「low-k material」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Processes for forming porous low-k dielectric materials from low-k dielectric films containing a porogen material include exposing the low-k dielectric film to ultraviolet radiation.例文帳に追加

ポロゲン材料を包含する低ｋの誘電体フィルムから多孔性の低ｋの誘電体材料を形成するプロセスが、紫外線照射へ低ｋの誘電体フィルムを露光することを含んでいる。 - 特許庁

In contrast, in a tip drawing low-friction sheath cable, a sheath as a cable outermost layer is made of a material having a static friction coefficient (JIS K 7125) of 0.08-0.20 and a dynamic friction coefficient (JIS K 7125) of 0.05-0.15 between the same materials.例文帳に追加

また、先端牽引用低摩擦外被ケーブルは、ケーブル最外層の外被１６を、同一材料同士の静摩擦係数（JIS K 7125）が0.08〜0.20で、動摩擦係数（JIS K 7125）が0.05〜0.15となる材料により構成する。 - 特許庁

The specific dielectric constant of the high dielectric material High-k is larger than at least that of a insulating layer Low-k.例文帳に追加

高誘電体Ｈｉｇｈ−ｋの比誘電率は、少なくとも、絶縁層Ｌｏｗ−ｋの比誘電率よりも大きい。 - 特許庁

The extremely-low-temperature heat transfer material has a heat conductivity of ≥3×10^4 W/m/K at an absolute temperature of 4 to 12 K.例文帳に追加

かかる極低温熱伝達材は、絶対温度４〜１２Ｋにおいて３×１０^4Ｗ／ｍ／Ｋ以上の熱伝導率を有する。 - 特許庁

To provide a low k dielectric material having <3 k, used for producing an integrated circuit in an electronic device or a super small type electronic device.例文帳に追加

電子装置または超小型電子装置中の集積回路の製造のための、ｋが３未満である低ｋ誘電体材料を提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH MATERIAL OF LOW K IN SHALLOW TRENCH INSULATION AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

浅いトレンチ絶縁内にＫの低い材料を有する半導体デバイスおよびその製造方法 - 特許庁

FABRICATION METHOD OF BIPOLAR TRANSISTOR HAVING LOW-K MATERIAL IN EMITTER-BASE SPACER REGION例文帳に追加

エミッタ−ベーススペーサ領域中に低Ｋ材料を有するバイポーラトランジスタの作製方法 - 特許庁

On the surface of the wafer W, an organic polysiloxane film made of a low-K material is formed.例文帳に追加

ウェハＷには，Ｌｏｗ−Ｋ材料の有機ポリシロキサン膜が形成されている。 - 特許庁

To provide means for making an ultra-low k dielectric material which is compatible with a C4/wire bond structure.例文帳に追加

超低ｋ誘電体材料と、Ｃ４／ワイヤボンド構造とを両立させる手段を提供する。 - 特許庁

In a middle drawing low-friction sheath cable, a sheath 6 as a cable outermost layer is made of a material having a static friction coefficient (JIS K 7125) of 0.18-0.40 and a dynamic friction coefficient (JIS K 7125) of 0.15-0.35 between the same materials.例文帳に追加

中間牽引用低摩擦外被ケーブルは、ケーブル最外層の外被６を、同一材料同士の静摩擦係数（JIS K 7125）が0.18〜0.40で、動摩擦係数（JIS K7125）が0.15〜0.35となる材料により構成する。 - 特許庁

The contact structures are formed in the low dielectric constant material layer (low-k materials) using the dual damascene process, which provides the method of forming contact structures effectively.例文帳に追加

これよって、効果的なコンタクト構造形成方法を提供するデュアルダマシン工程を利用し、低誘電率物質層(low-k materials)内にコンタクト構造を形成する。 - 特許庁

To prevent an interlayer dielectric composed of a low-k material from stripping during resin sealing a semiconductor chip employing the low-k material in the interlayer dielectric of multilayer wiring.例文帳に追加

多層配線の層間絶縁膜としてｌｏｗ−ｋ材料を用いた半導体チップを樹脂封止した場合において、そのｌｏｗ−ｋ材料からなる層間絶縁膜の剥離を防止する。 - 特許庁

LOW k DIELECTRIC COMPOSITE MATERIAL LAYER FOR INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE THAT OFFERS VOID-FREE LOW k DIELECTRIC MATERIAL BETWEEN METAL LINES WHILE RELAXING VIA POISONING例文帳に追加

バイア被毒を緩和しつつ金属ライン間にボイドフリー低ｋ誘電性材料を提供する集積回路構造のための低Ｋ誘電性複合材層 - 特許庁

In a preferable embodiment, the ILD the via level is formed with a low-k SiCOH material, and the ILD for the line level is formed with a low-k polymer thermosetting material.例文帳に追加

好ましい実施形態では、ビア・レベルのＩＬＤを低ｋ ＳｉＣＯＨ材料で形成し、ライン・レベルのＩＬＤを低ｋポリマー熱硬化性材料で形成する。 - 特許庁

More particularly, the methods described herein provide interconnect structures built in the photo-patternable low k material in which air gaps of different depths are defined by photolithography in the photo-patternable low k material.例文帳に追加

より具体的には、本明細書で説明する方法は、内部に種々異なる深さの空隙がフォトリソグラフィにより画定された光パターン化可能低ｋ材料の内部に構築される相互接続構造体を提供する。 - 特許庁

This new low vitamin K-producing natto bacillus is selected from the natto bacilli treated with a mutation-inducing treatment in a medium mixed with an antibiotic material, and it is possible to produce the low vitamin K-containing natto by using the new low vitamin K-producing natto bacillus.例文帳に追加

抗生物質を添加した培地で変異誘導処理が施された納豆菌からビタミンＫ低生産性新規納豆菌が選抜され、このビタミンＫ低生産性新規納豆菌を使用してビタミンＫ低含有納豆を製造することができる。 - 特許庁

The low-k dielectric film can be then processed to form a metal interconnect structure therein and subsequently exposed to a second ultraviolet radiation pattern effective to remove the porogen material from the low-k dielectrics film and form a porous low-k dielectric film.例文帳に追加

低ｋの誘電体フィルムは、それから、そこで金属の相互接続構造を形成するために処理され、連続して、低ｋの誘電体フィルムから、ポロゲン材料を除去するのに有効な第二の紫外線照射パターンへ露光され、多孔性の低ｋの誘電体フィルムを形成する。 - 特許庁

To prevent spread-out from occurring in a channel region of an organic semiconductor thin film in a BG type organic TFT having a gate insulating film with a Low-k material.例文帳に追加

本発明の目的は、Low-k材でゲート絶縁膜を設けたBG型有機TFTにおける有機半導体薄膜のチャネル領域でのスプレットアウトを防止することである。 - 特許庁

In a multilevel microelectronic integrated circuit, air comprises a permanent line level dielectric, and an ultra-low-k material constitutes a via level dielectric.例文帳に追加

マルチレベル超小型電子集積回路において、空気は、永久ライン・レベル誘電体を構成し、超低ｋ（ultra-low-k）物質は、バイア・レベル誘電体を構成する。 - 特許庁

To prevent electric short-circuiting due to penetration of a barrier layer into a low K dielectric layer in an interconnection structure of damascene type adopting a low K dielectric material.例文帳に追加

低Ｋ誘電体材料を使用したダマシンタイプの相互接続構造において、バリヤー層が低Ｋ誘電体層内に浸透することによる電気的短絡を防止する。 - 特許庁

Further, the second insulator substantially contains a low-K material.例文帳に追加

ポリシリコン層２０２は、厚さが少なくとも２０００オングストロームであると共に、幅が０．１４μm以下であり、かつ、第２の絶縁体部分は実質的にlow-K材料を含んでいる。 - 特許庁

To enable to easily realize low oxide concentration in the atmosphere of a processing chamber, and to adequately heat treat especially an organic material of a coating film in a low permittivity (Low-k) interlayer insulating film formed on a substrate, which has been conventionally impossible to perform.例文帳に追加

半導体基板の熱処理装置及び熱処理方法において、処理室内雰囲気の低酸素濃度化を容易に実現し、従来では困難であった、基板上に形成する低誘電率（Low-k）層間絶縁膜で、特に塗布膜系の有機材料を適正に加熱処理することを可能とする。 - 特許庁

To form a low-k silicon oxide dielectric material, whose permittivaiy does not exceed 3.0 on a silicon substrate support while suppressing pressure spikes.例文帳に追加

圧力スパイクを抑制しながら、誘電率が３．０を超えない低ｋシリコン酸化物誘電材料をシリコン基板サポート上に形成すること。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING LOW K SILICON OXIDE DIELECTRIC MATERIAL, WHILE SUPPRESSING PRESSURE SPIKING AND INHIBITING INCREASE IN DIELECTRIC CONSTANT例文帳に追加

圧力スパイクを抑制し誘電率の増加を禁止しながら低ｋシリコン酸化物誘電材料を形成する方法 - 特許庁

The semiconductor process uses a plating bath of morpholine borane which provides higher thermal stability and range, allowing for greater compatibility with low k dielectric material.例文帳に追加

ｌｏｗ ｋ絶縁物質とのより優れた適合を可能にする、高い熱的安定度及び範囲を備えたモルホリンボランめっき浴を使用する。 - 特許庁

All together make the pure-silica-zeolite film more stable as a low-k material in semiconductor processing.例文帳に追加

全ての事項により純粋シリカゼオライトフィルムは、半導体プロセスにおける低ｋ材料としてより安定化する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a bipolar transistor with a low K material in an emitter-base spacer region.例文帳に追加

本発明はエミッタ−ベーススペーサ領域中に低Ｋ材料を有するバイポーラトランジスタの作製方法を提供する。 - 特許庁

A hole is formed by etching in the low-k dielectric insulating layer 5, a gap plugging material is deposited in the hole and is partially removed.例文帳に追加

低ｋ誘電体絶縁層５にエッチングによりホールを形成し、ホールにギャップ充填材料を堆積し部分的に除去する。 - 特許庁

The insulating layer Low-k is formed of a material having the specific dielectric constant as lower as possible in order to lower parasitic capacitance of wiring.例文帳に追加

絶縁層Ｌｏｗ−ｋは、配線の寄生容量を低くするため、できるだけ低い比誘電率の材料から構成する。 - 特許庁

The support layer is formed of a low-k dielectric material, and a connection portion is provided to connect the inductors and capacitors in the support layer.例文帳に追加

支持層は低誘電物質で形成され、支持層にはインダクタとキャパシタとを連結する連結部が備える。 - 特許庁

At the same time, the low-k dielectric film maintains a concentration of the porogen material substantially the same before and after exposure to the first ultraviolet radiation pattern.例文帳に追加

このとき同時に、この第一の紫外線照射パターンへの露光の前後で、ポロゲン材料の濃度は、実質的に同一に維持している。 - 特許庁

A low-k dielectric layer is deposited on a protective film forming material layer by, preferably, HDP-CVD.例文帳に追加

低−ｋ誘電体層を好ましくは、高密度プラズマ化学堆積法（ＨＤＰ−ＣＶＤ）により保護膜材料層上に堆積する。 - 特許庁

On the surface of the wafer W, a copper wiring film and an insulating film composed of a low-K material are formed.例文帳に追加

ウエハＷの表面には、銅配線膜および低誘電率材料からなる絶縁膜が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of forming a low k dielectric material that can improve mechanical property without putting any bad influence on heating costs.例文帳に追加

熱の費用に悪い影響を与えることなく、機械的特性を向上できる、低ｋ誘電体の形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a substrate cleaning apparatus that cleans a native oxide film from a metal-containing conductor without changing a (k) value of a circumferential low-k dielectric material on a substrate.例文帳に追加

基板上の周囲の低ｋ誘電材料のｋ値を変化させることなく金属含有導体から未変性酸化物膜を洗浄する基板洗浄装置の提供。 - 特許庁

To provide fluorinated material, e.g. a low k film, suitable for use in microelectrics production, and a process for producing such a film.例文帳に追加

マイクロエレクトロニクス製造での使用に対しより適したより良い性質を有する低-k膜のようなフッ素化材料及びそのような膜を製造するためのプロセスを与える。 - 特許庁

To provide a new oxide cold storage material having high heat capac ity under extremely low temperature environment not only in the vicinity of 4 k, but also in 2 k area, having large magnetic specific heat per unit volume and capable of readily producing.例文帳に追加

４Ｋ付近のみならず、２Ｋ領域で極低温環境で高い熱容量を有し、単位体積当たりの磁気比熱が大きく、容易に製造できる新規な酸化物蓄冷材と、それを充填した蓄冷器を提供する。 - 特許庁

The irradiator comprises a means for irradiating light, having a wavelength corresponding to the low-k film absorption edge decided by the material thereof or longer, and for irradiating light having a wavelength, required for cutting an interlocking group related to the hydrogen of the low-k film or shorter.例文帳に追加

照射装置に、Ｌｏｗ−ｋ膜の材料によって決まるＬｏｗ−ｋ膜吸収端に対応する波長以上の光を照射し、かつ、当該Ｌｏｗ−ｋ膜の水素が関係する結合基を切断するために必要な波長以下の光を照射する照射手段を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can prevent diffusion of Cu from a Cu interconnection to a low dielectric constant material (Low-k material) and can prevent an increase in resistance of the Cu interconnection.例文帳に追加

Ｃｕ配線から低誘電率材料（Ｌｏｗ−ｋ材料）絶縁膜へのＣｕの拡散を防止することができるとともに、Ｃｕ配線の抵抗の増大を防止することができる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a dielectric material having a low dielectric constant (low k) and not requiring a number of mask layers or processing steps as a dielectric material used for an interconnection structure of integrated circuits.例文帳に追加

集積回路の相互接続構造に用いる誘電体であって、数多くのマスク層や処理工程を必要としない低誘電率を有する誘電体を提供する。 - 特許庁

To provide a processing liquid and a substrate processing method and apparatus using the processing liquid whereby any water mark can be suppressed from being formed on the surface of a low-permittivity material (low-k material).例文帳に追加

低誘電率材料（Ｌｏｗ−ｋ材料）の表面にウォータマークが形成されてしまうことを抑制することができる処理液を提供する。 - 特許庁

The high-quality projection type display device with little irregularity in colors on a screen is obtained by using a dichroic mirror or dichotic prism which is produced by alternately laminating high refractive index material layers and low refractive index material layers with k:1 (where k is an integer ≥2) optical film thickness ratio of the high refractive index material layers to low refractive index material layers.例文帳に追加

高屈折率材料層と低屈折率材料層が交互に積層され、高屈折率材料層と低屈折率材料層の光学膜厚比をｋ：１（ｋは２以上の整数）としたダイクロイックミラーやダイクロイックプリズムを使用して．スクリーン上で色ムラの少ない高品質な投射型表示装置。 - 特許庁

To provides a high barrier material removal rate with favorable selectivity over other materials on a substrate by using a chemical mechanical polishing composition for polishing a substrate comprising a barrier material in the presence of copper and a low-k dielectric material.例文帳に追加

銅およびｌｏｗ−ｋ絶縁材料の存在下でバリア材料を有する基材を研磨するケミカルメカニカル研磨組成物は、基材上の他の材料よりも有利な選択性で、高いバリア材料除去速度を提供する。 - 特許庁

The protection for the copper structure 40 allows a high-conductivity copper to be used, combined with a known low-dielectric constant (low-k) material resistive to diffusion of oxygen and water.例文帳に追加

銅構造４０に対する保護は、高導電率の銅を、酸素および水の拡散に耐えることが知られている低誘電率（ｌｏｗ ｋ）材料と組み合わせて使用することを可能とし、高い信号伝搬速度をもたらす。 - 特許庁

Low-load flattening work is effected due by employing electrolytic grinding whereby a multi-layer wiring structure employing a low-k material 9 as an interlayer insulating film is constituted.例文帳に追加

電解研磨を用いるため低負荷な平坦化加工が可能となるので、層間絶縁膜としてＬｏｗ−ｋ材料９を用いた多層配線構造も構築可能となる。 - 特許庁