「lead single」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

For example, when the single crystal of calcium fluoride is produced, the furnace is heated in the presence of a fluoride of zinc having electronegativity of 1.6, lead having electronegativity of 1.8, carbon having electronegativity of 2.5 or the like because the electronegativities of Ca and oxygen are 1.0 and 3.5, respectively.例文帳に追加

例えば、フッ化カルシウムの単結晶を製造する場合、Ｃａの電気陰性度が１．０、酸素の電気陰性度は３．５であるから、電気陰性度が１．６の亜鉛、１．８の鉛、２．５の炭素などのフッ化物の存在下に炉を加熱する。 - 特許庁

In a magnetic head including a magnetoresistive film and a flux guide which directs the signal magnetic field from a magnetic recording medium to lead to the magneto-resistive film, a flux guide control film for forming the state of the magnetic domain in the flux guide into that of a single magnetic domain is provided.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜と、磁気記録媒体からの信号磁界を誘導して前記磁気抵抗効果膜へ導くフラックスガイドとを含む磁気ヘッドにおいて、前記フラックスガイドの磁区の状態を単磁区化するためのフラックスガイド制御膜を設けた。 - 特許庁

To provide a lead-free magnetic garnet single crystal having a small optical absorption and also a film thickness of ≥200 μm and a reduced 45° loss of ≤0.1 dB so as to be used for a Faraday rotor or the like in optical communication.例文帳に追加

鉛フリーの磁性ガーネット単結晶において、光吸収が小さく且つ膜厚を２００μｍ以上にでき、光通信におけるファラデー回転子等に用いることができるように４５°損失を０．１ｄＢ以下に低減できるようにする。 - 特許庁

In this case, when the width of a part in the gate lead out electrode 8, which is arranged outside the groove 5, is shown by CHSP and the resistivity of an n-type single crystal silicon layer 1B is shown by ρ(Ω cm), the width CHSP is set so as to be CHSP≤3.80+0.148ρ.例文帳に追加

その際、ゲート引き出し電極８のうち溝５の外部に配置された部分の幅をＣＨＳＰとし、ｎ^−型単結晶シリコン層１Ｂの抵抗率をρ（Ω・ｃｍ）とすると、ＣＨＳＰ≦３．８０＋０．１４８ρとなるようにそのＣＨＳＰを設定する。 - 特許庁

(1) In this lead wire for electronic parts, having a plated film layer of tin alloy on a lead wire, the plated film layer of tin alloy is a single tin alloy film layer formed by heating two layers composed of a relatively thick tin plated-layer formed directly on the conductor and a relatively thin film layer of metal excluding tin, formed on the tin plated-film layer.例文帳に追加

（１）導線の上に錫合金のめっき膜層を設けて成る電子部品用リード線において、前記錫合金のめっき膜層は前記導線の直上に設けた相対的に厚めの錫めっき膜層と該錫めっき膜層上に設けた相対的に薄めの錫以外の金属膜層とから成る２層を加熱処理により単一層の錫合金膜層としたものであることを特徴とする電子部品用リード線。 - 特許庁

Here, the single crystal and the heteroepitaxial layer are preferably made of at least one chosen from, or a mixture of two or more chosen from, barium titanate, strontium titanate, calcium titanate, bismuth sodium titanate, bismuth potassium titanate, lead titanate, bismuth titanate, barium zirconate, strontium zirconate, calcium zirconate, lead zirconate, bismuth zirconate, potassium niobate, sodium niobate, lithium niobate, bismuth ferrate, titanium oxide and zinc oxide.例文帳に追加

ここで、単結晶およびヘテロエピタキシャル層の材質は、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ビスマスナトリウム、チタン酸ビスマスカリウム、チタン酸鉛、チタン酸ビスマス、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸ストロンチウム、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸鉛、ジルコン酸ビスマス、ニオブ酸カリウム、ニオブ酸ナトリウム、ニオブ酸リチウム、鉄酸ビスマス、酸化チタン、または酸化亜鉛から選ばれるいずれか１種、またはいずれか２種以上の混合物であることが好ましい。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing an edge reflection-type surface wave device, in which chippings are not generated and a high-accuracy reflecting edge can be formed, even if a piezoelectric substrate composed of a piezoelectric single crystals, such as an LiTaO_3 piezoelectric plate or an LiNbO_3 piezoelectric plate which does not contain a toxic substance such as lead or the like is used.例文帳に追加

鉛等の有害物質を含まないＬｉＴａＯ_３，ＬｉＮｂＯ_３圧電板のような圧電単結晶からなる圧電基板を用いても、チッピングが発生せず、且つ、高精度な反射端面を形成することができる端面反射型表面波装置の製造方法を得る。 - 特許庁

The calcium fluoride single crystal for vacuum ultraviolet optics, which contains lead in a concentration of ≤0.1 ppm and has transmission loss to light having the wave length of 153.4 nm of ≤0.5%/cm and transmission loss to light having the wave length of 157.6 nm of ≤0.3%/cm, is provided.例文帳に追加

含有する鉛濃度が０．１ｐｐｍ以下、波長１５３．４ｎｍの光に対する透過損失が０．５％／ｃｍ以下、波長１５７．６ｎｍの光に対する透過損失を０．３％／ｃｍ以下である真空紫外光学用フッ化カルシウム単結晶を提供する - 特許庁

To provide a method for partially plating substrates (including a single substrate and assembled substrates highly integrated with substrates of chip parts) composed of synthetic resins and other materials in order to manufacture electronic and electric parts, such as printed circuit boards and lead frame insert-forming circuit parts.例文帳に追加

プリント基板、リードフレームインサート成形回路部品等の電子・電気部品を製造するために、合成樹脂やその他の材料から構成される基体（単品の基体と、チップ部品の基体を高集積化させた集合基体とを含む）に部分的にメッキする方法を提供する。 - 特許庁

To provide a structure constituted of a β-sialon single phase where a vitreous component and an α-sialon different phase are not present, having constantly stable quality level and unnecessary for an HIP treatment to aim to practically utilize the β-sialon and the excellent characteristics to lead the world in the industrial scale.例文帳に追加

βサイアロンのその優れた特性を、工業的規模で世界に先駆けて活用する ことを目的とし、ガラス質およびαサイアロンの異相が存在しないβサイアロン単一相で構成され、常に安定した品質的水準を有するＨＩＰ処理不要な構造体を提供する。 - 特許庁

This film sealed nonaqueous electrolyte battery is characterized in that, at least, a single lead terminal has, at least, a portion of a part contacting with the polymer resin layer is covered with a corrosion-resistance film with the thickness 5-1000 nm including, at least, the following components (A), (B) and (C).例文帳に追加

少なくとも一つのリード端子は、少なくとも前記高分子樹脂層と接する部分の一部が、少なくとも下記成分（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）を含有する膜厚５〜１０００ｎｍの耐食性皮膜により被覆されていることを特徴とするフィルムシール型非水電解質電池。 - 特許庁

In the adhesive film used for the method in which the adhesive film is attached on the backside of a lead frame to protect the surface and the film is peeled off after sealing, a resin layer A is formed on the single surface or both surfaces of a supporting film, and the supporting film is surface- treated.例文帳に追加

リードフレーム裏面に接着フィルムを貼り付けて保護し、封止後に引き剥がす方法に使用される半導体用接着フィルムであって、支持フィルムの片面又は両面に樹脂層Ａが形成されており、前記支持フィルムは、表面処理されたものである半導体用接着フィルム。 - 特許庁

To provide an additive for preventing discoloration of a lead-containing alloy represented by free cutting steel in the step of cleaning with a water-base cleaner or water-rinsing an optical component, an electronic component, a metal component or a ceramic component mounting a component made of the alloy, or the single component made of the alloy.例文帳に追加

快削鋼に代表される鉛含有合金製部品を搭載した光学部品、電子部品、金属部品、セラミック部品又は当該合金製部品単体を水系洗浄剤で洗浄したり、水すすぎの際に、合金の変色を防止するための添加剤を提供する。 - 特許庁

To provide a single-phase three-wire system transformer, which can reduce the current which circulates in the circuit of a transformer which to generates smaller loss, by forming a secondary-side coil by a double coil consisting of divided cross connections and two lead wires which are wound in parallel.例文帳に追加

分割交差結線をとり、かつ巻き導線を二本パラレルに巻く二重コイルにより二次側コイルを形成し、変圧器の回路内部を循環する電流を低減することができ、これにより損失を低減することができる単相三線式変圧器を提供する。 - 特許庁

An object recognition method, by which a plurality of objects (an electrode 1A and a lead wire 2A) positioned at different distances from a single camera 21 are recognized with the camera 21, includes a process in which light emissions having different wavelengths (a violet lamp 31, a yellow lamp 32, and a red lamp 33) corresponding to the distances of the objects are applied to the objects.例文帳に追加

単一のカメラ２１により該カメラ２１からの距離が異なる複数の対象物（電極１Ａ、リード２Ａ）を認識する物品認識方法において、前記対象物の距離に応じて、波長の異なる照射光（紫色灯３１、黄色灯３２、赤色灯３３）を該対象物に照射する方法。 - 特許庁

The electronic component 10 being disclosed is provided, on the surface of a lead 2 serving as an external terminal, with a conductive layer 3 for connection composed of an Sn-Bi alloy where 0.5-6.0 wt% of Bi is added to Sn and having a single layer plating structure having a plating film thickness of 10-25 μm.例文帳に追加

開示される電子部品１０は、外部端子としての役割を担うリード２の表面に、Ｓｎに０．５〜６．０ｗｔ％のＢｉが添加されたＳｎ−Ｂｉ合金から成り、かつ１０〜２５μｍのめっき膜厚を有する単層めっき構造から成る接続用導電層３が形成されている。 - 特許庁

To provide an electrode having a single layer of a conductive fine particle layer selectively arranged on the surface of a wire end part or one or more layers of the conductive fine particle layer, and its manufacturing method, a lead wire and its connecting method, and an electronic component and an electronic apparatus using them.例文帳に追加

導電性微粒子本来の機能を損なうことなく保持しており、配線末端部の表面に選択的に配列した単層の導電性微粒子層又は複数層の導電性微粒子層を有する電極及びその製造方法、リード配線及びその接続方法、並びにそれらを用いた電子部品及び電子機器を提供する。 - 特許庁

A liquid raw material for forming a composite oxide system dielectric thin film by the MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method dissolves an organic metal compound (Pb(DPM)_2 and Zr(DPM)_4, Zr(dmhd)_4) wherein a plurality of ligands (DPM and dmhd) of the same kinds are coordinated with metal atoms (lead and zirconium) into a single solvent of cyclohexane.例文帳に追加

本発明のＭＯＣＶＤ法による複合酸化物系誘電体薄膜形成用溶液原料は、金属原子（鉛やジルコニウム）に同一種類の配位子（ＤＰＭやｄｍｈｄ）を複数個配位させた有機金属化合物（Ｐｂ（ＤＰＭ）_２やＺｒ（ＤＰＭ）_４、Ｚｒ（ｄｍｈｄ）_４）をシクロヘキサンの単一溶媒に溶解させたことを特徴とする。 - 特許庁

A feed roller 6 is driven to feed a lead frame 1 and to retract above through a single actuator by turning a cam 73b coupled with a pulse motor 60 for turning the feed roller 6 through a unidirectional clutch 73a when the pulse motor 60 is turned reversely thereby obtaining up/down motion of the feed roller 6.例文帳に追加

送りローラ６がリードフレーム１を送りおえて上方に待避する動きを送りローラ６を回転させるパルスモータ６０に１方向クラッチ７３ａを介して結合したカム７３ｂをパルスモータ６０を逆回転させた時に回るようにして送りローラ６の上下動作を得るようにして１個のアクチュエータで送りローラ６を駆動する。 - 特許庁

The ultrasonic wave probe is characterized in that inserting the piezoelectric body 111 made of a solid solution group single crystal containing at least lead titanate between resin layers 113, 115 whose acoustic impedance is smaller than that of the piezoelectric body and having conductivity can prevent occurrence of defective processing at cutting and the resin layers are used for an acoustic matching layer or electrodes.例文帳に追加

少なくともチタン酸鉛を含む固溶系単結晶により形成された圧電体１１１を当該圧電体よりも音響インピーダンスが小さく導電性を有する樹脂層１１３，１１５で挟むことで、切断時の加工不良の発生を防止し、樹脂層を音響整合層或いは電極として使用可能であることを特徴とする超音波プローブ。 - 特許庁

The instrument is provided with: a light source part 8; an irradiation part 10 for irradiating a patient with light including specific wavelength components generated by the light source part; a piezoelectric element 30 formed from a piezoelectric single crystal containing lead titanate; and an acoustic signal detection part 11 for detecting the acoustic signal generated by absorbing the energy of the irradiating light by a specific substance existing in the patient.例文帳に追加

光源部８と、光源部で発生された特定波長成分を含む光を被検体に照射する照射部１０と、チタン酸鉛を含む圧電単結晶から形成される圧電素子３０と、被検体に存在する特定物質が照射光のエネルギーを吸収することによって生じる音響信号を検出する音響信号検出部１１とを備える - 特許庁

To provide the jointing method for a piezoelectric vibrating element which reduces the manufacture cost by increasing the productivity by completing adhesion by single adhesive coating operation, when lead electrodes are led out to both the top and reverse surface sides of one end edge of the piezoelectric vibrating element are adhered onto two pads in a recessed part formed on a package in one to one relation.例文帳に追加

パッケージに形成した凹陥部内の２つのパッド上に、圧電振動素子の一端縁の表裏両面側に夫々導出されたリード電極を一対一の関係で対応付けて導電性接着剤により接着する際に、一回の接着剤塗布作業によって接着を完了することにより生産性を高めて製造コストを低減するようにした圧電振動素子の接合方法を提供する。 - 特許庁

A sine burst voltage and a DC voltage are superimposed on a piezoelectric vibrator consisting of a piezoelectric body 1 made of a solid solution group piezoelectric single crystal including at least lead titanate and a couple of electrodes 3, 4 respectively provided to an ultrasonic wave vibrating face of the piezoelectric body 1 and its opposite face so as to decrease a voltage of a component depolarize the piezoelectric body 1 thereby suppressing depolarization of the ultrasonic wave vibrator.例文帳に追加

少なくともチタン酸鉛を含む固溶系圧電単結晶からなる圧電体１と、前記圧電体１の超音波発振面およびその対向面にそれぞれ設けられた一対の電極３、４とからなる圧電振動子に、サインバースト電圧と直流電圧とを重畳することで、圧電体1を脱分極させる成分の電圧を小さくし、超音波発振装置の脱分極を抑制する。 - 特許庁

(2) In a lead wire for electronic parts having a plated film layer of tin alloy on a conductor, the tin alloy plated-film layer is a single tin-silver alloy film layer formed by heating two layers of a relatively thick tin plated-film layer formed directly on the conductor and a relatively thin silver film layer formed on the tin plated-film layer.例文帳に追加

（２）導線の上に錫合金のめっき膜層を設けて成る電子部品用リード線において、前記錫合金のめっき膜層は前記導線の直上に設けた相対的に厚めの錫めっき膜層と該錫めっき膜層上に設けた相対的に薄めの銀膜層とから成る２層を加熱処理により単一層の錫−銀合金膜層としたものであることを特徴とする電子部品用リード線。 - 特許庁