「is Ta」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A thickness Tb of the connection portion 34 is smaller than a thickness Ta of the body 32.例文帳に追加

本体部３２の厚みＴａより連結部３４の厚みＴｂが薄い。 - 特許庁

Further, the value of ha+ta is substantially equalized to the value of hb+tb.例文帳に追加

また、ｈａ＋ｔａをｈｂ＋ｔｂとほぼ等しくする。 - 特許庁

A difference between the distance RA and the distance SA, namely, a distance TA is determined.例文帳に追加

距離ＲＡと距離ＳＡとの差分、即ち距離ＴＡを求める。 - 特許庁

Z is at least one selected from Ta, Nb, and V.例文帳に追加

前記Ｚは、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖから選ばれる少なくとも１種である。 - 特許庁

The VoIP-TA is connected to the user identification information giving device each time the VoIP-TA is turned on, user identification information is given to the VoIP-TA on the basis of information inherent to a connection position at which the telephone terminal is connected to the access network.例文帳に追加

ＶｏＩＰ−ＴＡは、その電源オン毎にユーザ識別情報付与装置に接続して、電話端末がアクセス網に接続される接続位置固有の情報に基づき、ユーザ識別情報をＶｏＩＰ−ＴＡに付与する。 - 特許庁

A first layer select transistor Ta has a first gate electrode 10a and is in a normally-on state on the first semiconductor layer 3a.例文帳に追加

第１のレイヤーセレクトトランジスタTaは、第１のゲート電極10aを有し、第１の半導体層3aでノーマリオン状態である。 - 特許庁

Alternatively, a part of Ir is substituted by one or more elements selected from Ru, Rh, Pd, Os, Mo, Nb, Ta, Hf, W, Ti, Zr, Y, La Cr, and V in the above alloy.例文帳に追加

またIrの一部がRu,Rh,Pd,Os,Mo,Nb,Ta,Hf,W,Ti,Zr,Y,La,Cr、Vから選択される一種若しくは二種以上の元素で置換される前記合金。 - 特許庁

The intermediate layer 14 is constituted of a non-magnetic alloy consisting essentially of Co and Cr and oxides of Al, Cr, Hf, Mg, Nb, Si, Ta, Ti, Zn and the like.例文帳に追加

中間層14はCoおよびCrを主原料とする非磁性合金と、Al, Cr, Hf, Mg, Nb, Si, Ta, Ti, Zr等の酸化物で構成される。 - 特許庁

A catalyst is constituted of two or more metals and/or metal compounds selected from Ru, Ti, Mo, W, V, Ir, Nb, W, Cu, Ni, La, Ca, Cu, Zr, and Ta.例文帳に追加

触媒を、Ru、Ti、Mo、W、V、Ir、Nb、W、Cu、Ni 、La、Ca、Cu、 Zr及びTaから選ばれる２種以上の金属及び／又は金属化合物から構成する。 - 特許庁

When the intake valve timing VVT reaches a timing advance rated value (t1), a throttle opening TA is controlled to be fully closed (C).例文帳に追加

吸気バルブタイミングVVTが進角規定値に到達した時点t1で、スロットル開度TAが全閉に制御される（図３（Ｃ））。 - 特許庁

A correction coefficient Kabv is calculated depending on the engine revolution speed NE, the throttle opening degree TA and the air bypass valve opening degree θabv that have been obtained (step 104).例文帳に追加

この取得した機関回転数NE、スロットル開度TA及びエアバイパス弁開度θabvに応じた補正係数Kabvを算出する（ステップ１０４）。 - 特許庁

At the starting of the internal combustion engine 1, the smaller of an engine temperature TW and an intake temperature TA is obtained as an initial value of the estimated temperature of the catalyst 13.例文帳に追加

内燃機関１の始動時には、機関温度TW及び吸気温度TAのうちの小さい方を触媒１３の推定温度の初期値として得る。 - 特許庁

Further, an upper layer ta-c film 1 is formed on the lower layer ta-C film 2 by the FCVA method with high bias voltage.例文帳に追加

さらに、下層ｔａ−Ｃ膜２上に高バイアス電圧でのＦＣＶＡ法により上層のｔａ−Ｃ膜１を形成するようにする。 - 特許庁

An operation switch group 111 is disposed in a recess part Ta, formed in the front wall of a handle section T and on the bottom wall of the recess part Ta.例文帳に追加

操作スイッチ群１１１は、把持部Ｔの前壁に形成された凹所Ｔａ内にてその底壁上に設けられている。 - 特許庁

Alpha-Ta made to change structurally from beta-Ta is arranged in the just upper part of a heating resistor at least.例文帳に追加

発熱抵抗体の少なくとも直上部は、β—Ｔａから構造変化させたα—Ｔａを配置する。 - 特許庁

The Cr-Ta film 2 is composed of an alloy film consisting of Cr of 90 atomic % and Ta of 10 atomic % and can be film-deposited by sputtering.例文帳に追加

Ｃｒ−Ｔａ膜２は、Ｃｒ９０原子％とＴａ１０原子％とからなる合金膜であり、スパッタにより成膜することができる。 - 特許庁

The objective optical system (TA) comprises 1st to 3rd lens groups (Gr1 to Gr3) and a 4-th lens group (Gr4A or Gr4B), and is zoomed by moving the 2nd and 3rd lens groups (Gr2, Gr3).例文帳に追加

対物光学系(TA)は第１〜第３レンズ群(Gr1〜Gr3)と第４レンズ群(Gr4A又はGr4B)から成り、第２，第３レンズ群(Gr2,Gr3)の移動によりズーミングを行う。 - 特許庁

First, accumulated Cu 13, for example, is removed with a fixed abrasion pad that stops on a barrier layer 12, such as Ta or TaN, using CMP.例文帳に追加

初めに、堆積したCu13を、例えば、Ta又はTaNのような障壁層12上で止まる固定研磨パッドでCMPによって取り除く。 - 特許庁

The composition is obtained by adding an alloy of Zr_100-YAl_Y (a Y value of 10 to 70), Ti, Ta or Fe to a mercury compound of Ti_100-XHg_X (a X value of 10 to 60).例文帳に追加

組成物はTi_100-XHg_X(X値は10以上60以下)の水銀化合物にZr_100-YAl_Y(Y値は10以上70以下)の合金、Ti、Ta又はFeを添加して構成される。 - 特許庁

Since the TaN film interrupts the occlusion of the H contained in the insulating film into the Ta film, the embrittlement of the Ta film is suppressed.例文帳に追加

ＴａＮ膜が絶縁膜中のＨのＴａ膜への吸蔵を妨害することにより、Ｔａ膜の脆弱化が抑制される。 - 特許庁

An aluminum anodized coating is immersed into an aqueous solution containing the fluoro-complex salt of Zr, Si, Ti, Au, Ag, Co, Ni, Mo, Mn, Nb, Ta, W, Zn, Fe, Ir or Sc.例文帳に追加

アルミニウム陽極酸化皮膜を、Zr 、Si、Ti、Au、Ag、Co、Ni、Mo、Mn、Nb、Ta、W、Zn、Fe、Ir、又はScのフルオロ錯塩を含む水溶液に浸漬させることを特徴とする。 - 特許庁

The calculation of Ta is made using a formula including Ta=T0.tanh(A.ω).例文帳に追加

このとき、ダンパ補償制御器７０は、Ｔａ＝Ｔ０・ｔａｎｈ（Ａ・ω）を含む演算式を用いてダンパ補償必要トルクＴａを演算する。 - 特許庁

The ratio (Tb/Ta) of the thickness Ta of the thick part 4 and the thickness Tb of the thin part 5 is specified to 0.6 to 0.9.例文帳に追加

厚肉部４の厚さＴａと薄肉部５の厚さＴｂとの比（Ｔｂ／Ｔａ）を０．６〜０．９とする。 - 特許庁

The second barrier (126) is a barrier of low conductivity such as Ta, Ti, Mo, W, TaN, WN, MoN or TiN so that the second barrier remains in the bottom of the via or contact.例文帳に追加

第２のバリア（126）はビアまたはコンタクトの底に残っているので、第２のバリア（126）は、Ta, Ti, Mo, W, TaN, WN, MoNまたはTiNのような低い抵抗率のバリアを有する。 - 特許庁

In a step S2, the amount of fluctuation H0 (Ta) of output of the semiconductor light emitting element due to the change of an environmental temperature Ta is calculated.例文帳に追加

ステップＳ２で周囲温度Ｔａの変化による半導体発光素子の出力の変動量Ｈ０（Ｔａ）を演算する。 - 特許庁

When Tw>Ta and Tt>Ta are established as a result of the determination, the energization to a fuel air ratio sensor 42 is started (step 106).例文帳に追加

その結果、Ｔｗ＞Ｔａ且つＴｔ＞Ｔａが成立した場合に、空燃比センサ４２への通電を開始する（ステップ１０６）。 - 特許庁

Concerning a soft magnetic membrane with the basic composition of Fe, Ta, Hf and N, the composition ratio of Hf and Ta is made proper.例文帳に追加

Ｆｅ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎを基本組成とする軟磁性薄膜において、ＨｆとＴａの組成比を適正なものとする。 - 特許庁

When the caller ID function is not effective, the terminal network control apparatus revises transmission timing of the setting data and retransmits the setting data to the TA to set the TA.例文帳に追加

有効になっていない場合、端末網制御装置は、設定データの送信タイミングを変更して、ＴＡに再送出し、ＴＡの設定を行う。 - 特許庁

To provide a diffusion prevention layer material composed of Ta or Ta based alloy layer wherein rupture of the Ta or Ta based alloy layer which is the diffusion prevention layer or superconductive electric wire itself is enabled not to occur at the time of wire drawing in a manufacturing process of the superconductive electric wire.例文帳に追加

超電導線の製造工程における線引き加工の際に、拡散防止層であるＴａまたはＴａ基合金層、あるいは超電導線そのものの破断を起こさないようにすることができるＴａもしくはＴａ基合金からなる拡散防止層用材を提供する。 - 特許庁

In this method, a maximum ideal twist angle TA_M is determined for the lobe as a function of the plurality N of lobes on the rotor, and then the helix angle HA for each lobe is determined as a function of the maximum ideal twist angle TA_M and an axial length L between the end surfaces of the lobes 47, 49.例文帳に追加

この方法では、ローター上の複数Ｎのローブの関数として、ローブ用に最大の理想的なねじり角度（TA_M）を決定し、次に、最大の理想的なねじり角度（TA_M）とローブ（47、49）の端面の間の軸方向の長さ（L）の関数として、各ローブ用に螺旋角度（HA）を決定する。 - 特許庁

When the TA calls the terminal network control apparatus through an ISDN line, the terminal network control apparatus detects whether or not a call signal from the TA is a pre-ringer signal so as to confirm whether or not the caller ID function of the TA is effective.例文帳に追加

ＩＳＤＮ回線を通じて呼び出したとき、端末網制御装置は、ＴＡからの呼出信号がプレリンガー信号であるか検知して、ＴＡの発信者番号通知機能が有効になっているか確認する。 - 特許庁

The clad 30 is heated so that temperature TA(°C) of the clad 30 when the core monomer is injected and thermal deformation temperature Tt(°C) of the polymer that makes the clad 12 have the following relation, i.e., Tt-60≤TA≤Tt or 40≤TA≤Tt.例文帳に追加

コア用モノマー注入時のクラッド３０の温度ＴＡ（℃）とクラッド１２をなすポリマーの熱変形温度Ｔｔ（℃）との関係が、Ｔｔ−６０≦ＴＡ≦Ｔｔまたは４０≦ＴＡ≦Ｔｔとなるようにクラッド３０を加熱する。 - 特許庁

In a portable terminal device, during terms ta, ta, ta,, of power-off, a holding current is being supplied from a sub battery 17 to a RAM 30 and an RTC 12 and no operating power is supplied to a central processing unit (CPU) 11 at all.例文帳に追加

電源がオフになっている期間（ｔａ，ｔａ，ｔａ・・）は、サブバッテリ１７からＲＡＭ３０およびＲＴＣ１２へ保持電流が供給されており、ＣＰＵ１１へ動作電源は全く供給されていない。 - 特許庁

The thickness Ta of the absorber pattern and a reference value Tr are compared (s5), and when the relationship: Ta≥Tr is satisfied, the thickness Ta is adopted, and the reflection-type exposure masks are manufactured (s6).例文帳に追加

そして、吸収体パターンの厚さＴａと基準値Ｔｒとを比較し（ｓ５）、Ｔａ≧Ｔｒである場合、厚さＴａを採用して反射型露光マスクを製造する（ｓ６）。 - 特許庁

Since the thickness TA of the lower coil 13A is not too large, unlike the case where the thicknesses TA and TB are made equal, while the total sum of the thicknesses TA and TB becomes fixed, unevenness of the base of the magnetic film 12 is small.例文帳に追加

厚さＴＡ，ＴＢの総和を一定としてそれらの厚さＴＡ，ＴＢを互いに等しくした場合とは異なり、下部コイル部分１３Ａの厚さＴＡが大きすぎないため、磁性膜１２の下地の起伏が小さくなる。 - 特許庁

When Δf≤Δ180max, a temperature TA for obtaining the polarization degree Δf occuplying all rotation by 180° rotation, is sought so that after polarizing of half of the PC body at the temperature TA, the PC is aged at the temperature TA.例文帳に追加

Δｆ≦Δｆ_180maxの場合に、すべてが１８０度回転で占められる分極度Δｆを得るための温度Ｔ_A を求め、温度Ｔ_A で半分極した後、温度Ｔ_A でエージングを行なう。 - 特許庁

In the annealing process, the sintered compact is heated to a prescribed annealing temperature TA, kept at the annealing temperature TA for a prescribed time and cooled from the annealing temperature TA.例文帳に追加

アニーリング工程においては、焼結体を所定のアニーリング温度ＴＡとなるまで加熱し、続いて焼結体をアニーリング温度ＴＡで所定時間維持し、その後焼結体の温度をアニーリング温度ＴＡから冷却する。 - 特許庁

Based on a corresponding relation map MAPsbta between a throttle opening TA and an opening area with no deposit building up, the throttle opening TA is converted into a reference opening area SB (S106).例文帳に追加

デポジット未堆積でのスロットル開度と開口面積との対応関係マップMAPsbtaに基づいてスロットル開度TAを基準開口面積SBに換算する(S106)。 - 特許庁

In a control circuit 20, the derricking force data T0, Ta are corrected with the correction data (Te×cosθ) to values T0', Ta' corresponding to the number of winding the rope N, and the real load W is operated from the rope tension force T based on the corrected values T0', Ta'.例文帳に追加

制御回路２０では、補正データ（Ｔe×cosθ）により起伏力データＴ0,Ｔaをロープ掛け数Ｎに応じた値Ｔ0',Ｔa'に補正し、その補正値Ｔ0',Ｔa'に基づいてロープ張力Ｔから実荷重Ｗを演算する。 - 特許庁

Etching durability of a Ta film is improved by heat-treating (anneal treating) a hard mask (Au)20 and a Ta film 18, and diffusing Au in the Ta.例文帳に追加

ハードマスク（Ａｕ）２０と、Ｔａ膜１８とを熱処理（アニール処理）して、ＡｕをＴａ中に拡散させることにより、Ｔａ膜のエッチング耐性を高くする。 - 特許庁

The temperature of a roller surface (Ta) is detected at the start of copying to compare it with a temperature T1 previously set, and when Ta>T1, time division control is immediately started, for example, and when Ta≤T1, the time division control is performed, for example, after keeping a heater on as is done conventionally, is performed.例文帳に追加

コピー開始時にローラ表面温度（Ｔａ）を検知し、予め定められた温度Ｔ１と比較し、Ｔａ＞Ｔ１の場合には例えば直ちに時分割制御に入り、Ｔａ≦Ｔ１の場合には例えばヒータを継続的にオンした後に時分割制御を行うような従来の時分割制御を行う。 - 特許庁

When the operation mode just before stopping is a heating cycle dehumidifying operation in stopping the compressor, for example, longest six-minute mask is set when outside temperature Ta is lower than 10°C, five-minute mask is set for 10°C ≤ Ta ≤ 15°C, and four-minute mask is set for 15°C ≤ Ta.例文帳に追加

圧縮機の停止時に、その停止直前の運転モードが暖房サイクル除湿運転である場合、一例として外気温度ＴａがＴａ＜１０℃であれば最も長い６分マスクとし、１０℃≦Ｔａ＜１５℃であれば５分マスクとし、Ｔａ≧１５℃であれば４分マスクとする。 - 特許庁

Awaya nondo, satarana zetsu ni ka ge sa shion, hama no futatsu wa kuchibiru no keicho (a, wa, ya are guttural; sa, ta, ra, na are lingual; ka is nasal and sa is dental; ha, ma are labial sound). 例文帳に追加

アワヤ喉、サタラナ舌にカ牙音サ歯音、ハマの二つは五音。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Hitotsugoku-in: On the back side one hallmark is carved and the hallmark is one of the following characters: "田" (ta), "ま" (ma), "金" (kin), and "さ" (孫). 例文帳に追加

一ツ極印（ひとつごくいん）：裏面に「田」、「ま」、「金」、「さ」、「孫」の極印のいずれかが一つ打たれている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

There is provided the p-type semiconductor material containing tantalum (Ta) to which nitrogen (N) is added, and oxygen (O).例文帳に追加

窒素（Ｎ）が添加されたタンタル（Ｔａ）及び酸素（Ｏ）を含むｐ型の半導体材料とする。 - 特許庁