「memory method」に関連した英語例文の一覧と使い方(175ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a programming method for a semiconductor memory by which reduction of an access time or a state of insufficient threshold voltage margin caused by decrease of a memory cell current can be dissolved.例文帳に追加

メモリセル電流の低下に起因するアクセスタイムの低下や，しきい値電圧マージン不足を解消することの可能な半導体記憶装置のプログラム方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device which prevents plasma charging damage to a memory unit of a resistance change element and damage and mechanical stress caused by processing, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

抵抗変化素子の記憶部へのプラズマチャージングダメージや、加工による機械的な応力やダメージを防ぐ不揮発性記憶装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory managing method and a data processor free from lowering of throughput due to waiting for an empty area of a memory, garbage collection, etc., by reducing the fragmentations.例文帳に追加

フラグメンテーションの発生を少なくし、メモリーの空き待ちやガーベージコレクション等によるスループットの低下を起こさないメモリー管理方法およびデータ処理装置を提供する。 - 特許庁

To test a memory being operated at higher speed by a test apparatus generating a reference clock of low speed in a memory test method.例文帳に追加

本発明はメモリ試験方法に関し，低速度の基準クロックを発生する試験装置により高速で動作するメモリの試験を行うことを可能にすることを目的とする。 - 特許庁

To provide a memory map allowed a reconstruction and a reconstruction method related to the map for a system including a processor, a re- programmable memory, a programmable logic device and the like.例文帳に追加

プロセッサ、リプログラマブル・メモリ、プログラマブル・ロジック・デバイスなどを含むシステムのための再構成可能なメモリ・マップおよびそれに関連する再構成の方法を提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory device and a test method in which a test time and a test cost can be reduced and a redundant memory cell can be tested, without requiring the other circuit.例文帳に追加

別途の回路を不要にして、かつテスト時間とテストコストを削減してリダンダントメモリセルをテストすることができるフラッシュメモリ装置およびテスト方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a computer with a function to prevent acquisition of the contents of a memory in the computer when the memory is installed in other computers, and its control method.例文帳に追加

コンピュータ内のメモリを、他のコンピュータに取り付けられてもその内容を取得することができないような機能を備えたコンピュータ及びその制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a game method using an outer memory device, which enables a new item to be added to a game at need, and a memory medium.例文帳に追加

ゲームをプレイするときに必要に応じて新たなアイテムを追加することを可能にする外部記憶装置を用いたゲーム方法及び記憶媒体を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a column select circuit capable of minimizing load to data input/output lines, a semiconductor memory device having the same, and an arrangement method for the semiconductor memory device.例文帳に追加

データ入出力ラインの負荷を最小化するカラム選択回路、これを具備する半導体メモリ装置及びこの半導体メモリ装置の配置方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of holding multibit information in one memory cell also when scaling for a nonvolatile memory progresses, and to provide a method of manufacturing it.例文帳に追加

不揮発性メモリのスケーリングが進んだ場合にも、一つのメモリセルに多ビットの情報を保持させることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory for contriving lowering of drive voltage, and also to provide a manufacturing method for obtaining the semiconductor memory with good yield.例文帳に追加

駆動電圧の低下を図ることが可能な半導体記憶装置およびこの半導体記憶装置を歩留まり良好に得ることが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

The interleaving method of this invention can conduct interleaving by reducing the storage capacity of the memory without leaving unnecessary data already processed in the preceding frame into the memory.例文帳に追加

本発明によれば、メモリ内に前のフレームで既に処理され不要になったデータが残ることがなく、メモリの記憶容量を削減したインタリーブ処理を行うことができる。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device and its driving method for protecting data for a memory cell when power supply is turned off in performing designated operation.例文帳に追加

所定の動作を行うにあたって電源がオフされる場合にメモリセルのデータを保護するための強誘電体メモリ装置及びその駆動方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a charge storage layer separated in memory cells in a channel direction and also separated between adjacent memory cells, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

メモリセル内においてチャネル方向で分離し、且つ隣接するメモリセル間で分離する電荷蓄積層を有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

This high speed boot method and device of a computer includes a memory access device, a main memory unit, at least one central processing unit(CPU) and a basic input/output system(BIOS).例文帳に追加

メモリアクセスデバイスと、メインメモリユニットと、少なくとも一つの中央処理装置(CPU)と、基本的な入出力システム(バイオス，BIOS)とを含むコンピュータの快速ブート方法及び装置である。 - 特許庁

To provide a firmware transfer method by which firmware transfer processing is continued even when writing to a flash memory fails and another means to write firmware to an initial flash memory is unnecessitated.例文帳に追加

フラッシュメモリへの書き込みが失敗した場合でもファームウェアの転送処理を継続でき、初期のフラッシュメモリへのファームウェアの書き込みに別の手段を必要としない。 - 特許庁

To provide a memory backup device and a method thereof capable of holding the information stored in a memory even if a power source is suddenly cut without intention.例文帳に追加

本発明では、意図せず突然電源が遮断された場合であってもメモリに記憶された情報を保持することが可能なメモリバックアップ装置及びその方法を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a floating gate memory structure 9, a columnar floating gate memory structure 9 provided with a thermally-grown oxide layer is formed on the lateral side.例文帳に追加

また、フローティングゲートメモリ構造９に作製方法に関し、横側の上に熱成長酸化物層を備えた柱状のフローティングゲート構造９が形成される。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for image processing that can display an image which is not inferior to a normal raster image even when the memory capacity of a memory incorporated display is reduced.例文帳に追加

メモリ内蔵型ディスプレイにおいて、メモリ容量を減らしても通常のラスタ画像と遜色ない画像表示が可能な画像処理装置画像処理方法を提供する。 - 特許庁

The method and device can be applied to an arbitrary imaging device in the case of storing an image in a memory or in the case of transmitting an image to be stored in an external memory.例文帳に追加

本発明は、画像をメモリ内に格納する場合や、外装メモリに格納するために画像を伝送する場合など任意のイメージング・デバイスに適用することができる。 - 特許庁

The method for determining previously the initial state of the flip-flop type random access memory is achieved when the memory increases the power of the previously determined initial state.例文帳に追加

メモリが予め決定された初期状態をパワーアップする場合、フリップフロップ型ランダム・アクセス・メモリのメモリ・セルの初期状態を予め決定する方法が達成される。 - 特許庁

To provide a split gate flash memory cell equipped with a peak floating gate that is improved in coupling ratio between the peak floating gate and a control gate, and to provide a method of manufacturing the memory cell.例文帳に追加

ピークフローティングゲートと制御ゲートとの間の結合比を向上させたピークフローティングゲートを備えるスプリットゲートフラッシュメモリセル及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multi-node system, node, memory dump processing method, and a program for executing memory dump processing without affecting the status of a node in which any failure is generated.例文帳に追加

障害の発生したノードの状態に影響されることなく、メモリダンプ処理を実行可能なマルチノードシステム、ノード、メモリダンプ処理方法、及びプログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a memory element that prevents degradation in characteristics due to high temperature annealing after formation of element, and can be applied as a multi-use memory device.例文帳に追加

素子形成後の高温の熱処理による特性劣化を抑制することができ、多用途のメモリデバイスとして適用可能な記憶素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device and a memory control method to reliably continue operation with degradation of a function even if a flash memory fails.例文帳に追加

フラッシュメモリに不良が発生しても機能を縮退させながら確実に動作を継続する半導体集積回路装置およびメモリ制御方法を提供する。 - 特許庁

RESISTANCE-VARIABLE NONVOLATILE MEMORY, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, METHOD FOR RECORDING, METHOD FOR REPRODUCTION, METHOD FOR ERASURE, FINE STRUCTURE MADE OF RESISTANCE-VARIABLE MATERIAL, AND METHOD OF MANUFACTURING FINE STRUCTURE MADE OF RESISTANCE-VARIABLE MATERIAL例文帳に追加

抵抗変化型不揮発性メモリ、抵抗変化型不揮発性メモリの製造方法、記録方法、再生方法、消去方法、抵抗変化材料微細構造体および抵抗変化材料微細構造体の製造方法 - 特許庁

This method of programming a nonvolatile memory element includes steps of: applying a program voltage to a memory cell; applying a supplementary pulse to the memory cell to facilitate stabilization of an electric charge, after the program voltage is applied; applying a recovery voltage to the memory cell after applying the supplementary pulse; and verifying the memory cell by applying a verification voltage after the recovery voltage is applied.例文帳に追加

メモリセルにプログラム電圧を印加するステップと、プログラム電圧印加後、電荷の安定化を促進するように補充パルスを印加するステップと、補充パルスに続いてメモリセルに回復電圧を印加するステップと、回復電圧印加後に、検証電圧を印加して検証するステップと、を含む不揮発性メモリ素子のプログラム方法である。 - 特許庁

To provide a method by which one of two computer systems detects a failure of the other computer system by reflecting change of various states stored in a local memory of the one system on a local memory of the other system by using a shared memory and also utilizing its state reflection mechanism in the two computer systems having a storage device of both the local memory and the shared memory.例文帳に追加

局所メモリと共有メモリの両方の記憶装置を持つ二つの計算機系において、一方の系の局所メモリに記憶された各種状態の変化を、共有メモリを用いて他方の系の局所メモリに反映させるとともに、その状態反映機構を利用して、一方の系が他方の系の障害を検出する方法を提供する。 - 特許庁

The programming method for a nonvolatile memory device includes: a stage in which a channel of a memory cell selected by programmed data is floated; and a stage in which the word lines of the selected and non-selected memory cells are driven so as to cause gate-induced drain leakage between the selected memory cell and the non-selected memory cell.例文帳に追加

本発明は、プログラムされるデータによって選択されたメモリセルのチャンネルをフローティングさせる段階と、前記選択されたメモリセルと非選択されたメモリセルの間にゲート有機ドレーン漏れが発生するように前記選択された及び非選択されたメモリセルのワードラインを駆動する段階とを具備する不揮発性メモリ装置のプログラム方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory management method with good use efficiency capable of performing assignment and opening processing of a memory at high speed while causing no unused area which is not usable within the memory by eliminating overload processing which is caused in changing the area of a fixed length memory block ensured in a variable length memory area to the original variable length area.例文帳に追加

一旦，可変長メモリ領域に確保された固定長メモリブロックの領域を元の可変長領域に変更する際に生じ得る過負荷処理を排除してメモリの割付及び開放処理を高速に行い，且つ，メモリ内に使用することができない未使用領域を生じさせずに使用効率のよいメモリ管理方式を提供すること。 - 特許庁

This method requires a step of evaluating the state of a live memory flag 305, and a step 514 for storing network performance data into a first memory element 301, if the live memory flag 305 indicates an affirmative value, and a step 520 for storing network performance data into a second memory element 302, if the live memory flag 305 indicates a negative value.例文帳に追加

この方法では、ライブ・メモリ・フラグ３０５の状態を評価するステップと、ライブ・メモリ・フラグ３０５が肯定値を示している場合には、第１のメモリ素子３０１にネットワーク性能データを記憶するステップ５１４と、ライブ・メモリ・フラグ３０５が否定値を示している場合には、第２のメモリ素子３０２にネットワーク性能データを記憶するステップ５２０が求められる。 - 特許庁

The program method of the nonvolatile memory device includes: a stage 510 for performing the program operation on a selected memory cell block; a stage 520 for discharging an electric charge which is charged to the channel of memory cell strings contained in unselected memory cell blocks; and a stage 530 for performing a verify operation on the selected memory cell block.例文帳に追加

不揮発性メモリ装置のプログラム方法は、選択されたメモリセルブロックに対してプログラム動作を行う段階５１０と、非選択のメモリセルブロックに含まれたメモリセルストリングのチャネルに充電された電荷を放電させる段階５２０と、前記選択されたメモリセルブロックに対して検証動作を行う段階５３０を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method includes: issuing a transfer command from the remote device to request transferring a set of data to the second memory space; temporarily storing the set of data in a first memory cell pending a transfer to the second memory space; and appending the set of data to other sequential data in the first memory cell to obtain a transfer data block of a predetermined size for transfer to the second memory space.例文帳に追加

この方法は一組のデータの第２のメモリスペースへの転送を要求する転送コマンドを遠隔装置から出し、データセットを第１のメモリセル内に一時的に格納して第２のメモリスペースへの転送を待ち、データセットを第１のメモリセル内の他の逐次データに付与して第２のメモリスペースへ転送する適切なサイズの転送データブロックを得るステップを含む。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for reducing the risk of thrashing for memory allocation in a multi-node computer by evaluating memory affinity for a node in dependence upon page frame demand for page frames on the node and allocating memory in dependence upon the evaluation.例文帳に追加

ノード上のページフレームに対するページフレームデマンドに基づいて、ノードに対するメモリ親和性を評価して、メモリを割当てることにより、マルチノードコンピュータのメモリ割当てのスラッシングの危険を減少させる方法、装置の提供。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device capable of reducing a change in a threshold voltage due to coupling noise, Vpass failure and Vpgm failure, a programming method thereof, a memory system including the nonvolatile memory device, electronic equipment and a system.例文帳に追加

カップリングノイズ、Ｖｐａｓｓ障害、及びＶｐｇｍ障害による閾値電圧の変化を減らすことができる不揮発性メモリー装置、そのプログラム方法、不揮発性メモリー装置を含むメモリーシステム、電子装置及びシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile ferroelectric memory device and a method for driving it in which chip size is reduced and cost competition force of a chip is improved by achieving a role of a plurality of conventional memory cells by one memory cell.例文帳に追加

一つのメモリセルが従来の複数個のメモリセルの役割を果たすようにすることで、チップサイズを減らすと共に、チップのコスト競争力を高められるようにした不揮発性強誘電体メモリ装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory test circuit and a memory test method capable of easily obtaining a state of defect and collecting all defect information even with a small capacity of memory for storing the defect information.例文帳に追加

不良が発生した状態を容易に把握することができ、かつ不良情報を格納するメモリの容量が少なくともすべての不良情報を収集することができるメモリテスト回路及びメモリテスト方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device performing an update operation in which a column address of a newly generated defective memory cell is stored in a defective column address so as to enhance the longevity and operation reliability of a memory device, and an operation method thereof.例文帳に追加

新たに発生される不良メモリセルのカラムアドレスを不良カラムアドレスに格納する更新動作を遂行し、メモリ装置の寿命と動作の信頼性を高めることができる半導体メモリ装置及びその動作方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mounting method for a shape memory alloy wire capable of acquiring stable actions by effectively blocking that its contact of the shape memory alloy wire is worsened and its base of the shape memory alloy wire is broken even though contracted actions are repeated.例文帳に追加

本発明は収縮する作動を繰り返し行なっても、接触が悪くなったり、付け根が切れたりするのを効率よく阻止して、安定した動作が得られる形状記憶合金ワイヤの取付け方法を得るにある。 - 特許庁

To provide a memory management method that deters fragmentation of memory even if the memory is shared for a plurality of purposes for which the period of use from when an area size to be secured is secured until it is released varies greatly.例文帳に追加

確保される領域サイズや確保されてから開放されるまでの使用期間の長さに大きな差がある複数の用途にメモリが共用される場合にもメモリの断片化が生じ難いメモリ管理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a circuit device of a semiconductor memory and a method in which quality of a semiconductor memory being as high as possible can be achieved for a holding time of a memory cell with comparatively slight test, restoration, and repair cost.例文帳に追加

比較的わずかなテスト及び修復、修理コストのもとでメモリセルの保持時間に関して、半導体メモリのできるだけ高い品質を達成することを可能にする半導体メモリの回路装置及び方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of controlling a semiconductor memory card system for communicating information to warn a user of host equipment that the semiconductor memory card comes close to the end of its life in a system including the host equipment mounted with the semiconductor memory card.例文帳に追加

半導体メモリカードを搭載したホスト機器を含むシステムにおいて、半導体メモリカードの寿命が近づいたことをホスト機器のユーザに警告するための情報を伝達する半導体メモリカードシステムの制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a compound memory module and a selecting method therefor, which can easily refer to the production history or the like of a compound memory module and can improve yield while effectively utilizing the compound memory module including a defective IC chip.例文帳に追加

簡単に複合メモリモジュールの製造履歴等を参照でき、かつ、不良ＩＣチップを含む複合メモリモジュールを有効活用し、歩留まりを向上することのできる複合メモリモジュールとその選別方法を提供すること。 - 特許庁

A memory management method comprises a means for securing heap memories when a heap memory request is received and a means for securing the required number of fixed length memory blocks as heap memories and managing these secured heap memories as a chain of memories.例文帳に追加

ヒープメモリ要求に対して、ヒープメモリを確保する手段と、チェーンメモリ要求に対して、固定長メモリブロックを必要数ヒープメモリとして確保し、それらをチェーン管理する手段からなることを特徴とする、メモリ管理方法。 - 特許庁

This method allows reduction of a memory usage by an unoccupied-memory checking function, in the server, transmission of data of a server and a client, the release of the memory resource in the early stage by a reception function, the speed-up for the data processing and the confirmation at any time for information in large volume retrieval.例文帳に追加

サーバにて空メモリチェック機能によるメモリ使用量削減とサーバ、クライアントのデータ送信、受信機能によるメモリ資源の早期解放、データ処理高速化と大量検索時の随時情報が可能となる。 - 特許庁