「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(100ページ目) - Weblio英語例文検索

An nMOS transistor comprises the gate electrode 5, formed on the semiconductor substrate 1 via the gate insulating film 4, and an n-type extension layer which contains n-type impurities and is formed on the semiconductor substrate 1 on both sides of the gate electrode 5.例文帳に追加

ｎＭＯＳトランジスタは、半導体基板１上にゲート絶縁膜４を介して形成されたゲート電極５と、ゲート電極５の両側における半導体基板１上に形成され、ｎ型不純物を含有するｎ型エクステンション層とを有する。 - 特許庁

Various kinds of semiconductor layers forming an APD on the surface of a light transmissive n-type semiconductor substrate 20 are laminated upto a light absorbing layer (S1), and n-type semiconductor substrate 20 is polished on the back, and is then provided with reflection reducing coating (S2).例文帳に追加

光透過性のｎ形半導体基板２０の表面にＡＰＤ１０を構成する各種の半導体層を積層して光吸収層まで形成し(Ｓ１)、ｎ形半導体基板２０の裏面を研磨してから減反射コートを施す(Ｓ２)。 - 特許庁

On a n-type ZnO bulk single crystal substrate 10 formed into low resistance by doping a donor impurity, as a p-type layer 11, a semiconductor thin film composed of a ZnO-based compound, in which nitrogen is doped, is formed to make a p-n junction.例文帳に追加

ドナー不純物のドーピングによって低抵抗化したｎ形ＺｎＯバルク単結晶基板１０上に、ｐ形層１１として窒素をドープしたＺｎＯ系化合物からなる半導体薄膜を形成してｐｎ接合させている。 - 特許庁

Thereby, the p^+ type layer 6 and a p type base region 3 are prevented from punching through under the n^+ type source region 4, and the withstand voltage between the drain and the source is secured regardless of the depth of the n^+ type source region 4.例文帳に追加

このため、ｎ^+型ソース領域４の下方においてｐ^+型層６およびｐ型ベース領域３がパンチスルーしてしまうことを防止でき、ｎ^+型ソース領域４の深さに関係なくドレイン−ソース間の耐圧を確保することが可能となる。 - 特許庁

This electron emitter material is a pyramid shape structural body of which the surface is covered by a CN layer of around several nanometers obtained by controlling H/N radical density ratio and substrate temperature and by etching an organic material by N-H series plasma.例文帳に追加

Ｈ／Ｎラジカル密度比と基板温度を制御して、有機材料をＮ−Ｈ系プラズマでエッチングして得られる、表面が数ｎｍ程度のＣＮ層で覆われたピラミッド状の構造体であることを特徴とする電子放出素子材料。 - 特許庁

Then, an N+-type embedded layer 61 is formed in a second island region 53 to form therein a C-MOS transistor 42, and thereby the noise generated from an N-channel MOS transistor is blocked so as to prevent adverse effects given to an NPN transistor.例文帳に追加

そして、Ｃ−ＭＯＳトランジスタ４２が形成される第２の島領域５３にＮ^+型埋め込み層６１が形成されることで、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタから発生するノイズをブロックしＮＰＮトランジスタへの悪影響を防止することができる。 - 特許庁

On the n-type GaN substrate formed with the growth suppression film 13, a GaN crystal is epitaxially grown to form a nitride semiconductor layer on the n-type GaN substrate, resulting on fabricating a nitride semiconductor laser device having a low concentration of crystal defects.例文帳に追加

このように成長抑制膜１３が形成されたｎ型ＧａＮ基板１０上にＧａＮ結晶をエピタキシャル成長させて窒化物半導体層を積層することで、結晶欠陥密度の低い窒化物半導体レーザ素子を製造する。 - 特許庁

The patch preparation includes an adhesive layer which contains (-)-(R)-N,α-dimethyl-N-2-propynylphenethylamine and/or a pharmaceutically acceptable salt thereof; a self-adhesive; an antioxidant; and a metal hydroxide, and is formed on at least one surface of a support.例文帳に追加

（−）−（Ｒ）−Ｎ，α−ジメチル−Ｎ−２−プロピニルフェネチルアミン及び／又はその薬学的に許容し得る塩、粘着剤、抗酸化剤、及び金属水酸化物を含む粘着剤層が支持体の少なくとも片面に形成されてなる貼付製剤。 - 特許庁

Finally, a TFT(thin-film transistor) is manufactured by forming an island-like silicon film by performing patterning through the use of the crystalline silicon film 304 as an active layer and forming a gate electrode on the island-like silicon film, and then implanting an N-type impurity into the crystalline island-like silicon film by an ion doping method.例文帳に追加

この結晶性珪素膜を活性層とし、パターニングし島上珪素膜を作製しこの上にゲート電極をつけ、前記結晶性を有する島状珪素膜にイオンドーピング法でN型不純物をいれＴＦＴを作製した。 - 特許庁

Moreover, by incorporating 0.0003 to 0.0050% B, ≤0.030% Ti, ≤0.0050% N and 0.03≤B/(Ti/3.43-N)≤5.0, by an ordinary steel wire producing method, the amt. of ferrite in the surface layer part can be controlled to ≤0.40%.例文帳に追加

さらに、Ｂ：０．０００３〜０．００５０％、Ｔｉ：０．０３０％以下、Ｎ：０．００５０％以下、０．０３≦Ｂ／（Ｔｉ／３．４３−Ｎ）≦５．０を含有させることで、通常の鋼線製造方法により表層部のフェライト量を０．４０％以下にすることができる。 - 特許庁

When a recognition target molecule in drinking water is caught by a mold section of a thin-film-like recognition material 33, the capacitance of an organic compound layer of the n-Si substrate 32 varies, and this appears as variation in bias voltage between the electrodes 34 and 35.例文帳に追加

そして、試料水中の認識対象分子が薄膜状認識材料３３の鋳型部に捕捉されると、n-Si基板３２の有機化合物層の静電容量が変化し、これが電極３４，３５間のバイアス電圧の変化となって現れる。 - 特許庁

By pulling out the rolled flexible metal layer in a long length shape, forming resist 16 on it, and successively performing exposure through a photomask 20, a first shot S1 to an n-th (n is an integer ≥2) shot Sn are formed on the resist 16.例文帳に追加

ロール状のフレキシブル金属層を長尺状に引き出し、その上にレジスト１６を形成し、フォトマスク２０を介して順次露光することにより、レジスト１６に第１ショット部Ｓ１から第ｎ（ｎは２以上の整数）ショット部Ｓｎまでを形成する。 - 特許庁

An N-type first semiconductor layer 12 is formed on an inner surface of a first recess part 11c of an N-type semiconductor substrate 11 so as to generate a second recess part 51a being smaller than the first recess part; and has a lower first impurity concentration than that of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

Ｎ型第１半導体層１２はＮ型半導体基板１１の第１凹部１１ｃの内面にそれより小さい第２凹部５１ａを生じるように形成され、半導体基板１１より低い第１不純物濃度を有する。 - 特許庁

This photoconductive imaging member has the light-generating layer, containing a mixture of (2) an electron acceptor component and (1) 1,3-bis(n-pentylimidoperylenimido)propane, 1,3-bis(2-methylbutylimidoperylenimido) propane and 1-(n-pentylimidoperylenimido)-3-(2-methylbutylimidoperylenimido) propane.例文帳に追加

(１)１,３-ビス(ｎ-ペンチルイミドペリレンイミド)プロパン、１,３-ビス(２-メチルブチルイミドペリレンイミド)プロパン及び１-(ｎ-ペンチルイミドペリレンイミド)-３-(２-メチルブチルイミドペリレンイミド)プロパンと、(２)電子受容体成分との混合物を含む光発生層を含んでなる光伝導イメージング部材。 - 特許庁

In a selective growth method, n+ contact regions 8 and 9 in ohmic contact with a source electrode and a drain electrode, respectively, and an n- region 10 called a reduced surface field layer (reduced surface field region) aiming at relaxation of electric field concentration, are respectively formed.例文帳に追加

ソース電極，ドレイン電極とそれぞれオーミック接触するｎ^+コンタクト領域８，９、および電界集中の緩和を目的としたリサーフ層（リサーフ領域）と呼ばれるｎ^-領域１０を、それぞれ選択成長法によって形成する。 - 特許庁

N-type first and second electrode diffusion layers 221 and 222 and a p-type third electrode diffusion layer 23 are formed in the same step as that at the time, when an n-channel or p-channel MOSFET source/drain region is formed.例文帳に追加

Ｎチャネル型やＰチャネル型のＭＯＳＦＥＴのソース／ドレイン領域の形成時と同一の工程でＮ型の第１電極用拡散層２２１及び第２電極用拡散層２２２、Ｐ型の第３電極用拡散層２３を形成する。 - 特許庁

Related to an invalid imaging region 100B, the N- type photoelectric conversion region 134 and the P+ type impurity region 136 which constitute the photodiode 112 are formed, with no N- type impurity region 132 formed on the P- type well layer 130.例文帳に追加

また、無効撮像領域１００Ｂでは、Ｐ型ウエル層１３０の上にＮ−型不純物領域１３２を形成することなく、フォトダイオード部１１２を構成するＮ型光電変換領域１３４とＰ＋型不純物領域１３６を形成する。 - 特許庁

In a structure of the lateral double diffusion MOS transistor formed on a p-type semiconductor substrate 7, a high concentration p-type diffusion layer 10 serving as an electrode of a low concentration p-type well layer 11 is formed in contact with a high concentration n-type diffusion layer 9 serving as a source region.例文帳に追加

ｐ型半導体基板上７に形成された横型二重拡散ＭＯＳトランジスタを構成において、ソース領域となる高濃度ｎ型拡散層９に接するように、低濃度ｐ型ウエル層１１の電極となる高濃度ｐ型拡散層１０を形成する。 - 特許庁

In the substrate for organic EL display having an insulating layer, discharge of a substance originating in this insulating layer material by heating at the decomposition temperature -20°C or less of the insulating layer material is detected of S/N ratio smaller than 3/1 in the mass spectrometry detection.例文帳に追加

絶縁層を有する有機ＥＬディスプレイ用基板において、前記絶縁層材料の分解温度−２０℃以下の加熱による該絶縁層材料に由来する物質の放出が、質量分析検出にてＳ／Ｎ比が３／１より小さく検出される有機ＥＬディスプレイ用基板。 - 特許庁

A lateral PNP transistor is formed in such a manner that an emitter diffused layer 14 having a p-type impurity and a collector diffused layer 13 having a p-type impurity are arranged via an n^--type epitaxial layer 12 of a base region in a planar inward direction of a semiconductor substrate (p^--type substrate 10).例文帳に追加

ｐ型不純物を有するエミッタ拡散層１４と、ｐ型不純物を有するコレクタ拡散層１３とが半導体基板（ｐ^−型基板１０）の面内方向にベース領域であるｎ^−型エピタキシャル層１２を介して配設されてなる横型ＰＮＰトランジスタを形成する。 - 特許庁

Since the active layer is formed in the p-type semiconductor and the n-type semiconductor is formed on the active layer, a region by the side of a lower layer which is a region in which good quantum dot is formed among the active layers becomes a region nearer at the p-type semiconductor of the active layers.例文帳に追加

ｐ形半導体に活性層が形成されており、活性層上にｎ形半導体が形成されているため、活性層のうちで良質な量子ドットが形成される領域である下層側の領域は、活性層のうちのｐ形半導体に近い領域となる。 - 特許庁

The semiconductor device, having the vertical PNP bipolar transistor, formed in a prescribed element area on a semiconductor substrate, is provided with a high-density embedded N+layer 3 formed in the prescribed element region and a P-type collector layer 5, formed on the layer 3 in close contact.例文帳に追加

半導体基板上の所定の素子領域に縦型ＰＮＰバイポーラトランジスタが形成された半導体装置であって、所定の素子領域に形成された高濃度の埋め込みＮ＋層３と、埋め込みＮ＋層３上に密着して形成されたＰ型のコレクタ層５とを備える。 - 特許庁

The manufacturing method of a nitride semiconductor device has a step, in which a first nitride semiconductor layer 17 and a second nitride semiconductor layer 18 having a Fermi level larger than that of the first nitride semiconductor layer 17, as well as, containing an n-type impurity are formed on a substrate 11 sequentially from the substrate 11 side.例文帳に追加

窒化物半導体装置の製造方法は、基板１１の上に、第１の窒化物半導体層１７と該第１の窒化物半導体層１７と比べてフェルミ準位が大きく且つｎ型不純物を含む第２の窒化物半導体層１８とを基板１１側から順次形成する。 - 特許庁

An n-type light-transmitting buffer layer 140 pn-joined to the optical absorption layer 130 is stacked and formed on a p-type conductive optical absorption layer 130 by a compound in a chalcopyrite structure stacked over a pair of back electrode layers 120 on one surface of a glass substrate 110.例文帳に追加

ガラス基板１１０の一面に設けた対をなす裏面電極層１２０に亘ってカルコパイライト構造の化合物にて導電性を有するｐ型の光吸収層１３０に、光吸収層１３０とｐｎ接合する透光性でｎ型のバッファ層１４０を積層形成する。 - 特許庁

A lower mirror layer 14 having a p-type AlGaAs system DBR structure, an active layer 24 having a GaAs/AlGaAs system MQW structure, and an upper mirror layer 28 having an n-type AlGaAs system DBR structure are formed on a p-type GaAs substrate 12 to constitute a vertical resonator.例文帳に追加

ｐ−ＧａＡｓ基板１２上に、ｐ−ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲ構造の下部ミラー層１４、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系のＭＱＷ構造の活性層２４、及びｎ−ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲ構造の上部ミラー層２８等が積層され、垂直共振器を構成している。 - 特許庁

Then, an n+ type channel stopper layer 4 having impurity density higher than that of the semiconductor substrate and a trench part 10 arranged so that the periphery of each p type semiconductor layer 3 can be roughly surrounded, and extended from the channel stopper layer 4 to the back face 2u side are arranged on one face side of the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体基板２の一面側には、半導体基板よりも高い不純物濃度を有するｎ＋型のチャンネルストッパ層４と、各ｐ型半導体層３の周囲を概略囲むように設けられており、チャンネルストッパ層４よりも裏面２ｕ側に延びるトレンチ部１０とが設けられている。 - 特許庁

After the gate electrode 3 of the transfer transistor is formed on a p-type silicon substrate 1, the p-type ion-implanted layer 4 of the photodiode is formed and, in addition, the n-type ion-implanted layer 5 of the photodiode and the threshold controlling ion-implanted layer 6 of the transfer transistor are formed simultaneously.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１上に転送トランジスタのゲート電極３を形成後に、フォトダイオードのｐ型イオン注入層４を形成し、さらにフォトダイオードのｎ型イオン注入層５と転送トランジスタのしきい値制御イオン注入層６とを同時にイオン注入により形成する。 - 特許庁

The antireflection film comprises a laminate of an Y2O3 film and a layer composed of a material having refractive index of √(ns) where ns is the refractive index of GaAs and a layer having refractive index of ns/n above where is the refractive index of that layer, or a laminate of a Ge film and a ZnS film.例文帳に追加

反射防止膜としては、Ｙ_2Ｏ_3膜、ＧａＡｓの屈折率をｎ_sとして屈折率が√（ｎ_s）より小さい材料よりなる層と、この層の屈折率をｎとして屈折率がｎ_s／ｎよりも大きい層との積層膜、又は、Ｇｅ膜とＺｎＳ膜との積層膜を適用する。 - 特許庁

This vertical structure semiconductor light emitting device according to the present invention comprises an Si-Al alloy substrate; and a p-type semiconductor layer comprising compounds of elements belonging to the III-V Groups, an activated layer and an n-type semiconductor layer comprising compounds of elements belonging to the III-V Groups, which are sequentially laminated on the Si-Al alloy substrate.例文帳に追加

本発明による垂直構造半導体発光素子は、Ｓｉ−Ａｌ合金基板と、上記Ｓｉ−Ａｌ合金基板上に順次積層されているｐ型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層、活性層及びｎ型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を含む。 - 特許庁

Consequently, when the data are recorded to the respective recording layers, laser light do not pass through a recording layer where data recording is already performed and after the recording completed, the head to the tail of the data stream are recorded from the 1st layer to the (n)th layer.例文帳に追加

これにより各記録層における記録時に、レーザ光が既にデータ記録が行われた記録層を通過することがないようにするとともに、記録完了後においては、データストリームの先頭から終端が、第１層から第ｎ層に向かって記録されている状態となるようにする。 - 特許庁

A back electrode 14 is formed on the second principal surface 20b such that it has contact with both the p-type collector area 9 and the n-type cathode region 10, and has a titanium layer 11, a nickel layer 12 and a gold layer 13 laminated in turn from the side of the second principal surface 20b.例文帳に追加

裏面電極１４は、ｐ型コレクタ領域９およびｎ型カソード領域１０との双方に接するように第２主面２０ｂ上に形成され、かつ第２主面２０ｂ側から順に積層されたチタン層１１、ニッケル層１２および金層１３を有している。 - 特許庁

In the light-emitting diode having an n-type semiconductor layer, an active layer consisting of thirty or fewer of quantum well layers, and a p-type semiconductor layer as a semiconductor multilayer structure on a substrate, a flat portion and a plurality of holes are formed on the surface of the semiconductor multilayer structure.例文帳に追加

基板上に少なくともｎ型半導体層、３０層以下の量子井戸層から成る活性層、ｐ型半導体層を半導体積層構造として有する発光ダイオードにおいて、半導体積層構造の表面に平坦部分と複数の穴を形成する。 - 特許庁

A laser chip 21 comprises a clad layer 23, an active layer 24, a clad layers 25 and a cap layer 26 or laminated on an n-type GaAs substrate 22, a top electrode 29 formed thereon via a strip-like perforated insulation film 27 and a bottom electrode 30 on the bottom surface.例文帳に追加

レーザチップ２１は、ｎ型ＧａＡｓ基板２２上にクラッド層２３，活性層２４，クラッド相２５，キャップ層２６を順次積層形成し、この上にストライプ状に開口した絶縁膜２７を介して上部電極２９を形成すると共に、下面に下部電極３０を形成する。 - 特許庁

A conductive composition contains a vehicle consisting of silver powder, lead-free glass powder containing Bi_2O_3, B_2O_3, ZnO and an alkaline earth metal oxide, and an organic, and forms the electrode 13 passing through a silicon nitride layer 11 to conduct with an n-type semiconductor layer 12 formed under the silicon nitride layer 11.例文帳に追加

導電性組成物は、銀粉末と、Ｂｉ_2Ｏ_3，Ｂ_2Ｏ_3，ＺｎＯ及びアルカリ土類金属酸化物を含む無鉛ガラス粉末と、有機物からなるビヒクルとを含み、窒化ケイ素層１１を貫通して窒化ケイ素層１１の下に形成されたｎ型半導体層１２と導通する電極１３を形成する。 - 特許庁

A light-emitting element 100 has a separate formation of LED structures, each composed of laminated semiconductor layers of an n-type semiconductor layer (LED structure) 20, an active layer (not shown) and a p-type semiconductor layer 3, respectively disposed in the vicinity of corners on one diagonal of a rectangular-shaped substrate 1.例文帳に追加

発光素子１００は、矩形状の基板１の一方の対角線上の角部近傍それぞれに、ｎ型半導体層（ＬＥＤ構造）２０、活性層（不図示）及びｐ型半導体層３を積層した半導体層で構成されるＬＥＤ構造を分離して形成してある。 - 特許庁

The pressure-sensitive adhesive sheet includes a substrate layer including a film which contains at least a urethane polymer, and a pressure-sensitive adhesive layer disposed on at least one side of the substrate layer, in which the pressure-sensitive adhesive sheet has residual stress of 23 N/cm or lower after having been held in a 10% elongated state for 60 seconds.例文帳に追加

粘着シートは、少なくともウレタンポリマーを含有するフィルムを備えた基材層と、少なくとも片面に粘着剤層とを有し、この粘着シートは１０％伸張した状態で６０秒間保持した後の残留応力が２３Ｎ／ｃｍ以下である。 - 特許庁

A CMOS circuit as this semiconductor device includes: (a) a substrate 100; (b) a p-type organic transistor PT including an organic semiconductor layer 106a; and (c) an n-type inorganic transistor NT including an inorganic semiconductor layer 126a formed in an upper layer of the p-type organic transistor PT.例文帳に追加

本発明の一形態の半導体装置としてのＣＭＯＳ回路は、（ａ）基板１００と、（ｂ）有機半導体層１０６ａを含むｐ型有機トランジスタＰＴと、（ｃ）ｐ型有機トランジスタＰＴの上層に設けられた無機半導体層１２６ａを含むｎ型無機トランジスタＮＴと、を備える。 - 特許庁

Although a stress warping a wafer is produced due to difference in coefficient of thermal expansion and difference in lattice constant between a sapphire substrate 10 and the n-contact layer 11 in formation of the light emitting layer 15, the insertion of the curvature lessening layer 12 causes a stress in the opposite direction to this stress.例文帳に追加

発光層１５の形成時において、サファイア基板１０とｎコンタクト層１１との熱膨張係数差、格子定数差によってウェハを反らせる応力が発生するが、湾曲緩和層１２を挿入したことにより、その応力とは反対方向に応力が生じる。 - 特許庁

To provide a nitrogen compound semiconductor light-emitting element with large emission intensity, which comprises an n-type layer composed of AlGaN, an active layer composed of AlGaInN, and a p-type layer, and emits ultraviolet light with an emission peak wavelength of 400 nm or less, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ＡｌＧａＮよりなるｎ型層、ＡｌＧａＩｎＮよりなる活性層、およびｐ型層を有し、発光ピーク波長が４００ｎｍ以下の紫外光を放射する、発光強度の大きい窒素化合物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The separator 12 formed in a plate shape with a conductive material is interposed between a fuel electrode layer 11b of the (i)th power generating cell 11 and an oxidizing electrode layer 11c of the (i+1)th power generating cell, adjacent to the fuel electrode layer 11b one by one and n pieces in total.例文帳に追加

ｉ番目の発電セル１１の燃料極層１１ｂとこの燃料極層に隣接する（ｉ＋１）番目の発電セルの酸化剤極層１１ｃとの間に、導電性材料により板状に形成されたセパレータ１２がそれぞれ１枚ずつ合計ｎ枚介装される。 - 特許庁

The organic photoelectric conversion element includes: a negative electrode; a positive electrode; a bulk heterojunction layer where a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material are mixed; and includes, between the bulk heterojunction layer and the negative electrode, at least a layer of a compound represented by the following general formula (1).例文帳に追加

陰極、陽極、およびｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が混合されたバルクヘテロジャンクション層を有する有機光電変換素子であって、前記バルクヘテロジャンクション層と前記陰極の間に、少なくとも下記一般式（１）で表される化合物層を有する。 - 特許庁

In a reflection preventing film wherein a plurality of inorganic optical films are laminated on a transparent plastic film base material through a hard coat layer and an antistaining layer is further provided thereon, the adhesion strength with solder of the surface of the antistaining layer of the reflection preventing film is 2.0 N/cm2 or more on an average.例文帳に追加

透明プラスチックフイルム基材上に、ハードコート層を介して、複数の無機光学薄膜を積層しさらに防汚層を設けた反射防止フイルムであって，該反射防止フイルムの防汚層面におけるハンダとの密着強度が平均値２．０Ｎ／ｃｍ^2以上である反射防止積層体。 - 特許庁

In the radiation image conversion panel which has a phosphor layer and a protective layer formed on it, the universal hardness on the surface of the protective layer is 53 N/mm^2 or more, the surface roughness of it is between 0.10 and 0.50 μm inclusive and the thickness of it ranges from 1 to 40 μm.例文帳に追加

蛍光体層およびその上に設けられた保護層を有する放射線像変換パネルにおいて、保護層の表面のユニバーサル硬度が５３Ｎ／ｍｍ^2以上で、表面粗さが０．１０乃至０．５０μｍの範囲にあり、そして層厚が１乃至４０μｍの範囲にある。 - 特許庁

An anode electrode 11 in an SBD 1 is formed on the barrier metal 12 in a way that it contacts the p poly-silicon layer 27 of the reverse connection diode 29, and an anode electrode 11a of the pn diode 2 is formed on the p^+-layer 24 in a way that it contacts the n poly-silicon layer 28 of the reverse connection diode 29.例文帳に追加

バリアメタル１２上に逆接ダイオード２９のｐポリシリコン層２７と接するようにＳＢＤ部１のアノード電極１１を形成し、ｐ^+ 層２４上に逆接ダイオード２９のｎポリシリコン層２８と接するようにｐｎダイオード部２のアノード電極１１ａを形成する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a translucent substrate 2; a laminate 6 that is formed on the substrate 2 to include a light emitting layer 4, a p-type semiconductor layer 5, and an n-type semiconductor layer 3; and a plurality of particles 9 that are scattered on the surface of the substrate 2 to have a particle diameter of 1 μm or less.例文帳に追加

半導体発光素子において、透光性を有する基板２と、基板２上に形成され、発光層４とＰ型半導体層５とＮ型半導体層３とを含む積層部６と、基板２の表面に散布され、粒径が１μｍ以下である複数の微粒子９と、を備える。 - 特許庁