「memory method」に関連した英語例文の一覧と使い方(174ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a technology which extends the life of a memory by leveling (wear-leveling) the number of times of rewriting in a control method for rewriting a nonvolatile memory.例文帳に追加

不揮発性メモリの書き換え制御方法において、書き換え回数の平準化（ウエアレベリング）を行い、当該メモリの寿命を延ばすことができる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a program executing device and a program executing method, which can reduce the memory capacity of a storage memory while preparing two programs with the same source program.例文帳に追加

２つのプログラムを同一のソースプログラムで作成しつつ、格納用メモリのメモリ容量を削減することができるプログラム実行装置およびプログラム実行方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory device in which a chip selecting signal is not enabled and which can perform operation which does not affect the outside, its control method, and a memory sub-system.例文帳に追加

チップ選択信号がイネーブルされていないメモリ装置が外部に影響しない動作を行うことができるメモリ装置、その制御方法及びメモリサブシステムを提供すること。 - 特許庁

METHOD FOR WRITING INVALID CARD INFORMATION TO MEMORY CARD, DATA PROCESSOR AND COMPUTER-READABLE STORAGE MEDIUM RECORDED WITH PROGRAM WHICH WRITES INVALID CARD INFORMATION TO MEMORY CARD例文帳に追加

無効カード情報のメモリカードへの書き込み方法、データ処理装置および無効カード情報のメモリカードへの書き込み処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which a capacitorless dynamic memory cell is included and it is not necessary to apply negative voltage to a bit line during data writing, and an operation method therefor.例文帳に追加

データ書き込み時にビットラインにネガティブ電圧を印加する必要のないキャパシタなしの動的メモリセルを具備した半導体メモリ装置及びその動作方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method, apparatus and program for roughly estimating a used amount of memory in an actual system, which can estimate the used amount of memory with use of a modeling language before building an actual system environment.例文帳に追加

実システム環境を構築する前にメモリ使用量が算出できるモデリング言語を利用した実システムメモリ使用量概算方法、装置及びプログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a frame memory control method of a display device in which a sequential drive system can be implemented by using a frame memory with one-frame capacity, and a display using the same.例文帳に追加

１フレーム分の容量のフレームメモリを用いて順次駆動方式を実施可能な表示装置のフレームメモリ制御方法，及びそれを用いた表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatilized memory cell, and a semiconductor device capable of reducing the operating currents of variable resistor elements and improving the reliability, and to provide a method of forming the nonvolatile memory cell.例文帳に追加

抵抗変化素子の動作電流を削減、信頼性を改善することが可能な不揮発メモリセル、半導体装置、および不揮発性メモリセルの形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for arbitration of memory bus, to which a plurality of data transfer circuits request the rights of use and a memory control circuit, capable of inputting/outputting data with any timing.例文帳に追加

複数のデータ転送回路が使用権を要求するメモリバスの調停方法及び任意のタイミングのデータ入出力を可能にするメモリ制御回路を得る。 - 特許庁

The method then includes a step of storing at least two packets 12 in the memory through a memory controller 22, and the only one packet boundary display 18 is concatenated to the packets 12.例文帳に追加

そして、メモリコントローラ２２で、少なくとも２つのパケット１２をメモリ内に格納する工程があり、ただ１つのパケット境界表示器１８がパケット１２に繋がっている。 - 特許庁

To provide a method for detecting erroneous data of a nonvolatile memory at a low cost and reduced software processing for accurately detecting erroneous data of a FLASH memory or the like.例文帳に追加

低コストでソフト処理も少なく、ＦＬＡＳＨメモリ等のデータ化けを精度良く検出することができる不揮発性メモリのデータ化け検出方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a data managing method for stacking rewrite data in a flash memory per data kind, and reducing the number of times of data erasing on the flash memory.例文帳に追加

データ種別毎に再書き込みデータのフラッシュメモリへのスタックを可能とし、フラッシュメモリ上でのデータの消去回数を減少させるデータ管理方法を提供する。 - 特許庁

To provide an inexpensive shape memory Fe alloy which has excellent shape memory properties, workability and corrosion resistance in practical temperature regions, and to provide a production method thereof.例文帳に追加

実用温度域での優れた形状記憶特性、加工性及び耐食性を有する低廉なFe基形状記憶合金及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multi-channel flash memory system using a plurality of flash memory chips and having an increased overall bandwidth, and a programming method therefor.例文帳に追加

複数個のフラッシュメモリチップを使用する多チャンネル（multi-channel）方式のフラッシュメモリシステムで、全体帯域幅を向上させるフラッシュメモリシステム及びそのプログラム方法を提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory which can accelerate data reading and writing speeds even if the memory is miniaturized, and also to provide a method of driving the same.例文帳に追加

微細化に際して、データの読み出し及び書き込み速度をともに向上させることが可能な不揮発性半導体記憶装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide an information processing apparatus, a memory management method, and a memory management program capable of achieving both improvement in redundancy of a storage area and stabilization of a system.例文帳に追加

記憶領域の冗長化およびシステムの安定化の両立を図ることが可能な情報処理装置、メモリ管理方法、およびメモリ管理プログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device including a plurality of transistors formed by improving controllability over threshold voltages, and to provide a method of manufacturing the nonvolatile memory device.例文帳に追加

閾値電圧の制御性を向上させて形成された複数種類のトランジスタを備える不揮発性記憶装置、および、それに適した製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a production method by which two way memory effect can simply be obtained by utilizing an ordinary production process for TiNi shape memory alloy wire without performing other complicated treatment.例文帳に追加

ＴｉＮｉ形状記憶合金ワイヤの通常の製造過程を利用し、ほかの複雑な処理がなく、簡単に二方向記憶効果が得られる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which interference between floating gates can be suppressed by reducing capacitive coupling between memory cells, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

メモリセル間の容量結合を低減して浮遊ゲート間干渉を抑制することができる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which solves problems of a prior art three-dimensional memory cell and provides size of more minute, and the manufacturing method thereof.例文帳に追加

本発明の目的は、上記従来の立体型のメモリセルの有する問題を解決し、さらに微細な半導体記憶装置およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor memory structure, especially a deep trench semiconductor memory device for which a temperature sensitive high dielectric constant material is taken inside the storage node of a capacitor.例文帳に追加

半導体メモリ構造の作製方法、特に感温性の高誘電率材料がキャパシタの蓄積ノード内に取り入れられた深トレンチ半導体メモリデバイスを提供する。 - 特許庁

To provide an information processing apparatus which is capable of browsing information in a memory card or copying data even while the memory card is ejected, and an information processing method.例文帳に追加

メモリーカードを取り外しても、メモリーカード内の情報を閲覧したりデータコピーしたりすることが可能な情報処理装置及び情報処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide an audio data memory method which can divide the inside of one file, while the memory operation of audio data is continued by a file unit by an FAT file system.例文帳に追加

ＦＡＴファイル形式によるファイル単位によりオーディオデータの記憶動作を継続したまま１つのファイル内を分割できるオーディオデータ記憶方法を提供する。 - 特許庁

To provide a small data logger, logging system, and logging method that measure physical quantities, store them to a memory, and can read the data stored in the memory, at a high speed.例文帳に追加

物理量をセンサで測定してメモリに記憶し、メモリに記憶されたデータを高速で読み出すことができる小型データロガー、ログシステムやログ方法を提供すること。 - 特許庁

To manage an anti-aliasing method imaging a graphical object on a display while rasterizing input pixel data in a memory with high virtual resolution to be finished with a small required memory capacity.例文帳に追加

入力ピクセルデータを高仮想解像度でメモリにラステライズしてディスプレイにグラフィカルオブジェクトをアンチエイリアシングイメージングする方法を、所要メモリ容量が少なくてすむようにする。 - 特許庁

To provide a memory module, capable of improving rising/trailing time of input signal, and increasing a setup/hold time, and a method for accessing the memory module.例文帳に追加

入力信号の立ち上がり／立ち下がり時間を改善し、セットアップ／ホールドタイムを増加することができるメモリモジュールと、そのメモリモジュールにアクセスする方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device capable of increasing the margin of memory cell characteristics and suppressing malfunction and the reduction of an operation speed, and its writing method.例文帳に追加

メモリセル特性のマージンを広げることができ、誤動作や動作速度の低下を抑制できる不揮発性半導体記憶装置及びその書き込み方法を提供する。 - 特許庁

To provide an information processor and a power-saving memory management method capable of properly supplying electric power to memory used in an information processor.例文帳に追加

情報処理装置で利用されるメモリに対して適切に電力を供給することができる情報処理装置および省電力メモリ管理方法を提供する。 - 特許庁

This method includes changing a read reference level for reading a group of memory cells as a function of changes in a threshold voltage distribution of a different group of memory cells.例文帳に追加

本方法は、メモリセルの異なるグループの閾値電圧分布の変化の関数としてメモリセルのグループを読出すための読出し基準レベルを変更する段階を含む。 - 特許庁

To provide a method and device which can hold memory sequencing for interconnection based on cache coherence link from a view point of partial and non coherent memory access.例文帳に追加

部分的且つ非コヒーレントなメモリアクセスの観点からキャッシュ・コヒーレンス・リンクに基づく相互接続においてメモリ順序付けを保つ方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which can store a defective block address with a smaller memory capacity compared with a conventional technology, and its self-test method.例文帳に追加

不良ブロックアドレスを、従来技術に比較して少ない記憶容量で記憶することができる不揮発性半導体記憶装置とその自己テスト方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device and storage control method capable of increasing storage speed in storing information in a plurality of semiconductor memory chips in parallel.例文帳に追加

複数の半導体メモリチップに対して並行して情報を記憶する際の記憶速度を高速化させることができる半導体メモリ装置及び記憶制御方法を得る。 - 特許庁

BIT LINE CONTROL DECODER CIRCUIT, VIRTUAL GROUND TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY PROVIDED WITH IT, AND READ-OUT METHOD FOR VIRTUAL GROUND NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

ビット線制御デコーダ回路およびそれを備えた仮想接地型不揮発性半導体記憶装置並びに仮想接地型不揮発性半導体記憶装置のデータ読み出し方法 - 特許庁

To provide a device and a method for allowing a plurality of information processors to securely lock and unlock in common a memory as access control processing for a memory card.例文帳に追加

メモリカードのアクセス制御処理としてのメモリロック、アンロックを複数の情報処理装置において、共通にかつセキュアに実行する装置および方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit and a memory access control method for efficiently controlling access through the transmission path of a split transaction to an external memory.例文帳に追加

本発明は、スプリットトランザクションの伝送路経由での外部メモリへのアクセスを効率的に制御する半導体集積回路及びメモリアクセス制御方法に関する。 - 特許庁

To provide a device and a method, for efficiently arranging and retrieving data inside a memory space of a cache memory 124 or the like of a data storage array controller 108.例文帳に追加

データ記憶アレイ・コントローラ（１０８）のキャッシュ・メモリ（１２４）などの、メモリ空間内でデータを効率的に配列し検索するための装置および方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem of the conventional control method for a line memory having a memory capacity of two banks that has increased the circuit scale although real time processing is possible for data write/read processing.例文帳に追加

ラインメモリに２バンク分のメモリ容量を持たせた場合、データの書き込み／読み出しについてはリアルタイムでの処理が可能となる反面、回路規模が大きくなってしまう。 - 特許庁

To provide a data transferring method and device capable of rewriting data or the like in a non-volatile memory by validly using the memory space of a processor such as a CPU.例文帳に追加

ＣＰＵ等のプロセッサのメモリ空間を有効に利用し、不揮発性メモリ内のデータ等を書き換えることのできるデータ転送方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory element and an erasing method of a flash memory cell using the same which allow the erasing of a cell block unit and a page unit to be performed.例文帳に追加

セルブロック単位の消去及びページ単位の消去を行うことが可能なフラッシュメモリ素子及びこれを用いたフラッシュメモリセルの消去方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for erasing a flash memory device, which can improve a margin for sensing of a program cell of a selected memory block.例文帳に追加

本発明は、選択メモリブロックのプログラムセルのセンシングマージンを改善することができる揮発性メモリ素子の消去方法を提供することを可能にすることを目的としている。 - 特許庁

To provide an apparatus using a shape memory cord, with which shape memory alloy cord may be assembled with accuracy using a method suitable for mass production and a drive unit.例文帳に追加

形状記憶合金紐を大量生産に適した方法で精度よく組み立てることができる、形状記憶合金紐を用いた機器および駆動ユニットを提供する。 - 特許庁

ELECTRONIC CONTROL UNIT, METHOD OF PERMITTING STORAGE OF DIAGNOSIS RESULT IN NONVOLATILE MEMORY, INFORMATION PROCESSOR, SYSTEM FOR PERMITTING STORAGE OF DIAGNOSIS RESULT IN NONVOLATILE MEMORY, AND EXTERNAL DEVICE例文帳に追加

電子制御装置、診断結果の不揮発性メモリへの記憶許可方法、情報処理装置、診断結果の不揮発性メモリへの記憶許可システム、及び外部装置 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which only sub word line in a selected memory cell array partial block can be selected, and to provide a word line selecting method.例文帳に追加

選択されたメモリセルアレー部分ブロック内のサブワードラインのみを選択することができる半導体メモリ装置の提供並びにワードライン選択方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device in which the degree of integration of memory cells can be increased remarkably and the chip area of which can be reduced and a method of manufacturing the device.例文帳に追加

メモリセルの集積度を格段に向上させ、しかもチップ面積を小さくすることができる強誘電体メモリ装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory which can form cell regions and peripheral circuit regions by differentiating their trench depths at a shallow trench isolation process time of the memory.例文帳に追加

フラッシュメモリのＳＴＩ工程時にセル領域と周辺回路領域のトレンチ深さを異ならせて形成することが可能なフラッシュメモリの製造方法を提供する。 - 特許庁