「first memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

A nonvolatile memory 7 comprises: a memory allay 40 in which a plurality of twin cells for storing complementary data are arranged; and first to third determination parts 70, 72, and 20.例文帳に追加

不揮発性メモリ７は、相補データを記憶するツインセルが複数配列されたメモリアレイ４０と、第１〜第３の判定部７０，７２，２０とを備える。 - 特許庁

Image input is carried out and encoded image data generated from an image encoding section 201 is stored in a first memory 104 and a second memory 106.例文帳に追加

画像入力が行われ、画像符号化部２０１で生成された符号化画像データは第１のメモリ１０４及び第２のメモリ１０６に格納される。 - 特許庁

A music distribution system 100 is composed of a first portable telephone k1, a second portable telephone k2, a memory card M, a memory card MM and a music information server 10.例文帳に追加

音楽配信システム１００は、第１の携帯電話ｋ１と、第２の携帯電話ｋ２と、メモリカードＭと、メモリカードＭＭと、音楽情報サーバ１０とから成る。 - 特許庁

A first processor outputs an access request to a memory and a processing request generated by using data read out from the memory to instruct data processing.例文帳に追加

第１プロセッサは、メモリへのアクセス要求と、データ処理を指示するためにメモリから読み出されるデータを使用して生成される処理要求とを出力する。 - 特許庁

A read-only first memory 12 receives a user program from an outer terminal 10a and previously stores the program to be stored in an internal memory 15.例文帳に追加

読み出し専用の第１のメモリ１２により、外部端子１０ａからユーザプログラムを受信して内部メモリ１５に格納するプログラムが予め記憶される。 - 特許庁

The microcontroller is provided with a memory 12 for storing an encrypted program and a CPU 11 for executing the program read from the memory through a first route.例文帳に追加

暗号化したプログラムを格納するメモリ１２と、第１の経路を通じて前記メモリから読み出した前記プログラムを実行するＣＰＵ１１とを備える。 - 特許庁

In a portable phone 4, image data are stored in a first storage memory 33, and a name, address and birth date, etc., are stored in a second storage memory 40.例文帳に追加

携帯機器４には第１記憶メモリ３３には画像データが記憶され、第２記憶メモリ４０には氏名、住所、生年月日等が記憶されている。 - 特許庁

Furthermore, the logic held in the first memory cell is read out; and when the read logic is different from the second logic, defect of the ferroelectric memory is detected.例文帳に追加

そして、第１メモリセルに保持されている論理が読み出され、読み出される論理が第２論理と異なるとき、強誘電体メモリの不良が検出される。 - 特許庁

A memory module 13 is provided with a RAM used to constitute a main memory and an SPD (serial presence detect) 130 storing first SPD data.例文帳に追加

メモリモジュール１３には、主メモリを構成するのに用いられるＲＡＭ及び第１のＳＰＤデータを格納するＳＰＤ１３０が搭載されている。 - 特許庁

In a block (BLK), a plurality of first memory cells (DR) and a plurality of second memory cells (RDR) for storing control data are disposed in rows and columns.例文帳に追加

ブロック（ＢＬＫ）は、行及び列に複数の第１のメモリセル（ＤＲ）と制御データを記憶する複数の第２のメモリセル（ＲＤＲ）が配置されている。 - 特許庁

At the first booting of the flash memory, a defective block mapping table stored in a predetermined block in a memory cell array is stored in a defective block mapping register part.例文帳に追加

フラッシュメモリの最初ブーティング時、メモリセルアレイ部の所定のブロックに貯蔵された不良ブロックマッピングテーブルは、不良ブロックマッピングレジスター部に貯蔵される。 - 特許庁

When an error is detected in the specific information data in the first nonvolatile memory area, the specific information data in the second nonvolatile memory area are validated.例文帳に追加

第１の不揮発性メモリエリアの固有情報データに誤りが検出された場合、第２の不揮発性メモリエリアの固有情報データを有効にする。 - 特許庁

That is, the second flash memory 70 is suitable for storing data having a higher frequency in update than data stored in the first flash memory 60.例文帳に追加

すなわち、第２フラッシュメモリ７０、第１フラッシュメモリ６０に格納されるデータと比較して更新頻度の高いデータを格納することに適している。 - 特許庁

Transistors are respectively formed on memory and non-memory regions on a semiconductor substrate 1 and thereafter, a first insulating film 10 is formed on the transistors.例文帳に追加

半導体基板１上のメモリセル領域と非メモリセル領域とにトランジスタを形成した後、該トランジスタ上に第１の絶縁膜１０を形成する。 - 特許庁

To provide a memory card socket applicable to both of a first and a second memory cards, achieved in a simple structure with cost increase restrained.例文帳に追加

第１および第２のメモリカードの両方に対応可能なメモリカードソケットであって、コストアップを抑えつつ簡単な構造で実現したメモリカードソケットを提供する。 - 特許庁

To make an instruction and data that are read for the first time to be read not from a main storage device but from a cache memory in an arithmetic processing system having the cache memory.例文帳に追加

キャッシュメモリを有する演算処理システムにおいて、初めて読み出される命令やデータが、主記憶装置ではなくキャッシュメモリから読み出されるようにする。 - 特許庁

First and second memory sections store a reference value and a verification value for generating reference voltage and verification voltage of nonvolatile multi-level memory cells.例文帳に追加

第１および第２記憶部は、不揮発性の多値メモリセルの参照電圧および検証電圧を生成するための参照値および検証値を記憶する。 - 特許庁

A main printer 100 comprises a first memory section 106 for storing print data in units of page, and a second memory section 108 for storing job section data.例文帳に追加

本プリンタ装置１００は、印刷用データをページ単位で記憶する第１メモリ部１０６と、ジョブ区切りデータを記憶する第２メモリ部１０８とを備える。 - 特許庁

The system then test the memory location by causing the first processor to perform read and write operations to the memory location to produce test results.例文帳に追加

次いで、テスト結果を生成するために、第１のプロセッサに、メモリ位置に対する読み取りおよび書き込み動作を実行させることによって、メモリ位置をテストする。 - 特許庁

According to an embodiment, a non-volatile semiconductor storage device comprises a first memory string, a source contact, a second memory string, and a shield conductive layer.例文帳に追加

実施形態によれば、第１メモリストリングと、ソースコンタクトと、第２メモリストリングと、シールド導電層と、を備えた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A selector 12 writes the first prescribed number of segments in the packets to the small-capacity high-speed memory 3 and subsequent segments to the large-capacity low-speed memory 2.例文帳に追加

セレクタ１２は、パケットの最初の所定数のセグメントを小容量高速メモリ３に書き込み、それ以降のセグメントを大容量低速メモリ２に書き込む。 - 特許庁

The device for controlling storage device 3 is connected to a random access memory 4a and to a first storage device 4b, having a smaller number for upper limit on rewriting than for the random access memory.例文帳に追加

記憶装置管理装置３は、ランダムアクセスメモリ４ａと、これより少ない書き換え上限回数の第１記憶装置４ｂと接続される。 - 特許庁

Memory cells are arranged at intersections between a plurality of first wirings and a plurality of second wirings, the memory cell being configured by connecting a rectifier element and a variable resistance element in series.例文帳に追加

メモリセルは、整流素子と可変抵抗素子とを直列接続してなり、複数の第１配線及び複数の第２配線の交差部に配置される。 - 特許庁

The resistance value of the memory element is reversibly varied between at least a first value and a second value by controlling the voltage applied to the memory element.例文帳に追加

メモリ素子の抵抗値は、メモリ素子に印加される電圧を制御することにより、少なくとも第一値と第二値との間で可逆変化させる。 - 特許庁

The NAND string includes a plurality of memory cells and at least one pair of first selection transistors arranged to be adjacent to one side of the plurality of memory cells.例文帳に追加

ＮＡＮＤストリングは複数のメモリセル及び複数のメモリセルの一側に隣り合うように配置される少なくとも一対の第１選択トランジスタを含む。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory device comprises a semiconductor substrate, a memory string, a plurality of first conductive layers, second conductive layers, and a third conductive layer.例文帳に追加

一態様に係る不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板、メモリストリング、複数の第１導電層、第２導電層、及び第３導電層を有する。 - 特許庁

A packet reconstruction part 14 reconstructs the data packet according to an access result of the first memory bank access part 12 and the second memory bank access part 13.例文帳に追加

そして、パケット再構成部１４は、第１のバンクメモリアクセス部１２および第２のバンクメモリアクセス部１３によるアクセス結果に応じてデータパケットを再編成する。 - 特許庁

The error check operation is performed substantially in parallel with the externally started memory access operation to be performed by using the first port of the dual port memory.例文帳に追加

エラーチェック動作は、デュアルポートメモリの第一ポートを使用して実施される外部的に開始されたメモリアクセス動作と実質的に並列的に実施される。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory device includes memory cells that are disposed between first wiring and second wiring and each have a variable resistance element changing its resistance.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、第１配線と第２配線との間に配置され、抵抗を変化させる可変抵抗素子を有するメモリセルを備える。 - 特許庁

In the semiconductor memory device 100, when data is written in a memory cell 3, a first switch circuit 8 is turned ON while a second switch circuit 9 is turned OFF.例文帳に追加

半導体記憶装置１００は、メモリセル３にデータを書き込む場合は、第１のスイッチ回路８がオンするとともに第２のスイッチ回路９がオフする。 - 特許庁

The number of pallets of the reference deep color item group is memorized in a memory, and the number of pallets of the first to ninth deep color item groups is memorized in the memory.例文帳に追加

基準濃色品群のパレット数を記憶装置に記憶させるとともに、第１〜９関連濃色品群の各パレット数を記憶装置に記憶させる。 - 特許庁

A first memory circuit 27 that cannot be rewritten and a second memory circuit 28 that can be rewritable electrically are provided in the signal processing LSI 15.例文帳に追加

信号処理ＬＳＩ１５には、書き換えのできない第１メモリ回路２７と電気的に書き換えの可能な第２メモリ回路２８が設けられている。 - 特許庁

After writing the image pickup signals of the prescribed unit, the first memory 23 or the second memory 24 is switched to the other and image pickup signals are continuously written.例文帳に追加

所定単位の撮像信号の書込みが終わると、第１メモリ２３と第２メモリ２４とを切り替えて、引き続き撮像信号の書込みを行う。 - 特許庁

An output is provided with two memory blocks 5 and 6 connected with a delayed addition part 7 and a received signal is digitalized and is stored in the first memory block 5.例文帳に追加

出力が遅延加算部７に接続された２つのメモリブロック５、６を備え、受信信号はディジタル化され、第１のメモリブロック５に記憶される。 - 特許庁

In a first step, the image memory 21 for the past image reads out data according to the movement amount K1 so as to be transferred to the image memory 21 for the present image.例文帳に追加

第１ステップにおいて過去映像用画像メモリ２１は、Ｋ１に従ってデータを読出し、現在映像用画像メモリ２０に転送していく。 - 特許庁

By using such constitution, as the first nonvolatile memory bank and the second nonvolatile memory bank can share data lines, pattern occupancy area can be reduced.例文帳に追加

このような構成によれば、第１の不揮発性メモリバンクと第２の不揮発性メモリバンクでデータ線を共有できるので、パターン占有面積を縮小できる。 - 特許庁

At least one end of the first write line passes through the upper end or the lower end of the memory cell array, while the other end passes through the left or right end of the memory cell array.例文帳に追加

少なくとも１つの第１書き込み線の一端はメモリセルアレイの上端または下端を通り、他端はメモリセルアレイの左端または右端を通る。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which a second replacement relieving can be performed after a first replacement relieving without using dual spare memory cells.例文帳に追加

重複したスペアメモリセルを使用することなく第１回目の置換救済の後に第２回目の置換救済が可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A memory cell used for a memory cell array 27 is not made to be in an over erasure state even if applying an erasing pulse to a first cell for 300 ms is performed four times.例文帳に追加

メモリセルアレイ２７に用いられるメモリセルは、ファーストセルに３００ms間の消去パルス印加を４回行ってもオーバーイレース状態にはならない。 - 特許庁

Step 130 combines each of the first birds-eye view images stored in an image memory A and an image memory B to prepare a combined birds-eye view image.例文帳に追加

ステップ１３０では、画像メモリＡ及び画像メモリＢに記憶されている各第１鳥瞰図画像を結合して結合鳥瞰図画像を作成する。 - 特許庁

The address has a size less than or equal to a maximum memory transfer size for the second processor and greater than a maximum memory transfer size for the first processor.例文帳に追加

アドレスにおける保持値のサイズは、第２のプロセッサの最大メモリ転送サイズ以下であり、第１のプロセッサの最大メモリ転送サイズよりも大きい。 - 特許庁

The image display system simultaneously displays the original image and its processed image, and includes a display screen, a first memory unit, a second memory unit, and a control unit.例文帳に追加

オリジナル画像とその加工画像を同時に表示する画像表示システムであって、表示スクリーン、第一のメモリユニット、第二のメモリユニットと制御ユニットを含む。 - 特許庁

A memory cell becomes a low-resistance condition at a first temperature in the programming method of the phase shift memory that has a high resistive state and a low resistive state.例文帳に追加

高抵抗および低抵抗の状態を持つ相変化メモリセルのプログラミング方法において、メモリセルは第１温度に加熱されて低抵抗状態になる。 - 特許庁

This data access method in a multichannel flash memory comprises preparing the scheduled quantity of information channels between a plurality of flash memories and flash memory controllers at first.例文帳に追加

マルチチャンネルのフラッシュメモリにおけるデータアクセス方法は、先ず複数個のフラッシュメモリ、フラッシュメモリコントローラの間に予定数量の情報チャンネルを作成する。 - 特許庁

Since the mask data are not programmed into a memory cell, only the first program data supplied from the system is programmed in a page of a nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加

マスクデータは、メモリセルにプログラムされないため、不揮発性半導体メモリのページには、システムから供給された第１プログラムデータのみがプログラムされる。 - 特許庁