「low-k material」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a thermoelectric material that exhibits relatively high thermoelectric characteristics in the temperature range of 100 to 600 K, and additionaly, has high-level environmental harmoniousness, and is low-cost, and to provide a manufacturing method for the material.例文帳に追加

１００Ｋ〜６００Ｋの温度領域において相対的に高い熱電特性を示し、しかも、環境調和性が高く、かつ、低コストな熱電材料及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Meanwhile, for the recording material P having low rigidity, the movable roller 7 is elevated and the moving direction of the transfer belt 5 is set so that the recording material P juts out toward a surface of a fixing roller 10 higher than the heating nip K.例文帳に追加

一方、剛性の低い記録材Ｐに対しては、可動ローラ７を上昇させて、加熱ニップＫよりも高い定着ローラ１０の表面へ向かって記録材Ｐを突き出すように転写ベルト５の移動方向を設定する。 - 特許庁

In this method, a material originally having cavities is dispersed into the solution as the insulating film forming material to form the low-k insulating film with lower density.例文帳に追加

この方法では、元々空隙を有する材料を絶縁膜形成材料である溶液に分散させているので低密度化を図ることができ、低誘電率の絶縁膜が得られる。 - 特許庁

The method is disclosed to make a pure-silica-zeolite film more implementable as a low-k material, specifically, as a more hydrophobic, homogeneous and crack-free material.例文帳に追加

純粋シリカゼオライトフィルムを低ｋ材料、具体的には、より疎水化、均一化され、クラックが存在しない材料としてより実装可能とする方法が開示されている。 - 特許庁

To provide a thermoelectric conversion element, which has a high ZT value at a low temperature of approximately 100 K at which a conventional thermoelectric material has a low ZT value, and is useful for power generation using a low-temperature liquefied gas etc., and cooling of a high-temperature superconductor.例文帳に追加

従来の熱電材料ではZTが低くなってしまう100K前後の低温において高いZTの値を持ち、低温液化ガス等を利用した発電や高温超伝導体の冷却用として有用な熱電変換素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

This via is surrounded by structure collar selected from material with CTE that can protect the via from shearing force generated after the thermal expansion of the low-k dielectric layer.例文帳に追加

このバイアは、ｌｏｗ−ｋ誘電体層の熱膨張後に生じる剪断力からバイアを保護するようなＣＴＥ（熱膨張係数）を有する材料から選択した構造カラーで取り囲まれる。 - 特許庁

To provide a method of preventing resist poisoning and the damage of a low-k dielectric insulating material or at least a method of minimizing the damages in a patterning approach of dual damascene structure using the via first of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体素子のビアファーストを用いたデュアル・ダマシン構造のパターニングの方法において、レジスト汚染と低ｋ誘電体絶縁材料の損傷を避けるか、少なくとも最小にする方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate treatment method, capable of reducing the possibility of time degradation or alteration of an interlayer insulating film even in a substrate using Low-k material as the interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜にＬｏｗ−ｋ材を使用した基板であっても、層間絶縁膜の経時劣化や変質の可能性を低くできる基板の処理方法を提供すること。 - 特許庁

Since no etch step is required in forming the air gaps within the photo-patternable low k material, the methods disclosed in this invention provide highly reliable interconnect structures.例文帳に追加

光パターン化可能低ｋ材料内部の空隙を形成するのに、エッチ・ステップを必要としないで、本発明において開示する方法は、高信頼性の相互接続構造体を提供する。 - 特許庁

Methods for producing air-gap-containing metal-insulator interconnect structures for VLSI and ULSI devices using a photo-patternable low k material as well as the air gap-containing metal-insulator interconnect structure that is formed are disclosed.例文帳に追加

ＶＬＳＩ及びＵＬＳＩ用の空隙含有金属・絶縁体相互接続構造体を、光パターン化可能低ｋ材料を用いて作成する方法、及び形成した空隙含有金属・絶縁体相互接続構造体を開示する。 - 特許庁

To avoid a trouble, such as a short circuit occurring between VIAs, in the manufacture of a semiconductor device comprising a microminiaturizing process that adopts a Low-K interlayer material or a Cu interconnecting line process.例文帳に追加

Ｌｏｗ−Ｋ層間材やＣｕ配線プロセスを採用する微細化プロセス工程を含む半導体装置の製造において、ＶＩＡ間ショートの問題を回避する。 - 特許庁

Moreover, it is desirable that the material of the low thermal conduction base has a thermal conductivity not larger than 5 W×m^-1×K^-1 and a thermal expansion coefficient not larger than 1×10^-6/°C.例文帳に追加

前記低熱伝導ベースは熱伝導率が５Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１以下で且つ熱膨張係数が１×１０^−６／℃以下の材料とすることが望ましい。 - 特許庁

To provide a method of dry-treating surface of insulating film by which no damage is given to a low-k film regardless of the material of the film, and to provide a surface dry-treating device that realizes the method.例文帳に追加

Ｌｏｗ−ｋ膜の材料に依存せず、Ｌｏｗ−ｋ膜にダメージを与えないドライ表面処理方法、さらに、この表面処理方法を実現するドライ表面処理装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a low-k dielectric material with increased cohesive strength for use in electronic structures including interconnect and sensing structures.例文帳に追加

相互接続構造およびセンシング構造を含む電子構造中で使用するための高い皮膜引張強さを有する低ｋ誘電体材料を提供すること。 - 特許庁

By means of the fluorine embodied in the embodiment, the interline capacitance CL-L of the low-k dielectric film is reduced by 10% as compared with the conventional non-doped dielectric material.例文帳に追加

実施形態で具体化したフッ素により、従来の非ドープ誘電体材料に比較して線間キャパシタンスＣＬ−Ｌの１０％低減を実現する。 - 特許庁

This low heat conductive thermal insulation material 33 has a porous structure of fine inorganic particles having a mean particle size of 1-100 nm, and a thermal conductivity at 800°C of 0.02 to 0.1 W/(m K).例文帳に追加

この低熱伝導断熱材３３は、平均粒径１〜１００ｎｍの微小無機粒子の多孔構造であり、８００℃における熱伝導率が０．０２Ｗ／ｍ・Ｋ以上０．１Ｗ／ｍ・Ｋ以下である。 - 特許庁

To provide a CMP technology, wherein a conventional abrasive material is used, and a polishing pressure is made low, namely even if CMP is given to a substrate with a Low-k film which is brittle in resistance to the pressure, such a brittle film is not damaged, and rubbing speed is high.例文帳に追加

従来からの研磨剤を用いることも出来、かつ、研磨圧力を低く出来、即ち、圧力に対する耐性が脆弱なＬｏｗ−ｋ膜を有する基板に対してＣＭＰが行われても、そのような脆弱な膜を損傷せしめることが無く、しかも研磨速度が速いＣＭＰ技術を提供することである。 - 特許庁

To provide a cleaning method which removes particles, chemicals, or the like left on a substrate after scrub cleaning a substrate with at least a part of its surface formed by a low-k material or a substrate with a part of its surface formed by a water-repellent material by chemicals.例文帳に追加

表面の少なくとも一部がＬｏｗ−ｋ材で形成された基板あるいは表面の少なくとも一部が撥水性の材料で形成された基板を薬液でスクラブ洗浄した後に、基板上に残留したパーティクルや薬液等の汚れを洗浄水で除去する洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a structure including a semiconductor element, which employs a material with a low dielectric constant called a low-K material as a material constituting an interlayer insulation film of a multilayer wiring layer, flip-chip-mounted on a circuit board, with a highly reliable mounting structure by flexibly coping with a change in temperature to prevent breakdown of the interlayer insulation film.例文帳に追加

Ｌｏｗ−Ｋ材料と呼ばれる誘電率の低い材料を多層配線層の層間絶縁膜を構成する材料として用いた半導体素子が回路基板にフリップチップ実装された構造を有する半導体装置であって、温度変化に柔軟に対応して前記層間絶縁膜の破壊を防止することにより、信頼性の高い実装構造を備えた半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a superconducting material whose superconductive transition temperature is comparatively high and which is constituted of carbon-based fullerene molecules with high chemical stability, even though the transition temperature of the usual fullerene superconductor is low, about 40 K, and an oxide superconducting material whose superconductivity appears at liquid nitrogen temperature has a low chemical stability.例文帳に追加

従来のフラーレン超伝導体は、その超伝導転移温度が４０Ｋ程度と低く、また、液体窒素温度で超伝導を発現する酸化物超伝導体は、その化学的安定性に乏しかったので、比較的高温の転移温度を有し、化学的安定性の高い炭素系フラーレン分子で構成される超伝導材料を提供する。 - 特許庁

To provide cleaning liquid for fine structure objects which can exfoliate and eliminate surely unnecessary material like resist residues without changing the behavior of a low-k film when the fine structure objects are cleaned, and to provide fine structure objects cleaned by using the cleaning liquid.例文帳に追加

微細構造体を洗浄する際に、Ｌｏｗ−ｋ膜の性状を変化させることなく、レジスト残渣等の不要物質を確実に剥離・除去できる微細構造体用洗浄液、および、該洗浄液を用いて洗浄された微細構造体を提供する。 - 特許庁

In the composite refractory 1 in which the refractory layer 2 and the heat insulating layer 4 are integrated without baking, the refractory layer 2 is constituted of a basic refractory, the heat insulating layer 4 is made of an amorphous material having low heat conductivity of 0.2-1 W/mk, and difference in thermal expansion coefficients of both layers is 0 to 6×10^-6 /K.例文帳に追加

耐火層２と断熱層４とを焼成によらず一体化した複合耐火物１であって、該耐火層２が塩基性耐火物からなり、該断熱層４が０．２〜１Ｗ/ｍ・ｋの低熱伝導性を有する不定形材料からなり、両層の熱膨張係数差が０〜６×１０^−６／Ｋである。 - 特許庁

The low thermal expansion coefficient ceramic material is a ceramic sintered compact consisting essentially of Li, Mg, Al, Si and O, contains crystal phases of cordierite and virgilite and has (-1)-1 ppm/K thermal expansion coefficient and ≥250 MPa average bending strength at normal temperature.例文帳に追加

Ｌｉ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｏが主成分であるセラミックス焼結体において、コーディエライトとバージライトの結晶相を含み、熱膨張係数が−１〜１ｐｐｍ／Ｋの範囲であり、かつ常温での平均曲げ強度が２５０ＭＰａ以上であることを特徴とする低熱膨張セラミックス材料。 - 特許庁

To provide a piezoelectric ceramic composition which does not so much deteriorate excellent specific dielectric constant ε_r, electromechanical coupling coefficient K_p and limited vibration speed V_max, has less characteristics change with temperature and also is capable of burning at a low temperature in a PZT-PMS-based material, and to provide a method for production of piezoelectric ceramics.例文帳に追加

ＰＺＴ−ＰＭＳ系材料において、優れた比誘電率ε_r、電気機械結合係数Ｋ_p、限界振動速度Ｖ_maxをあまり劣化させることなく、しかも特性の温度変化が少なく、低温焼成が可能な圧電磁器組成物及び圧電磁器の製造方法を提供する。 - 特許庁

To estimate physical resistance of a package process after backgrinding, when a fragile porous low-k material which has less bondability and is easily peeled is used as an insulating film, and in a thin chip having a chip thickness of 100 μm or less.例文帳に追加

脆弱であり、かつ、密着性に乏しくて剥離し易い多孔質状ｌｏｗ−ｋ材が絶縁膜として用いられた場合において、更にはチップ厚が１００μｍ以下と言った薄型タイプのものにおいて、バックグラインド以降におけるパッケージプロセスの物理的耐性の評価を出来るようにすることである。 - 特許庁

In an integrated circuit structure 2 on a semiconductor substrate, a dielectric material having a low dielectric constant (k) is laid in layers between metal lines 10a-10d separately arranged proximately to each other in the horizontal direction so that capacitance is reduced in the horizontal direction between the metal lines.例文帳に追加

半導体基板上の集積回路構造２において、誘電率（ｋ）が低い誘電材料の層を水平方向に近接して離間した金属線１０ａ〜１０ｄの間に積層することにより、これらの近接して離間した金属線の間の水平方向のキャパシタンスを低減させる。 - 特許庁

The local layer has an interlayer dielectric 3 principally comprising silicon oxide, the intermediate layer has an interlayer dielectric 5 composed of a low-k material, and the global layer has an interlayer dielectric 6 principally comprising silicon oxide.例文帳に追加

ローカル層は酸化シリコンを主成分とする層間絶縁膜３を有しており、中間層はｌｏｗ−ｋ材料からなる層間絶縁膜５を有しており、グローバル層は酸化シリコンを主成分とする層間絶縁膜６を有している。 - 特許庁

To provide a polishing solution using solid abrasive grains for barrier CMP for polishing a barrier layer composed of a barrier metal material, for freely controlling a polishing speed on a low-k film, and preventing scratch due to aggregation of the solid abrasive grains.例文帳に追加

バリア金属材料からなるバリア層を研磨するバリアＣＭＰにおいて用いられる固体砥粒を用いた研磨液であって、ｌｏｗ−ｋ膜に対する研磨速度を自在に抑制し、且つ、固体砥粒の凝集に起因するスクラッチの抑制を達成しうる研磨剤を提供すること。 - 特許庁

The method of forming the insulating film includes the steps of spin coating on an underlying layer etc., a precursor solution formed by distributing a low-k material in a solvent, heating the coating film for several minutes at temperature near solvent boiling point, and performing a baking treatment (steps S1-S3).例文帳に追加

Ｌｏｗ−ｋ材料を溶媒中に分散させて形成した前駆体溶液を下地層等の上にスピンコートし、その塗膜に対して溶媒沸点付近の温度でおよそ数分間加熱しベーク処理を行う（ステップＳ１〜Ｓ３）。 - 特許庁

To provide a polishing solution employing solid abrasive grains to be used in barrier CMP for polishing a barrier layer composed of a barrier metal material in which high polishing speed is maintained when a barrier layer is polished, and also to provide a polishing agent which restrains the polishing speed sufficiently for a Low-k film of low dielectric constant.例文帳に追加

バリア金属材料からなるバリア層を研磨するバリアＣＭＰにおいて用いられる固体砥粒を用いた研磨液であって、バリア層を研磨する際の被研磨膜に対する研磨速度を高研磨速度に維持し、且つ、低誘電率のＬｏｗ−ｋ膜に対しての研磨速度を十分に抑制しうる研磨剤を提供すること。 - 特許庁

The manufacturing method of the filter formed body comprises filling a raw material comprising a clarification component and a polymer binder with a high molecular weight and a low melt index into a mold and molding it to a given shape by pressing, and the filter formed body is molded by filling the raw material 6 in a mold K, pressing it before the heating and then heating/pressing it.例文帳に追加

浄化成分と高分子量で低メルトインデックスの重合体結合材からなる原料を金型内に充填し、加圧して所定形状に成形するフィルター成形体の製造方法であり、金型Ｋ内に原料６を充填して加熱前に加圧を行い、その後加熱・加圧してフィルター成形体を成形する。 - 特許庁

This polyurethane foam is obtained by reacting, foaming and hardening a raw material for polyurethane foamed body containing polyols, polyisocyanates, a foaming agent, a catalyst and a hydrate of inorganic compound; and it is a low density foamed body of which the apparent density measured by conforming to JIS K 7222:1999 is 16-22 kg/m^3.例文帳に追加

ポリウレタン発泡体は、ポリオール類、ポリイソシアネート類、発泡剤、触媒及び無機化合物の水和物を含有するポリウレタン発泡体の原料を反応させ、発泡及び硬化させて得られ、ＪＩＳ Ｋ ７２２２：１９９９に準拠して測定される見掛け密度が１６〜２２ｋｇ／ｍ^３という低密度の発泡体である。 - 特許庁

To easily and correctly estimate breakage of a chip due to impact force in bonding after stacking chips, when a fragile porous low-k material which has less bondability and is easily peeled is used as an insulating film and in a thin chip having a chip thickness of 100 μm or less.例文帳に追加

脆弱であり、かつ、密着性に乏しくて剥離し易い多孔質状ｌｏｗ−ｋ材が絶縁膜として用いられた場合において、更にはチップ厚が１００μｍ以下と言った薄型タイプのものにおいて、チップ積重後のボンディングの際の衝撃力によるチップ破損を、簡単、かつ、正確に評価できるようにすることである。 - 特許庁

This low metal-adhesive material comprises ethylene-acrylic acid copolymer zinc ionomer prepared by neutralizing ethylene-acrylic acid copolymer having an acrylic acid content of 1 to 35 wt.% with zinc and having a neutralization degree of 10 to 70 mol.% and a melt flow rate (based on JIS K 7210) of 0.1 to 50 g/10 min under a load of 2160 g at 190°C.例文帳に追加

アクリル酸含量が１乃至３５重量％のエチレン−アクリル酸共重合体を亜鉛により中和してなり、その中和度が１０乃至７０モル％の範囲にあり且つ１９０℃、荷重２１６０ｇにおけるメルトフローレート（ＪＩＳ Ｋ ７２１０に準拠）が０．１乃至５０ｇ／１０分の範囲にあるエチレン−アクリル酸共重合体の亜鉛アイオノマーからなる。 - 特許庁

To provide a method for mounting a semiconductor element on a wiring substrate through a protrusion electrode for an external connection not containing lead (Pb), and for mitigating stress acting on a wiring layer laminated through an interlayer insulating film composed of a Low-K material in the semiconductor element from the wiring substrate during such mounting, thereby an occurrence of an interlayer detachment may be suppressed.例文帳に追加

鉛（Ｐｂ）を含有しない外部接続用突起電極を介して半導体素子を配線基板に実装する方法であって、当該実装の際に、配線基板から、当該半導体素子に於けるＬｏｗ−Ｋ材料から構成される層間絶縁膜を介して積層されている配線層に作用する応力を緩和して、層間剥離の発生を抑制することができる半導体素子の実装方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Accordingly, even if the peeling 40 of interlayer film is generated due to weakness in the strength of close contact with a stopper material 13 of the low-k film 14 and damage 30 by the dicing process not only in the assembling process but also in the processes after the assembling process, growth of peeling 40 of the interlayer film can be prevented with the reinforcing pattern 20.例文帳に追加

これにより、アセンブリ時のみでなく、組み立て工程以降において、ｌｏｗ−ｋ膜１４のストッパー材１３との密着強度の弱さやダイシングによるダメージ３０に起因する層間膜剥がれ４０が発生したとしても、補強パターン２０によって層間膜剥がれ４０が進行するのをくい止めることが可能な構成となっている。 - 特許庁

In the catalyst 1 for cleaning the exhaust gas comprising an NOx absorbing material and a noble metal, a first period that has a high oxygen level in the exhaust gas and a second period that has a low oxygen level are alternately repeated by combining Li and Sr, or K and Sr.例文帳に追加

ＮＯｘ吸収材及び貴金属を含む排気ガス浄化用触媒１において、ＮＯｘ吸収材としてＬｉとＳｒとを組み合わせ、又はＫとＳｒとを組み合わせ、排気制御手段１２によって、排気ガスの酸素濃度が高い第１期間と、該酸素濃度が低い第２期間とが交互に繰り返されるようにする。 - 特許庁