「hexagonal axis」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

During layout of the mask for micromachining the cMUT layer, either the hexagonal pattern or the alignment key is rotated until an axis of symmetry of the hexagonal pattern is aligned with an axis of the alignment key.例文帳に追加

ｃＭＵＴ層を微細加工するためのマスクレイアウト中に、六角形パターンの対称の軸がアラインメントキーの軸と整列するまで六角形のパターン又はアラインメントキーのいずれかが回転される。 - 特許庁

When referring to an orthogonal coordinate system Cr, the c-coordinate axis is oriented to the c-axis of the hexagonal n-type gallium nitride of the substrate 13.例文帳に追加

直交座標系Ｃｒを参照すると、ｃ座標軸は、基板１３の六方晶系のｎ型窒化ガリウムのｃ軸に向いている。 - 特許庁

The projections 1 are formed by rotating a regular hexagonal prism-shaped projection having an m-plane as a side plane at 15° counterclockwise on a center axis 1b of the regular hexagonal prism.例文帳に追加

凸部１は、側面がｍ面である正六角柱状の凸部を、その正六角柱の中心軸１ｂの回りに反時計回りに１５°回転させたものである。 - 特許庁

The crystal structure of Ru is a dense hexagonal structure (hcp) and its (a) axis is about 2.70 Å long.例文帳に追加

Ｒｕの結晶構造は稠密六方構造（ｈｃｐ）であり、そのａ軸の長さは約２．７０Åである。 - 特許庁

A principal plane 13a of a p-type semiconductor region 13 extends along a plane inclined to a (c) axis (<0001> axis) of hexagonal group III nitride.例文帳に追加

ｐ型半導体領域１３の主面１３ａは該六方晶系III族窒化物のｃ軸（＜０００１＞軸）に対して傾斜した平面に沿って延在する。 - 特許庁

The principal surface 17a is inclining in the direction of the m-axis of a hexagonal nitride semiconductor at an angle of ALPHA in the range of 63 degree or more and less than 80 degree with reference to a plane orthogonal to a reference axis Cx extending in the direction of the c-axis of the hexagonal nitride semiconductor.例文帳に追加

この主面１７ａは、六方晶系窒化物半導体のｃ軸の方向に延在する基準軸Ｃｘに直交する面を基準に６３度以上８０度未満の範囲の角度ＡＬＰＨＡで六方晶系窒化物半導体のｍ軸の方向に傾斜している。 - 特許庁

The coil component is provided with a hexagonal sintered ferrite having an easy plane of magnetization and a coil causing a magnetic flux inside the hexagonal sintered ferrite; the hexagonal sintered ferrite as a whole is arranged on an inner side of the coil, which is viewed from a direction of a winding axis of the coil; and in the easy plane of magnetization for the hexagonal sintered ferrite, a state parallel to the winding axis has dominant anisotropy.例文帳に追加

コイル部品であって、磁化容易面を有する六方晶フェライト及び前記六方晶フェライト内部に磁束を発生させるコイルを備え、前記六方晶フェライト全体が前記コイルの巻回軸方向から見て前記コイルの内側に配置され、前記六方晶フェライトは、その磁化容易面が前記巻回軸に平行な状態が優勢な異方性を有することを特徴とする。 - 特許庁

The pair of torn surfaces 27 and 29 cross the plane defined by the c-axis of the hexagonal group-III nitride semiconductor and the normal axis of the semipolar primary surface 17a.例文帳に追加

一対の割断面２７，２９は、六方晶系III族窒化物半導体のｃ軸と、半極性主面１７ａの法線軸とによって規定される面とそれぞれ交差する。 - 特許庁

The rear surface 13b of the support base 13 is inclined with respect to a plane orthogonal to a reference axis extending in a c-axis direction of a hexagonal gallium nitride semiconductor in the support base 13.例文帳に追加

支持基体１３の裏面１３ｂは、支持基体１３の六方晶系窒化ガリウム半導体のｃ軸方向に延びる基準軸に直交する平面に対して傾斜する。 - 特許庁

A rotating body 22 of a hexagonal prism shape, which is freely rotatably supported about a horizontal axis, is housed within a device body 1a.例文帳に追加

装置本体１ａの内部に、水平軸回りに回転自在に支持された六角柱状の回転体２２を収容する。 - 特許庁

The ZnO compound semiconductor single crystal of a hexagonal crystalline structure is grown on the layer of single crystal of compound of a hexagonal crystal crystalline structure having a plurality of (0001) surfaces continued stepwise in the a-axis direction so as to be slanted with respect to the a-axis direction of the same.例文帳に追加

ａ軸方向に階段状に連なった複数の（０００１）面を有する六方晶結晶構造の化合物単結晶層上に、六方晶結晶構造のＺｎＯ系化合物半導体単結晶をそのａ軸方向に傾斜させて成長させる。 - 特許庁

A cylindrical nut 1 has a female screw part 2 and a polygonal hole (a hexagonal hole) 3 continuing with the female screw part 2 on the axis.例文帳に追加

円筒形ナット１は、めねじ部２と該めねじ部２に続く多角形穴（六角形穴）３を中心軸線上に有している。 - 特許庁

A crystal 23 of hexagonal boron nitride is oriented so that its a-axis and b-axis directions are along a surface direction of an insulation layer 13, in a circuit board 12 including the insulation layer 13 made of a thermosetting epoxy resin 24 containing the crystal 23 of hexagonal boron nitride.例文帳に追加

六方晶窒化ホウ素の結晶２３を含有する熱硬化性エポキシ樹脂２４からなる絶縁層１３を備えた回路基板１２において、六方晶窒化ホウ素の結晶２３は、そのａ軸及びｂ軸方向が絶縁層１３の面方向に沿うように配向されている。 - 特許庁

To provide a thin-film production method which enables production of a hexagonal-crystal thin film with c-axis in-plane orientation.例文帳に追加

結晶構造が六方晶系となった結晶薄膜をｃ軸面内配向させて成膜することのできる薄膜製造方法を提供する。 - 特許庁

A concentric flow straightening part 24 constituting a fluid device 12 has such a honeycomb structure that a large number of regular-hexagonal hexagonal pipes 32 having the same diameter are aggregated densely and are stored in a large-size circular pipe 30, wherein one of the large number of hexagonal pipes 32 is arranged coaxially with the center axis P of the large-size circular pipe 30.例文帳に追加

流体デバイス１２を構成する同芯整流部２４は、大径円管３０内に、多数本の同径な正六角形な六角管３２が密集して収納されたハニカム構造であって、多数本の六角管３２のうち１本が大径円管３０の中心軸Ｐと同軸上に配置された構造に形成される。 - 特許庁

The polygon mirror 10 has the shape of a hexagonal prism equipped with 6 faces of the reflection plane 11 on the periphery, and is rotated around a rotary shaft 12 serving as a central axis.例文帳に追加

ポリゴンミラー１０は、周囲に反射面１１を６面備えた六角柱状であり、中心軸となる回転軸１２回りに回転する。 - 特許庁

The cylindrical electrodes E1 to E6 are arranged in rotational symmetry at equal intervals of 60° with the axis O as the center to form a regular hexagonal ion orbit.例文帳に追加

円筒電場Ｅ１〜Ｅ６は、軸心Ｏを中心として６０°の等間隔で回転対称に配置され、正六角形状のイオン軌道が形成される。 - 特許庁

The semipolar primary surface 17a is the {20-21} plane of the hexagonal group-III nitride semiconductor or inclines at an angle from -0.2 degrees or more to 0.2 degrees or less from the {20-21} plane of the hexagonal group-III nitride semiconductor along the c-axis.例文帳に追加

半極性主面１７ａは、六方晶系III族窒化物半導体の｛２０−２１｝面であるか、若しくは六方晶系III族窒化物半導体の｛２０−２１｝面に対してｃ軸の方向に−０．２度以上０．２度以下の範囲内で傾斜している。 - 特許庁

Crystal island 1, 1' is a crystal (hexagonal system, a=0.776 nm and c=0.562 nm) of α-Si3N4 and c-axis of the crystal island 1 extends along Si[011] direction and a-axis thereof extends along Si[100] direction.例文帳に追加

結晶島１、１’はα−Ｓｉ_3 Ｎ_4 （六方晶系、ａ＝０．７７６ｎｍ、ｃ＝０．５６２ｎｍ）結晶であり、結晶島１のｃ軸はＳｉ〔０１１〕方位に沿っており、ａ軸はＳｉ〔１００〕方位に沿っている。 - 特許庁

When an eccentric cam 12 is rotated with a hexagonal wrench, etc., a nearly U-sectioned lamp fixation plate 7 rotates around the X axis while a guide pin 13 provided to the lamp fixation plate 7 is guided in a guide hole 9a for the guide pint to adjust the optical axis of the lamp 1 around the X axis.例文帳に追加

偏心カム１２を６角レンチ等により回転すると、断面略コ字状のランプ固定板７はランプ固定板７に設けられたガイドピン１３がガイドピン用ガイド孔９ａにガイドされＸ軸回りに回動し、ランプ１のＸ軸回りの光軸調整を行う。 - 特許庁

When a single crystal is grown by a hydrothermal synthesis process from the single crystal of the zinc oxide as a seed crystal, the crystal is selectively grown in the a-axis direction of a hexagonal structure and is hardly grown in a c-axis direction and therefore the single crystal longer than the c-axis length of the seed crystal cannot be obtained.例文帳に追加

酸化亜鉛の単結晶を種結晶として、水熱合成法で単結晶を育成する場合、六方晶構造のａ軸方向に選択的に結晶成長し、ｃ軸方向には殆ど成長しないので、種結晶のｃ軸長さより長い単結晶は得られない。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor laser element having a laser resonator capable of having a low threshold current on a semipolar plane of a support base body in which a c-axis of a hexagonal group III nitride is inclined in an m-axis direction.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

In this case, the partition angle (θ) is 30°, and the ratio (C/B) of the average compression breakdown strength of a C-axis to that of a B-axis of the hexagonal cell honeycomb structure 1 is set at 0.9 or more.例文帳に追加

セル３の断面形状が六角形状であり、隔壁角度（θ）＝３０°であり、かつ、六角セルハニカム構造体１のＣ軸圧縮破壊強度平均とＢ軸圧縮破壊強度平均の比（Ｃ／Ｂ）を０．９以上とした。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor laser element having a laser resonator capable of having a low threshold current on a semipolar surface of a support base body in which a c-axis of hexagonal group III nitride is tilted toward an m-axis.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a group III element nitride semiconductor laser element having a laser resonator with a high oscillation yield on a semipolar face of a support base body in which a c-axis of hexagonal group III element nitride is inclined in the m-axis direction.例文帳に追加

六方晶系ＩＩＩ族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、高い発振歩留まりのレーザ共振器を有するＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor laser device including a laser resonator allowing a low threshold current on a semipolar surface of a support substrate where the c-axis of hexagonal group III nitride is inclined in the direction of the m-axis.例文帳に追加

六方晶系ＩＩＩ族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a group-III nitride semiconductor laser element with a laser resonator, allowing a low-threshold current on a semipolar surface of a supporting base wherein the c-axis of a hexagonal group-III nitride is tilted toward the a-axis.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物のｃ軸がａ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The magnesium hydroxide flame retardant comprises magnesium hydroxide particles having a crystal outer shape of a hexagonal prism composed of two relatively horizontal top and bottom hexagonal bases and six rectangular sides formed between the bases, wherein the size in the direction of the c-axis of the hexagonal prism particles is 1.5×10^-6 to 6.0×10^-6 m.例文帳に追加

結晶外形が、互いに平行な上下２面の六角形の基底面と、これらの基底面間に形成される外周６面の角柱面とからなる六角柱形状粒子であって、前記六角柱形状粒子のｃ軸方向の大きさが、１．５×１０^−６〜６．０×１０^−６ｍである水酸化マグネシウム粒子を含むことを特徴とする水酸化マグネシウム難燃剤である。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor laser element having a laser resonator capable of reducing disturbance due to return light on a semipolar plane of a support base such that a (c) axis of hexagonal group III nitride is inclined in a direction of an (m) axis.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、戻り光による撹乱の低減を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

Respective polygon sets for liquid are constituted of plural polygons, are in the shapes of hexagonal poles, the sides, i.e., the length directions of which are set in the direction to be orthogonally crossed with a Z axis and respective polygon sets for liquid are set by being arranged in the direction of Z axis.例文帳に追加

液状体用ポリゴンセットは、それぞれ複数のポリゴンからなり、六角柱形状で、その側面、すなわち長さ方向がＺ軸に直交する向きに設定されており、各液状体用ポリゴンセットがＺ軸方向に並んで設定されている。 - 特許庁

The bead core 5 has a substantially regular hexagonal cross section in a meridian cross-section including a tire axis and is provided with an inner circumferential side 5i in an inside of a tire radial direction substantially parallel to the tire-axial direction.例文帳に追加

ビードコア５は、タイヤ軸を含むタイヤ子午線断面において、断面略正六角形をなしかつタイヤ軸方向と略平行なタイヤ半径方向内側の内周辺５ｉを具える。 - 特許庁

The female screw part 13 is worked for the axis line of the hexagonal nut with the male screw, and the female part 13a is also worked coaxially with the female screw part 13 at the center of the projection part 12.例文帳に追加

雄ネジ付き六角ナット１１の軸心部には雌ネジ部１３が加工され、その雌ネジ部１３と同軸に突出部１２の中央にも雌ネジ部１３ａが加工される。 - 特許庁

To provide a method for producing a low-stress or stress-poor single crystal having a hexagonal crystal structure with a crystallographic c-axis perpendicular to a [0001] face.例文帳に追加

［０００１］面に対して垂直な結晶学的ｃ軸をもつ六方晶系結晶構造を有する低応力あるいは応力に乏しい単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The light emitting structure 13 has a pair of torn surfaces 27 and 29 crossing an m-n plane defined by the m-axis of the hexagonal group III nitride semiconductor and the normal axis, and a pair of cleavage surfaces 13a and 13b formed of the m-n plane or {11-20} plane.例文帳に追加

発光構造体１３は、六方晶系III族窒化物半導体のｍ軸及び法線軸によって規定されるｍ−ｎ面に交差する一対の割断面２７，２９と、ｍ−ｎ面又は｛１１−２０｝面からなる一対の劈開面１３ａ，１３ｂとを有する。 - 特許庁

To provide a group-III nitride semiconductor laser element having a laser resonator exhibiting high quality for a resonator mirror and allowing a low threshold current, on a semipolar surface of a support base body in which a c-axis of hexagonal group-III nitride is tilted toward an m-axis.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、共振器ミラーのための高品質を示し低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

Then, a ferrule fixing face 21 which is provided on the inner circumferential face of the ferrule inserting part of the sleeve 1, is formed in a polyhedral shape such that a cross section on a plane vertical to the optical axis A becomes hexagonal.例文帳に追加

そして、スリーブ１のフェルール挿入部２の内周面に設けられるフェルール固定面２１を、その光軸Ａに垂直な面での断面形状が６角形となる多面形状に形成する。 - 特許庁

For example, a hexagonal Co-Ir alloy naturally has a negative crystal magnetic anisotropic energy Ku^grain along its C axis, so when the C axis is oriented in parallel to the substrate surface, the substrate surface has properties of strong magnetization because of Ku^&bottom;=-2πMs^2-Ku^grain.例文帳に追加

例えば六方晶Ｃｏ−Ｉｒ合金はそのＣ軸方向に対して結晶磁気異方性エネルギーＫｕ^ｇｒａｉｎが負となる性質があるから、Ｃ軸を基板面に平行に配向させると、Ｋｕ^⊥＝−２πＭｓ^２−Ｋｕ^ｇｒａｉｎより、基板面に強力に磁化しようとする性質をもつ。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor laser element having a laser resonator which makes a low threshold current possible, and having a structure which makes an increase in oscillation yield possible, on a semipolar surface of a support base in which a c axis of a hexagonal group III nitride is tilted in the direction of an m axis.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有すると共に発振歩留まりの向上可能な構造を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor laser element having a laser resonator which enables a low threshold current and having a structure by which an oscillation yield can be improved, on a semi-polar surface of a support base body in which a c-axis of a hexagonal system group III nitride inclines to a direction of an m-axis.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有すると共に発振歩留まりの向上可能な構造を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

Further, a shape of each unit coil has an angle of 2π/M in the circumferential direction as viewed from the central axis of the permanent magnet, and is a hexagonal shape having oblique sides equivalent to an angular range of 2π/(N×M) of both ends of the angle of 2π/M.例文帳に追加

そして、単位コイルの形状は、永久磁石の中心軸から見て円周方向の角度が２π／Ｍで、その２π／Ｍの両端の２π／（Ｎ×Ｍ）の角度範囲が斜辺の六角形状となっている。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor laser element having a laser resonator allowing a low threshold current and an end structure reducing a chip width on an element end for the laser resonator on a semipolar plane of a support substrate with a c-axis of a hexagonal group III nitride inclined in the direction of an m-axis.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器と該レーザ共振器のための素子端部にチップ幅を縮小可能な端部の構造とを有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The ferromagnetic powder is hexagonal system ferrite magnetic powder having 10-50 nm average plate diameter and the magnetic layer contains non-magnetic oxide powder having ≥0.005 μm and <0.020 μm average major axis length.例文帳に追加

前記強磁性粉末は平均板径が１０〜５０ｎｍの範囲である六方晶系フェライト磁性粉であり、かつ前記磁性層は平均長軸長が０．００５μｍ以上０．０２０μｍ未満の非磁性酸化物粉末を含む。 - 特許庁

The magnetic grain 11 has a honeycomb structure wherein a generally hexagonal pillar-shaped organization growing in a direction perpendicular to a substrate is two-dimensionally regularly arranged and a direction of the easily-magnetized axis of the magnetic thin film is perpendicular to the substrate.例文帳に追加

磁性結晶粒１１は、基板に対して垂直方向に成長した略正六角形の柱状組織が２次元的に規則的に配列したハニカム構造を有し、磁性薄膜の磁化容易軸は基板に対して垂直な方向である。 - 特許庁

An engagement section 46 which is arranged at the tip of the rotation axis 45 of the turning unit 39 is engaged directly with an engaging recessed section 43, which is formed at the center section of the axial outer end face of the hub 8a, and the cross section of a part of which is hexagonal.例文帳に追加

上記ハブ８ａの軸方向外端面の中心部に形成した、一部の断面が六角形である係合凹部４３に、上記旋削加工装置３９の回転軸４５の先端部に設けた係合部４６を直接係合させる。 - 特許庁

A stepped hole 121 is formed in one side face of the seat 12 perpendicularly to the axis of the socket and provided with a plurality of hexagonal holes having different size, and two grooves 1211 are formed symmetrically at the two side faces of the stepped hole 121.例文帳に追加

固定座１２の一側面には階段孔１２１がソケットの軸に垂直に形成され、階段孔１２１にはサイズの異なる複数の六角孔が形成され、階段孔１２１の両側面には二つの凹溝１２１１が対称的に形成される。 - 特許庁