「interdigital」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

The electrode fingers of each interdigital electrode are arranged so that one hand of the adjacent electrode fingers 11a, 12a, and 13a of the center IDT electrode 11 and the IDT electrodes 12 and 13 on both sides are the connection between a terminal and a terminal or the connection between the ground and an ground connection, and that the other is a connection between a terminal and the ground earth.例文帳に追加

中央のＩＤＴ電極１１と両側のＩＤＴ電極の１２，１３それぞれ隣り合う電極指１１ａ、１２ａ、１３ａが一方は端子と端子の接続または接地と接地の接続、他方が端子と接地との接続になるようにそれぞれの櫛形電極の電極指を配置した。 - 特許庁

Each liquid crystal cell 31 is provided with a pair of transparent substrates 32, a liquid crystal layer 34 of the nematic liquid crystal filled between these substrates 32, 32, and an interdigital electrode 35 for deflecting an optical path of the light transmitting the liquid crystal layer 34 by applying an electric field in the platform direction of the substrate 32 to the liquid crystal layer 34.例文帳に追加

この各液晶セル３１は、一対の透明な基板３２と、この基板３２，３２間に充填されたネマティック液晶の液晶層３４と、この液晶層３４に対し基板３２の板面方向の電界を加えて液晶層３４を透過する光の光路を偏向する櫛歯状の電極３５とを備えている。 - 特許庁

Each of surface acoustic wave filter elements 208 and 219 each having two IDTs (Interdigital Transducers) 203 or more are provided so as to have one balance signal terminal connected to the first surface acoustic wave filter element 208 and have the other balance signal terminal connected to the second surface acoustic wave filter element 219 to have the unbalance-balance conversion function.例文帳に追加

２つ以上のＩＤＴ２０３…を有する各弾性表面波フィルタ素子２０８、２１９を、一方の平衡信号端子が第一の弾性表面波フィルタ素子２０８に、他方の平衡信号端子が第二の弾性表面波フィルタ素子２１９に接続されて平衡−不平衡変換機能を有するように設ける。 - 特許庁

The side face on the drain (17d) side of the gate electrode 15 has interdigital electrodes 15a including a first side face parallel to the gate widthwise direction, a second side face projecting in the gate lengthwise direction from the first side face, and third side faces connecting the first side face and the second side face at both ends of the second side face.例文帳に追加

ゲート電極１５のドレイン（１７ｄ）側の側面は、ゲート幅方向と平行な第１側面と、第１側面よりもゲート長方向に突出した第２側面と、第２側面の両端で第１側面と第２側面とを結ぶ第３側面とを含んでなる櫛歯状電極部１５ａを有する。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave apparatus which is not only improved in frequency-temperature characteristics by forming a SiO_2 film on an IDT (Interdigital Transducer) but can also surely obtain a desired characteristic resistance to cracks on a surface of the SiO film and having a large electrical-mechanical coupling factor and a small attenuation factor α.例文帳に追加

ＩＤＴ上にＳｉＯ_2膜を形成することにより周波数温度特性が改善されているだけでなく、ＳｉＯ_2膜表面におけるクラックが生じ難く、所望とする特性を確実に得ることができ、電気機械結合係数が大きく、減衰定数α小さい弾性表面波装置を提供する。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave element where a surface acoustic wave of an SH type is reflected between two opposed end faces of a piezoelectric substrate on the surface of which interdigital transducer electrodes are formed, where frequency adjustment is easily performed while ensuring the reliability of the surface acoustic wave element and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

表面にインターデジタルトランスデューサ電極の形成された圧電基板の対向する２端面間で、ＳＨタイプの表面波が反射される弾性表面波素子において、弾性表面波素子の信頼性を確保しながら、かつ容易に周波数調整を行える弾性表面波素子、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

When the unbalanced oscillation signal outputted from a single end VCO 10 is given to an input interdigital electrode 20 of a balanced output type surface acoustic wave filter 12, an input side electrode 14 converts the unbalanced oscillation signal into a surface acoustic wave, which propagates on the surface of a piezoelectric substrate.例文帳に追加

シングルエンド型ＶＣＯ１０から出力された不平衡型発振信号が平衡出力型弾性表面波フィルタ１２の入力櫛形電極２０に入力されると、この不平衡型発振信号は入力側電極１４にて弾性表面波に変換されて圧電性基板表面を伝搬する。 - 特許庁

The width dimension L(Y) of the X direction of a parallel conductor constituting the reflector and the interdigital electrode is made to be wide (dimension Lc) in the center position of the direction Y and to be a narrow dimension Ls on both sides on the width direction Y orthogonal to the propagation direction X of a surface acoustic wave.例文帳に追加

弾性表面波の伝搬方向Ｘに直交する幅方向Ｙに関して、前記反射器とすだれ状電極を構成する平行導体のＸ方向幅寸法Ｌ(Ｙ)が、幅方向Ｙの中央位置において広く(寸法Ｌ_C)、かつ両側において狭い寸法Ｌ_Sをとることを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the surface acoustic wave device includes forming a frequency adjustment film 30 at a position opposed to the interdigital electrode (IDT) 14 on the other principal surface 12b on the opposite side of the one principal surface 12a, and distorting the piezoelectric substrate with stress formed by this formation to adjust the frequency.例文帳に追加

そして弾性表面波デバイスの製造方法は、一方の主面１２ａとは反対側の他方の主面１２ｂにおけるすだれ状電極（ＩＤＴ）１４に対向する位置に周波数調整膜３０を形成し、この形成により生じる応力によって前記圧電基板を歪ませて、周波数を調整している。 - 特許庁

The rocking part 10 has: a movable function part 11; an arm part 12 extending from the movable function part 11; and interdigital electrodes 13A and 13B composed of a plurality of electrode teeth 13a and 13b each of which extends from the arm part 12 in a direction intersecting with the extending direction of the arm part 12 and separated from each other in the extending direction.例文帳に追加

揺動部１０は、可動機能部１１と、可動機能部１１から延出するアーム部１２と、アーム部１２の延び方向と交差する方向にアーム部１２から各々が延出し且つ当該延び方向に互いに離隔する複数の電極歯１３ａ，１３ｂからなる櫛歯電極１３Ａ，１３Ｂとを有する。 - 特許庁

A reflector 9 has characteristics that a reflection coefficient is changed in accordance with stress applied to the reflector 9 itself, and the center frequencies of interdigital electrodes 5, 9 for generating surface acoustic waves are set to a predetermined frequency area including an attenuation pole in a frequency characteristic of the reflection coefficient of the reflector 9 and the vicinity of the attenuation pole.例文帳に追加

反射器９は、自身に印加される応力に応じて反射係数が変化する特性があり、弾性表面波を発生させる櫛歯電極５、９の中心周波数は、反射器９の反射係数の周波数特性における減衰極及び減衰極近傍を含む所定の周波数領域に設定されている。 - 特許庁

The lamb wave type acoustic wave element is configured such that at least one interdigital electrode 2 for generating lamb wave type acoustic waves or the electrode 2 and a reflector 3 are arranged on the crystal substrate 1, and the cut surface of the crystal substrate 1 and the propagation direction of the lamb wave type acoustic waves satisfy a predetermined relation in Euler angle display (λ, μ, θ).例文帳に追加

水晶基板１上に少なくとも一つのラム波型弾性波を発生させるすだれ状電極２又は該電極２と反射器３が配置され、該水晶基板１のカット面及びラム波型弾性波の伝搬方向がオイラー角表示（λ，μ，θ）で所定の関係を満たす様に構成されるラム波型弾性波素子。 - 特許庁

The surface acoustic wave element is provided at least with: a piezoelectric substrate 2; a support substrate 3 stuck to the piezoelectric substrate 2 via an adhesive layer 4; and an interdigital electrode 5 which excites surface acoustic waves formed on a surface opposite to the bonding surface of the piezoelectric substrate 2, wherein a glass transition point Tg of the adhesive layer 4 is ≤200°C.例文帳に追加

少なくとも、圧電基板２と、該圧電基板２に接着層４を介して貼り合わされた支持基板３と、前記圧電基板２の接着面と反対側の面に形成された弾性表面波を励振する櫛形電極５とを備え、前記接着層４のガラス転移点Ｔｇが２００℃以下である弾性表面波素子１。 - 特許庁

An instrument 12 measures a current induced in the detecting interdigital electrode 6 by a reverse piezoelectric effect of the surface acoustic waves; and when hydrogen is adsorbed to the palladium film 8 and the amount of hydrogen on the surface of the quartz substrate 2 is changed, the intensity of the surface acoustic waves is changed and a current value measured by the instrument 12 is changed.例文帳に追加

測定器１２は、表面弾性波の逆圧電効果により検出用櫛形電極６に誘起される電流を測定しており、水素がパラジウム膜８に吸着されて水晶基板２表面における水素量が変化すると、表面弾性波の強度が変化し、測定器１２で測定される電流値が変化する。 - 特許庁

The surface acoustic wave device is provided with a substrate 1 whose surface is made of a piezoelectric material, a 1st dielectric film 8 formed on the substrate 1, electrodes including interdigital electrodes 4, 5 made of conductors formed on the 1st dielectric film, and a 2nd dielectric film 9 formed on the 1st dielectric film to protect the electrodes and having moisture resistance.例文帳に追加

表面が圧電材料である基板１と、基板１上に形成された第１の誘電体膜８と、第１の誘電体膜上に形成された導体からなるすだれ状電極４および５を含む電極と、電極を保護すべく第１の誘電体膜上に形成された耐湿性を有する第２の誘電体膜９とを備える。 - 特許庁

The integrated filter includes: a substrate; a first electrode positioned in a predetermined first area on an upper surface of the substrate; a first piezoelectric layer positioned on the first electrode; a second electrode positioned on the first piezoelectric layer; a second piezoelectric layer positioned in a predetermined second area on the upper surface of the substrate; and an inter-digital transducer (IDT) electrode positioned on the second piezoelectric layer.例文帳に追加

本集積フィルタは、基板と、基板の上部表面上の所定第１領域に位置する第１電極と、第１電極上に位置する第１圧電層と、第１圧電層上に位置する第２電極と、基板の上部表面上の所定第２領域に位置する第２圧電層と、第２圧電層上に位置するＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極とを含む。 - 特許庁

Comb-shape electrodes VLC, HLC are formed integrally combined, respectively at the vicinity of the intersection of a vertical scanning electrode VL and a horizontal scanning electrode HL which intersect each other via an insulating layer, and a large number of nanotubes NT are bridged between these both interdigital electrodes VLC, HLC to constitute a nanotube light-emitting element EMS of a bridge structure.例文帳に追加

絶縁層を介して交差された垂直走査電極ＶＬと水平走査電極ＨＬとの交差部分の近傍にそれぞれ一体的に櫛型電極ＶＬＣ，ＨＬＣを組み合わせ形成し、これらの両櫛型電極ＶＬＣ，ＨＬＣ間には多数本のナノチューブＮＴを橋絡させて橋渡し構造のナノチューブ発光素子ＥＭＳを構成する。 - 特許庁

The surface acoustic wave device is constituted so that a piezoelectric substrate 2 is flip-chip mounted on a base substrate 3 and the excitation region 6 is sealed with a resin film 5, wherein a projection bank part 13 is provided in the extension region of the propagation path 12 of an interdigital electrode 1 and on the base substrate 3 near the outer peripheral end of the piezoelectric substrate 2.例文帳に追加

この目的を達成するために、本発明は、ベース基板３上に圧電基板２をフリップチップ実装してその励振領域６を樹脂フィルム５で封止する弾性表面波デバイスにおいて、櫛形電極１の伝播路１２の延長領域で且つ圧電基板２の外周端近傍のベース基板３上に突起堤部１３を設けた。 - 特許庁

These socks have the following structure: an opening formed at an end side, where plane knitting is set up, of a cylindrically knitted fabric 1 is formed on a guide way out 1A guiding a user's toe out when put on, and also knitted fabrics facing to each other are joined together at the portion corresponding to at least one interdigital portion.例文帳に追加

筒状にメリヤス編みされた筒状編地１のメリヤス編み開始端側の開口を、装着時に指先を外部に導出するための指導出口１Ａに構成するとともに、前記筒状編地１の指導出口１Ａ側端部のうち、少なくとも一つの指間に相当する部位において相対向する編地部分同士を接合してある。 - 特許庁

The acoustic surface wave device includes a piezoelectric substrate 1, a first and a second interdigital transducers (IDT) 100, 300 provided on the piezoelectric substrate, wherein the first IDT 100 comprises multiple tracks 10_1 to 10_n with different frequency characteristics and connected in parallel, and the second IDT 300 has a normal electrode pattern.例文帳に追加

圧電基板１と、この上に設けられた第１及び第２のインタディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）１００、３００とを有する弾性表面波デバイスであって、第１のＩＤＴ１００は、周波数特性の異なる並列接続された複数のトラック１０_1〜１０_nを有し、前記第２のＩＤＴ３００は正規型電極パターンを有する構成とした。 - 特許庁

When the illuminance of light from a region to be detected in a combustion chamber 1 is lowered due to the adhesion of soot and organic or inorganic dirt to the surface of a lens 4 provided for a tip part 3 of the optical sensor 2, an image processing processor 12 of a control unit 11 energizes an interdigital electrode transducer 6 formed in the surface of the lens 4.例文帳に追加

制御装置１１の画像処理用プロセッサ１２は、光センサ２の先端部３に設けられたレンズ４の表面に煤や有機物或いは無機物の汚れが付着することにより燃焼室１における検出対象領域からの光の照度が低下した場合は、レンズ４の表面に形成された櫛歯状電極トランスデューサ６に通電する。 - 特許庁

To provide an oxide single crystal wafer in which an expected high yield is attained during production of a device by identifying factors, except TTV, causing the reduction of device producing yield and then controlling the factor causing the reduction of the yield, and in which the production of a high-frequency device requiring extremely fine interdigital electrodes can be realized.例文帳に追加

デバイス作製歩留りを低下させるＴＴＶ以外の要因を明らかにするとともに、この歩留り低下要因を制御することでデバイス作製時に期待通りの高歩留りを達成することができ、極めて微細な櫛形電極が要求される高周波デバイスの作製を実現することができる酸化物単結晶ウエーハを提供する。 - 特許庁

The surface acoustic wave device of the present invention includes a piezoelectric substrate 1, an interdigital electrode 2 provided on a top surface of the piezoelectric substrate 1, and a support layer 5 provided on a reverse surface of the piezoelectric substrate 1, wherein a contact surface 6 between the piezoelectric substrate 1 and the support layer 5 is formed of a curved surface.例文帳に追加

そして、この目的を達成するために本発明の弾性表面波デバイスは、圧電体基板１と、この圧電体基板１の表面に設けた櫛型電極２と、前記圧電体基板１の裏面に設けた支持層５を備え、前記圧電体基板１と前記支持層５との当接面６を湾曲面で構成したものである。 - 特許庁

An interdigital transducer IDT electrode section 3 and a tap section 4 are formed on a piezoelectric substrate 2, the tap section 4 has taps 5-10 and one end of electrode fingers 5a, 5b-10a, 10b configuring each tap is connected to a bus bar 11 or 12 and a metallic film 13 is formed on the piezoelectric substrate among the taps 5-10.例文帳に追加

圧電基板２上にＩＤＴ電極部３及びタップ部４が形成されており、タップ部４がタップ５〜１０を有し、各タップを構成している電極指５ａ，５ｂ〜１０ａ，１０ｂの一端がバスバー１１またはバスバー１２に接続されており、タップ５〜１０間において圧電基板上に金属膜１３が形成されている、タップ付遅延線１。 - 特許庁

The interdigital health apparatus 1 for rubbing or massaging parts between the fingers or toes of a person is provided with a cord body 4 to be clamped between the fingers and a pair of holding bodies 2 for holding the cord body 4, and the cord body 4 is attached to the holding bodies 2 in the state of providing a fixed gap between the cord bodies 4 held between the holding bodies 2.例文帳に追加

人間の手足の指間を摩擦、あるいは、マッサージする指間健康器具１において、指間に挟み込む紐体４と、当該紐体４を保持する一対の保持体２とを備え、当該保持体２間に保持された紐体４間に一定の隙間を設けた状態で前記紐体４を保持体２に取り付けるようにする。 - 特許庁

The SAW resonator for achieving the above object is provided with a pair of reflectors 14 (14a, 14b) disposed on a piezoelectric substrate 12, a pair of IDTs 16 (16a, 16b) consisting of interdigital transducers 18 (18a, 18b, 18c and 18d) provided in parallel between the pair of reflectors 14.例文帳に追加

上記課題を達成するためのＳＡＷ共振子は、圧電基板１２上に配設した一対の反射器１４（１４ａ、１４ｂ）と、前記一対の反射器１４の間に並列して設けられる櫛歯状電極１８（１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、１８ｄ）から成る一対のＩＤＴ１６（１６ａ、１６ｂ）と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

A surface acoustic wave device includes a piezoelectric monocrystal substrate 10, and an interdigital electrode 20 configured of a base electrode layer 21 which is made of a conductive material formed on the piezoelectric monocrystal substrate, and an aluminum-containing main electrode layer 22 formed on the base electrode layer by epitaxial growth.例文帳に追加

弾性表面波装置は、圧電性単結晶基板１０と、上記圧電性単結晶基板上に形成された導電性材料からなる下地電極層２１と、この下地電極層上にエピタキシャル成長により形成されたアルミニウムを含有する主電極層２２と、により構成された交差指状の電極２０と、を備える。 - 特許庁

The frequency adjustment method for the surface acoustic wave apparatus including a piezoelectric substrate 1 and an insulation film formed on the piezoelectric substrate 1 to cover interdigital electrodes 2 formed on the piezoelectric substrate applies plasma processing to the insulation film 3 to modify the surface of the insulation film 3 thereby changing the frequency.例文帳に追加

圧電基板１と、圧電基板上に形成されたくし型電極２を覆うように圧電基板１上に形成された絶縁膜とを有する弾性表面波装置の周波数調整に際し、絶縁膜３をプラズマ処理し、該絶縁膜３の表面を変質させることにより、周波数を変化させる、弾性表面波装置の周波数調整方法。 - 特許庁

The surface acoustic wave element 120 including a piezoelectric material layer 121, interdigital electrodes 122 and 123 and reflectors 124 and 125 is formed on the surface of a dielectric board 110, and an inductor L, a variable capacitor Cv and a capacitor CL formed by a micromachine process are arranged at positions away from the effective propagation area A of the surface acoustic wave element 120.例文帳に追加

誘電体基板１１０の表面上に圧電体層１２１、すだれ状電極１２２，１２３、反射器１２４，１２５を含む弾性表面波素子１２０が形成され、この弾性表面波素子１２０の有効伝播領域Ａから外れた位置に、マイクロマシンプロセスによって形成されたインダクタＬ、可変コンデンサＣｖ、コンデンサＣＬが配置されている。 - 特許庁

The surface acoustic wave device has an input interdigital transducer (IDT) and an output IDT on a piezoelectric substrate, wherein when a crossing width of an electrode finger of one IDT is denoted by X, the other IDT is divided into two IDTs each having an electrode finger having a crossing width set to substantially X/2, and the electrodes of the divided IDTs become balance output terminal pairs respectively.例文帳に追加

圧電基板上に入力トランスデユーサ（ＩＤＴ）及び、出力用ＩＤＴを有し、一方のＩＤＴの電極指の交差幅をＸとする時、他方のＩＤＴは、それぞれ交差幅を略Ｘ／２とする電極指を持つ２つのＩＤＴに分割され、分割されたＩＤＴのそれぞれの電極は、平衡出力端子対になる。 - 特許庁

The surface acoustic wave element according to the present invention has a piezoelectric substrate 1, an interdigital electrode 2 provided on a top surface of the piezoelectric substrate 1, and a support layer 5 provided on the reverse surface of the piezoelectric substrate 1, where the support layer 5 has a polycrystalline structure made of a plurality of a plurality of grains 6, whose surfaces are oxidized.例文帳に追加

そして、この目的を達成するために本発明の弾性表面波素子は、圧電体基板１と、この圧電体基板１の表面に設けた櫛型電極２と、前記圧電体基板１の裏面に設けた支持層５を備え、前記支持層５は複数の粒塊６からなる多結晶構造であり、前記粒塊６の表面を酸化させたのである。 - 特許庁

The present invention includes a piezoelectric substrate 1, an interdigital electrode 2 provided on a top surface of the piezoelectric substrate 1, and a support layer 5 provided on a reverse surface of the piezoelectric substrate 1, wherein the support layer 5 provided on the reverse surface of the piezoelectric substrate 1 constituting the surface acoustic wave device is made of a polycrystal body.例文帳に追加

そして、この目的を達成するために本発明は、圧電体基板１と、この圧電体基板１の表面に設けた櫛型電極２と、前記圧電体基板１の裏面に設けた支持層５を備え、弾性表面波デバイスを構成する圧電体基板１の裏面に設けられる支持層５を多結晶体で形成するようにしたものである。 - 特許庁

The stirring apparatus 20 and the automatic analysis apparatus are provided, and the apparatus 20 includes a vessel 5 for retaining a liquid and a vibrator consisting of a plurality of interdigital electrodes that are formed on a piezoelectric substrate 23a, a surface acoustic wave element 23 for generating sound waves while the surface acoustic wave element is in contact with the vessel.例文帳に追加

液体を保持する容器５と、圧電基板２３ａ上に複数の櫛歯状電極からなる振動子が形成され、容器に接触した状態で音波を発生させる表面弾性波素子２３とを備え、表面弾性波素子が発生した音波によって容器に保持された液体を攪拌する攪拌装置２０及び自動分析装置。 - 特許庁

The surface acoustic wave device has a PZT film, formed of PZT crystal on a semiconductor substrate and a interdigital electrode or it and a reflector on the PZT film or between the PZT film and semiconductor substrate, and the PZT crystal which has an axis (c) aligned almost perpendicular to the film surface is present in the PZT film.例文帳に追加

半導体基板上に、ＰＺＴ結晶からなるＰＺＴ膜を有し、このＰＺＴ膜上またはこのＰＺＴ膜と前記半導体基板との間に、櫛形電極またはこれと反射器とを有し、前記ＰＺＴ膜において、ｃ軸が膜面に対しほぼ垂直に配向しているＰＺＴ結晶が存在する弾性表面波装置。 - 特許庁

First underlying layers 20, 24 formed of TiN or TiOxNy (here, 0<x<0.2, x+y=1), and second underlying layers 21, 25 formed of Cr, are provided between comb-tooth-shaped electrodes 13, 14 and a piezoelectric substrate 12, thereby preventing generation of gaps in the interdigital electrodes 13, 14, and improve the power durability characteristic.例文帳に追加

くし歯状電極部１３、１４と圧電性基板１２の間に、ＴｉＮ、またはＴｉＯｘＮｙ（ただし０＜ｘ＜０．２，ｘ＋ｙ＝１）からなる第１下地層２０、２４と、Ｃｒからなる第２下地層２１、２５を設けることにより、くし歯状電極部１３、１４に空隙部が発生することを防止でき、耐電力特性を向上させることができる。 - 特許庁

In a 1 port SAW resonator, the cross width W of first and second IDT(interdigital electrodes) 43 and 44 electrically connected with an input electrode 46 and an output electrode 47 connected with an input terminal 48 and an output terminal 49 is divided, and the first and second IDT 43 and 44 are serially connected through a third electrode 43.例文帳に追加

１ポートＳＡＷ共振子において、入力端子４８および出力端子４９に接続された入力電極４６および出力電極４７と電気的に接続された第１および第２のＩＤＴ４３、４４の交叉幅Ｗを分割し、これら第１および第２のＩＤＴ４３、４４の間に第３の電極４３を介して直列接続する。 - 特許庁

A sensor element 101 comprising a surface elastic wave resonator having an interdigital electrode and a reflector formed on a piezoelectric substrate, and a vibration sensor 102 comprising an antenna 120 are installed on a measuring object in a measuring domain, and an interrogator 103 for transmitting by radio a carrier wave signal to the vibration sensor 102 and monitoring a reflected wave from the vibration sensor 102 is installed.例文帳に追加

圧電基板上に形成された櫛歯電極及び反射器を有する表面弾性波共振子からなるセンサ素子１０１とアンテナ１２０からなる振動センサ１０２が測定領域内の被測定物に設置されており、さらに振動センサ１０２に搬送波信号を無線送信して振動センサ１０２からの反射波を監視する質問器１０３が設置されている。 - 特許庁

A thin plate band pass filter (interdigital filter) 10 provided with microstrip lines 12a to 12e or the like is interposed between an LNA board 1 for a low noise amplifier circuit and a dielectric antenna 2 supported on the LNA board 1, and a signal received by the dielectric antenna 2 is supplied to the low noise amplifier circuit after passing through the band pass filter 10.例文帳に追加

低雑音増幅回路用のＬＮＡ基板１と該ＬＮＡ基板１上に保持される誘電体アンテナ２との間に、マイクロストリップ線路１２ａ〜１２ｅ等を設けた薄板状のバンドパスフィルタ（インターデジタル型フィルタ）１０を介設し、誘電体アンテナ２で受信された信号が該バンドパスフィルタ１０を経由してから低雑音増幅回路へ供給されるようにした。 - 特許庁

Also, an interdigital electrode comprising a plurality of secondary side electrode fingers 12 among the IDT electrodes 10 is connected through connection wiring 15b to the other reflector 13A, and the connection wiring 15 drawn from the reflector 13A is connected to the reflector 13B of the SAW resonator 1 adjacent to the other side of the two sides on the short side of the SAW resonator 1.例文帳に追加

また、ＩＤＴ電極１０のうち、複数の二次側電極指１２からなる交差指電極は、接続配線１５ｂを介して他方の反射器１３Ａに接続され、その反射器１３Ａから引き出された接続配線１５が、ＳＡＷ共振子１の短辺側の二辺のうちの他方の辺側に隣接するＳＡＷ共振子１の反射器１３Ｂに接続されている。 - 特許庁

Interdigital transducer (IDT) electrodes and reflector electrodes or the like are configured on a piezoelectric substrate 100, an unbalanced input output terminal 109 is connected to a first input output terminal 113, and a first inductor 112 is interconnected between a first terminal 110 of the balanced input output terminals and a second terminal 111 of the balanced input output terminals.例文帳に追加

圧電基板１００上にインターディジタルトランスデューサ電極（ＩＤＴ電極）や反射器電極等が構成され、第１の入出力端子１１３には不平衡型入出力端子１０９を接続し、平衡型入出力端子の一方の第１の端子１１０と平衡型入出力端子の他方の第２の端子１１１の間には第１のインダクタ１１２を接続する。 - 特許庁

The laterally-connected dual-mode SAW filter, in which two reflection inverted type IDTs (interdigital transducers) are juxtaposed on the main surface of an ST-cut crystal substrate, is constituted in such a way that surface acoustic wave energy of symmetric and antisymmetric modes, which is excited between the IDT electrode region and the substrate region adjacent to the IDT electrode, is confined.例文帳に追加

ＳＴカット水晶基板の主表面上に反射反転型ＩＤＴ電極を２つ併置して構成した横結合二重モードＳＡＷフィルタであって、ＩＤＴ電極領域と該ＩＤＴ電極に隣接する基板領域との間に励起される対称モードと反対称モードの弾性表面波エネルギを閉じ込めて横結合二重モードＳＡＷフィルタを構成する。 - 特許庁

A surface acoustic wave filtering element 101 including interdigital transducers (IDTs) 104, 105 and 106 provided on a piezoelectric substrate along the propagation direction of surface acoustic waves and a surface acoustic wave filtering element including IDTs 109, 110 and 111 are cascaded, and a surface acoustic wave resonator 103 is connected in series between the two filtering elements 101 and 102.例文帳に追加

圧電基板上に弾性表面波の伝搬方向に沿って配置されているＩＤＴ１０４、１０５、１０６を備える弾性表面波フィルタ素子１０１と、ＩＤＴ１０９、１１０、１１１を備える弾性表面波フィルタ素子を縦続接続し、これら２つの弾性表面波フィルタ素子１０１、１０２間に直列に弾性表面波共振子１０３を接続する。 - 特許庁

A spherical surface acoustic wave element 10 includes a barrel-shaped piezoelectric crystal substrate 11, an interdigital electrode 13 formed on a surface acoustic wave circuit path 12 of the substrate 11, and heating electrode films 14 and surface acoustic wave excitation detecting electrode leads 15 formed on both polar flat surfaces of the substrate 11 having the circuit path 12 in between.例文帳に追加

球状弾性表面波素子１０は、樽型形状の圧電性結晶基材１１と、この基材１１の弾性表面波周回径路１２上に形成されたすだれ状電極１３と、上記基材１１の周回径路１２を挟む両極の平坦面に形成された加熱電極膜１４および弾性表面波励起検出用電極取り出し部１５とを具備して構成される。 - 特許庁

In the direction which the surface acoustic wave propagates, the length of the interdigital electrode is characterized by being 70% or less 40% or more to the length of the piezoelectric substrate.例文帳に追加

本発明における弾性表面波装置では、圧電基板と、前記圧電基板に接合され、前記圧電基板と異なる膨張係数の材質からなる支持基板と、前記圧電基板の面上に配置された弾性表面波を励振する櫛型電極と、を備え、弾性表面波が伝播する方向において、前記櫛型電極の長さが前記圧電基板の長さに対して４０％以上７０％以下であることを特徴とする。 - 特許庁

A hydrogen gas sensing element 101 is configured so that an interdigital electrode 112, which is a part of a circuit element of an equivalent circuit having a predetermined impedance, is coated by tungsten oxide that supports a noble metal catalyst having hydrogen dissociation power, and the impedance in the equivalent circuit changes with changes in the conductivity of the tungsten oxide which is changed by the dissociation and absorption of hydrogen atoms.例文帳に追加

水素ガス検知素子１０１は、所定のインピーダンスを有する等価回路を構成する回路素子の一部である櫛型電極１１２が、水素解離能を有した貴金属触媒を担持した酸化タングステンによって被覆され、酸化タングステンの導電性が、水素原子が解離吸着されることにより変化し、等価回路のインピーダンスが、酸化タングステンの導電性の変化に応じて変化する構成となっている。 - 特許庁