「g structure」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An ONO gate insulating film G of three-layered structure composed of Si oxide film 6/Si nitride film 5/Si oxide film 4 is formed on the surface of an N-type CCD channel region 3, and a poly-Si transfer electrode 7 is provided on the ONO gate insulating film G.例文帳に追加

n型CCDチャネル領域3表面に、Si酸化膜6/Si窒化膜5/Si酸化膜4の3層構造のONOゲート絶縁膜Gが形成され、ONOゲート絶縁膜G上に、ポリSi転送電極7を設けている。 - 特許庁

A treater is constituted in a structure that an LCD substrate G received from a main arm 10a is held by a spin chuck 21 and after a developing liquid is fed to the surface of the substrate G, the substrate G is rotated, and at the same time a rinsing liquid is fed to the surface of the substrate G to perform a rinsing treatment of the substrate G.例文帳に追加

メインアーム１０ａから受け取ったＬＣＤ基板Ｇをスピンチャック２１により保持し、ＬＣＤ基板Ｇの表面に現像液を供給した後、ＬＣＤ基板Ｇを回転させると共に、ＬＣＤ基板Ｇの表面にリンス液を供給してリンス処理を行う。 - 特許庁

To provide an exhaust gas processing method and device capable of effectively processing particulate g such as solid carbon contained in exhaust gas G by a simple structure.例文帳に追加

簡単な構造で排気ガスＧに含まれる固体炭素のような微粒子ｇを効率的に処理できる排気ガス処理方法と装置を提供する。 - 特許庁

In a pixel division structure, light emission areas of three R, G, and B pixels (sub-pixels) 20R, 20G and 20B are divided by R:G:B=2:3:2.例文帳に追加

画素の分割構造において、Ｒ，Ｇ，Ｂの３画素（副画素）２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの発光領域の分割数を、Ｒ：Ｇ：Ｂ＝２：３：２に設定する。 - 特許庁

The elastic damper 15 has a density from 0.35 g/cm^3 to 0.5 g/cm^3 and has a minute cell foam structure.例文帳に追加

弾性制振材１５は密度０．３５ｇ／ｃｍ^３以上０．５ｇ／ｃｍ^３以下で、微細セル発泡構造を有する。 - 特許庁

The foam having the fibrillated non-cellular structure has an average density of about 0.02 g/cm^3 to about 0.07 g/cm^3.例文帳に追加

フィブリル化した非気泡構造を有する発泡体の平均密度は約０．０２ｇ／ｃｍ^3から約０．０７ｇ／ｃｍ^3である。 - 特許庁

Earth retaining piles 6 are driven in a ground G in the circumference of a building 1, the ground G in the earth retaining piles 6 is excavated, and the structure 2 is constructed sequentially.例文帳に追加

建物１の周囲の地盤Ｇ内に山留め杭６を打設し、該山留め杭６内の該地盤Ｇを掘削して該建物１の購体２を順次構築する。 - 特許庁

A magnetic core structure having a gap G on center legs configured by combining a pair of ferrite cores can increase the distance between the gap G and the coil, and can reduce the influence of the leaked magnetic flux due to the gap G.例文帳に追加

このようなフェライトコアを一対組み合わせて中央脚部間にギャップＧを有する磁心構造とした場合、ギャップＧとコイルとの距離が大きくなり、ギャップＧに起因する漏洩磁束の影響を軽減できる。 - 特許庁

There is provided the construction method for the structure 1 supported on a leveled ground G through the base-isolating layer 10.例文帳に追加

免震層１０を介して整地面Ｇ上に支承された構造物１の構築方法である。 - 特許庁

Here, gas G is blown at the reflective face 4a of the reflecting mirror 4 by the gas blowing structure 5.例文帳に追加

このとき、反射ミラー４の反射面４ａには、ガス吹付け構造５によってガスＧが吹き付けられる。 - 特許庁

Then the gate structure G_N is formed linearly to pass through the intersecting region 103.例文帳に追加

そして交差領域１０３を通るようにゲート構造Ｇ_Nを線状に形成する。 - 特許庁

To provide a method for predicting the higher-order structure of a nucleic acid as represented by G-quartet structure, and a device and program for performing the method.例文帳に追加

Ｇカルテット構造に代表される核酸の高次構造を予測し得る方法、並びにこの方法を実行する装置及びプログラムを提供する。 - 特許庁

The base isolation bearing member 11 is interposed between the structure and a leveled ground G thereunder and base-isolates the structure.例文帳に追加

構造物とその下方の整地面Ｇとの間に介装されて前記構造物を免震支承する免震支承部材１１である。 - 特許庁

A suction structure 73 and a supporting pin 74 are arranged in transporting arms 51a and 51b constituting the transporting structure 50 to hold the substrate G.例文帳に追加

搬送機構５０を構成する搬送アーム５１ａ・５１ｂに吸着機構７３および支持ピン７４を配設し基板Ｇを保持する。 - 特許庁

A unit cell has gate electrodes G having an open-loop structure formed on a semiconductor substrate 1, a fin-shaped drain region 2 formed in a region inside the gate electrodes G and a fin-shaped source region 3 formed in a region outside the gate electrodes G.例文帳に追加

ユニットセルは、半導体基板１上に形成された開ループ構造のゲート電極Ｇと、前記ゲート電極Ｇの内方となる領域にフィン状に形成されたドレイン領域２と、前記ゲート電極Ｇの外方となる領域に形成されたフィン状のソース領域３とを有する。 - 特許庁

A device 23A which processes a substrate G coated with a resist film has such a structure that it is capable of vacuum-drying the substrate G and removing off the resist film formed on the peripheral edge of the substrate G held at a prescribed position.例文帳に追加

レジストが塗布された基板Ｇを処理する装置２３Ａは、レジスト膜が形成された基板Ｇを所定位置に保持した状態で、基板Ｇの減圧乾燥および基板Ｇの周縁部のレジストの除去を行うことができる構造を有する。 - 特許庁

This plasticizer comprises a polyester plasticizer having an acid value of not more than 0.5 mgKOH/g and an aromatic terminal ester having a specific structure and an acid value of not more than 0.5 mgKOH/g.例文帳に追加

酸価０.５ｍｇＫＯＨ／ｇ以下のポリエステル系可塑剤と特定構造を有する酸価０.５ｍｇＫＯＨ／ｇ以下の芳香族末端エステルとからなることを特徴とする可塑剤。 - 特許庁

In the formula, R^a to R^g represents a hydrogen atom, a carboxyl group, a hydroxyl group, a carbamoyl group, an alkyl group, an aryl group, a heterocyclic group, or a substituent group containing such groups as a partial structure.例文帳に追加

（式中、Ｒ^a〜Ｒ^gは、それぞれ独立に、水素原子、カルボキシ基、ヒドロキシ基、カルバモイル基、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、又はこれらの基を部分構造として含む置換基を表す。） - 特許庁

To obtain a compound which is specifically bonded to an oligonucleotide having continuous G-G mismatches and is useful for stabilizing hairpin loop structure formed by the oligonucleotide and to provide a use thereof.例文帳に追加

Ｇ−Ｇミスマッチが連続するオリゴヌクレオチドに特異的に結合し、当該オリゴヌクレオチドが形成するヘアピンループ構造等を安定化等させるための化合物、およびその利用法を提供する。 - 特許庁

The thermoplastic resin includes a unit having a furan structure represented by the structural formula (1), with reduced viscosity (ηsp/C) of 0.48 dL/g or more and a terminal acid value of less than 200 μeq/g.例文帳に追加

下記構造式（１）で表されるフラン構造を有する単位を含み、還元粘度（ηｓｐ／Ｃ）が０．４８ｄＬ／ｇ以上、末端酸価が２００μｅｑ／ｇ未満である熱可塑性樹脂。 - 特許庁

This automotive steel sheet contains ≥0.002 mass% solid-solution C and has a structure composed mainly of ferrite having a grain size of 9.5 or higher in crystal grain size number according to JIS G 0552.例文帳に追加

質量％で，固溶Cを0.002％以上含み，かつJIS G 0552による結晶粒度番号が9.5番以上の結晶粒度からなるフェライトを主体とした組織を有する自動車用薄鋼板である。 - 特許庁

To achieve a structure capable of suppressing pressing force required to secure surface pressure of each traction part in a G/N (Geared/Neutral) state and in the vicinity part, in a continuously variable transmission capable of achieving the G/N state.例文帳に追加

Ｇ／Ｎ状態を実現できる無段変速装置で、このＧ／Ｎ状態及びその近傍部分で、各トラクション部の面圧を確保する為に必要とする押圧力を低く抑えられる構造を実現する。 - 特許庁

In this case, the upper arm side and lower arm side switching elements (15, 25) comprise each an element in a lateral-type structure wherein a source (S), a gate (G) and a drain (D) are arranged in parallel with each other on one side face thereof.例文帳に追加

ここで、上アーム側及び下アーム側スイッチング素子（15,25）は、その片側面にソース（S）、ゲート（G）、及びドレイン（D）が並設された横型構造の素子で構成されている。 - 特許庁

This structure is provided with beams 16 as plural supporting bodies arranged undulatably in the layer below the green G and hydraulic jacks 24 for undulating the green G in lifted segments of the respective beams 16 by lifting the ends of the beams.例文帳に追加

グリーンＧの下層に起伏可能に配置された複数の支持体としての梁１６と、各梁１６の端部を昇降させてその昇降部位におけるグリーンＧを起伏させるための油圧ジャッキ２４を設けた。 - 特許庁

This insulating structure of a stator for resolvers is in a configuration where first and second insulating covers (2, 3) are integrated to a stator body (1) and there is no annular gap (G) between the insulating covers (2, 3).例文帳に追加

本発明によるレゾルバ用ステータの絶縁構造は、第１、第２絶縁カバー(2、3)はステータ体(1)に対して一体成形され、各絶縁カバー(2、3)間の輪状隙間(G)を有しない構成である。 - 特許庁

Thus, in a reflection type electrode structure in which the display electrode is partly overlapped with the scanning lines G(1)-G(J) and signal lines S(1)-S(I), the influence of the holding voltage fluctuating due to the influence of parasitic capacitance generated among them is reduced.例文帳に追加

これにより、表示電極が走査線Ｇ(1) 〜Ｇ(J) や信号線Ｓ(1) 〜Ｓ(I) と一部が重なる反射型電極構造などにおいてこれらの間に生じる寄生容量の影響で変動する保持電圧の変動の影響が低減する。 - 特許庁

The gate G_ST of the selection transistor ST is formed with a MOS structure so as to straddle the first impurity diffusion layer 104, the first body region 100, and the first impurity diffusion layer 124.例文帳に追加

第１不純物拡散層１０４、第１ボディ領域１００、第１不純物拡散層１２４に跨るように選択トランジスタSTのゲート部G_STをＭＯＳ型構造で形成する。 - 特許庁

A primary exhaust pipe 2 arranged on the upstream side of exhaust air G and the secondary exhaust pipe 3 arranged on the downstream side of the exhaust air G are separated from each other, and a baffle structure is provided between the primary exhaust pipe 2 and the secondary exhaust pipe 3.例文帳に追加

排気Ｇの上流側に配置された一次排気管２と排気Ｇの下流側に配置された二次排気管３とが分離され、一次排気管２，二次排気管３の間にバッフル構造が備えられている。 - 特許庁

Preferably, the above hydrophilic silica powder has a porous structure having a pore volume of ≤1.8 ml/g and a pH of 4-7 and more preferably, has an oil absorption according to the JIS K 5101 method of ≥50 ml/100 g.例文帳に追加

前記親水性シリカパウダーは、細孔容積が１．８ｍｌ／ｇ以下、かつｐＨが４〜７の多孔質構造体であることが好ましく、さらに好ましくは、ＪＩＳ Ｋ５１０１法による吸油量が５０ｍｌ／１００g以上である。 - 特許庁

The gate G_MT of the memory transistor MT is formed with a MONOS structure on the second body region 106 so as to straddle the second body region 106 and the first impurity diffusion layer 104.例文帳に追加

第２ボディ領域１０６と第１不純物拡散層１０４に跨るように第２ボディ領域１０６上にメモリトランジスタMTのゲート部G_MTをＭＯＮＯＳ構造で形成する。 - 特許庁

(g) General knowledge of structure, function, and handling of machine instrument, electric instrument, gyroscopic instrument, and electronic instrument 例文帳に追加

ト　機械計器、電気計器、ジャイロ計器及び電子計器の構造、機能及び取扱いに関する一般知識 - 日本法令外国語訳データベースシステム

An epoxy resin having a 5-methylresorcin diglycidyl ether structure and an epoxy equivalent of 130 g/eq or higher is used.例文帳に追加

５−メチルレゾルシンジグリシジルエーテルの構造で、エポキシ当量が１３０ｇ／ｅｑ以上のエポキシ樹脂を用いる。 - 特許庁

A polyisocyanate compound having a structure of a formula (2), wherein g represents an integer of 0 or 1 and h represents an integer of 1 or 2.例文帳に追加

式（２）（式中ｇは０または１の整数を示し、ｈは１または２の整数を示す。）の構造を有するポリイソシアナート化合物。 - 特許庁

Piezoelectric ceramics contain an oxide with a perovskite structure represented by [{(NamDn)i(BikEt)j}gAh]f(TiuNv)O3.例文帳に追加

［｛（Ｎａ_m Ｄ_n ）_i （Ｂｉ_k Ｅ_t ）_j ｝_g Ａ_h ］_f （Ｔｉ_u Ｎ_____v ）Ｏ_3 で表されペロブスカイト構造を有する酸化物を含有している。 - 特許庁

The fiber structure is formed from fibers having an average fiber diameter of 10-3000 nm, and has a basis weight of 1-20 g/m^2.例文帳に追加

平均繊維径が１０〜３０００ｎｍの繊維から形成されており、目付けが１〜２０ｇ／ｍ^２であることを特徴とする繊維構造体。 - 特許庁

This water-resistant paper is characterized in that the surface absorption (water absorption of cup) of the fiber structure or its molding product is ≤1 g/(m2*2 minutes).例文帳に追加

前記繊維構造物またはその成型体の表面吸水量（コッブ吸水度）が１ｇ／（ｍ^2＊２分）以下であることを特徴とする。 - 特許庁

To contrive simple attaching structure of a bracket onto an elastic barrier G.例文帳に追加

鉄道車両連結部の転落防止装置について、ブラケットの弾性防壁Ｇへの単純な取り付け構造を工夫すること。 - 特許庁

The nine first radiation antenna elements 111a-111i have all jointly the same structure, and the length is λ_g/4.例文帳に追加

９つの第１放射アンテナ素子１１１ａ〜１１１ｉは何れも合同で同一構造であり、その長さはλ_g ／４である。 - 特許庁

Preferably, the total volume (v) of the pores 7 is larger than 0 ml and 0.17 ml or smaller to the structure of 1 g.例文帳に追加

好ましくは、その微細孔７の総容積（ｖ）が構造体１ｇあたり０ｍｌ超〜０．１７ｍｌ以下である。 - 特許庁

On the basis of the angle position and the intensity at the peak P on the small angle scatter diagram G, the molecular structure of the ion exchange membrane, accordingly the ion exchange ability, is evaluated.例文帳に追加

小角散乱線図ＧのピークＰの角度位置及び強度によって、イオン交換膜の分子構造、従ってイオン交換能力を評価する。 - 特許庁

The layers 14 to be compressed may be formed by the nonwoven fiber structure whose thickness is 3 to 60 mm and apparent density is 0.03 to 0.2 g/cm^3.例文帳に追加

前記被圧縮層１４は、厚み３〜６０ｍｍ、見掛け密度０．０３〜０．２ｇ／ｃｍ^３の不織繊維構造体で形成されていてもよい。 - 特許庁

A porous structure layer 4 which is formed of silicone resin and has density of ≤0.7 g/cm^3 is arranged on a resin substrate 2.例文帳に追加

樹脂基板２上にシリコーン樹脂で密度が０．７ｇ／ｃｍ3以下の多孔質構造体層４を設ける。 - 特許庁

The eaves structure part 31 is stretched, inside of an eaves frame 41, with an upper wire 42 serving as a support on which a vine plant G creeps.例文帳に追加

庇構造部３１では、庇フレーム４１の内側につる植物Ｇが絡み付く支えとなる上部ワイヤ４２が張られている。 - 特許庁

The method is to construct the underground structure 1 extending from a start vertical shaft 51 to a horizontal ground G.例文帳に追加

発進立坑５１から横方向の地盤Ｇに向けて延伸される地下構造物１を構築する方法である。 - 特許庁

The plasma-proof fluoride sintered compact comprises a CaF_2-MgF_2 sintered compact containing MgF_2 of 1 to 5 wt.% and has a dense structure having bulk density of the sintered compact of 3.00 g/cm^3 or more.例文帳に追加

MgF_2を１〜５wt.％含有するCaF_2−MgF_2焼結体からなり、該焼結体の嵩密度が３．００g/cm^3以上の緻密な構造を有している。 - 特許庁