「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(96ページ目) - Weblio英語例文検索

In this semiconductor device, an n-type InGaAlP layer is inserted between an InGaAs ohmic contact layer and an InAlAs Schottky contact layer to reduce an amount of band discontinuation of a conduction band of a hetero junction, thereby lower the source and drain resistances.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓオーミックコンタクト層とＩｎＡｌＡｓショットキーコンタクト層の間にｎ型ＩｎＧａＡｌＰ層を挿入することによって、ヘテロ接合の伝導帯のバンド不連続量を小さくし、ソース抵抗およびドレイン抵抗を低減した半導体素子を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor device including an Al_xGa_yIn_1-x-yN layer and an (Al, Ga, In)N quantum dot located on the Al_xGa_yIn_1-x-yN layer, the ratio of indium in the Al_xGa_yIn_1-x-yN layer is not zero (1-x-y≠0).例文帳に追加

Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_１−ｘ−ｙＮ層と、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_１−ｘ−ｙＮ層の上に配置された（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ量子ドットと、を備えた半導体デバイスにおいて、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_１−ｘ−ｙＮ層におけるインジウム比率がゼロではない（１−ｘ−ｙ≠０）。 - 特許庁

For the cold cathode electrode 10, as shown in the figure (b), a strong electric field drift layer 6 composed of an oxidized porous polycrystalline silicon layer is formed on the main surface side of an n-type silicon substrate 1, and a surface electrode 7 is formed on the strong electric field drift layer 6.例文帳に追加

冷陰極１０は、図１（ｂ）に示すように、ｎ形シリコン基板１の主表面側に酸化した多孔質多結晶シリコン層からなる強電界ドリフト層６が形成され、強電界ドリフト層６上に表面電極７が形成されている。 - 特許庁

The nitride semiconductor light emitting element is characterized in that a nitride semiconductor laminated structure including an n type nitride semiconductor layer (3), a nitride semiconductor light emitting layer (4) and a p type nitride semiconductor layer (5) which are sequentially laminated, a warpage prevention layer (9) and a support substrate (11), are joined in this order.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子は、順次積層されたｎ型窒化物半導体層（３）、窒化物半導体発光層（４）、およびｐ型窒化物半導体層（５）を含む窒化物半導体積層構造と、反り防止層（９）と、支持基板（１１）とがこの順に接合されていることを特徴としている。 - 特許庁

There are sequentially formed a buffer layer of BP material, a cubic-system p-type single crystal layer of BP material, a p-type group III nitride semiconductor crystal layer of hexagonal system, and an n-type group III nitride semiconductor crystal layer on a substrate comprising Si single crystal of p-type conductivity.例文帳に追加

ｐ形導電性のＳｉ単結晶からなる基板上に、ＢＰ系材料からなる緩衝層と、ＢＰ系材料からなる立方晶のｐ形単結晶層と、立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層と、六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層とを順次形成する。 - 特許庁

At arrangement of a via which reaches a fourth wiring layer 14 from a real terminal 21 of a first wiring layer 11, the number of layers N of a wiring layer comprising a wiring track in the direction orthogonal to that of the fourth wiring layer 14 is acquired between the first and fourth wiring layers 11 and 14.例文帳に追加

配線設計方法では、第１配線層１１の実端子２１から第４配線層１４に達するビアを配置するにあたって、第１及び第４配線層１１、１４間で、第４配線層１４における配線トラックと直交する方向の配線トラックを有する配線層の層数Ｎを求める。 - 特許庁

A second semiconductor laminate structure 20 is constituted by alternately laminating a set of semiconductor layers formed by laminating an n-type low refractive index layer 21 and a light absorption layer 22 in this order, and a set of semiconductor layers formed by laminating a p-type high refractive index layer 23 and the light absorption layer 22 in this order.例文帳に追加

第２半導体積層構造２０は、ｎ型低屈折率層２１および光吸収層２２をこの順に積層してなる一組の半導体層と、ｐ型高屈折率層２３および光吸収層２２をこの順に積層してなる一組の半導体層とを交互に積層して構成される。 - 特許庁

The light emitting diode has an SiC layer formed of a 6H type SiC single-crystal substrate doped with B and N, and a nitride semiconductor layer of ≤408 nm in light emission wavelength, and the SiC layer is excited with primary light from the nitride semiconductor layer to emit secondary light in the visible range.例文帳に追加

発光ダイオードにおいて、Ｂ及びＮがドーピングされた６Ｈ型ＳｉＣ単結晶蛍光体からなるＳｉＣ層と、発光波長が４０８ｎｍ以下である窒化物半導体層と、を備え、前記ＳｉＣ層は、前記窒化物半導体層からの１次光により励起され、可視領域の２次光を発するようにした。 - 特許庁

The GaN-based semiconductor laser element comprises: a nitride semiconductor layer that is formed above an n-type GaN substrate 10 and includes an active layer 14; a stripe-shaped waveguide structure formed in the nitride semiconductor layer; and a p-side electrode 22 that is formed above the nitride semiconductor layer and has wire-bond regions 22a.例文帳に追加

このＧａＮ系半導体レーザ素子は、ｎ型ＧａＮ基板１０上に形成され、活性層１４を含む窒化物半導体層と、窒化物半導体層に形成されたストライプ状導波路構造と、窒化物半導体層上に形成され、ワイヤボンド領域２２ａを有するｐ側電極２２とを備えている。 - 特許庁

A relatively thick third semiconductor layer 14 of n-type gallium nitride having a thickness of about 100 μm and a crystal defect density higher than that of each layer 11, 12, 13 constituting the device structure 20 is bonded onto the side of the second semiconductor layer 13 opposite to the emission layer 12.例文帳に追加

第２半導体層１３における発光層１２の反対側の面上には、厚さが約１００μｍと比較的に厚く、且つ結晶欠陥密度がデバイス構造体２０を構成する各半導体層１１、１２、１３よりも大きい、ｎ型窒化ガリウムからなる第３半導体層１４が接合されて形成されている。 - 特許庁

Each storage element 21 comprises: a P-type semiconductor layer 211P; N-type semiconductor layers 212N, 213N arranged in the semiconductor layer 211P and separated from each other; an electrode 215A electrically connected with the semiconductor layer 212N; and an electrode 215B electrically connected with the semiconductor layer 213N.例文帳に追加

各記憶素子２１は、Ｐ型の半導体層２１１Ｐと、半導体層２１１Ｐ内で互いに分離するように配設されたＮ型の半導体層２１２Ｎ，２１３Ｎと、半導体層２１２Ｎと電気的に接続された電極２１５Ａと、半導体層２１３Ｎと電気的に接続された電極２１５Ｂとを有する。 - 特許庁

This adhesive sheet is prepared by laminating an adhesive layer on a polyolefin-based base material layer and has 9.8-49 N/15 mm tensile stress of the polyolefin-based base material layer at 2% modules, 10-40 μm thickness of the adhesive layer and ≥80% gel fraction of the adhesive.例文帳に追加

ポリオレフィン系基材層に粘着剤層が積層されてなる粘着シートであって、ポリオレフィン系基材層の引張り応力が２％モジュラスにおいて９．８〜４９Ｎ／１５ｍｍであり、粘着剤層の厚みが１０〜４０μｍであり、該粘着剤のゲル分率が８０％以上である粘着シート。 - 特許庁

The micro-channel is formed with a type-N silicon layer 2 having, over the layer, a type-P silicon layer 3 of a thickness corresponding to the depth of a to-be-formed micro-channel by anodizing the type-P silicon layer 3 selectively and removing the porous silicon area 11 selectively with a gas or chemical.例文帳に追加

本発明のマイクロチャネルは、形成すべきマイクロチャネルの深さに相当する厚みのＰ型シリコン層３を上部に有するＮ型シリコン層２を用い、Ｐ型シリコン層３を選択的に陽極酸化した後、ガスまたは薬液を用いてポーラスシリコン領域１１を選択的に除去することによって製造する。 - 特許庁

The active layer 5, in which a light is generated by current injection is pinched by an N-type clad layer 4 and a P-type clad layer 6, whose band gap energy is larger than the active layer 5, which is composed of compound semiconductor containing Zn, O and group VI elements other than O.例文帳に追加

電流注入により発光する活性層５が、その活性層５よりバンドギャップエネルギーが大きい材料からなるｎ形クラッド層４およびｐ形クラッド層６により挟持される構造で、前記活性層５がＺｎと、Ｏと、Ｏ以外のVI族の元素を含む化合物半導体からなっている。 - 特許庁

An HFET 100 comprises, on an a-plane sapphire substrate 101 in a stripe shape, a buffer layer 102 composed of GaN having an m-plane as a primary surface, a channel layer 103 composed of non-doped GaN, a barrier layer 104 composed of non-doped AlGaN, and a carrier supply layer 105 composed of oxygen-doped n-AlGan.例文帳に追加

ＨＦＥＴ１００は、凹凸加工されたａ面サファイア基板１０１上に、ｍ面を主面とするＧａＮからなるバッファ層１０２、ノンドープのＧａＮからなるチャネル層１０３、ノンドープのＡｌＧａＮからなる障壁層１０４、酸素ドープのｎ−ＡｌＧａＮからなるキャリア供給層１０５を有している。 - 特許庁

The cohesive layer 15 is formed of a polyorganosiloxane-based silicone resin layer having a peel force between a surface of the base made of the rigid body and the cohesive layer of 10 mN/12.7 mm width or smaller and a shearing force for shifting the polishing pad from the surface of the base formed of the rigid body together with the cohesive layer of 1.0 N/cm^2 or larger.例文帳に追加

密着層１５は剛体製基台表面と密着層との剥離力が１０ｍＮ／１２．７ｍｍ幅以下で、前記剛体製基台表面から研磨パッドを密着層と供に平行にずらす剪断力が１．０Ｎ／ｃｍ^２以上であるポリオルガノシロキサン系シリコーン樹脂層で形成される。 - 特許庁

The photodiode unit PD includes a light reception portion 11 comprising an N conductivity type diffusion layer for accumulating signal charges obtained by photoelectrically converting incident light, and an accumulation layer 12 comprising a diffusion layer region (P-layer) of low impurity concentration having, for example, a P conductivity type for suppressing a dark current.例文帳に追加

フォトダイオード部ＰＤは、入射光を光電変換して得た信号電荷を蓄積するためのＮ導電型の拡散層からなる受光部１１と、暗電流を抑制するための、たとえばＰ導電型を有する低不純物濃度の拡散層領域（Ｐ−層）からなるアキューミュレーション層１２と、を有して構成されている。 - 特許庁

On a sapphire substrate 1, a transparent n-AlGaN first clad layer 6, a transparent MQW light-emitting layer 7 and a transparent p-AlGaN second clad layer 8 are continuously grown, and an opaque low-temperature growth layer 9 consisting of p-InGaN whose substrate temperature is 600-750°C is grown further thereon.例文帳に追加

サファイア基板１上に透明なｎ−ＡｌＧａＮ第１クラッド層６、透明なＭＱＷ発光層７および透明なｐ−ＡｌＧａＮ第２クラッド層８を連続的に成長させ、さらにこの上に、基板温度６００〜７５０℃でｐ−ＩｎＧａＮからなる不透明な低温成長層９を成長させる。 - 特許庁

The gate insulation film 13 is formed on the channel region 12 of a first conductivity (P type or N type) semiconductor layer 11; and a gate electrode 14 including a multilayer of a metallic member, a tantalum nitride layer 141, a tantalum layer 142 of body-centered cubic lattice phase, and a tantalum nitride layer 143 is provided on the gate insulation film 13.例文帳に追加

第１導電型（Ｐ型またはＮ型）の半導体層１１のチャネル領域１２上にゲート絶縁膜１３及びこのゲート絶縁膜１３上に金属部材、窒化タンタル層１４１、体心立方格子相のタンタル層１４２、窒化タンタル層１４３の積層を含むゲート電極１４が構成されている。 - 特許庁

As for the hard coat film for laminating a hard coated layer on a transparent film base material, the Martens hardness (HMs) of the surface of the hard coat layer, when pressing the surface of the hard coat layer with a micro hardness tester, be 200-300 N/mm^2, and the refractive index of the hard coat layer is 1.60 or smaller.例文帳に追加

透明フィルム基材上にハードコート層が積層されたハードコートフィルムで、ハードコート層表面を微小硬度計で押し込んだときのハードコート層表面のマルテンス硬さ（ＨＭｓ）が、２００Ｎ／ｍｍ^２以上、３００Ｎ／ｍｍ^２以下を有するとともに、ハードコート層の屈折率が、１．６０以下である。 - 特許庁

A semiconductor laminated part 12 including the light-emitting layer forming unit 11 having at least an n-type layer 2 and a p-type layer 4 is provided on a semiconductor substrate 1, a current-blocking layer 7 partly provided on a surface and a current diffusion electrode 8 is further provided on the entire surface of the substrate, and a bonding electrode 9 is provided on the substrate.例文帳に追加

半導体基板１上に、少なくともｎ形層２とｐ形層４とを有する発光層形成部１１を含む半導体積層部１２が設けられ、その表面に電流阻止層７が部分的に、さらに電流拡散用電極８が全面に設けられ、その上にボンディング用電極９が設けられている。 - 特許庁

A gate insulation film 13 is formed on the channel region 12 of a first conductivity (P type or N type) semiconductor layer 11; and a gate electrode 14 including a multilayer of a tantalum nitride layer 141, a tantalum layer 142 of body-centered cubic lattice phase, and a tantalum nitride layer 143 is formed on the gate insulation film 13.例文帳に追加

第１導電型（Ｐ型またはＮ型）の半導体層１１のチャネル領域１２上にゲート絶縁膜１３及びこのゲート絶縁膜１３上に窒化タンタル層１４１、体心立方格子相のタンタル層１４２、窒化タンタル層１４３の積層を含むゲート電極１４が構成されている。 - 特許庁

To provide a multilayer wiring board with a buildup structure and a method for manufacturing it by which connection between the first layer and the third layer and between the nth layer and the (n-1)th layer can be performed in high density and with a small number of steps and a structure of the multilayer wiring board which causes no blowing up of solder can be obtained.例文帳に追加

ビルドアップ構造の多層配線基板において、１層と３層、ｎ層と（ｎ−１）層間の接続を高密度に、かつ少ない工程数で行うことができると共に、半田のふき上がりが発生しない構造の多層配線基板を得ることができる多層配線基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor provided with an intermediate layer between a conductive supporting body and a photoreceptive layer, the conductive supporting body is the flexible belt type supporting body, and also, the intermediate layer is an insulating layer containing N type semiconductive particles and binder, and also, provided with Benard cell formed.例文帳に追加

導電性支持体と感光層の間に中間層を有する電子写真感光体において、該導電性支持体が可撓性のベルト支持体であり、且つ中間層がＮ型半導性粒子とバインダーを含有し、且つベナードセルが形成された絶縁層であることを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor has a photosensitive layer formed by mixing fine powder 1 of a P-type semiconductor with fine powder 2 of an N-type semiconductor and shaping the mixture into a thin layer with a binder having ≥1013 Ω-cm volume resistivity and a transparent high electric insulating layer attached to the surface of the photosensitive layer in one body.例文帳に追加

電子写真感光体は、Ｐ型半導体微粉体１とＮ型半導体微粉体２を混合し１０^^13Ω-cm 以上の体積固有抵抗を持つバインダーで薄層化した感光層と、この感光層の表面に一体的に取り付けられた透明な電気高絶縁層とを有するものである。 - 特許庁

A hole injection layer 7, an α-NPD vapor deposited film 8, an n-doped electron transportation layer 11 and a p-doped hole transportation layer 12 which are patterned to the same size as a B sub-pixel, a DNA vapor deposited film 13, an electron injection layer 14 and an upper electrode 15 are formed on a lower electrode 5 in the B sub-pixel.例文帳に追加

Ｂサブ画素において、下部電極５の上に、正孔注入層７、α−ＮＰＤ蒸着膜８、Ｂサブ画素と同等のサイズにパターニングしたｎドープ電子輸送層１１及びｐドープ正孔輸送層１２、ＤＮＡ蒸着膜１３、電子注入層１４、上部電極１５を形成する。 - 特許庁

The optical fiber 14 has a glass optical fiber 11 and a two-layered coating layer comprising at least a soft layer 12 and a hard layer 13 covering the outer periphery of the glass optical fiber 11, and limit adhesion strength between the glass optical fiber 11 and the coating layer in a wet heat environment is ≥0.50 N/10 mm.例文帳に追加

光ファイバ１４は、ガラス光ファイバ１１と、該ガラス光ファイバ１１の外周に被覆された少なくとも軟質層１２と硬質層１３の２層の被覆層と、を有し、湿熱下における前記ガラス光ファイバ１１と前記被覆層の限界密着力を０．５０Ｎ／１０ｍｍ以上としたことを特徴とする。 - 特許庁

Since the content of N in the epitaxial growth layer is different between an epitaxial growth layer on the slope and that on the (001) plane, the band gap wavelength and refractive index of the epitaxial growth layer are different between the epitaxial growth layer on the slope and that on the (001) plane.例文帳に追加

エピタキシャル成長層中のＮの含有量が、傾斜面上のエピタキシャル成長層と、（００１）面上のエピタキシャル成長層との間で異なっていることにより、エピタキシャル成長層のバンドギャップ波長及び屈折率が、傾斜面上のエピタキシャル成長層と、（００１）面上のエピタキシャル成長層との間で異なっている。 - 特許庁

To provide a method of highly efficiently manufacturing a nitride semiconductor device provided with an n-type contact layer doped with a donor by preventing the occurrence of abnormal growth in growing a nitride semiconductor layer heavily doped with the donor on a nitride semiconductor layer having donor concentration lower than that of the heavily-doped semiconductor layer.例文帳に追加

ドナーを高濃度にドープした窒化物半導体層を、それよりも低いドナー濃度を有する窒化物半導体層の上に成長する際の、異常成長の発生を防止し、それによって、ドナーをドープしたｎ型コンタクト層を備えた窒化物半導体素子を効率よく製造することのできる方法を提供する。 - 特許庁

The diode element comprises a P type silicon layer 3 formed at a part positioned in an underlayer of the partial separation insulating film 4 in the active region 30, and a P type diffusion layer 5 and an N type diffusion layer 6 formed to reach the buried insulating film 2 while sandwiching the partial separation insulating film 4 and the P type silicon layer 3.例文帳に追加

ダイオード素子は、活性領域３０における部分分離絶縁膜４の下層に位置する部分に形成されるＰ型シリコン層３と、埋込み絶縁膜２に達し、部分分離絶縁膜４およびＰ型シリコン層３を挟むように形成された、Ｐ型拡散層５およびＮ型拡散層６とを有する。 - 特許庁

The second switch SW2 includes a second diffusion layer region 14 of a second conductive n-type formed on the substrate 15, a third diffusion layer region 11a of the first conductive p-type surrounded by the second diffusion layer region 14, and a second MOS transistor 10a formed on the second diffusion layer region 11a.例文帳に追加

第２スイッチＳＷ２は、基板１５上に形成された第２導電型Ｎの第２拡散層領域１４と、第２拡散層領域１４に囲まれた第１導電型Ｐの第３拡散層領域１１ａと、第２拡散層領域１１ａ上に形成された第２ＭＯＳトランジスタ１０ａとを備える。 - 特許庁

A photodiode small in junction capacity is made of an N-type epitaxial layer 6 and a P-type epitaxial layer 3, and the photodiode is surrounded by a P+-type buried isolated diffused layer 4 and a P-type isolated diffused layer 7 and electrically isolated from a signal processing circuit including a MOS structure of transistor.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層６とＰ型エピタキシャル層３とにより接合容量の小さいフォトダイオードが形成され、そのフォトダイオードが、Ｐ^+型埋め込み分離拡散層４およびＰ型分離拡散層７によって取り囲まれて、ＭＯＳ構造のトランジスタを含む信号処理回路と電気的に分離される。 - 特許庁

The second clad layer 109 and the p-type ZnO contact layer 110 are formed to have mesa-shaped cross sections which are made wider on the second clad layer 109 side than the p-type ZnO contact layer 110 side in the direction parallel to the surface of the n-type ZnO single-crystal substrate 101.例文帳に追加

上記ｐ型ＭｇＺｎＯ第２クラッド層１０９およびｐ型ＺｎＯコンタクト層１１０は、ｎ型ＺｎＯ単結晶基板基板１０１の表面と平行な方向の断面が、ｐ型ＺｎＯコンタクト層１１０側よりもｐ型ＭｇＺｎＯ第２クラッド層１０９側で広いメサ形状になっている。 - 特許庁

A p type semiconductor base layer 16 is formed on the pillar layer and trenches reaching the tapered n type pillar layer 15 are provided in the p type semiconductor base layer 16 while spaced apart equally and then a gate electrode 18 composed of polysilicon, or the like, is buried in the trench through an insulating film 17.例文帳に追加

このピラー層の上には、ｐ型の半導体ベース層１６が形成されており、この半導体ベース層１６は、テーパ状に形成されｎ型ピラー層１５に達するトレンチを等間隔に有しており、このトレンチに絶縁膜１７を介してポリシリコン等からなるゲート電極１８が埋め込まれている。 - 特許庁

The transparent conductive layer 106 is preferably made of a conductive metal oxide or n-type nitride semiconductor, and the reflective layer 105 made of the dielectric preferably has a laminate structure formed by laminating a layer made of a dielectric having a high refractive index and a layer made of a dielectric having a low refractive index alternately.例文帳に追加

透明導電層１０６は、導電性金属酸化物またはｎ型窒化物半導体からなることが好ましく、誘電体からなる反射層１０５は、高屈折率を有する誘電体からなる層と低屈折率を有する誘電体からなる層とを交互に積層させた積層構造を有することが好ましい。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor having an intermediate layer between an electrically conductive support and a photosensitive layer, the intermediate layer is an insulating layer containing n-type semiconductive particles and a binder and having formed Benard convection cells.例文帳に追加

導電性支持体と感光層の間に中間層を有する電子写真感光体において、前記導電性支持体の表面粗さＲｚが０．２〜２．０μｍであり、中間層がＮ型半導性粒子とバインダーを含有し、且つベナードセルが形成された絶縁層であることを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

In a photovoltaic device with an i-type microcrystal silicon semiconductor film present as a power generating layer 6 between an n-type semiconductor layer 5 and a p-type semiconductor layer 8, the power generating layer 6 contains carbon of concentration of ≥7×10^19atom/cc and ≤1.7×10^20atom/cc.例文帳に追加

この発明は、ｎ型半導体層５とｐ型半導体層８の間にｉ型微結晶シリコン半導体膜が発電層６として存在する光起電力装置において、前記発電層中６に７×１０^19ａｔｏｍ／ｃｃ以上１．７×１０^20ａｔｏｍ／ｃｃ以下の濃度の炭素を含有させる。 - 特許庁

A relatively thick third semiconductor layer 14 of n-type gallium nitride having a thickness of approximately 100 μm and a crystal defect density higher than that of each layer 11, 12, 13 constituting the device structure 20 is bonded on the side of the second semiconductor layer 13 opposite to the emission layer 12.例文帳に追加

第２半導体層１３における発光層１２の反対側の面上には、厚さが約１００μｍと比較的に厚く、且つ結晶欠陥密度がデバイス構造体２０を構成する各半導体層１１、１２、１３よりも大きい、ｎ型窒化ガリウムからなる第３半導体層１４が接合されて形成されている。 - 特許庁

The drift layer 21 is configured by a first region 21A having an N type impurity concentration peak region P1, and a second region 21B being adjacent to the first region 21A and having an N type impurity concentration peak region P2 at a position deeper than that of the N type impurity concentration peak region P1.例文帳に追加

このドリフト層２１は、Ｎ型不純物濃度のピーク領域Ｐ１を有した第１の領域２１Ａと、この第１の領域２１Ａに隣接し、Ｎ型不純物濃度のピーク領域Ｐ１よりも深い位置にＮ型不純物濃度のピーク領域Ｐ２を有した第２の領域２１Ｂとにより構成されている。 - 特許庁

The cord for reinforcing the rubber articles, has an M+N layer twist structure, wherein the M core filaments are composed of preferably organic fiber filaments, and the N sheath filaments are composed of preferably non-magnetic metal filaments, or the M core filaments are composed of preferably non-magnetic filaments, and the N sheath filaments are composed of preferably organic filaments.例文帳に追加

また、ゴム物品補強用コードはＭ＋Ｎの層撚り構造を有し、Ｍ本のコアフィラメントが有機繊維フィラメントからなり、Ｎ本のシースフィラメントが非磁性金属フィラメントからなる、または、Ｍ本のコアフィラメントが非磁性金属フィラメントからなり、Ｎ本のシースフィラメントが有機繊維フィラメントからなることが好ましい。 - 特許庁

and Δd 0.92/n in the case of a film thickness of 7.55/n≤d≤20 (wherein n is a refractive index in the coating layer of the coating material).例文帳に追加

Δｄ≦０．２２／ｎ…（１） （０．１１／ｎ≦ｄ＜７．５５／ｎの膜厚の場合） Δｄ≦０．９２／ｎ…（２） （７．５５／ｎ≦ｄ≦２０の膜厚の場合） ｄ：被覆材料の被覆層の任意の位置における膜厚（μｍ） Δｄ：被覆材料の被覆層のその位置における１ｃｍ当たりの膜厚差（μｍ／ｃｍ） ｎ：被覆材料の被覆層における屈折率 - 特許庁

In the high-voltage semiconductor device (horizontal IGBT), an N-type drift region 104 and a P-type body region 105 are formed in an SOI layer 103, an N-type emitter region 106 is formed in the body region 105, and an N-type buffer region 115 and a P-type collector region 116 are formed in the drift region 104.例文帳に追加

高耐圧半導体装置（横型ＩＧＢＴ）において、ＳＯＩ層１０３内にＮ型ドリフト領域１０４、Ｐ型ボディ領域１０５が形成され、ボディ領域内１０５内にＮ型エミッタ領域１０６、ドリフト領域１０４内にＮ型バッファ領域１１５とＰ型コレクタ領域１１６が形成される。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a p-type semiconductor layer 12, an n-type source region 13, an insulator 23, an n-type semiconductor region 20, an n-type drain region 14, a p-type channel region 12a, a gate insulating film 15, a gate electrode 16, a source electrode 18, a drain electrode 19, and an electrode 21.例文帳に追加

半導体装置は、ｐ形半導体層１２と、ｎ形のソース領域１３と、絶縁体２３と、ｎ形半導体領域２０と、ｎ形のドレイン領域１４と、ｐ形のチャネル領域１２ａと、ゲート絶縁膜１５と、ゲート電極１６と、ソース電極１８と、ドレイン電極１９と、電極２１とを備える。 - 特許庁

The organic electroluminescent device holds at least one layer containing at least one compound represented by formula (1), (wherein, X represents a substituted or unsubstituted N-carbazolyl group, substituted or unsubstituted N-phenoxazinyl group or substituted or unsubstituted N- phenothiazinyl group, and Ar1 and Ar2 independently represent a substituted or unsubstituted biphenyl group or substituted or unsubstituted naphthyl group), between a pair of electrodes.例文帳に追加

（式中、Ｘは置換または未置換の−Ｎ−カルバゾリイル基、置換または未置換の−Ｎ−フェノキサジニイル基、あるいは、置換または未置換の−Ｎ−フェノチアジニイル基を表し、Ａｒ_1 およびＡｒ_2 はそれぞれ独立に、置換または未置換のビフェニル基、あるいは、置換または未置換のナフチル基を表す） - 特許庁

The magnetoresistance RAM comprises a plurality of P-N diodes formed in a plurality of N^+-type regions in a semiconductor substrate, a barrier conductive layer, the MTJ and the word line laminated on a P-type impurity region to an MRAM cell array so that one end of the N^+-type region is coupled to a bit line, and the other end is connected to the cell plate via a diode.例文帳に追加

半導体基板内の複数のＮ＋領域に複数のＰ−Ｎダイオードを形成し、Ｐ型不純物領域の上に、バリヤー導電層、ＭＴＪ、及びワードラインを積層してＭＲＡＭセルアレイとし、Ｎ＋領域の一端はビットラインと連結し、他端はダイオードを介してセルプレートと接続する。 - 特許庁