「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(47ページ目) - Weblio英語例文検索

The recording head is provided with a lower magnetic pole layer 8 and upper magnetic pole layer which contain a magnetic pole part oppositely facing each other through a recording gap layer 9, and with a thin film coil 16.例文帳に追加

記録ヘッドは、記録ギャップ層９を介して互いに対向する磁極部分を含む下部磁極層８および上部磁極層と、薄膜コイル１６とを有している。 - 特許庁

A PVD(physical vapor deposition) metal-deposited layer, e.g. PVD Al or PVD Cu is deposited on the layer hard to dissolve under the pressure of 1 milli Torr or lower to give a conformal PVD metal-deposited layer.例文帳に追加

ＰＶＤ金属層、例えばＰＶＤＡｌ、またはＰＶＤＣｕが１ミリトル以下の圧力で溶けにくい層に堆積されて、コンフォーマルなＰＶＤ金属層を与える。 - 特許庁

The second adhesive layer 22 is configured to define a peel strength from the lower layer 3 smaller than the peel strength of the first adhesive layer 32 from the part of the body.例文帳に追加

第２粘着層２２は、下層３からの引き剥がし力が第１粘着層３２の身体の一部からの引き剥がし力よりも小さくなるように構成されている。 - 特許庁

The thin film coil 110 is wound spirally around the upper magnetic pole layer 25 while insulated from the lower magnetic pole layer 10 and the upper magnetic pole layer 25.例文帳に追加

薄膜コイル１１０は、下部磁極層１０および上部磁極層２５に対して絶縁された状態で、上部磁極層２５の回りに螺旋状に巻回されている。 - 特許庁

The side part of a magnetic pole part of an upper magnetic pole layer 15, at least, a part of a recording gap layer 9 and a lower magnetic pole layer 8 are etched by using a converged ion beam.例文帳に追加

集束イオンビームを用いて、上部磁極層１５の磁極部分の側部、記録ギャップ層９および下部磁極層８の少なくとも一部をエッチングする。 - 特許庁

The conductive particle 21 has a resin particle 22, a first conductive layer 23, and a second conductive layer 24 with a melting point lower than that of the first conductive layer 23.例文帳に追加

導電性粒子２１は、樹脂粒子２２と、第１の導電層２３と、第１の導電層２３よりも融点が低い第２の導電層２４とを有する。 - 特許庁

A recessed and projecting part 10 and recess and projection 11 similar to the ones provided on the protective layer 2 and the upper recording layer 3 are provided on the surface of the lower recording layer 4.例文帳に追加

下部記録層４の表面には、保護層２及び上部記録層３に設けられたものと同様の凹凸部１０及び凹凸１１が設けられている。 - 特許庁

To increase the packaging density of a semiconductor device, in which a semiconductor construction body is embedded, in an insulator constituted of a lower layer insulating film, an insulating layer, and an upper layer insulating film.例文帳に追加

下層絶縁膜、絶縁層および上層絶縁膜からなる絶縁材内に半導体構成体を埋め込んだ半導体装置において、実装密度を大きくする。 - 特許庁

The conductive particle 21 includes a resin particle 22, a first conductive layer 23, and a second conductive layer 24 of which the melting point is lower than that of the first conductive layer 23.例文帳に追加

導電性粒子２１は、樹脂粒子２２と、第１の導電層２３と、第１の導電層２３よりも融点が低い第２の導電層２４とを有する。 - 特許庁

Each layer above a second layer in the coils 12a, 12b is positioned in a valley between the coils on the lower layer side of own region other than a border Rbd and an end Rce.例文帳に追加

各コイル１２ａ，１２ｂの２層目以上の各層の部分は、境界部Ｒbdおよび端部Ｒceを除き、自領域の下層側コイル間の谷間に位置している。 - 特許庁

A center portion of each layer in this laminate is formed of a magnetic body 7 to form a center core 1, and the upper layer and the lower layer are formed of the magnetic body 7 to obtain external cores 2.例文帳に追加

当該積層において各層の中央部を磁性体７から形成して芯コア１とし、上層，下層を磁性体７から形成して外コア２にする。 - 特許庁

The intermediate film 140 and the lower layer film 170 are bonded to form a laminate, such that the transfer function layer 160 are embedded in an adhesive layer 150'.例文帳に追加

伝達機能層１６０が接着剤層１５０’中に埋没するように、中間フィルム１４０と下層フィルム１７０とを接着して、積層体を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sintered ore in which the operation to improve the productivity is achieved by making the blend ratio of a solid combustible of an upper layer of a raw material filling layer greater than that of a lower layer.例文帳に追加

原料充填層上部層の固体可燃物の配合量を下層部より多くして操業を行う焼結鉱の製造方法を提供する。 - 特許庁

After a first lower layer platinum film 15a is formed on a wall and bottom of a concave section of a second interlayer insulation film 14, and on the second interlayer insulation film 14 by a sputtering method, a second lower layer platinum film 15b is formed on the first lower layer platinum film 15a by CVD method.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜１４の凹部の壁面及び底面並びに第２の層間絶縁膜１４の上面にスパッタ法により第１の下層白金膜１５ａを形成した後、該第１の下層白金膜１５ａの上にＣＶＤ法により第２の下層白金膜１５ｂを形成する。 - 特許庁

The dye-sensitized solar battery includes a lower substrate and an upper substrate separated from each other, a semiconductor electrode layer arranged on the lower substrate, a dye layer adsorbed on a surface of the semiconductor electrode layer, and electrolyte solution arranged between the lower and the upper substrates.例文帳に追加

この染料感応太陽電池は、互いに離隔した下部基板及び上部基板と、下部基板上に配置された半導体電極層と、半導体電極層の表面に吸着された染料層と、下部及び上部基板間に配置される電解質溶液とを含む。 - 特許庁

A laminated sheet prepared by successively laminating a reflection layer 33, color filter elements 34 and an adhesive layer 35 on a base film sheet 32 is adhered to the lower face of a liquid crystal cell 21 with the adhesive layer 35 in contact with the lower face, namely, the outer face of the lower transparent substrate 23.例文帳に追加

液晶セル２１の下面側にはベースフィルムシート３２に反射層３３とカラーフィルタ要素３４および粘着層３５が順次積層されてなる積層体シートが、粘着層３５を下透明基板２３の下面つまり外面に接着して貼り付けられている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a plurality of fuse elements 101-109 which can be cut by laser beam irradiation, lower layer interconnects 111-123 located on a layer lower than the fuse elements 101-109, and a plurality of through hole electrodes 131-139 for connecting the fuse elements 101-109 and the lower layer interconnects 111-123.例文帳に追加

レーザビームの照射により切断可能な複数のヒューズ素子１０１〜１０９と、ヒューズ素子１０１〜１０９よりも下層に位置する下層配線１１１〜１２３と、ヒューズ素子１０１〜１０９と下層配線１１１〜１２３とを接続する複数のスルーホール電極１３１〜１３９とを備える。 - 特許庁

A lower layer base 17 has a lottery result confirming separation part 17s and a portion excepting this part is made a lower layer non-separation part 17n, and a second entry requisite information indicating part 17j is formed on the top of the lower layer non-separation part 17n.例文帳に追加

下層基材１７は、抽選結果確認分離部１７ｓを有しており、この抽選結果確認分離部を除いた部分が下層非分離部１７ｎとされており、下層非分離部１７ｎの上面には第２の応募必須情報表示部１７ｊが形成されている。 - 特許庁

The multilayer food is produced by charging gelling solution or fluid food which forms the lower layer part immediately followed by laminating the gelling solution or the fluid food forming the upper layer part and having a viscosity lower than that of the lower layer part using a porous nozzle or a plurality of nozzles, while flowing it in a pulsating condition.例文帳に追加

下層部となるゲル化性溶液や流動食品を充填後、直ぐに上層部となる下層部よりは低粘度のゲル化性溶液や流動食品を脈流させながら多孔ノズル又は複数のノズルを用いて容器に積層することによって、目的とする多層食品を製造する。 - 特許庁

An intermediate layer 2 with a metal layer 4 as a lower layer and a mixed layer 5 of metal and carbon as an upper layer is laminated on a surface of a substrate 1, and a diamond-like carbon film (a DLC film) 3 is deposited on the intermediate layer 2 by the unbalanced magnetron sputtering method.例文帳に追加

アンバランスドマグネトロンスパッタリング法により、基材１の表面に、金属層４を下層とし、金属と炭素との混合層５を上層とする中間層２を積層し、中間層２の上にダイヤモンドライクカーボンの皮膜（ＤＬＣ皮膜）３を形成する。 - 特許庁

A flux solution layer 5 for the concentration of flux in the layer 5 becomes lower along towards the overlaying layer from the underlying layer which is a solid-state water soluble flux layer 4 formed into a uniform thickness is formed by applying water in uniform thickness to the layer 4.例文帳に追加

均一厚さに形成した固形状で水溶性のフラッスク層４上に水を均一膜厚で塗布することにより、フラックス層４上に、フラックス濃度がフラッスク層４側である下層から上層に向かって低下するフラックス溶液層５を形成する。 - 特許庁

The stimulation element section 14 has a common n-InP lower clad layer, an active layer 32 in common with a variable wavelength layer, and a common i-InP layer, and has a p-InP spacer layer 34, a p-diffraction grating 36, and a p-InP buried layer 38 on it.例文帳に追加

励起素子部１４は、共通のｎ−ＩｎＰ下部クラッド層、波長可変層と共通の活性層３２、及び共通のｉ−ＩｎＰ層を備え、その上にｐ−ＩｎＰスペーサ層３４、ｐ−回折格子３６、ｐ−ＩｎＰ埋め込み層３８を備える。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with an inter-layer insulation film 101, a lower electrode layer 102 incorporated in the inter-layer insulation film 101, a recording layer 103 and an upper electrode layer 104 provided on the inter-layer insulation film 101.例文帳に追加

本発明による半導体記憶装置は、層間絶縁膜１０１と、層間絶縁膜１０１に埋め込まれた下部電極層１０２と、層間絶縁膜１０１上に設けられた記録層１０３及び上部電極層１０４とからなる記録ユニットを備える。 - 特許庁

In each vibrating element, a first vertical electrode layer for grounding is connected with an upper surface electrode layer 42A and an internal electrode layer 20B, and a second vertical electrode layer for signaling is connected with a lower surface electrode layer 44A and an internal electrode layer 18B.例文帳に追加

各振動素子においては、上面電極層４２Ａ及び内部電極層２０Ｂに対してグランド用の第１垂直電極層が接続され、下面電極層４４Ａ及び内部電極層１８Ｂに対してシグナル用の第２垂直電極層が接続される。 - 特許庁

In a memory element 1 having a lower electrode 10, a memory layer 20, and an upper electrode 30 laminated in this order, the memory layer 20 comprises an ion source layer 21, a variable resistance layer 22, and a barrier layer 23 exhibiting electrical conductivity higher than that of the variable resistance layer 22.例文帳に追加

下部電極１０、記憶層２０および上部電極３０をこの順に積層した記憶素子１において、記憶層２０はイオン源層２１と、抵抗変化層２２と、抵抗変化層２２よりも高い導電率を示すバリア層２３とを有する。 - 特許庁

In an embodiment, the source electrode and the drain electrode each includes a first layer and a second layer provided under the first layer, and the second layer is formed of a layer of a conductive film having lower reflectivity than the first layer.例文帳に追加

そして、この実施形態において、ソース電極およびドレイン電極の夫々は、第１の層と、前記第１の層よりも下側に設けられた第２の層とを含み、前記第２の層は第１の層よりも反射率が低い導電膜の層で構成される。 - 特許庁

That region of electron transport layer 5a on the side with the light emission layer as a region contacting with the light emission layer 4 is doped with a dopant of the same sort as that with which the light emission layer 4 is doped at a lower concentration than in the light emission layer 4, and thereby a doped layer 7 is formed.例文帳に追加

また、電子輸送層５ａの発光層４と接する領域である発光層側領域に、発光層４にドープされているものと同種のドーパントが発光層４よりも低濃度でドープされることにより、ドープ層７が形成されている。 - 特許庁

The panel plate 1 is accomplished by melting the upper and lower adhesive layers 11 at the same time, contacting the core material layer 3 and the adhesive layer 11, and jointing the decorative sheet 5 to the core material layer 3 by spreading the adhesive layer 11 so that the adhesive layer 11 faces the core material layer 3, and cooling them.例文帳に追加

次に、接着層１１を上下同時に溶融させ、芯材層３と接着層１１とを当接させ、装飾シート５を、接着層１１が芯材層３に面するように広げ接合し、その後冷却することにより、パネルプレート１を完成した。 - 特許庁

When the first conductive layer has the one layer structure, the ionization tendency of a second conductive layer 4 is larger than that of the first conductive layer 3, and the melting point of the second conductive layer 4 is lower than that of the first conductive layer 3.例文帳に追加

上記第１の導電層が１層の構造を有する場合には、第２の導電層４のイオン化傾向は第１の導電層３のイオン化傾向よりも大きく、かつ第２の導電層４の融点は第１の導電層３の融点よりも低い。 - 特許庁

An n-type multilayer reflection layer 12 (first reflection layer), an absorption layer 13, a p-type phase adjustment layer 14, and an anode layer 15 (second reflection layer) are formed on the lower surface of the n-type InP substrate 11 in this order from the side of the n-type InP substrate 11.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１１の下面に、ｎ型ＩｎＰ基板１１側から順番に、ｎ型多層反射層１２（第１の反射層）、吸収層１３、ｐ型位相調整層１４およびアノード電極１５（第２の反射層）が形成されている。 - 特許庁

This double-side adhesive fabric is prepared by forming a first resin layer on the surface of a cloth and forming a second resin layer so that at least a part of the second resin layer is formed on top of the first resin layer, provided that the melting point of the first resin layer is lower than that of the second resin layer.例文帳に追加

布帛表面に第１樹脂層が形成され、該第１樹脂層と少なくとも一部分が重なるようにして、第２樹脂層が形成されており、該第１樹脂層の融点が該第２樹脂層の融点より低い両面接着性布帛とする。 - 特許庁

Thereby, the upper layer part 106b and the lower layer part 106a of the first metal layer formed with a metal (Ni) of the same kind are unified, and the metal layer (first metal layer of this invention) of one layer only with especially thick part on an insulating film 110 is formed.例文帳に追加

これにより、同種の金属（Ｎｉ）で形成されている第１金属層の上層部１０６ｂと下層部１０６ａとは一体化されて、絶縁膜１１０の上の部位が特に厚い１層の金属層（本発明の第１金属層）が形成される。 - 特許庁

The first kind ferroelectric memory MC1 is provided with such an adhesion layer 25 being in contact with the lower surface of a lower electrode 24 that is made of titanium oxide, and the second ferroelectric memory MC2 is provided with such an adhesion layer 26 being in contact with the lower surface of the lower electrode 24 that is made of tantalum oxide.例文帳に追加

第１種の強誘電体メモリ素子ＭＣ１は、例えば下部電極２４の下面に接触する密着層２５が酸化チタンで形成されており、第２種の強誘電体メモリ素子ＭＣ２は、下部電極２４の下面に接触する密着層２６が酸化タンタルで形成されている。 - 特許庁

The resonance part includes: a lower electrode the prescribed region of the lower part surface of which is inwardly recessed; a lower electrode the upper surface corresponding to the recessed region of which is outwardly projected; a piezoelectric layer laminated on the upper surface of the lower electrode; and an upper electrode laminated on the piezoelectric layer.例文帳に追加

ここで、共振部は、下部表面の所定領域が内側に陥没し、陥没領域に対応する上部表面が外側に突出した下部電極と、下部電極の上部表面に積層された圧電層と、圧電層上に積層された上部電極と、を有する。 - 特許庁

The vertical MOSFET which has a semiconductor substrate layer and a drift layer, provided above the semiconductor substrate layer and having a lower impurity concentration than the semiconductor substrate layer is provided with a buffer layer which continuously varies in impurity concentration, with the depth position within an impurity range being lower than the impurity concentration of the semiconductor layer and higher than the impurity concentration of the drift layer between the semiconductor substrate layer and drift layer.例文帳に追加

半導体基板層と、半導体基板層の上方に設けられて半導体基板層の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有するドリフト層と、を有する縦型ＭＯＳＦＥＴにおいて半導体基板層とドリフト層との間に半導体基板層の不純物濃度よりも低く且つドリフト層の不純物濃度よりも高い不純物濃度範囲において、その深さ位置に応じて不純物濃度が順次変化しているバッファー層を設ける。 - 特許庁

In this case, connection 24 between the nodes of the SRAM is lower than a layer with the capacitance lower electrode 32 of the DRAM formed thereon and is formed on the same layer as for a capacitance contact 23, for example, which is higher than a layer with the bit line 22 formed thereon.例文帳に追加

そして、ＳＲＡＭのノード間接続２４は、ＤＲＡＭの容量下部電極３２が形成される層以下であって、ビットライン２２が形成される層以上の層の、例えば容量コンタクト２３と同じ層に形成されている。 - 特許庁

The capacitor 4 has a lower conductive layer 10 arranged on the flattened film 3, a dielectric film 20 arranged on the lower conductive layer 10, and an upper conductive layer 30 arranged on the dielectric film 20.例文帳に追加

キャパシタ４は、平坦化膜３の上に配置された下部導体層１０と、この下部導体層１０の上に配置された誘電体膜２０と、この誘電体膜２０の上に配置された上部導体層３０とを有している。 - 特許庁

A protective film 36a is formed, in at least a part of the inner side of the track width direction on the lower terminal layer, and the upper terminal layer (35) is formed from the protective layer 36a to the lower terminal layers (32, 33, 34).例文帳に追加

下層の端子層上であって少なくともトラック幅方向の内側の一部に保護層３６ａが形成され、保護層３６ａ上から下層の端子層（３２、３３、３４）にかけて上層の端子層（３５）が形成されている。 - 特許庁

A slot 12 has a lower layer insertion part 31 of a double-layered lap-wound coil 30 interposed on the back side thereof and also has an upper layer insertion part 32 interposed on an opening end side thereof away from the lower layer insertion part 31.例文帳に追加

スロット１２の奥側には、２層巻の重ね巻コイル３０の下層挿入部３１が挿入配置されるとともに、下層挿入部３１よりもスロット１２の開口端側には上層挿入部３２が挿入配置されている。 - 特許庁

The heating member 23 comprises a first heating layer 23a which is formed so that the Curie point becomes lower than or equal to 300°C, and a second heating layer 23b of which volume resistivity is lower than that of the first heating layer 23a.例文帳に追加

そして、発熱部材２３は、キューリー点が３００℃以下になるように形成された第１発熱層２３ａと、第１発熱層２３ａの体積抵抗率よりも低い体積抵抗率を有する第２発熱層２３ｂと、を具備する。 - 特許庁

Also, the lower light shielding film 11a disposed under the TFTs has a two-layered structure of a metal layer (M1) consisting of titanium etc., and a barrier layer (B1), thereby preventing the oxidation of the metal layer and maintaining the light shielding performance of the lower light shielding film.例文帳に追加

また、ＴＦＴ下に設けられる下側遮光膜（１１ａ）は、チタン等からなるメタル層（Ｍ１）及びバリア層（Ｂ１）という二層構造を有することで、メタル層の酸化を防止し、該下側遮光膜の遮光性能を維持する。 - 特許庁

The method of forming the optical waveguide is characterized by the fact that the optical waveguide is composed of a lower clad layer, a core part, and an upper clad layer, and the lower clad layer and at least one of the core parts are formed by using a dry film.例文帳に追加

下部クラッド層、コア部分および上部クラッド層からなる光導波路であって、下部クラッド層およびコア部分の少なくとも１つをドライフィルムを用いて形成することを特徴とする光導波路の形成方法。 - 特許庁

To provide a light emitting device of which a lower layer side reflection layer for a photo resonator located on lower layer side of an anode even in a case of forming the anode different in thickness at every pixels.例文帳に追加

画素によって厚さの異なる陽極を形成する場合でも、陽極の下層側に位置する光共振器用の下層側反射層が劣化することのない発光装置、およびこの発光装置を備えた電子機器を提供すること。 - 特許庁

A middle wiring layer M3, a lower via Via1, and an upper via Via3 are arranged within the range of a wiring track (× mark) which collapses with each wiring of upper wiring layer M4 and lower wiring layer M1 when seeing from the flat surface.例文帳に追加

中位配線層Ｍ３、下位ヴィアＶｉａ１、及び上位ヴィアＶｉａ３は、平面方向から見て、上位配線層Ｍ４及び下位配線層Ｍ１のそれぞれの配線によって潰れる配線トラック（×印）の範囲内に配される。 - 特許庁

The rigid floor set 52 of the upper layer is supported by a floor structure 2 of the indoor space 1 via base isolation supports 70 and 80, and the column horizontally displaceably penetrates through the floor structure 2, and suspends the rigid floor set 51 of the lower layer by the lower layer space 6.例文帳に追加

上層の剛性床組(52)は免震支承(70,80)を介して室内空間(1)の床構造体(2)に支持され、支柱は、床構造体(2)を水平変位可能に貫通し、下層の剛性床組(51) を下層空間(6)に懸吊する。 - 特許庁