「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(103ページ目) - Weblio英語例文検索

In the light receiver, a reflection member 106 is formed in a recess 105 formed on the backside of the substrate so as to be formed just behind the n-type layer 103 through the oxide film 104.例文帳に追加

さらに、受光装置は、基板裏面からの凹部１０５に、酸化膜１０４を介しｎ型層１０３の直ぐ裏に形成された反射部材１０６を形成している。 - 特許庁

Thereby, n-type impurities present on the surface of the substrate 1 are thoroughly removed, and the adverse effect due to the contamination with impurities at the interface between the epitaxial layer and the substrate can be avoided.例文帳に追加

これによって、基板１表面のｎ型不純物が確実に除去され、エピタキシャル層２と基板１との界面汚染による悪影響を未然に回避できる。 - 特許庁

An n-type carrier supply part 103 and a p-type carrier supply part 104 formed on a lower clad layer 101 in contact with a core 102 are provided at a portion of the waveguide.例文帳に追加

導波路の一部に、コア１０２に接して下部クラッド層１０１の上に形成されたｎ形キャリア供給部１０３とｐ形キャリア供給部１０４とを備える。 - 特許庁

Consequently, even if a bias is applied, the field strength of the n-InGaAsP optical absorption layer 23 is suppressed, and generation of tunnel current can be prevented.例文帳に追加

従って、バイアスを印加しても、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層２３における電界強度を抑制して、トンネル電流の発生を防止することができる。 - 特許庁

To form a silicon mixed crystal layer with high precision in one of the source-drain forming region of an n-type MIS transistor and the source-drain forming region of a p-type MIS transistor.例文帳に追加

ｎ型ＭＩＳトランジスタのソース・ドレイン形成領域及びｐ型ＭＩＳトランジスタのソース・ドレイン形成領域の一方に、シリコン混晶層を精度良く形成する。 - 特許庁

A P-N junction surface, made of the region 36 and the layer 33, is formed substantially in plane with the sidewall of the groove 34 of the region 36 side.例文帳に追加

Ｐ^−型ウェル領域３６と半導体層３３とからなるＰＮ接合面は、Ｐ^−型ウェル領域３６側の溝３４の側壁に略面一に形成されている。 - 特許庁

The p-type high concentration layer has an identical potential electrode 16 consisting of an n-type region, and the identical potential electrode 16 is electrically connected to the movable body 9.例文帳に追加

また、ｐ型高濃度層にはｎ型領域からなる同電位電極１６を設けると共に、同電位電極１６は可動体９に電気的に接続する。 - 特許庁

To provide an optical head which can perform layer discrimination by utilizing the signal having a large S/N ratio, and an optical information processing device mounting such an optical head.例文帳に追加

Ｓ／Ｎ比の大きい信号を利用して層判別処理を行うことができる光学ヘッドおよびそのような光学ヘッドを実装する光情報処理装置を提供する。 - 特許庁

The coefficient which is used when the fifth heat accumulation correction data is obtained, is determined by considering a quantity of heat escaping in the atmospheric air in the heat accumulated in the N-th heat accumulation layer.例文帳に追加

第５蓄熱補正データを求める際に用いられる係数は、前記第Ｎ蓄熱層に蓄積された熱のうち空気中へ逃げる熱量を考慮して決められる。 - 特許庁

The carrier concentration of a III-V compound semiconductor wafer on which an n-type buffer layer is formed is measured through C-V measurement and, in addition, the photoluminescence of the wafer is also measured.例文帳に追加

ｎ型バッファ層形成済みのIII−Ｖ族化合物半導体ウェーハで、Ｃ−Ｖ測定によりキャリア濃度を測定する一方、フォトルミネッセンス測定も行う。 - 特許庁

Therefore, the internal resistance of the n^- type drift layer 1 becomes smaller, causing the bias voltage to decrease, thus making it possible to suppress the operation of a parasitic bipolar transistor.例文帳に追加

したがって、ｎ^-型ドリフト層１の内部抵抗が小さくなることでバイアス電圧が小さくなり、寄生バイポーラトランジスタの動作を抑制することが可能となる。 - 特許庁

To provide a light-receiving element which contains an N-containing InGaAs-based light-receiving layer having light-receiving sensitivity in the near-infrared range and controls the dark current, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

近赤外域に受光感度を持つＮ含有ＩｎＧａＡｓ系受光層を含み、かつ暗電流を抑制した受光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In an region for forming elements, the surface of a N^- epitaxial layer 2 slopes upward from an end of a field oxide film 3 to a sidewall of an opening 25.例文帳に追加

素子形成領域では、Ｎ^−エピタキシャル層２の表面はフィールド酸化膜３の端部から開口部２５の側壁に向かって上りの傾斜がつけられている。 - 特許庁

Diode 1 includes a column layer 10 having P-conductive type columns PC1-PC4 and N-conductive type columns NC1-NC4, which are arranged alternately while being abutted against each other.例文帳に追加

ダイオード１は、互いに当接しつつ交互に配置されるＰ導電型コラムＰＣ１〜ＰＣ４及びＮ導電型コラムＮＣ１〜ＮＣ４を有するコラム層１０を備える。 - 特許庁

Next, screen printing is used to form an insulating layer 11 which covers the surface of the N electrode 10 while exposing the surface of the P electrode contact 8.例文帳に追加

次に、スクリーン印刷によって、Ｎ電極１０の表面を覆うとともに、Ｐ電極コンタクト８の表面を露出するように、絶縁層１１が形成される。 - 特許庁

When the semiconductor depletion layer capacitor is used, the dopant density in the vicinity of a junction of a P-N junction or the like is made higher than that of a region isolated from the junction.例文帳に追加

半導体空乏層容量を用いる場合には、ｐｎ接合等の接合近傍のドーパント密度を、接合から離れた領域のドーパント密度よりも高くしておく。 - 特許庁

This GaN-based light emitting element is made of GaN-based compound semiconductor in which an active layer 5 contains N and one kind or more than two kinds of As, P and Sb.例文帳に追加

このＧａＮ系発光素子は、活性層５が、Ｎと、Ａｓ，Ｐ，Ｓｂの１種または２種以上とを含むＧａＮ系化合物半導体で構成されている。 - 特許庁

The control part 33 and the isolation part 32 are formed to be shallower than the N-type diffusion layer 4 and have impurity concentration higher than a P-type well 2 of the substrate 1.例文帳に追加

これ等の制御部３３及び分離部３２は、前記ｎ型拡散層４よりも浅く、且つ基板１のｐ型ウェル２よりも高濃度の不純物濃度に形成される。 - 特許庁

By this manufacturing method, the semiconductor device is realized in which the n-type embedded diffusion layer 2 is suppressed from creeping up more than required, to provide a wanted breakdown strength characteristics.例文帳に追加

この製造方法により、Ｎ型の埋込拡散層２の必要以上の這い上がりを抑制し、所望の耐圧特性が得られる半導体装置を実現できる。 - 特許庁

In addition, the n-type diffusing layer 6 and the polycrystal silicon film 7a are surrounded with a side wall film 9 formed of a stacked film of a silicon nitride film 12a and a silicon oxide film 13a.例文帳に追加

さらにｎ型拡散層６および多結晶シリコン膜７ａは、シリコン窒化膜１２ａとシリコン酸化膜１３ａの積層膜からなる側壁膜９で囲われる。 - 特許庁

The backside incident photodiode 1 is equipped with an n-type semiconductor substrate 10, a p^+-type impurity semiconductor region 11, a recess 12, a coating layer 13, and an aperture plate 14.例文帳に追加

裏面入射型ホトダイオード１は、Ｎ型半導体基板１０、Ｐ^+型不純物半導体領域１１、凹部１２、被覆層１３、及び窓板１４を備えている。 - 特許庁

An n-type offset layer 20 is formed at the site that serves as an electric current path provided by a trench gate electrode 16 between a channel formation region 10 and a drain region 13.例文帳に追加

ｎ型のオフセット層２０が、チャネル形成領域１０とドレイン領域１３との間のトレンチゲート電極１６による電流経路となる部位に形成されている。 - 特許庁

A p type well 4 is then formed in the lightly doped n type epitaxial layer 3 and a photoelectric converting part 5 and a charge transfer part 7 are formed in the p type well 4.例文帳に追加

前記低濃度ｎ型エピタキシャル層３内にｐ型ウェル４を形成し、前記ｐ型ウェル４内に光電変換部５および電荷転送部７を形成した。 - 特許庁

The electrolyte for the electric double layer capacitor contains a dimethyl carbonate and a compound represented by a formula (1), wherein in the formula (1), m and n are natural numbers between 3 and 7 which may be different, and X^- is paired anions.例文帳に追加

ジメチルカーボネートと式（１）で表される化合物とを含有してなることを特徴とする電気二重層キャパシタ用電解液を提供するものである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, in which level difference of a surface layer of a parallel p-n junction is eliminated and variance in quality of a chip is suppressed as a result.例文帳に追加

トレンチ形成工程を有する半導体装置の製造方法において、並列ｐｎ構造の表面層の段差を解消し、チップの品質のばらつきを抑えること。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device, the lower electrode of a MIS capacitor 88 is formed by an N+ diffusion layer 62b and the lower electrode of a MIM capacitor 89 is formed by a polycrystalline Si film 66b.例文帳に追加

Ｎ^+ 拡散層６２ｂでＭＩＳ容量素子８８の下部電極を形成し、多結晶Ｓｉ膜６６ｂでＭＩＭ容量素子８９の下部電極を形成する。 - 特許庁

Consequently, electric field breakdown caused at the B part of the end of the n+ drain layer 20 in a conventional manner is hard to be caused, and the breakdown voltage BVdss between the source and the drain is enhanced than heretofore.例文帳に追加

そのため従来ｎ＋ドレイン層２０端Ｂ部で起きていた電界降伏が起きにくくなりドレイン〜ソース間耐圧ＢＶｄｓｓが従来より高くなった。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium having suitability for use of a GMR head which is reduced in thickness variations of its magnetic layer, and in output variations due to thickness variation, and what's more, which can ensure a high S/N ratio.例文帳に追加

磁性層の厚み変動、ひいては出力変動を抑制し、かつ高Ｓ／Ｎが得られるＧＭＲヘッドに好適な磁気記録媒体を提供すること。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium which has a non-magnetic supporting body that is comparatively inexpensive and has smoothness coated with a resin layer for smoothing, and indicates an excellent carrier-to-noise (C/N) ratio and error rate.例文帳に追加

比較的安価な平滑性の非磁性支持体に平滑化のための樹脂層を塗設して、良好なＣ／Ｎとエラーレートを示す磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

The n-type layer is in contact with the active region in a first contact region substantially perpendicular to the active region so as to inject electrons into the active region in a lateral direction.例文帳に追加

ｎ型層は、活性領域に横方向で電子を注入するために、活性領域に実質的に垂直な第１の接触領域で活性領域と接している。 - 特許庁

Thereby, the OFF-state drain potential is interrupted by the junction structure, and the high potential based on the potential of the drain gets hard to enter the upper part of the N-type channel layer 6.例文帳に追加

これにより、オフ時のドレイン電位がジャンクション構造によって遮られ、ドレインの電位に基づく高電位がＮ−型チャネル層６の上方に入り込み難くなる。 - 特許庁

The Cr-B-Si-N alloy film 4 is coated on the outer peripheral sliding surface (a part corresponding to the sliding surface) of the nitriding layer 3 by a PVD (physical vapor deposition) process.例文帳に追加

Ｃｒ−Ｂ−Ｓｉ−Ｎ合金皮膜４は、ＰＶＤ（物理的蒸着）法によって窒化層３の外周摺動面（摺動面相当部）に被覆されている。 - 特許庁

The method further includes a step of forming a first n-type diffused layer 6 with the gate electrode 5 as a mask, and then a step of forming a sidewall spacer 7 on the side face of the gate electrode 5.例文帳に追加

その後、ゲート電極５をマスクにして、第１のｎ型拡散層６を形成した後、ゲート電極５の側面上にサイドウォールスペーサ７を形成する。 - 特許庁

A light emitting layer 4 composed of a semiconductor of one or more layers is laminated on a first semiconductor substrate (not shown in the figure) of nondope, weak p-type, or n-type.例文帳に追加

ノンドープ型、弱いｐ型またはｎ型の第１の半導体基板（図１には示さない）上に単層または複数層の半導体からなる発光層４を積層する。 - 特許庁

Here, a sticking film is used as the laminate film 82, which has a sticking layer thereon that has a peeling force of 0.01-0.06 N/25 mm with respect to the coating film.例文帳に追加

ここで、ラミネートフィルム８２には、コーティング膜に対して０．０１Ｎ／２５ｍｍ以上０．０６Ｎ／２５ｍｍ以下の剥離力である粘着層を有する粘着フィルムを用いる。 - 特許庁

The paste composition for electrode formation given with an n-type diffusion layer forming function comprises: metal particles; glass particles containing donor elements; resin; and a solvent.例文帳に追加

ｎ型拡散層形成機能を付与した電極形成用ペースト組成物を、金属粒子と、ドナー元素を含むガラス粒子と、樹脂と、溶剤と、を含んで構成する。 - 特許庁

The composition modulation buffer layer 20 is formed having an inclined composition increasing in N atom content from the substrate 10 toward the first and second semiconductor layers 40 and 50.例文帳に追加

組成変調バッファ層２０は、基板１０から第１及び第２の半導体層４０，５０に向かってＮ原子含有量が高くなる傾斜組成で形成されている。 - 特許庁

To provide a method for forming a stress-tuned dielectric film having Si-N bonds on a semiconductor substrate by plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD).例文帳に追加

プラズマ励起原子層の成膜（ＰＥＡＬＤ）によって半導体基板上にＳｉ−Ｎ結合を有するストレス調節された誘電体膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

A bar-like n-type semiconductor core 13 is formed on a substrate 11, then, a cylindrical p-type semiconductor layer 14a covering a surface of the semiconductor core 13 is formed.例文帳に追加

基板１１上に棒状のｎ型の半導体コア１３を形成した後、半導体コア１３の表面を覆う筒状のｐ型の半導体層１４aを形成する。 - 特許庁

The emitter for thermophotovoltaic generation of electricity includes a metallic substrate and a thin-film layer provided on the substrate and composed of a material having a refractive index (n) of ≥4.例文帳に追加

本発明の熱光起電力発電用エミッタは、金属製の基板と、この基板上に設けられた屈折率ｎが４以上の材料から成る薄膜層とを有する。 - 特許庁

During cleaning operation, a projecting part 30 arranged on an end of the cleaning part 10 is inserted into a nip part N between the developing roller 84 and the layer thickness restriction blade 88 by holding the grasping part.例文帳に追加

清掃動作時には、把持部を持って清掃部１０の端部に設けられた突出部３０を現像ローラ８４と層厚規制ブレード８８のニップ部Ｎに挿入する。 - 特許庁

In this case, d=n.λ/4 (n: integer) is satisfied, where (d) is the arrangement interval of the holes 20 and λ is the wavelength of guided light in the core layer 16.例文帳に追加

この場合、穴２０の配置間隔をｄ、コア層１６における導波光の波長をλとしたとき、ｄ＝ｎ・λ／４（ｎは整数）を満足することが好ましい。 - 特許庁

A silicon layer 33 including the n-type well area 34 sandwiched between p-type well areas 44a, 44b constitutes common drain area 36 of the MOSFETs 21a, 21b.例文帳に追加

ｐ型ウェル領域４４ａ、４４ｂに挟まれたｎ型ウェル領域３４を含むシリコン層３３がＭＯＳＦＥＴ２１ａ、２１ｂの共通ドレイン領域３６を構成する。 - 特許庁

Further, an N-type region 4 electrically floated from a circumference is formed at the part of the epitaxial layer 3 which faces the resistance element 7 across the element isolation film 6.例文帳に追加

また、エピタキシャル層３における素子分離膜６を挟んで抵抗素子７と対向する部分には、周囲から電気的にフローティングされたＮ型領域４を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor substrate 1 in which an n^+ embedded layer 22 in a state that a floating electric potential is formed on the bottom of a region Z1 separated from other elements.例文帳に追加

半導体基板１において素子間分離された領域Ｚ１における底部に、電位がフローティング状態となっているｎ^＋埋込層２２が形成されている。 - 特許庁