「is Ta」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

From immediately after receiving the request, call processing for establishing a communication path with a terminal TC other than the terminal TA is started.例文帳に追加

この要求を受信した直後から、端末ＴＡ以外の端末ＴＣとの通信路を確立するための呼処理を開始する。 - 特許庁

The selling device 1 is connected with terminals TA and TB of a buyer and a seller through a network N.例文帳に追加

販売装置１は、ネットワークＮを介して、購入者及び販売者の端末ＴＡ及びＴＢと接続されている。 - 特許庁

The authentication entity 4 verifies the certificate Ta via the root certificate Tx and trusts the public key Ka if the verification is successful.例文帳に追加

認証エンティティ４は証明書Ｔａをルート証明書Ｔｘにて検証し、検証成立なら公開鍵Ｋａを信頼する。 - 特許庁

The matrix is composed of an Ni based alloy, a Ti based alloy or the like, and the hard grains are, e.g. composed of the carbides, borides, silicides or oxides of Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo and W.例文帳に追加

マトリックスは、Ｎｉ基合金、Ｔｉ基合金等、硬質粒子はＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗの炭化物、硼化物、珪化物、又は酸化物等である。 - 特許庁

The tire label 1 is configured so as to be stuck on the surface Ta of the side wall portion T1 of the pneumatic tire T by the adhesive.例文帳に追加

接着剤により空気入りタイヤＴのサイドウォール部Ｔ１の表面Ｔａに貼着するタイヤ用ラベル１である。 - 特許庁

A drive signal is a signal in which first to fifth drive pulses DP1 to DP5 are arranged in a print period TA for determining one dot (drawing (a)).例文帳に追加

駆動信号は、１ドットを決めるための印刷周期ＴＡ内に第１〜第５駆動パルスＤＰ１〜ＤＰ５が配列されてなる信号である（同図（ａ））。 - 特許庁

The p-electrode 12 is configured with a first Pd film 13, a Ta film 14 and a second Pd film 15 as an oxidation preventing film for preventing oxidation of the Ta film 14 and is formed on a type p-type contact layer 11 formed of a nitride semiconductor.例文帳に追加

ｐ電極１２は、第１のＰｄ膜１３、Ｔａ膜１４、およびＴａ膜１４の酸化を防止する酸化防止膜としての第２のＰｄ膜１５によって構成され、窒化物半導体から成るｐ型コンタクト層１１上に形成される。 - 特許庁

The synthetic resin connecting member for connecting the plurality of pipes Ta-Td mutually arranged in substantially parallel in a plurality of places, is integrally joined to the respective pipes Ta-Td, and a locking part for installing the collecting pipe in the vehicle body is integrally formed in a partial connecting member.例文帳に追加

互いに略平行に配列された複数の配管Ｔａ〜Ｔｄを複数箇所において連結する合成樹脂製の連結部材は、各配管Ｔａ〜Ｔｄと一体的に結合されており、一部の連結部材には、集合配管を車体に取り付けるための係止部が一体的に形成されている。 - 特許庁

Further, the surface temperature of the semiconductor wafer W supported in point contact is relatively slow in temperature falling speed and the surface temperature is thereby held above an annealing temperature Ta for the time ta, so that the crystal defect introduced in the semiconductor wafer W during the impurity implantation can be recovered.例文帳に追加

さらに、点接触にて支持された半導体ウェハーＷの表面温度の降温速度は比較的小さく、その結果表面温度がアニール温度Ｔａ以上に時間ｔａ維持されることとなり、不純物注入時に半導体ウェハーＷに導入された結晶欠陥の回復をも行うことができる。 - 特許庁

When a temperature in a bathroom reaches the upper limit temperature TA, the heater is switched off, further the heater is switched on when the time t2 has passed from the switching-off of heater, and these switching operations are alternately repeated to control the temperature in the bathroom between the upper limit temperature TA and the lower limit temperature TB.例文帳に追加

浴室内の温度が上限温度ＴＡに達したとき、ヒータオフとし、またヒータオフ後に、時間ｔ２が経過したとき、ヒータオンとし、これらを交互に繰り返し、浴室内の温度が上限温度ＴＡと下限温度ＴＢとの間にあるように制御する。 - 特許庁

In addition, the occurrence of leakage currents in the MIM capacitor after heat treatment is reduced by suppressing the diffusion of the oxygen contained in the Ta_2O_5 film 7 into the Ta film 5 by heat treatment after the capacitor is formed by interposing an Al_2O_3 film 6 between the Ta film 5 and Ta_2O_5 film 7.例文帳に追加

また、Ｔａ膜５とＴａ_２Ｏ_５膜７の間にＡｌ_２Ｏ_３膜６を挿入することにより、ＭＩＭキャパシタ形成後の熱処理によるＴａ_２Ｏ_５膜７中の酸素がＴａ膜５中へ拡散するのを抑制し、熱処理後のＭＩＭキャパシタのリーク電流を低減することができる。 - 特許庁

When the terminal is connected to a third network when moved and a new address after the movement is imparted to the terminal, the terminal transmits a TA_REG_PORT including a transmitter address and port number and a receiver's address and port number in a data section through a new third router to the transfer agent.例文帳に追加

端末が、移動によって第３のネットワークに接続し、新たな移動後アドレスが端末に付与された際に、最初に、端末が、送信元アドレス及びポート番号と、相手方端末のアドレス及びポート番号とをデータ部に含むTA_REG_PORTを、移動後の第３のルータを介して、転送エージェントへ送信する。 - 特許庁

The quantity of crossing magnetic flux, crossing the lower coil 14A between the lower and upper magnetic films 12 and 13, is smaller than when the thickness TA of the lower coil 14A is not larger than the thickness TB of the upper coil 14B (thickness ratio TB/TA≥1).例文帳に追加

下部コイル部分１４Ａの厚さＴＡが上部コイル部分１４Ｂの厚さＴＢ以下である場合（厚さ比ＴＢ／ＴＡ≧１）よりも、下部磁性膜１２および上部磁性膜１３の間において下部コイル部分１４Ａを差交する渡り磁束の量が少なくなる。 - 特許庁

When the set power-on time Tb is later than the starting time Ta of the program A and that power-on time Tb corresponds to the middle of the program A, the set power-on time Tb is changed to the starting time Ta of the program A.例文帳に追加

設定されている電源オン時刻Ｔｂが番組Ａの開始時刻Ｔａより後であって、その電源オン時刻Ｔｂが番組Ａの途中に当たるときは、設定されている電源オン時刻Ｔｂを番組Ａの開始時刻Ｔａに変更する。 - 特許庁

An adjusting element control means to control the adjusting element 5 so that the temperature T2 comes closer to the target temperature T2target, and, a target temperature setting means to set the target temperature T2target relatively lower in case the temperature Ta is low than in case the temperature Ta is high.例文帳に追加

目標温度Ｔ２targetに温度Ｔ２が近づくように調整要素５を制御する調整要素制御手段と、温度Ｔａが低い場合には温度Ｔａが高い場合よりも、目標温度Ｔ２targetを相対的に低く設定する目標温度設定手段とが設けられている。 - 特許庁

Furthermore, an extension communication and transfer function is provided to a terminal adaptor TA 200 with an extension so as to allow other ISDN device to make external line transmission and reception at the same time while the TA 200 with an extension and ISDN devices 101, 102 make extension communication even when a common use ISDN user bus transmission line 301 is in use.例文帳に追加

また、内線付ＴＡ２００に内線通信、転送機能を設けることにより、共有のＩＳＤＮユーザバス伝送路３０１を使用しても、内線付ＴＡ２００とＩＳＤＮ機器１０１、１０２とが内線通信しながら、同時に他のＩＳＤＮ機器が外線発信、着信できる。 - 特許庁

In a heating operation mode, a circulation fan is kept on, and a heater 10 is switched off, for example, at an upper limit temperature TA and switched ofn at a lower limit temperature TB on the basis of detection output of a temperature sensor 21, to control a temperature in a bathroom between TA and TB.例文帳に追加

暖房運転モードでは、循環ファンオンの状態とし、温度センサ２１の検出出力に基づき、例えば上限温度ＴＡでヒータ１０をオフとし、下限温度ＴＢでヒータ１０をオンとし、浴室内の温度がＴＡ〜ＴＢの間にあるように制御する。 - 特許庁

Under the condition that the actual operating period T does not exceed the caution period Ta, a caution message is displayed when a change in the actual operating period T suddenly occurs (A), when the actual operating period continuously exceeds a third threshold Tc and also does not exceed the caution threshold Ta (B) or when the amplitude is large (C).例文帳に追加

実動作時間Ｔが注意時間Ｔａを超えていない場合には、さらに、実動作時間Ｔの変化が急激変化している場合（Ａ）や、連続して第３閾値Ｔｃを超えかつ注意閾値Ｔａを超えていない場合（Ｂ）や、振幅が大きい場合（Ｃ）には、注意メッセージを表示する。 - 特許庁

Even under the condition that the thickness of the tape base material Ta is 25 μm or less, when the bent-back angle αof the tape base material Ta at the pressingly transferring part 22 is 15° or more, no coating film Tb before transferring naturally peels from the pressingly transferring part 22.例文帳に追加

テープ基材Ｔａの厚みが２５μｍ以下の場合でも、押圧転写部２２でのテープ基材Ｔａの折り返し角αが１５°以上であれば、押圧転写部２２において、転写前の塗膜Ｔｂがテープ基材Ｔａから自然に剥離することがない。 - 特許庁

The microcapsule in which a mixture of a compound A to be released deliberately with another compound B having a phase transition point at its melting point Tb°C is involved, is given the heat history in the temperature range including the melting point (Ta+b°C) of the core material consisting of the mixture of the compound A with the compound B.例文帳に追加

放出を意図する化合物Ａと融点Tb℃で相変化する化合物Ｂの混合物が内包されたマイクロカプセルにおいて、化合物Ａと化合物Ｂの混合物からなる芯物質の融点Ta+b℃を挟む温度範囲で熱履歴を与える。 - 特許庁

In a cellular radio communication system, a base station or a mobile station has a TA-range-out detection function, so that when a TA-range-out state is detected, the transmission condition of an uplink signal transmitted from the mobile station to the base station is changed by the base station and the mobile station cooperatively or by the mobile station autonomously.例文帳に追加

基地局または移動局がＴＡ制御外れ検出機能を備え、ＴＡ制御外れが検出された時、基地局と移動局とが連携して、あるいは、移動局が自律的に、移動局から基地局に送信される上り信号の送信条件を変更する。 - 特許庁

The thickness ta of the bead apex rubber 8 at a point P separated from a flange Rf is 1.15-1.25 times a core width Wz of a bead core 5, and the thickness tb at an outer end F of the ply folded part 6b is 0.8-0.9 times the thickness ta.例文帳に追加

ビードエーペックスゴム８は、フランジＲｆからの離間点Ｐにおける厚さｔａが、ビードコア５のコア巾Ｗｚの１．１５〜１．２５倍、かつプライ折返し部６ｂの外端Ｆにおける厚さｔｂが、前記厚さｔａの０．８〜０．９倍とする。 - 特許庁

The PB signal operation procedures corresponding to a plurality of type of TAs are made in the memory 114, an instruction is outputted from a center system and a setter by communication even through the TA types of a user are changed in the middle of operation and a new TA operation mode is set.例文帳に追加

メモリ部１１４には複数種類のＴＡに対応したＰＢ信号操作手順を記憶しておき、運用途中でユーザのＴＡの種類が変更されても、センターシステムや設定器から通信により指示を出し、新しいＴＡの動作モードを設定する。 - 特許庁

The control method of the optical scanner has processes of deriving: an interval time TA from time T1, when a first detection signal Hsync1 is output to the time T2, when a second detection signal Hsync2 is output from a sensor 60 following the first detection signal Hsync1, and determining a first standby time Tw1 from the interval time TA.例文帳に追加

第１検知信号Ｈsync1が出力された時刻Ｔ1から該第１検知信号Ｈsync1に続いてセンサ６０から第２検知信号Ｈsync2が出力された時刻Ｔ2までのインターバル時間ＴＡを求めて、該インターバル時間ＴＡから第１待機時間Ｔｗ1を決定する。 - 特許庁

When catalyst warming-up demand exists in this device, ignition timing θ is set at a greatly retarded side θ0+θA from normal timing θ0 at first, and throttle valve opening TA is set at greater opening TA0+TAA than normal opening TA0 (first catalyst warming up control setting a main purpose on catalyst warming up).例文帳に追加

この装置では、触媒暖機要求がある場合、先ず、点火時期θが通常時期θ0よりも大幅に遅角側（θ0＋θA）に設定されスロットル弁開度TAが通常開度TA0よりも大きい開度（TA0＋TAA）に設定される（触媒暖機を主目的とする第１触媒暖機制御）。 - 特許庁

When lift change in a direction to reduce the lift quantity VL of the intake valve is required, a throttle opening TA is controlled to be increased by predetermined quantity ΔTA over predetermined time Δt simultaneously with start of change in lift quantity VL (Figure 4 (B)).例文帳に追加

吸気弁のリフト量VLを小さくする方向のリフト変更要求が出された場合に、リフト量VLの変更の開始と同時に、スロットル開度TAが所定時間Δtに渡って所定量ΔTAだけ大きくなるように制御される（図４（Ｂ））。 - 特許庁

The difference (TC-TD) between the temperature TC and temperature TD is used as a reference value to derive the influence of an external factor on the rotation-side terminal and the correlation with the temperature TA is found to measure the accurate rotary body temperature TA.例文帳に追加

回転側端子（接点Ｃ）の温度Ｔ_C と非回転側端子（接点Ｄ）の温度Ｔ_D の差（Ｔ_C −Ｔ_D ）をリファレンス値として外的要因の回転側端子への影響を導き出し、回転体の温度Ｔ_A との相関を求めることで正確な回転体温度Ｔ_A を測定することができる。 - 特許庁

The first proposal is to establish within the Bank a multi-donor special trust fund, which will serve as TA and grant facility. This fund will aim to provide technical and financial assistance to foster small and medium-sized enterprises activities, strengthen financial institutions' capacities, and improve public-sector governance. 例文帳に追加

わが国は、中小企業育成、金融機関の能力強化、公共部門のガバナンス強化のための技術支援、資金支援等を行う多数国の拠出による特別基金（TA/grant facility）のアフリカ開発銀行内の設置を提案します。 - 財務省

In the semiconductor thin film containing at least silicon and hydrogen, a ratio of a scattering peak intensity I_TA of a TA mode to a scattering peak intensity I_TO of a TO mode obtained from a Raman scattering spectrum is not larger than 0.35.例文帳に追加

少なくともシリコンおよび水素を含有する半導体薄膜において、ラマン散乱スペクトルより得られるＴＯモードの散乱ピーク強度Ｉ_ＴＯに対するＴＡモードの散乱ピーク強度Ｉ_ＴＡの比が０．３５以下であることを特徴とする半導体薄膜とする。 - 特許庁

This engine controller 1 is provided with a target throttle angle setting part 100a for setting a target throttle angle ta in accordance with an accelerator pedal angle pdla and an electronic control throttle valve 30 driven based on the set target throttle angle ta.例文帳に追加

エンジン制御装置１は、アクセルペダル開度ｐｄｌａに応じて目標スロットル開度ｔａを設定する目標スロットル開度設定部１００ａと、設定された目標スロットル開度ｔａに基づいて駆動される電子制御スロットルバルブ３０を備える。 - 特許庁

A branch processing section 104 of the TA 100 extracts a PPP packet including the IP datagram to which the identification information is set among PPP packets sent to the TA 100 and gives the set IP datagram to a TCP/IP processing section 105.例文帳に追加

TA１００の分岐処理部１０４は、TA１００に送られたPPPパケットのうち、このIPアドレスを宛先とし、識別情報が格納されたIPデータグラムが格納されたPPPパケットを抽出し、格納されたIPデータグラムをTCP/IP処理部１０５に渡す。 - 特許庁

The hydrogen-permeable alloy membrane contains at least one element selected from V, Nb, and Ta and at least one element selected from Co, Ni, and Cu and the total element concentration comprising V, Nb, and Ta is lower in the hydrogen penetration side than in the hydrogen permeation side.例文帳に追加

Ｖ、Ｎｂ、Ｔａから選ばれた少なくとも１種と、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕから選ばれた少なくとも１種とからなる水素透過合金膜であって、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａの合計元素濃度が水素透過側よりも水素侵入側で低くなっている。 - 特許庁

A method for joining a tungsten member with a tungsten member is as follows: when joining tungsten members to each other, the tungsten members to be joined are heated and pressed while interposing, between the tungsten members, at least one kind of metal foil with a thickness of 3-500 μm selected from Mo, Pt, Ti, V, Cr, Nb, Ta, Re and Ta.例文帳に追加

タングステン同士の接合において、接合すべきタングステンの間にＭｏ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｔａ，ＲｅおよびＴａの中の少なくとも一種の厚さ３〜５００μｍの金属薄を介在させて加熱加圧することを特徴とするタングステンの接合方法である。 - 特許庁

The dielectric porcelain (1) is a sintered compact of a complex oxide of at least one element selected from Zr, Ti and Mn, at least one element selected from Mg, Zn and Co and at least one element selected from Nb and Ta, and has an average crystal grain diameter of 10 to 70 μm.例文帳に追加

Zr,Ti及びMnから選ばれる少なくとも一つの元素と、Mg,Zn及びCoから選ばれる少なくとも一種の元素と、Nb及びTaから選ばれる少なくとも一種の元素との複合酸化物の焼結体からなり、平均結晶粒径が10-70μmの範囲にある誘電体磁器(1)とする。 - 特許庁

After sound connection establishment at an IP telephone set TA between it and an IP telephone set TB, BGM connection is established in response to a reply from the IP telephone set TB between an IP telephone set TA-BGM server SV and an IP telephone set TB-BGM server SV.例文帳に追加

ＩＰ電話機ＴＡにてＩＰ電話機ＴＢとの間で音声コネクションを確立後、ＩＰ電話機ＴＢからの応答に応じてＩＰ電話機ＴＡ−ＢＧＭサーバＳＶとＩＰ電話機ＴＢ−ＢＧＭサーバＳＶとの間にＢＧＭコネクションを確立する。 - 特許庁

Then, a pattern 21 P of the ta-C thin film is formed in a short time, because the applied negative pulsed-voltage onto the substrate K makes the plasma density high, the etching ions easily led to the ta-C thin film, and the etching speed increased.例文帳に追加

基板Ｋに対する負のパルス状電圧の印加により、プラズマ密度が高まると共にエッチングイオンがｔａ−Ｃ薄膜に対して導かれ易くなるため、エッチング速度が増加し、ｔａ−Ｃ薄膜パターン２１Ｐが短時間で形成される。 - 特許庁

A carrier synchronization signal part with a burst length Ta (Ta=4 symbols) is arranged while being overlapped on a range of a prescribed period Tc (Tc=410 symbols) longer than a burst period Tb (Tb=207 symbols) of an input signal in an overwrite form by using the period Tc for its period.例文帳に追加

入力信号のバースト周期Ｔb （Ｔb ＝２０７シンボル）よりも長い所定の期間Ｔc （Ｔc ＝４１０シンボル）の範囲内に、バースト長Ｔa （Ｔa＝４シンボル）のキャリア同期用信号部分を、期間Ｔc を周期として上書きする形態で重ねて配置する。 - 特許庁

In a drying operation mode, the circulation fan and a ventilation fan are kept on, and the heater 10 is switched off, for example, at an upper limit temperature TA', and switched on at a low limit temperature TB' to control the temperature in the bathroom between TA' and TB'.例文帳に追加

乾燥運転モードでは、循環ファンオン、換気ファンオンの状態とし、温度センサ２１の検出出力に基づき、例えば上限温度ＴＡ′でヒータ１０をオフとし、下限温度ＴＢ′でヒータ１０をオンとし、浴室内の温度がＴＡ′〜ＴＢ′の間にあるように制御する。 - 特許庁

This alloy has a composition containing 25 to 65 atomic % Ta and Nb in the total of the two metals, in which the content of either one kind of Ta or Nb is controlled to ≥3 atomic %, moreover containing 2 to 8 atomic % P as well and the balance substantial Ni.例文帳に追加

ＴａおよびＮｂの２種の合計で２５〜６５原子％を含むとともに、前記ＴａまたはＮｂのいずれか１種を３原子％以上とし、さらに２〜８原子％のＰを含み、残部は実質的にＮｉからなる組成の合金とする。 - 特許庁

At the space between a Ti, Ta or Nb target material and a backing plate made of Al or the alloy thereof, with a physical vapor-deposited coating film of Ti, Ta, Nb or the alloy thereof is formed, and the target material and the backing plate material are diffusion-joined.例文帳に追加

Ｔｉ、Ｔａ又はＮｂターゲット材と、Ａｌ又はその合金製バッキングプレート材との間に、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ又はその合金の物理的蒸着被覆膜が設けられ、ターゲット材とバッキングプレート材とが拡散接合されている。 - 特許庁

A temperature of the rod heater 30 in one of the regions Ta, Tb, Tc is set, with respect to a film thickness of water in the active material compound in the one of the regions Ta, Tb, Tc, at a temperature within a range in which the active material compound does not boil and at a temperature in which an infrared ray absorption ratio of water becomes maximum.例文帳に追加

一の領域Ｔａ、Ｔｂ、Ｔｃにおけるロッドヒータ３０の温度は、当該一の領域Ｔａ、Ｔｂ、Ｔｃでの活物質合剤中の水の膜厚に対して、活物質合剤が沸騰しない範囲の温度であって、水の赤外線の吸収率が最大になる温度に設定される。 - 特許庁

Further, a single-layer soft magnetic backing layer made of a Ni-Fe film, Co-Zr-Nb film or Fe-Ta-C film, or an alternately laminated soft magnetic backing layer composed of Fe-Ta-C films and C films is formed between the nonmagnetic medium and the base layer.例文帳に追加

さらに、非磁性媒体と下地層の間にＮｉ−Ｆｅ膜、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ膜、またはＦｅ−Ｔａ−Ｃ膜の単層軟磁性裏打ち層またはＦｅ−Ｔａ−Ｃ膜とＣ膜とからなる交互積層の軟磁性裏打ち層等を設ける。 - 特許庁

The correction values Ha and Hb corresponding to the incident light quantities Ta and Tb of at least two different levels made incident on the line sensor 20 are determined and the correction values Hc for the respective photoelectric conversion elements 21 are determined according to the levels of actual incident light quantities in accordance with Ha and Hb, by which the output of the line sensor 20 is corrected.例文帳に追加

ラインセンサ20に入射する少なくとも２つの異なるレベルの入射光量Ta、Tbに対応した前記補正値Ha、Hbを求め、Ha、Hbに基づいて、実際の入射光量のレベルに応じて各光電変素子21に対する補正値Hcを求めて、ラインセンサ20の出力を補正する。 - 特許庁

The device still further includes: Au films 14s and 14d electrically connected to the Ta films 11s and 11d without interposing the Al films 12a and 12d, respectively; and a gate electrode 13g that is located over the n-AlGaN layer 4 between the Ta films 11s and 11d.例文帳に追加

更に、夫々Ｔａ膜１１ｓ及び１１ｄにＡｌ膜１２ｓ及び１２ｄを介さずに電気的に接続されたＡｕ膜１４ｓ及び１４ｄと、ｎ−ＡｌＧａＮ層４上においてＴａ膜１１ｓ及び１１ｄの間に位置するゲート電極１３ｇと、が設けられている。 - 特許庁

A seed layer of a magnetic recording medium is formed with a sputtering target comprising an alloying element having solubility to tantalum (Ta) and a tantalum (Ta) phase of a body-centered cubicle ≤10 atom% at room temperature and mass susceptibility ≤1.5×10^-7m^3/kg on a substrate.例文帳に追加

磁気記録媒体のシード層を、タンタル(Ｔａ)と、体心立方のタンタル(Ｔａ)相に対する溶解度が室温で１０原子パーセント以下であり且つ１．５×１０^-7ｍ^3/ｋｇ以下の質量磁化率を有する合金化元素とからなるスパッタターゲットで基板上に形成する。 - 特許庁