「interface degradation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide an interface device using a dielectrically isolated substrate that sufficiently suppresses malfunction and characteristic degradation due to noise.例文帳に追加

ノイズによる誤動作と特性の劣化が充分に抑えられるようにした誘電体分離基板によるインターフェース装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an organic EL element capable of restraining degradation of light extraction efficiency caused by reflection of light at an interface between a carrier supply layer and a light-emitting layer.例文帳に追加

キャリア供給層と発光層との界面における光の反射に起因する光取り出し効率の低下を抑制できる有機ＥＬ素子を提供する。 - 特許庁

To provide an integrated circuit device which enables a high-speed interface circuit to be assembled therein, while preventing degradation in display quality, and to provide an electronic equipment including the device.例文帳に追加

表示品質の劣化を防止しながら高速インターフェース回路を組み込むことができる集積回路装置及びこれを含む電子機器を提供すること。 - 特許庁

To obtain a semiconductor storage device having a structure minimally suppressing the performance degradation of a phase-change memory or the like having a phase-change film and an interface film and a manufacturing method for the semiconductor storage device.例文帳に追加

相変化膜及び界面膜を有する相変化メモリ等の性能劣化を最小限に抑えた構造の半導体記憶装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

To transmit voice signals of a plurality of channels employing a voice compression technology efficiently without causing degradation in a primary group digital hierarchy interface (T1 interface) and to provide an on- demand transmission system in an ATM network adopting a specified signaling bit.例文帳に追加

一次群ディジタルハイアラーキインタフェース（Ｔ１インタフェース）において、音声圧縮技術を用いた複数チャネルの音声信号を、劣化なく効率良く伝送し、また、規定されるシグナリングビットによるＡＴＭ網におけるオンデマンド伝送方式を提供する。 - 特許庁

To materialize a device for constituting a forward error correction (FEC) frame, capable of supporting an optical interface comprising a plurality of lanes, and avoiding an unnecessary rate enhancement being a factor for degradation in transmission characteristics.例文帳に追加

複数のレーンからなる光インタフェースに対応可能で、伝送特性劣化の要因となる不要な速度上昇を回避したＦＥＣフレーム構成装置を実現することを目的とする。 - 特許庁

When the inspection light transmits through the measuring part 50a, the energy of the inspection light is reduced by the degree of degradation of oil to be inspected at the interface between the light guide member 50 and oil to be inspected.例文帳に追加

検査光が測定部５０ａを伝搬するとき、導光部材５０と被検査オイルとの界面で、被検査オイルの劣化の程度によって検査光のエネルギーが減少する。 - 特許庁

To suppress the degradation of durability which is caused by the occurrence of air bubbles at the interface between a hydrogen transmission metal layer and an electrolyte layer of a hydrogen transmission metal layer/electrolyte composite.例文帳に追加

水素透過性金属層・電解質複合体における水素透過性金属層と電解質層との界面での空泡発生に起因する耐久性の低下を抑制する。 - 特許庁

To suppress the degradation of the withstand voltage and reliability of a gate insulating film resulting from C (carbon) in a SiC substrate and an increase of a charge amount in the gate insulating film, and to suppress an increase of interface level density on an interface between the gate insulating film and the SiC substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板中のＣ（炭素）に起因するゲート絶縁膜の絶縁耐圧や信頼性の低下、及びゲート絶縁膜中の電荷量の増大を抑制し、更に、ゲート絶縁膜／ＳｉＣ基板界面における界面準位密度の増大を抑制する。 - 特許庁

Nitrogen in the interface between the semiconductor substrate 201 and the gate insulation film 205 prevents diffusion of boron from source and drain part 208 to suppress abnormal diffusion of boron, and simultaneously, the halogen element in the gate insulation film 205 serves to prevent the degradation of the characteristic of the interface of a channel and gate insulation film.例文帳に追加

半導体基板２０１とゲート絶縁膜２０５界面の窒素が、ソース・ドレイン部２０８からのボロンの拡散を防いで、ボロンの異常拡散を抑制すると同時に、ゲート絶縁膜２０５中のハロゲン元素がチャネル・ゲート絶縁膜の界面特性の劣化を防ぐ。 - 特許庁

To provide a nonaqueous electrolyte battery capable of stably performing excellent battery characteristics without degradation of charge and discharge cycle characteristics by forming an interface layer without a risk of peeling off on an interface with a solid electrolyte layer while restraining growth of Li through absorption of Li^+ at charging.例文帳に追加

充電時にＬｉ^＋を吸収してＬｉの成長を抑制しながらも、固体電解質層との界面で剥離する恐れがない界面層を形成して、充放電サイクル特性が劣化することなく、良好な電池特性を安定して発揮することができる非水電解質電池を提供する。 - 特許庁

By such a constitution, increases in manufacturing process and cost caused by the conventional forming of an interlayer are prevented, and a decline in reliability and the degradation of efficiency of optical extraction caused by an increase in interface are prevented.例文帳に追加

従って、従来の中間層形成による製造工程及びコストの増加を防止し、かつ界面増加による信頼性低下及び光抽出の効率低下を防止することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a structure capable of suppressing degradation of adhesion force in a joint interface even when external force is applied to a member where two substrates are integrated.例文帳に追加

２枚の基板が一体化されたものに外力が加わっても、接合界面における密着力の低下を抑制することができる構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a printed wiring board and manufacturing method and apparatus thereof capable of improving the barrier effect of an interface due to an intermediate layer, and suppressing the adhesion degradation due to a thermal load.例文帳に追加

中間層による界面のバリア効果を改善し、熱負荷での密着性劣化を抑制することができるプリント配線板、プリント配線板の製造方法およびその製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor package of good design, along with a light emitting diode of high light taking-out efficiency, by uniformizing a temperature at semiconductor operation for suppressing reliability degradation due to thermal degradation of a semiconductor and due to peeling and cracking at a sealing material interface, resulting in dropping of temperature at the center of heating.例文帳に追加

本発明は、半導体の熱劣化や封止材界面での剥離、クラックによる信頼性低下の改善のため、半導体動作時の温度を均一化し、発熱中心の温度を下げ、かつ、意匠性の良い半導体パッケージや光取出し効率の高い発光ダイオードを提供することを目的とする。 - 特許庁

To improve sensitivity of a photodetector and prevent degradation of characteristics in an optical system of light pick-up by reducing reflection of incident light from an outside in an interface between a package surface in a light receiving side and an air layer.例文帳に追加

受光側のパッケージ表面と空気層との界面において、外部からの入射光の反射を低減して、受光素子の高感度化を図り、さらに、光ピックアップの光学系における特性劣化を防ぐ。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which improves the dielectric breakdown properties or interface-state generation of the gate insulating film, stress-induced leakage current properties, and NBT degradation; and to provide a method for manufacturing the semiconductor.例文帳に追加

本発明は、ゲート絶縁膜の絶縁破壊特性や界面準位生成、ストレス誘起リーク電流特性、ＮＢＴ劣化を改善することのできる半導体装置とその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To suppress degradation of an air cleaning means for purifying air when performing environmental control of an interface which is a space for transferring an object to a processor installed in a clean room.例文帳に追加

クリーンルーム内に設置された処理装置へ処理対象物を移載するための空間であるインターフェースの環境制御を行なうにあたり、空気を浄化するための空気浄化手段の性能低下を抑える。 - 特許庁

To solve the problems on conventional technology that air easily enters into an adhesive interface between an upper case 1 and a lower case 3 when mounted, the entering air remains as bubbles without coming out of the adhesive interface, and an adhesion area is reduced to cause the degradation of waterproofness and adhesion.例文帳に追加

従来の技術においては上部ケース１と下部ケース３の取り付け時において接着界面に空気を巻き込みやすく、また巻き込んだ空気は接着界面から外側へ抜けないため気泡として残り、接着面積が減少する事により防水性や接着強度の低下原因となる。 - 特許庁

To solve the problem of degradation in gate insulating film and MOS interface properties, attributable to rapid heating to a high temperature for the formation of metal contacts in contact with single crystal silicon carbide, without causing an increase in ohmic contact resistance.例文帳に追加

単結晶炭化珪素に対する金属コンタクト形成時の急速高温加熱処理に起因するゲート絶縁膜ならびにＭＯＳ界面特性の劣化を、オーミック接触の接触抵抗の増大を招くことなく解決する。 - 特許庁

A compound thin film consists of a metal or an alloy containing one or more from among chromium, nickel, molybdenum, tungsten, titanium, niobium, tantalum, zirconium, hafnium, vanadium, silicon, and germanium; and nitrogen is formed as the intermediate layer 2A at the interface between a plastic substrate 1 and a copper seed layer 3, to improve the barrier effect of the interface and suppress the adhesion degradation due to the thermal load.例文帳に追加

プラスチック基板１と銅シード層３との界面に、中間層２Ａとして、クロム、ニッケル、モリブデン、タングステン、チタン、ニオブ、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、けい素、ゲルマニウムのうち１種以上を含む金属または合金と窒素との化合物薄膜を形成することにより、界面のバリア効果を改善し、熱負荷での密着性劣化を抑制する。 - 特許庁

A semiconductor package 200 is provided which prevents degradation in performance of a chip 120, such as a CPU chip, which is caused by a hot spot generated during operation, and an interface between the chip 120, a TIM156, and a lid 140 absorbs a thermo-mechanical stress.例文帳に追加

ＣＰＵチップのようなチップ１２０の駆動中に発生するホットスポットよる性能低下を防止し、チップ１２０、ＴＩＭ１５６、蓋体１４０の間のインタフェースに熱的機械的ストレスを吸収する半導体パッケージ２００を提供する。 - 特許庁

To provide a membrane magnet capable of restraining strain and stress generated at an interface between a membrane magnet material and a substrate and preventing degradation of magnetic characteristics which was one of conventional problems, and to provide a radial gap type rotating machine therewith.例文帳に追加

膜磁石材と基板の界面に生じる歪みや応力を低く抑えることができるとともに、従来問題となっていた磁気特性の劣化を防ぐことのできる膜磁石、ならびにこれを用いたラジアルギャップ型回転機を提供すること。 - 特許庁

To obtain a functional composite with good reproducibility without requiring a troublesome process, wherein an interface degradation between a photocatalyst film with (a) high transparency and an organic base material and degradation of a binder in the photocatalyst film do not generate, its surface displays a photocatalyst activity and/or a hydrophilicity by light irradiation for a long time, and a durability maintaining the high transparency is excellent.例文帳に追加

高い透明性を持つ光触媒皮膜と有機基材との間の界面劣化や、光触媒皮膜中のバインダーの劣化を生じることが無く、光照射により長期にわたり、その表面が光触媒活性及び／又は親水性を発現し、高い透明性を維持する耐久性に優れた機能性複合体を、煩雑な工程を必要とせずに再現性良く得る。 - 特許庁

The first layer 31 and the second layer 33 are made of the same material, and stresses, caused by the difference in the thermal expansion coefficients and degradation in bond strength, are reduced at the interface of the jointing faces of the first layer 31 and the second layer 33 and sealed state of the scintillator layer 32 is maintained.例文帳に追加

第１の保護層31と第２の保護層33とを同じ物質で形成し、第１の保護層31と第２の保護層33との接合面の界面における結合強度の劣化や熱膨張係数差による応力を低減し、シンチレータ層32の密閉状態を維持する。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element capable of preventing reduction of a flow of current between a wiring and a common electrode due to variation of interface characteristics between two layers because of a direct contact between a pixel electrode and a common electrode formed on the wring, and further preventing a degradation of reliability of the element.例文帳に追加

本発明は、有機電界発光素子で、配線に形成される画素電極と共通電極の、直接的な接触による、二つの層間の界面特性が変化により、配線と共通電極との間の電流の流れが低下し、且つ素子の信頼性も低下することを防止する。 - 特許庁

To prevent formation of an anomalously grown layer at the interface between a first layer and a second layer, and to prevent serious degradation of optical output power of a quantum-well semiconductor laser, in forming a III-V compound semiconductor crystal layer comprising two or more kinds of group V elements by a metal-organic vapor phase growth method.例文帳に追加

２種以上のＶ族元素で構成されるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶層を有機金属気相成長方法で形成することに関するもので、第１の層と第２の層との界面に変成層が形成されることを防止し、量子井戸構造半導体レーザの光出力が著しく低下することを防止する。 - 特許庁

In order to suppress especially transfer characteristics degradation caused by potential barrier wall of a surface shield layer 205 prominent in p/n/n^-/p^+/n structure, a part of a charge accumulation part 204 is formed in such depth as away from a silicon-gate oxide film interface 209 under a transfer gate electrode, directly below the transfer gate electrode 208.例文帳に追加

特に、ｐ／ｎ／ｎ^−／ｐ^＋／ｎ構造において顕著となる表面シールド層２０５によるポテンシャル障壁に起因する転送特性劣化を抑えるために電荷蓄積部２０４の一部を転送ゲート電極２０８の直下であって、且つ、転送ゲート電極下のシリコン−ゲート酸化膜界２０９面から離れた深さに形成する。 - 特許庁

By forming a diffusive metal compound layer 9a of Cu and Zn surrounding the metal grain 7 inside melting solder 3' of the junction, a diffusive metal compound layer 9b in a joint interface of the melted solder 3' with the copper terminal 2 and the copper bump 5 is suppressed; the strength degradation is prevented and the reliability after joining is ensured.例文帳に追加

接合部の溶融半田３’の内部において金属粒子７の周辺にＣｕとＺｎの拡散性金属化合物層９ａを形成させることにより、銅端子２や銅バンプ５と溶融半田３’の接合界面における拡散性金属化合物層９ｂの形成を抑制し、強度低下を防止して接合後の信頼性を確保することができる。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device and a camera effectively and quickly performing a series of operations including the generation of photo-carrier, storage, read-out of charges, and the reset of residual charges; preventing degradation in sensitivity to blue light; suppressing trapping influence of a carrier caused by light in a silicon interface; performing high sensitization and miniaturization of pixels; and moreover exerting a sufficient driving efficiency.例文帳に追加

フォトキャリアの生成、蓄積、電荷読み出し、残留電荷の送出(リセット)という一連の動作を効率的、高速に行い、光の青に対する感度を劣化させず、光によるキャリアのシリコン界面でのトラップ影響を防ぎ、高感度化と画素の微細化を図ることが可能で、しかも十分な駆動能力を有するフ固体撮像装置およびカメラを提供する。 - 特許庁