「memory method」に関連した英語例文の一覧と使い方(176ページ目)

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memory methodの部分一致の例文一覧と使い方

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例文

To reduce the exhaustion of memory resources by a method for dividing a memory space into a plurality of areas for every module, and to easily specify a module as the factor of memory exhaustion in an integrated system to be operated by combining a plurality of software modules.例文帳に追加

複数のソフトウェア・モジュールを組み合わせて動作させる組込みシステムにおいて、メモリ空間をモジュールごとに分割する手法によるメモリ資源の枯渇を低減するとともに、メモリ枯渇の原因となるモジュールの特定を容易にする。 - 特許庁

To provide an electrochromic device, a storage device, and a manufacturing method thereof, the electrochromic device having a memory function and the storage device significantly improving a memory density by having two or more memory configurations.例文帳に追加

本発明の主な目的は、エレクトロクロミック装置、記憶装置及びその製造方法を提供することにより、メモリ機能を有しており、記憶装置は、２個以上のメモリ構成を有して、メモリ密度を大幅に向上させることができる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory and its manufacturing method capable of attaining the microfabrication of the nonvolatile semiconductor memory, while suppressing the variation in the threshold voltage of each memory cell by reducing the source resistance.例文帳に追加

ソースの抵抗を低減して、各メモリセルのしきい値電圧のばらつきを抑制すると共に、不揮発性半導体記憶装置の微細化を図ることができる不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To make data relievable even when the writing of set data has not normally ended in a memory unit capable of data backup at the time of writing set data for operating each kind of setting in an in-unit memory, and a memory protecting method.例文帳に追加

各種の設定を行う設定データを装置内メモリに書込む時のバックアップを可能とするメモリ装置及びメモリ保護方法に関し、設定データの書込みが正常終了しなかった場合に救済可能とする。 - 特許庁

例文

To provide a buffer circuit and its control method which perform buffering of data between a synchronous circuit and an asynchronous circuit: and to provide an interface circuit and its control method which performs data transfer control between the synchronous memory circuit and asynchronous circuit being used for the buffer circuit and its control method.例文帳に追加

同期式回路と、非同期式回路との間のデータのバッファリングを行うバッファ回路及びその制御方法の提供を目的とする。 - 特許庁

例文

RAW MATERIAL FOR CHEMICAL VAPOR PHASE GROWTH METHOD, BISMUTH LAYERED COMPOUND FABRICATED BY USING SAME, METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR SYSTEM AND METHOD FOR FABRICATING FERROELECTRIC MEMORY例文帳に追加

化学的気相成長法用原料とこれを用いて製造したビスマス層状化合物、半導体装置の製造方法、並びに強誘電性メモリの製造方法 - 特許庁

IMAGE OUTPUT APPARATUS, IMAGE PROCESSING METHOD, ERROR BUFFER MEMORY MANAGEMENT METHOD, LIST MANAGEMENT METHOD, IMAGE OUTPUT CONTROL APPARATUS, IMAGE PROCESSING PROGRAM, STORAGE MEDIUM, AND IMAGE PROCESSING PRINT SYSTEM例文帳に追加

画像出力装置、画像処理方法、誤差バッファメモリ管理方法、リスト管理方法、画像出力制御装置、画像処理プログラム、記憶媒体および画像処理印刷システム - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME, METHOD OF MANUFACTURING VERTICAL MISFET AND THE VERTICAL MISFET, AS WELL AS METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体記憶装置およびその製造方法、縦型ＭＩＳＦＥＴの製造方法および縦型ＭＩＳＦＥＴ、半導体装置の製造方法および半導体装置 - 特許庁

IMAGE CONTENTS SENDER, ITS METHOD, IMAGE CONTENTS MEMORY, IMAGE CONTENTS REPRODUCER, ITS METHOD, META-DATA GENERATOR AND IMAGE CONTENTS MANAGING OPERATION METHOD例文帳に追加

映像コンテンツ送出装置およびその方法、映像コンテンツ蓄積装置、映像コンテンツ再生装置およびその方法、メタデータ生成装置、映像コンテンツ管理運用方法 - 特許庁

例文

MEMBRANE, ROBOT CAPABLE OF SELF-RESTRUCTURE, METHOD OF PROVIDING MEMBRANE, PRODUCT INCLUDING COMPUTER READABLE MEMORY, METHOD FOR PROVIDING SOFTWARE FOR SMART MEMBRANE AND METHOD FOR CONTROLLING MEMBRANE例文帳に追加

膜、自己再構成可能なロボット、膜を提供する方法、コンピュータが読取り可能なメモリを含む製品、スマート膜用のソフトウェアを提供する方法、及び膜を制御する方法 - 特許庁

例文

To provide a nonvolatile memory cell which has a large resistance ratio of a resistance before a voltage is applied to a resistance after it is applied and additionally indicates a high speed response, its manufacturing method, a resistance variable type nonvolatile memory device, and a method for designing the nonvolatile memory cell.例文帳に追加

本発明は、電圧を印加する前の抵抗と印加した後の抵抗との抵抗比が大きいことに加えて、高速応答性を示す不揮発性メモリセルおよびその製造方法、抵抗可変型不揮発性メモリ装置、並びに不揮発性メモリセルの設計方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory suppressing data stored in other electric charge accumulating sections in the same memory cell from being changed caused by storing data to the charge accumulating section, and to provide a data writing method, a method of manufacturingthe nonvolatile semiconductor memory, and a data writing program.例文帳に追加

電荷蓄積部へのデータの記憶動作によって同一メモリセル内の他の電荷蓄積部に記憶されているデータが変化することを抑制することができる半導体不揮発性メモリ、データ書き込み方法、半導体不揮発性メモリの製造方法、及びデータ書き込みプログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a data erase method of an NAND type flash memory for quickly and completely erasing the data of an NAND type flash memory where data is managed by a file system in an information processor or the like, and for preventing the leakage of the data and to provide an NAND type flash memory device using the data erase method.例文帳に追加

情報機器等においてファイルシステムでデータ管理されるＮＡＮＤ型フラッシュメモリのデータを、高速、かつ、完全に消去し、データの漏洩を防止することができるＮＡＮＤ型フラッシュメモリのデータ消去方法及び該方法を使用するＮＡＮＤ型フラッシュメモリデバイスの提供。 - 特許庁

To provide a contents recording/reproducing device, a contents reproducing method and a contents recording method for quickly performing access to encrypted data stored in a second memory having a large recording capacity different from a first memory at the time of decoding and reproducing the encrypted data stored in the second memory by using an encryption key stored in the first memory.例文帳に追加

第１のメモリに格納された暗号化鍵を用いて、該第１のメモリとは別の大容量記録容量を有する第２のメモリ内に格納された暗号化データを復号化して再生する際、該第２のメモリに格納された前記暗号化データに高速にアクセスできるコンテンツ記録再生装置、コンテンツ再生方法、及びコンテンツ記録方法を提供する。 - 特許庁

A method for reading out data stored in the memory cell includes applying boosted voltage to the node (A) electrically-communicating with the memory cell, this boosted voltage is higher than the power source voltage, further, this method includes detecting a current relating to the memory cell to indicate a binary value relating to data stored in the memory cell during read-out operation.例文帳に追加

メモリセルに記憶されたデータを読出すための方法は、メモリセルと電気通信するノード（Ａ）に昇圧された電圧を印加することを含み、この昇圧された電圧は電源電圧よりも高く、この方法はさらに、読出し動作中にメモリセルに記憶されたデータと関連した２進値を示すためにメモリセルと関連した電流を検知することを含む。 - 特許庁

To provide a data access control method by a tamper-resistant microprocessor and a cache memory mount processor without the need for a complicated hardware function wherein contents of a cache memory can be read from other programs with a secure method when a plurality of programs share one encryption key without the access limit of the cache memory and without the need for scanning all areas of the cache memory.例文帳に追加

キャッシュメモリのアクセス制限がなく、キャッシュメモリの全領域を走査する必要がなく、複数のプログラムが１つの暗号鍵を共有する際安全な方法で他のプログラムから読み出すことができ、複雑なハードウェア機能が不要な耐タンパマイクロプロセッサ及びキャッシュメモリ搭載プロセッサによるデータアクセス制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a forming method of a wiring pattern capable of stabilizing the resistance of the wiring pattern without being affected by heat treatment in an oxygen atmosphere, a manufacturing method of a ferroelectric memory, and the ferroelectric memory.例文帳に追加

酸素雰囲気中での熱処理に影響されずに、配線パターンの抵抗を安定化できるようにした配線パターンの形成方法及び強誘電体メモリの製造方法、強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device where deterioration in the polarization characteristic is prevented and a square hysteresis shape can be obtained, and to provide its manufacturing method, and a method for manufacturing a matrix type ferroelectric memory device.例文帳に追加

分極特性の劣化を防ぎ、角型のヒステリシス形状を持つことが、可能な強誘電体メモリ装置およびその製造方法、並びに、マトリクス型強誘電体メモリ装置の製造方法を提供することである。 - 特許庁

To realize a flash memory element for realizing sector deletion and bit deletion, and for improving the reliability of an element by preventing the decrease of the operating speed of the element, and a method for manufacturing this flash memory element, and a method for deleting it.例文帳に追加

セクタ消去及びビット消去を可能にし、素子の動作速度が低下しないため素子の信頼性を向上させることのできるフラッシュメモリ素子、その製造方法及び消去方法を提供すること。 - 特許庁

A signal processing system of the progressive method writes the read image data in a buffer memory, as it is, and a signal processing system of the interlaced method writes a line corresponding to an even field or an odd field in the buffer memory.例文帳に追加

プログレッシブ方式の信号処理系統では、読み取った画像データをそのままバッファ・メモリに書き込み、インターレース方式の信号処理系統では、偶数フィールド又は奇数フィールドに応じたラインをバッファ・メモリに書き込む。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device and its test method which can perform a manufacturing test easily and surely by simple constitution and method in a semiconductor memory device making a latch circuit a storage element.例文帳に追加

ラッチ回路を記憶素子とする半導体記憶装置であって、簡易な構成及び方法により容易かつ確実に製造テストを実施することのできる半導体記憶装置とその試験方法を提供する。 - 特許庁

A programming method of the nonvolatile data storage device including a plurality of memory blocks sharing one block word line includes the steps of: selecting the plurality of memory blocks, applying program voltage to a selected word line of a memory block in which the program is executed among the plurality of memory blocks, and applying bipolar-prohibited voltage to a word line of a memory block in which a program in the plurality of memory blocks is prohibited.例文帳に追加

一つのブロックワードラインを共有する複数のメモリブロックを含む不揮発性データ貯蔵装置のプログラム方法は、前記複数のメモリブロックを選択する段階と、前記複数のメモリブロックの中でプログラムが実行されるメモリブロックの選択されたワードラインにプログラム電圧を印加する段階と、前記複数のメモリブロックの中のプログラムが禁止されるメモリブロックのワードラインにバイポーラ禁止電圧を印加する段階とを含む。 - 特許庁

The present invention provides a method for operating the nonvolatile memory device which includes a plurality of memory cells, including a step of stabilizing data recorded by inducing a boosting voltage on a channel of a memory cell where the data are recorded, and which is selected from a plurality of memory cells, through a channel of at least one memory cell connected to the selected memory cell.例文帳に追加

本発明は、複数のメモリセルを含む不揮発性メモリ素子において、複数のメモリセルのうち、データが記録された選択されたメモリセルに隣接するように連結された少なくとも一つのメモリセルのチャンネルを通じて、選択されたメモリセルのチャンネルにブースト電圧を誘導して記録されたデータを安定化させるステップを含むことを特徴とする不揮発性メモリ素子の動作方法を提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR NONVOLATILE MEMORY, METHOD OF RECORDING INFORMATION THERETO, AND METHOD OF REDING INFORMATION THEREFROM例文帳に追加