するテストを実行させるように構成される。 - 特許庁

A split gate NAND flash memory structure is formed on a first conductive type semiconductor substrate.例文帳に追加

分割ゲートＮＡＮＤフラッシュメモリ構造が第１伝導型の半導体基板の上に形成される。 - 特許庁

A split gate NAND flash memory structure is formed on a first conductive type semiconductor substrate.例文帳に追加

分割ゲートＮＡＮＤフラッシュメモリ構造が、第１伝導型の半導体基板上に形成される。 - 特許庁

The memory section 9c stores a first pipe length estimation logic and a second pipe length estimation logic.例文帳に追加

記憶部９ｃは、第１配管長推定ロジックと、第２配管長推定ロジックとを記憶する。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory device comprises: a first region; a second region; and a plurality of word lines.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、第１領域、第２領域、及び複数のワード線を備える。 - 特許庁

A bank address counter internal to the memory is initialized to a first predetermined value upon entering DARF mode.例文帳に追加

ＤＡＲＦモードに入ると、メモリ内部のバンクアドレスカウンターは第１の所定値にイニシャライズされる。 - 特許庁