「in v.」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

BSD also has a host-name field in the utmp file which doesn't exist in System V.例文帳に追加

BSD も System V が持たないホスト名フィールドを utmp ファイルに持っている。 - XFree86

Copy the file (Ctrl-C; -C on Mac), then in the IDE, select the Web Pages node in the Projects window and press Ctrl-V; -V on Mac).例文帳に追加

ファイルをコピーし (Ctrl-C、Mac の場合は □-C)、IDE の「プロジェクト」ウィンドウで「Web ページ」ノードを選択して、Ctrl-V キー (Mac の場合は □-V) を押します。 - NetBeans

This meat is freshness-retaining agent is characterized by containing Chinese rice wine in a concentration of 1 to 10 v/v% and ethanol in a concentration of 10 to 25 v/v%.例文帳に追加

老酒を１〜１０ｖ／ｖ％含有し、エタノール濃度が１０〜２５ｖ／ｖ％であることを特徴とする食肉類の鮮度保持材。 - 特許庁

In this figure, the dashed line represents how V varies with N.例文帳に追加

この図では，点線はNに対してVがどのようにで変化するかを示す。 - 英語論文検索例文集

In addition, you can also enter visual mode by hitting v (this may be your only option if you are using vi from the console.)例文帳に追加

さらに、vをタイプしてビジュアルモードになります。 - Gentoo Linux

The name of the logged-in user (used by some System-V derived programs). 例文帳に追加

ユーザのログイン名(System V 起源のプログラムなどによって使用される)。 - JM

In order to wait for a signal, BSD and System V both provided a function named sigpause (3), 例文帳に追加

BSD と System V のどちらのシステムでもシグナルを待つために、sigpause (3) - JM

for further details. In order to wait for a signal, BSD and System V both provided a function named sigpause (3), 例文帳に追加

BSD と System V のどちらのシステムでもシグナルを待つために、sigpause (3) - JM

This version of System V is described in the "Programmer's Reference Manual: Operating System API (Intel processors)" (Prentice-Hall 1992, ISBN 0-13-951294-2) 例文帳に追加

このバージョンの System V については"Programmer's Reference Manual: Operating System API (Intel processors)"(Prentice-Hall 1992, ISBN 0-13-951294-2) に記載されている。 - JM

Map the object key to the value v in object o.Returns -1 on failure. 例文帳に追加

オブジェクトo で key を値 v に対応付けます。 失敗すると -1 を返します。 - Python

In chronological order, Yayoi V type is regarded the oldest, followed by Shonai type and later by Furu type. 例文帳に追加

土器形式の古さは弥生V期、庄内式、布留式という順序になる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

(f) The barrier potential V_h of holes is in the range of 0.1≤V_h≤0.5 eV.例文帳に追加

（ｆ）正孔の障壁ポテンシャルＶ_hは、０．１≦Ｖ_h≦０．５ｅＶの範囲。 - 特許庁

The sonic speed V in the material is calculated from the interference signal R_i.例文帳に追加

物質中の音速Vは、干渉信号R_iから算出される。 - 特許庁

A ripple cycle T of generated voltage V of a three-phase generator is measured in S11 to S14.例文帳に追加

Ｓ11〜S14で3相発電機の発電電圧Vのリプル周期Tを計測する。 - 特許庁

This can prevent a wrong determination resulting from a variation in the supply voltage V_DD.例文帳に追加

電源電圧V_DDの変動に起因する誤判定を防止できる。 - 特許庁

Moreover, in the case of a mode 3, a voltage of 12 V and 24 V are applied alternately.例文帳に追加

さらにモード３の場合は、１２Ｖと２４Ｖを交互に与えるようにする。 - 特許庁

Cuts or V shape grooves are provided in an upper part and a bottom surface is made to be adhesive.例文帳に追加

上部に切り込み及びV字溝を施し、底面を粘着性とする。 - 特許庁

In addition, the casting speed v_C (m/min) is within the range of the expression, v_C≤(0.0527×2×60×S×η)/(W×T)例文帳に追加

さらに、鋳造速度ｖ_Ｃ（ｍ／分）を下記（３）式の範囲内とする。 - 特許庁

A V-shaped spring 70 both leg parts of which expand upward in a V shape is provided.例文帳に追加

両脚部がＶ字形に上向きに広がるＶばね７０を備える。 - 特許庁

v) O&M Capacity of Water Supply Works in Mawlamyine City and the needs for the human resource development例文帳に追加

v) モーラミャイン市の水道の O&M の能力と人材育成の必要性 - 厚生労働省

A diffuse scattering beam in the direction u', v' for example, interacts with all beams h+ u', k+v' where h, k are reflection indices for the average lattice. 例文帳に追加

例えば、u', v' 方向への散漫散乱ビームは、h, kが平均格子に対する反射指数であるとして、すべてのh+ u', k+v' ビームと相互作用する。 - 科学技術論文動詞集

You can arrange to have the kernel print this as it boots by specifying -v at the boot: prompt, or using boot -v in the loader. 例文帳に追加

boot: プロンプトで -vを指定するか、ローダで boot -v と指定して、起動時にカーネルにこの値を表示させることができます。 - FreeBSD

The maximum value of the operating voltage V becomes V3 and the minimum value becomes V2 because ripples caused by the operation of a power controller take place in the operating voltage V.例文帳に追加

動作電圧Vには電力制御装置の動作に起因するリプルが生じるので、動作電圧Vの最大値はV3、最小値はV2になる。 - 特許庁

There is provided an oxovanadium catalyst (MPS-V) characterized in that an oxovanadium portion V=O is bonded/fixed to the inside of mesoporous silica (MPS).例文帳に追加

オキソバナジウム部位V=Oがメソポーラスシリカ（MPS）の内部に結合して固定化されていることを特徴とするオキソバナジウム触媒(MPS-V)。 - 特許庁

The composition ratio x+v located in the main surface of the Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v layer satisfies 0<x+v<1.例文帳に追加

Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層における主表面に位置する組成比ｘ＋ｖは、０＜ｘ＋ｖ＜１である。 - 特許庁

Particularly, in V or Ti-V-Mn system, Ti-V-Cr system alloy, having high V concentration, the remarkable improving effect can be obtained.例文帳に追加

特に、Ｖ濃度の高いＶまたはＴｉ−Ｖ−Ｍｎ系もしくはＴｉ−Ｖ−Ｃｒ系の合金で顕著な改善効果が得られる。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound (V) useful as a COMT inhibiting agent, and a new intermediate for use in producing the compound (V).例文帳に追加

COMT阻害剤として有用な化合物（V）の製造方法および該化合物（V）を製造するための新規な中間体の提供。 - 特許庁

Specifically, the concentration of the trifluoroacetic acid in the aqueous solution of trifluoroacetic acid can be 1.25-3% (v/v).例文帳に追加

具体的には、前記トリフルオロ酢酸水溶液中のトリフルオロ酢酸の濃度は１．２５〜３％(v/v)とすることができる。 - 特許庁

In step (2), a slide face temperature T is estimated from Vc, a slide face pressure P, a slide linear velocity V, a low resin flow temperature Tm and an ambient temperature Tr by Equation (i): T=(V/Vc)×(Tm-23)+Tr.例文帳に追加

(２)Vc、摺動面圧P、滑り線速度V、低樹脂流動温度Tm、雰囲気温度Trから、摺動面温度Tを式（ｉ）：T＝(V/Vc)×(Tm-23)+Trにより推算する。 - 特許庁

The first voltage is in the range of 3.2 V to 1.1 V, the second voltage is in the range of 2.7 V to 0.6 V, and the voltage difference between the first voltage and the second voltage is in the range of 0.5 V to 0.8 V.例文帳に追加

第１電圧が３．２Ｖ〜１．１Ｖの範囲であり、第２電圧が２．７Ｖ〜０．６Ｖの範囲であり、かつ第１電圧および第２電圧間の電圧差が０．５Ｖ〜０．８Ｖの範囲である。 - 特許庁

The sum L (L=L_h+L_V) of channel length L_h in the longitudinal direction of the crystal grain shape and channel length L_V in the direction orthogonal thereto in sub pixels 13R, 13G and 13B having different emitted light color is equal, and L_h/L_V is different.例文帳に追加

発光色の異なる副画素１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂにおける結晶粒形の長手方向のチャネル長Ｌ_hと、それに交差する方向のチャネル長Ｌ_Vの和Ｌ（Ｌ＝Ｌ_h＋Ｌ_v）は等しく、Ｌ_h／Ｌ_Vが異なっている。 - 特許庁

When inter-parted metal back resistance in the gap Gx is represented by Rx(V) as a function of a voltage V[V] and inter-metal back resistance in the gap Gy is represented by Ry(V) as a function of the voltage V[V], Rx(100)/Rx(1) is smaller than Ry(100)/Ry(1).例文帳に追加

ギャップＧｘ間の分断メタルバック間抵抗を電圧Ｖ［Ｖ］の関数としてＲｘ（Ｖ）、前記ギャップＧｙ間のメタルバック間抵抗を電圧Ｖ［Ｖ］の関数としてＲｙ（Ｖ）としたとき、Ｒｘ（１００）／Ｒｘ（１）＜Ｒｙ（１００）／Ｒｙ（１）である。 - 特許庁

A gain compensator 5 relating to the rigidity, guides speed signals V_x, V_y, V_z, V_θx, V_θy and V_θz, and applies the rigidity of skyhook in every motion mode.例文帳に追加

剛性に関するゲイン補償器４はそれぞれ速度信号Ｖｘ、Ｖｙ、Ｖｚ、Ｖθｘ、Ｖθｙ、Ｖθｚを導いて運動モードごとにスカイフックの剛性を付与する。 - 特許庁

Namely, V(t) is obtained in each channel by the equation V(t)=Va(t)-V(b)*Ra/Rb, and the range where V(t) exceeds a prescribed threshold is extracted, to thereby extract a defect expectation region D.例文帳に追加

すなわち、V(t)=Va(t)-V(b)*Ra/Rb により、各チャンネルごとにＶ（ｔ）を求め、これが所定の閾値を超える範囲を抽出することにより、欠陥候補領域Ｄを抽出する。 - 特許庁

A maximum level of through current is supplied when V_IN=V_REF, and through currents of lower levels are supplied at all other V_IN voltages.例文帳に追加

スルー電流の最大レベルは、Ｖ_IN＝Ｖ_REFであるときに供給され、より低いレベルのスルー電流は全ての他のＶ_IN電圧で供給される。 - 特許庁

Gain is held when the V is in an optimum level range 2 (L2<V≤L1), the gain is attenuated when the V is in a high level range 1 (L1<V) and the gain is amplified in the case of a low level range 3 (L3<V≤L2).例文帳に追加

Ｖが最適レベル範囲２（Ｌ２＜Ｖ≦Ｌ１）のときに利得保持、高レベル範囲１（Ｌ１＜Ｖ）のときに利得減衰、低レベル範囲３（Ｌ３＜Ｖ≦Ｌ２）のときに利得増幅する。 - 特許庁

(v) The title of obligation set forth in paragraph (1)(v): The summary court that has issued the order in lieu of settlement set forth in said item 例文帳に追加

五　第一項第五号に掲げる債務名義　同号の和解に代わる決定をした簡易裁判所 - 日本法令外国語訳データベースシステム

A phase prediction device acquires an argument φ(t) in a polar coordinate system of points (V(t) and V'(t)) with setting an observed signal as V(t) and setting a related signal showing a signal related to the observed signal V(t) as V'(t).例文帳に追加

観測信号をＶ（ｔ）とし、その観測信号Ｖ（ｔ）に関連する信号である関連信号をＶ’（ｔ）とし、点（Ｖ（ｔ），Ｖ’（ｔ））の極座標系における偏角φ（ｔ）を取得する。 - 特許庁

A logic circuit is structured by a 74HCT type CMOS gate element 10 of Hi level input voltage VIH=2 V(min) and Lo level input voltage VIL=0.8 V(max) in correspondence to a TTL level input (0 to 5 V).例文帳に追加

TTLレベル入力（0〜5V）に対応しHiレベル入力電圧V_IH＝2V(min)、Loレベル入力電圧V_IL ＝0.8V(max)の74HCTタイプCMOSゲート素子10によってロジック回路を構成する。 - 特許庁

in the European Patent Office, any post-grant opposition proceedings under or in accordance with Part V of the European Patent Convention. 例文帳に追加

欧州特許庁において，欧州特許条約第V部による特許付与後の異議申立手続 - 特許庁

An automobile V is provided with a range-finding means 11 in which the area in front of the automobile V is set to be a detection area A1.例文帳に追加

自動車Ｖの前方を検知エリアＡ１とする測距手段１１が自動車Ｖに設けられる。 - 特許庁

Tops 14 between innermost V grooves of adjacent sets of V grooves are made higher than tops 15 between V groves 12 in each set.例文帳に追加

隣り合うＶ溝の組13の最も内側に位置するＶ溝12の間の山14を、各組内のＶ溝12の間の山15より高く形成する。 - 特許庁

In the Tafel's equation, η represents overvoltage (V), i represents current density (A/cm2), and α (V) and β (V/decade) are constants.例文帳に追加

なお、ターフェルの式における、ηは過電圧（Ｖ）、ｉは電流密度（Ａ／ｃｍ^2 ）、α（Ｖ）及びβ（Ｖ／ｄｅｃａｄｅ）は定数である。 - 特許庁

In the buried pipes, emergency valves V_n-1, V_n and V_n+1 are provided while squeezing both ends of each of the backup pipes.例文帳に追加

埋設配管には、各予備配管の両端を挟んだ形で非常弁Ｖ_ｎ−１，Ｖ_ｎ，Ｖ_ｎ＋１を設ける。 - 特許庁

Lastly, the non-aqueous ink is discharged on the recording sheet in quantity V_d(pl/m^2) satisfying the condition of formula (V_d≤V_I) by the inkjet method.例文帳に追加

最後に、非水系インクを、数式（Ｖ_d≦Ｖ_I）の条件を満たす量Ｖ_d（ｐｌ／ｍ^2）で、インクジェット法により前記記録用紙に吐出する。 - 特許庁