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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > interface rateに関連した英語例文

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interface rateの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 272



例文

To provide a control apparatus and a method which can obtain an accurate recordable time of a recorder/reproducer which can control the recorder/reproducer through an interface even if a program for changing a transfer rate is recorded in the recorder/reproducer, and to provide a program and a recording medium.例文帳に追加

インタフェースを介して記録再生装置を制御でき、且つ転送レートが変化する番組を記録再生装置で録画する場合であっても、記録再生装置の正確な録画可能時間を求めることができる記録再生装置の制御装置および方法、プログラム、ならびに記録媒体を提供する。 - 特許庁

A printer 200 acquires the data size of the image data to be printed from the data preservation device (S603) and performs the calculation of the time required for completing the transmission of the image data to be printed (S606) according to the acquired data size to be printed and the data transmission rate through the applied external interface.例文帳に追加

プリンタ200は、印刷すべき画像データのデータサイズをデータの保存装置から取得し(S603)、取得された印刷すべき画像データのデータサイズと、使用される外部インタフェースを介したデータの転送速度とに応じて、当該印刷すべき画像データの転送にかかる転送完了時間を演算する(S606)。 - 特許庁

The density and the flow rate of a liq. passing there are detected, the density of a lower layer liq. 13 being extracted by a specified quantity is stored as a reference density, and if an input density lowers below a predetermined value from the reference density or the integrated value of the extraction quantity exceeds a target value, an interface detection signal is outputted.例文帳に追加

そして、通過する液の密度と流量を検出し、下層液13の所定量抜き出し時の密度を基準密度として記憶し、入力される密度が基準密度より予め定めた設定値以上低下するか、あるいは抜き出し量の積算値が目標値を超えると、界面検出信号を出力する。 - 特許庁

The oxidation step includes heating the base wafer to a temperature in a range of 800 to 1,300°C, at a rate of temperature increase in the range from 1 to 300°C under an oxidizing atmosphere; and the lamination step is carried out so as to arrange the oxide film formed in the oxidation step, at an interface of the two wafers.例文帳に追加

前記酸化工程は、前記ウェーハを、酸化性雰囲気下で1〜300℃/秒の昇温速度で800〜1300℃の範囲の温度に加熱することを含み、前記貼り合わせ工程は、2枚のウェーハの界面に前記酸化工程において形成された酸化膜が配置されるように行われる。 - 特許庁

例文

Whereby the instability of the secondary ion intensity immediately after the start of measurement is curbed, and the quantitative analysis can be performed while the secondary ionization rate is stable after the interface position of the metal silicide film 3 and the silicon base 1 in the processed sample, that is, in the all area including the silicon base 1 surface.例文帳に追加

これにより、測定開始直後の二次イオン強度の不安定さはアモルファスシリコン層4の表面で収束し、処理試料における金属シリサイド膜3とシリコン基板1の界面位置以降、すなわち、シリコン基板1表面を含むすべての領域で、二次イオン化率が安定した状態で定量分析を行うことができる。 - 特許庁


例文

To provide a semiconductor storage device comprising a charge holder to the side wall of the gate electrode, in the structure that the charge holder is allocated lower than the interface between a gate insulating film and a channel region, in order to improve the write operation rate wherein length of the read current path is restricted and read access time is shortened.例文帳に追加

ゲート電極の側壁に電荷保持部を有する半導体記憶装置で、書き込み動作の速度を向上させるために電荷保持部をゲート絶縁膜とチャネル領域との界面よりも下に配置する構造では、読み出し電流経路が長くなることを抑制し、読み出しのアクセス時間を短くする。 - 特許庁

An ambient noise detection part 103 gains a voice signal flowing between a line interface 102 and a modem part 105 in a silence section appearing on a gap of transmission/reception, and regards it as an ambient noise, and gains its peak value to send it to a compression rate decision part 104 as the size of the ambient noise.例文帳に追加

周囲雑音検出部103は、送受話の切れ目に表れる無音区間内に、回線インタフェース102と変復調部105の間を流れる音声信号を取得して、これを周囲雑音とみなして、そのピーク値を取得し、取得したピーク値を周囲雑音の大きさとして圧縮率決定部104に送る。 - 特許庁

The two-chip/single-die switching device architecture includes an internal memory storage block on the single-die, an external memory storage interface to a double data rate synchronous dynamic random access memory (DDR SDRAM), an external memory manager, and a packet data transfer engine effecting packet data transfers between an internal memory store and the external DDR SDRAM memory.例文帳に追加

この2チップ/単一ダイの交換装置アーキテクチャは、単一ダイ上の内部記憶装置ブロック、ダブル・データ・レート・シンクロナス・ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DDR SDRAM)への外部記憶装置インタフェース、外部記憶装置マネージャ、及び内部記憶装置と外部DDR SDRAM記憶装置との間でパケット・データの転送を実行するパケット・データ転送エンジンを含む。 - 特許庁

The electronic control system and the user interface control bed functions such as articulation of the head, seat and leg sections of a bed deck, and control and/or monitor the operation of medical equipment such as a heart rate monitor 96, a blood pressure monitor 94, a thermometer, a sequential compression therapy device, a chest wall oscillation device, a respiratory therapy device 99 and a blood oxygen monitor.例文帳に追加

電子制御システムおよびユーザーインターフェースは、ベッドデッキの頭部、座部、脚部の連結部などのベッド機能を制御し、また心拍数モニター96、血圧モニター94、体温計、連続圧迫療法装置、胸壁振動装置、呼吸療法装置99、血中酸素モニターなどの医療機器の操作を制御および/または監視する。 - 特許庁

例文

To provide a composition for resist removal, having high removing rate for all resists used in the manufacture of semiconductors and liquid crystal substrates, large solubility with ozone, and high permeability into the interface between a substrate and a resist, and being capable of stripping not only a normal resist but a thermally set resist near the normal temperature.例文帳に追加

半導体や液晶基板を製造する際に用いられるすべてのレジストに対する除去速度が高く、オゾンの溶解度が大きく、基板とレジストとの間の界面への浸透性が高くて、通常のレジストだけでなく熱硬化したレジストに対しても常温付近でレジストを剥離することのできるレジスト除去用組成物を提供する。 - 特許庁

例文

In this asymmetrical digital subscriber line(ADSL) down high- speed cell bus interface protocol, an ADSL bank control unit(ABCU) can transmit an ADSL cell packet to a plurality of ADSL line units in the down direction with a high rate down throughput by flexibly and efficiently assigning a bandwidth while reducing the error probability.例文帳に追加

非対称デジタル加入者回線(ADSL)下り方向高速セルバスインタフェースプロトコルでは、ADSLセルパケットを、ADSLバンク制御ユニット(ABCU)から複数のADSL回線ユニットへ、高レートの下り方向スループットで、柔軟的かつ効率的に帯域幅を割り振り、誤りの確率を減らして、下り方向に伝送することが可能となる。 - 特許庁

The display device 1 comprises; a display 25 for displaying and magnifying one area in an input image signal by an arbitrary magnification rate; a remote control receiver 18 for receiving a predetermined control signal LR from the remote controller 26 by wireless; and an interface 21, a control input terminal 22 and a control output terminal 23, for connecting to another display device 1.例文帳に追加

表示装置1は、入力された映像信号のうち一部領域を任意の倍率で拡大表示するディスプレイ25と、リモコン26からの所定の制御信号LRをワイヤレスで受信するためのリモコン受信部18と、他の表示装置1に接続するためのインターフェイス21、制御入力端子22及び制御出力端子23とを有している。 - 特許庁

The high speed interface power management system includes a clock control state machine 112 carrying out state transition on the basis of a state signal outputted from circuits 105-109 divided by the transfer rate and the communication protocol, and gate circuits 113-118 carrying out supply stoppage of a clock when a control signal outputted from the clock control state machine 112 is received.例文帳に追加

高速インターフェースパワーマネージメント装置は転送速度および通信プロトコルにより分割された回路105〜109により出力される状態信号を基に状態を遷移するクロック制御ステートマシン112と、クロック制御ステートマシン112により出力される制御信号を受け、クロックの供給停止を行うゲート回路113〜118を含む。 - 特許庁

To solve the problem of a device for reading and writing data from and into a host via an interface wherein if the capacity of a buffer in the device is smaller than a data size requested by the host, the adoption of a method of returning an unprocessed data size to the host to expect command resending or of repeating processing in units of the capacity of the buffer results in a reduced data transfer rate.例文帳に追加

インタフェースを介してホストとデータの読み書きを行う機器において、ホストが要求したデータサイズよりも機器内部で持っているバッファの容量が小さい場合、処理できなかったデータサイズをホストに返してコマンド再送を期待するか、バッファの容量の単位で処理を繰り返すかの方法を取るため、データ転送レートの低下が発生する。 - 特許庁

Since the etching rate at the interface between a resist film 13 and the metal film 11 is speeded up/down by the impurity 12 which is subjected to ion-implantation, the taper of the etching cross section of the metal film 11 is controlled to an appropriate angle, independently of the kinds or minute changes in the metal film 11 (which means unevenness, etc.).例文帳に追加

レジスト膜13と金属膜11との界面部分のエッチングレートは、イオン注入された不純物12によって速くされたり遅くされたりするので、結果的に金属膜11の種類や微妙な変化(凹凸等を意味する)に拘らず、金属膜11のエッチング断面のテーパを適正な角度にコントロールすることができる。 - 特許庁

A device for evaluating the transmission path environment having a function for configuring a power line communication network comprises an operation terminal having a graphical user interface function for controlling a communication apparatus, and displays communication functions such as an SN ratio, throughput and a success rate of communication as the results of communication test performed in the installation environment in order to construct the power line communication network.例文帳に追加

電力線通信ネットワーク構成機能を備えた伝送路環境評価装置と、通信装置を制御する為にグラフィカルユーザインタフェース機能を備えた操作端末を備え、電力線通信ネットワークを構築するために、設置環境にて通信試験を行った結果としてSN比、スループット、通信成功率などの通信性能を表示する。 - 特許庁

The high transmission rate interface includes: a clock detection circuit adapted for receiving a data stream and detecting a specific data format in the data stream so as to extract clock information from the data stream; and a data extraction circuit coupled to the clock detection circuit and adapted for sampling the data stream according to the clock information and extracting an image data according to sampling results.例文帳に追加

高伝送速度インターフェースは、データストリームを受信し、データストリームからクロック情報を抽出するためにデータストリームにおける特定データ形式を検出するよう適応されるクロック検出回路と、クロック検出回路に結合され、クロック情報に応じてデータストリームをサンプリングし、サンプリング結果に応じて画像データを抽出するよう適応されるデータ抽出回路を含む。 - 特許庁

To enhance Voc by reducing the area of a contact region thereby reducing carrier recombination rate at the interface between a semiconductor substrate and a light receiving surface electrode, and to make a power generation layer absorb as much light as possible by reducing the area of the light receiving surface electrode on the semiconductor substrate thereby reducing reflection loss on the surface of the light receiving surface electrode.例文帳に追加

接触領域の面積を低減することにより、半導体基板と受光面電極の間の界面におけるキャリア再結合速度を小さくし、Vocを向上させ、半導体基板上の受光面電極面積を低減することにより、受光面電極表面での反射損失を少なくして発電層にできるだけ多くの光を吸収させる。 - 特許庁

This method is executed by pouring the solid supplying material together with carrier gas into a fused bath through one or more of lances/ tuyeres 11 extended downward to generate gas stream from the fused bath at least at 0.30 Nm3/s/m2 flow rate in the interface between a metal layer 15 and a slag layer 16 of the fused bath (under static condition).例文帳に追加

この方法は、固体の供給材料を、担体ガスと共に、溶融浴に、1つまたはそれより多くの下方に延びているランス/羽口(11)を通して溶融浴に注入し、(静止条件下)溶融浴の金属層(15)とスラグ層(16)との間の界面において、少なくとも0.30Nm^3/s/m^2の流量において、溶融浴からガス流を生じさせることを含む、溶融浴に基づいた方法である。 - 特許庁

To provide an all-solid battery, preferably an all-solid lithium ion battery capable of extremely decreasing substances inhibiting ionic conduction on the interface between an electrode layer and a solid electrolyte layer or in the grain boundary between an electrode active material and an electrolyte, performing high-rate charge discharge, increasing charge discharge efficiency even at high working current, and reducing a manufacturing cost; and to provide a method of manufacturing these batteries.例文帳に追加

本発明の課題は電極層と固体電解質層との界面、または電極活物質と電解質の粒界にイオン伝導を阻害する物質が非常に少なく、大電流の充放電が可能であり、大きな作動電流においても高い充放電効率を得られ、かつ製造コストが低い全固体電池、好ましくは全固体リチウムイオン電池、およびこれらの製造方法を提供すること。 - 特許庁

After forming a gate insulating film over a gate electrode, in order to improve quality of a microcrystalline semiconductor film formed in an initial stage, glow discharge plasma is generated by supplying high-frequency powers with different frequencies, and a lower part of the film near a gate insulating film interface is formed under a first film formation condition, which is low in film formation rate but results in a good quality film.例文帳に追加

ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成した後、成膜初期に形成される微結晶半導体膜の品質を向上するため、周波数の異なる高周波電力を供給してグロー放電プラズマを生成し、成膜速度は低いが品質のよい第1の成膜条件でゲート絶縁膜界面付近の膜の下部を形成し、その後、高い成膜速度の第2の成膜条件に変えて膜の上部を堆積する。 - 特許庁

例文

The method for producing a semiconductor single crystal using a Czochralski (Cz) method for growing a semiconductor single crystal through a solid-liquid interface by dipping a seed into a semiconductor melt housed in a quartz crucible, and pulling the seed while rotating the quartz crucible and applying a strong horizontal magnetic field, wherein the seed is pulled while the quartz crucible is rotated with a rate of from 0.6 to 1.5 rpm.例文帳に追加

石英るつぼに収容された半導体メルト(melt)にシード(seed)を浸した後、前記石英るつぼを回転させるとともに水平強磁場を印加しながら引き上げ、固液界面を通じて半導体単結晶を成長させるチョクラルスキー(Cz)法を用いた半導体単結晶の製造方法であって、前記石英るつぼを0.6〜1.5rpmの速度で回転させながら引き上げる。 - 特許庁




  
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