「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(97ページ目) - Weblio英語例文検索

In the head developable photographic sensitive material with at least two subbing layers on at least one face of the polyester support, the elastic modulus of the lowest subbing layer is ≥1×109 N/m2 and that of the top subbing layer is <1×109 N/m2.例文帳に追加

ポリエステル支持体の少なくとも一方の面に少なくとも２層の下引き層を有する熱現像写真感光材料において、下引き最下層の弾性率が１×１０^^9Ｎ／ｍ^2以上であり、かつ下引き最上層の弾性率が１×１０^9Ｎ／ｍ^2未満であることを特徴とする熱現像写真感光材料。 - 特許庁

Since the upper region 3a of the p-type diffusion layers 3 is made narrow, a contact part of the n^--type epitaxial layer 2 with a Schottky electrode 5 is widened and contact resistance between the n^--type epitaxial layer 2 and the Schottky electrode 5 can be reduced while increasing a current passage resulting in low ON resistance.例文帳に追加

また、ｐ型拡散層３の上部領域３ａの幅を狭くしてあるため、ｎ^-型エピ層２のうちショットキー電極５との接触部位を広くとれ、ｎ^-型エピ層２とショットキー電極５との接触抵抗を低減および電流経路の増大を図ることができ、低オン抵抗化を図ることができる。 - 特許庁

The noise cancelling circuit has a noise cancelling element 22 having a gate electrode F formed on an N-type semiconductor layer and an adjacent inter-element isolating region L via a gate insulting film 32 and connected to a gate electrode C of an N-ch MOSFET 4 and a P-type semiconductor layer connected to an output wire D.例文帳に追加

ノイズキャンセル回路は、ゲート絶縁膜３２を介してＮ型半導体層及び隣接する素子間分離領域Ｌ上に形成され、Ｎｃｈ−ＭＯＳＦＥＴ４のゲート電極Ｃに接続されるゲート電極Ｆと、出力配線Ｄに接続されるＰ型半導体層とを備えるノイズキャンセル素子２２を有している。 - 特許庁

In the nitride semiconductor light emitting diode element 10, a plurality of stripe-shaped trenches T10 are arranged in parallel to each other and formed on a crystal growing face of a sapphire substrate 11, a nitride semiconductor layer N is formed thereon so as to bury the trenches T10, and the nitride semiconductor layer N contains a pn junction which emits a light.例文帳に追加

窒化物半導体発光ダイオード素子１０において、サファイア基板１１の結晶成長面には平行に並んだストライプ状の溝Ｔ１０が複数形成され、その上には溝Ｔ１０を埋めるように窒化物半導体層Ｎが形成され、窒化物半導体層Ｎは発光するｐｎ接合部を含んでいる。 - 特許庁

The field-effect transistor (142) includes a p-type low concentration region 110 formed over a surface of a substrate (102), an n-type drain-side diffusion region 112 and an n-type source-side diffusion region 114 formed over a surface of the p-type low concentration region 110, an element isolation insulating layer 132, and an element isolation insulating layer 134.例文帳に追加

電界効果トランジスタ（１４２）は、基板（１０２）表面に形成されたｐ型低濃度領域１１０と、ｐ型低濃度領域１１０表面に設けられたｎ型ドレイン側拡散領域１１２およびｎ型ソース側拡散領域１１４と、素子分離絶縁膜１３２および素子分離絶縁膜１３４とを含む。 - 特許庁

The silicone rubber sheet composite is proposed, which has structure in which an adhesive layer comprising a cured product of a composition containing a polyorganosiloxane is laminated on at least one side of a silicone rubber sheet, wherein 180° peel adhesive force of the adhesive layer surface to a glass plate is not less than 0.2 N/25 mm and less than 3.0 N/25 mm.例文帳に追加

シリコーンゴムシートの少なくとも片面側に、ポリオルガノシロキサンを含有する組成物の硬化物から成る粘着層が積層された構成を有し、該粘着層面のガラス板に対する１８０°剥離粘着力が０．２以上３．０Ｎ／２５ｍｍ未満であることを特徴とするシリコーンゴムシート複合体を提案する。 - 特許庁

An SOI semiconductor device has a built-in insulating film 2 (built-in silicon oxide film) formed on a semiconductor substrate 1, an SOI substrate 30 having an n^--type semiconductor layer 3 formed on the built-in insulating film 2, and a plurality of semiconductor devices 40 formed on the n^--type semiconductor layer 3.例文帳に追加

ＳＯＩ型半導体装置は、半導体基板１の上に形成された埋込絶縁膜２（埋込シリコン酸化膜）と、埋込絶縁膜２の上に形成されたＮ^−型半導体層３とを含むＳＯＩ基板３０と、Ｎ^−型半導体層３に形成された複数の半導体素子４０とを有している。 - 特許庁

In the semiconductor device which includes an HCBT 100 having an N-hill layer 11 on an Si substrate 1 and an open region 21 opened to a shallow trench isolation 6 as an element isolation region surrounding the N-hill layer 11; amorphous Si films 30, 31 having no surface orientation are formed on the open region 21.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上のＮ−ｈｉｌｌ層１１と、Ｎ−ｈｉｌｌ層１１を囲む素子分離領域であるシャロートレンチアイソレーション６に開口されたオープン領域２１と、を備えたＨＣＢＴ１００を含む半導体装置において、オープン領域２１上に面方位のないアモルファスＳｉ膜３０，３１を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device has silicon substrates (N-type well 8 and P-type well 9), on which a trench 2 is formed and impurity regions (N-type well contact diffusion layer region 4 and P-type well contact diffusion layer region 6) that are conductive, similar to the well and is formed so as to be more heavily concentrated across the area, from the side surface of the trench 2 to the silicon substrate surface.例文帳に追加

半導体装置は、トレンチ２が形成されたシリコン基板（Ｎウェル８、Ｐウェル９）と、トレンチ２の側面からシリコン基板表面にかけて、ウェルと同じ導電型で、当該ウェルより高濃度で形成された不純物領域（Ｎ型ウェルコンタクト拡散層領域４、Ｐ型ウェルコンタクト拡散層領域６）と、を備える。 - 特許庁

The visible-light response type photocatalyst has a p-type organic semiconductor and a n-type organic semiconductor, wherein the photocatalyst consists of a three-layer structure in which the p-type organic semiconductor and the n-type organic semiconductor are laminated on an adsorption material layer in this order.例文帳に追加

ｐ型有機半導体とｎ型有機半導体と吸着材とを含有する可視光応答型光触媒であり、具体的には、吸着材層上に、ｐ型有機半導体層及びｎ型有機半導体層がこの順に積層した三層構造を有する可視光応答型光触媒に関する。 - 特許庁

Then, the imaging portion 10A has a plurality of pixels 10 each of which contains a first n-type impurity layer formed near the imaging surface of the p-type Si substrate, is generated in the p-type Si substrate by photoelectric conversion, and outputs a pixel signal showing electric charges accumulated in the first n-type impurity layer.例文帳に追加

そして、撮像部１０Ａは、このｐ型Ｓｉ基板の撮像面近傍に形成された第１のｎ型不純物層を各々含み、光電変換によりｐ型Ｓｉ基板内に生成され、第１のｎ型不純物層に蓄積された電荷を示す画素信号を各々出力する複数の画素１０を有する。 - 特許庁

Preferably, the extensible film has an elastic modulu of less than 1×10^9 N/m^2, the adhesive layer comprises a radiation curing adhesive, and the heat-shrinkable film and the extensible film are stacked via an adhesive layer having an elastic modulus of not less than 1.0×10^5 N/m^2.例文帳に追加

また、前記伸張可能なフィルムの弾性率が１×１０^9Ｎ／ｍ^2未満であること、前記粘着剤層が放射線硬化型粘着剤からなること、収縮性フィルムと伸張可能なフィルムとが、１．０×１０^5Ｎ／ｍ^2以上の弾性率を有する接着剤層を介して積層されてなることが好ましい。 - 特許庁

The surface of the n-type silicon well region 11 wherein the impurity diffusion regions 12, 13 are formed is covered with a layer insulation film 15, and a metallic wiring layer 21 extended to a boundary line of the n-type impurity diffusion region 13 is formed thereon and is electrically connected to the p-type impurity diffusion region 12.例文帳に追加

不純物拡散領域１２，１３が形成されたＮ型シリコンウエル領域１１の表面を層間絶縁膜１５で覆い、この上にＮ型不純物拡散領域１３の境界線まで広げたメタル配線層２１を形成し、これをＰ型不純物拡散領域１２に電気的に接続する。 - 特許庁

At least one semiconductor element having an n- polysilicon layer 4 and an n+ type polysilicon layer 5 is formed within an interlayer insulating film 2 as electrically insulated therefrom, and surfaces of the semiconductor elements are mutually connected by means of their electrodes (upper electrode 6 or lower electrode 3).例文帳に追加

層間絶縁膜２内にｎ^-型ポリシリコン層４およびｎ^+型ポリシリコン層５から成る少なくとも１つの半導体素子が電気的に絶縁されて形成されるとともに、各半導体素子のそれぞれの表面が、それぞれ電極（上部電極６または下部電極３）によって相互に接続されている。 - 特許庁

On a surface of an n^+ type epitaxial layer 8 on a principal surface of a p^++ type high-concentration substrate 7, p^++ type semiconductor regions 12, p^++ type semiconductor regions 13 and p^++ type semiconductor regions 14 are formed to form two zener junctions by the n^+ type epitaxial layer 8 and the p^++ type semiconductor regions 12 and 13.例文帳に追加

ｐ^＋＋型高濃度基板７の主面上のｎ^＋型エピタキシャル層８の表面にｐ^＋＋型半導体領域１２、ｐ^＋＋型半導体領域１３およびｐ^＋＋型半導体領域１４を形成し、ｎ^＋型エピタキシャル層８とｐ^＋＋型半導体領域１２、１３とによる２つのツェナー接合を形成する。 - 特許庁

This adhesive tape for can sealing is prepared by laminating a rubber adhesive layer on one side of a polyolefin resin substrate layer, and has an adhesive force measured by 180 degree peeling method based upon JIS Z-0237 of not lower than 2 N/cm and a high speed winding back force of 1.5-4 N/cm.例文帳に追加

ポリオレフィン系樹脂基材層の一方の面にゴム系粘着剤層が積層されてなり、且つ、ＪＩＳ Ｚ−０２３７に準拠して１８０度ひきはがし法で測定された粘着力が２Ｎ／ｃｍ以上であり、高速巻戻し力が１．５〜４Ｎ／ｃｍであることを特徴とする封缶用粘着テープ。 - 特許庁

The photodiode array PDA1 includes: a p^--type semiconductor layer 33 formed on an n-type semiconductor layer 32; a resistor 24 that is provided for each light detection channel CH and has one edge connected to a signal conductor 23; and an n-type isolation section 40 formed among the plurality of light detection channels CH.例文帳に追加

フォトダイオードアレイＰＤＡ１は、ｎ型半導体層３２上に形成されたｐ^−型半導体層３３と、光検出チャンネルＣＨ毎に設けられると共に信号導線２３に一端部が接続される抵抗２４と、複数の光検出チャンネルＣＨの間に形成されるｎ型の分離部４０とを備える。 - 特許庁

In a recess 11a of a sapphire substrate 11 to which rugged working is applied, an n-type GaN layer 12 is made to grow through a state that it has a triangular cross-sectional shape with a bottom surface as a base so as to fill up this recess 11a, and lateral growth is then performed from this n-type GaN layer 12 onto a protrusion 11b.例文帳に追加

凹凸加工を施したサファイア基板１１の凹部１１ａに、その底面を底辺とする三角形の断面形状となる状態を経てｎ型ＧａＮ層１２を成長させることによりこの凹部１１ａを埋めた後、このｎ型ＧａＮ層１２から凸部１１ｂ上に横方向成長を行う。 - 特許庁

Also, by forming a low resistance layer on a layer having a different N concentration composed of the same metal, the resistance of the n-type gate electrode and the p-type gate electrode is decreased while controlling a work function of them, and the CMOS field effect semiconductor device of further high performance is provided.例文帳に追加

また、そのように同一のメタルで構成されたＮ濃度の異なる層上に低抵抗層を形成することにより、ｎ型ゲート電極とｐ型ゲート電極の仕事関数を制御しつつそれらの低抵抗化を図ることが可能になり、より高性能のＣＭＯＳ電界効果半導体装置が実現可能になる。 - 特許庁

An n-type and a p-type inorganic semiconductor layer having a band structure are used as transportation layers 12 and 14 for transporting the carriers introduced from an n-electrode 11 and a p-electrode 15 into an active layer 13 consisting of quantum dots, and so sufficient carriers can be introduced and consumption power can be reduced.例文帳に追加

ｎ電極１１及びｐ電極１５から注入されたキャリアを量子ドットでなる活性層１３へ輸送する輸送層１２及び１４として、バンド構造を有するｎ型及びｐ型の無機半導体層が用いられているので、十分にキャリアを注入することができ、低消費電力化を図ることができる。 - 特許庁

In this semiconductor Hall sensor, for example, an active layer 2 of N-type silicon is provided, in an island-separated manner, on a semiconductor substrate 1 of P-type silicon, and input-voltage contact layers 3a, 3b of N+ silicon and input-voltage electrodes 6a, 6b are provided on lengthwise both end parts of the active layer 2, respectively.例文帳に追加

本発明の半導体ホールセンサーでは、例えばＰ型シリコンの半導体基板１上に、Ｎ型のシリコンの能動層２が島分離されて設けられており、この能動層２の長手方向の両端部に、Ｎ^+ シリコンの入力電圧コンタクト層３ａ、３ｂと入力電圧電極６ａ、６ｂがそれぞれ設けられている。 - 特許庁

The gas barrier laminate is formed by making the layer 2 comprising the metal or the inorganic compound and the layer 3 consisting of the organic compound overlie in order at least one surface of the polymer film base material 1, and characterised in that these layers contain an organosilane expressed by general formula R^1_nSi(OR^2)_4-n.例文帳に追加

高分子フィルム基材１の少なくとも一方の面に、金属または無機化合物からなる層２、及び有機化合物からなる層３を真空蒸着により順次積層してなるガスバリア性積層体であって、これらの層に、一般式Ｒ^1_nＳｉ（ＯＲ^2）_4-nで表されるオルガノシランを含有することを特徴とする。 - 特許庁

The n^- semiconductor layer 3 in the high-potential island area 101 is connected with that in the low-potential island area 104 by means of that in the slit area 105, and the n^- semiconductor layer 3 in the high-potential island area 101 is provided with a logic circuit 103.例文帳に追加

高電位島領域１０１におけるｎ^-半導体層３と、低電位島領域１０４におけるｎ^-半導体層３とは、スリット領域１０５におけるｎ^-半導体層３によって接続されており、高電位島領域１０１におけるｎ^-半導体層３にはロジック回路１０３が形成されている。 - 特許庁

For the logic part of a logic-DRAM mixed LSI, a plurality of contact holes 11a-11c, which reach the n+-type semiconductor layer constituting a source, and a plurality of contact holes 11d-11f, which reach the n+-type semiconductor region constituting a drain, are opened in the insulating layer made on the gate electrode 5 of a MISFET.例文帳に追加

ロジック−ＤＲＡＭ混載ＬＳＩのロジック部は、ＭＩＳＦＥＴのゲート電極５の上層に形成された絶縁層に、ソースを構成するｎ^+型半導体領域に達する複数のコンタクトホール１１ａ〜１１ｃと、ドレインを構成するｎ^+型半導体領域に達する複数のコンタクトホール１１ｄ〜１１ｆとが開孔される。 - 特許庁

To provide a microscopic crystal silicon thin film solar battery, which can be formed using a deposition process that can be utilized at this point of time by forming an n-type hydrogenated amorphous silicon layer on the side of the reflection electrode of the n-type hydrogenated microscopic crystal silicon layer, and improved output characteristic can be exhibited.例文帳に追加

ｎ型水素化微結晶シリコン層の反射電極側にさらにｎ型水素化アモルファスシリコン層を形成することによって、現時点で利用可能な堆積プロセスを使用して形成されることができる、改善された出力特性を発揮できる微結晶シリコン薄膜太陽電池を提供する。 - 特許庁

A DFB laser device 100 is provided with an n-type InP substrate 101, V grooves 102 having specific periods, diffraction regions 103 composed of InNAsP and formed so as to be padded in respective V grooves 102, an n-type InP clad layer 104, an active region 105, and a p-type In clad layer 106.例文帳に追加

ＤＦＢレーザ装置１００は、ｎ型ＩｎＰ基板１０１と、特定周期を有するＶ溝１０２と、各Ｖ溝を埋め込むように形成されたＩｎＮＡｓＰからなる回折領域１０３と、ｎ型ＩｎＰクラッド層１０４と、活性領域１０５と、ｐ型Ｉｎクラッド層１０６とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor laser element is provided with a semiconductor laminate consisting of a compound semiconductor layer of AlGaIn base having a step-like structure on an n-type GaN substrate using a (0001) surface as a substrate surface, and having an active layer containing two kinds of group III elements including In and a group V element including N.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、（０００１）面を基板面とするｎ型ＧａＮ基板上にステップ状構造を備えると共に、ｎを含む２種類のＩＩＩ族元素及びＮを含むＶ族元素を含む活性層を有するＡｌＧａＩｎＮ系の化合物半導体層からなる半導体積層体を備えている。 - 特許庁

In the solar cell 10, a p-type electrode 15 is disposed in a first trench 13a formed in a first insulating layer 13, and is contact with a p-type region 11a, while a n-type electrode 16 is disposed in a second trench 14a formed in a second insulating layer 14, and is in contact with a n-type region 11b.例文帳に追加

太陽電池１０において、ｐ側電極１５は、第１絶縁層１３に形成された第１溝部１３ａに配設されてｐ型領域１１ａと接触しており、ｎ側電極１６は、第２絶縁層１４に形成された第２溝部１４ａに配設されてｎ型領域１１ｂに接触する。 - 特許庁

A gate electrode 6, a gate electrode cover nitride film 5, and a nitride film side wall 8 are formed on a substrate 1, an n--type semiconductor region 7 and a n+-type semiconductor region diffusion layer 9 are formed on the surface region of the semiconductor 1, a polysilicon layer is deposited on all the surface and etched back, and polysilicon is filled in a gap between the gate electrodes.例文帳に追加

基板１上にゲート電極６、ゲート電極カバー窒化膜５、窒化膜サイドウォール８を形成し、基板表面領域内にｎ^-型半導体領域７、ｎ^+型半導体領域拡散層９を形成した後、全面にポリシリコンを堆積しエッチバックしてゲート電極間にポリシリコンを埋め込む。 - 特許庁

When an n^+-GaN layer 6 is selectively etched with respect to an n^+-AlGaN layer 5 in the manufacturing process of the GaN semiconductor device, dry etching is performed with gas plasma whose concentration of gas including Cl atom is set to be 60 to 90% by using gas including the Cl atom and gas including a F atom.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体デバイスの製造工程において、ｎ^+ −ＧａＮ層６をｎ^+ −ＡｌＧａＮ層５に対して選択的にエッチングを行う際に、Ｃｌ原子を含むガスとＦ原子を含むガスを用い、そのＣｌ原子を含むガスの濃度を６０〜９０％としたガスプラズマにてドライエッチングを行う。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device comprises a P type semiconductor layer 11, an active layer 12 of InGaN/GaN and a P type semiconductor layer 13 formed sequentially on a sapphire substrate 10, and an N side reflection electrode 14 including a reflective layer 14b formed on the P type semiconductor layer 13 to come into ohmic contact therewith and reflecting emission light 50 from the active layer 12.例文帳に追加

半導体発光装置は、サファイアからなる基板１０の上に順次形成されたＰ型半導体層１１、ＩｎＧａＮ／ＧａＮからなる活性層１２及びＰ型半導体層１３と、Ｐ型半導体層１３の上に形成され、該Ｐ型半導体層１３とオーミック接触し且つ活性層１２からの発光光５０を反射する反射層１４ｂを含むＮ側反射電極１４とを有している。 - 特許庁

The water modifier is composed of: a first electrode 11, a second electrode 12, a p type germanium small grain layer 14, and an n type germanium small grain layer 15 provided in a water passage; and a d.c. voltage applying means provided at the outside of the water passage.例文帳に追加

通水路中に設けられた第１の電極１１、第２の電極１２、ｐ型ゲルマニウム小粒層１４、ｎ型ゲルマニウム小粒層１５および通水路外に設けられた直流電圧印加手段とより成る。 - 特許庁

Both the ends of the heating circuit pattern 40 are connected to land parts 60, which are formed on a 1st layer or an n-th layer 50 via through-holes 70 formed in the multilayer printed interconnection board.例文帳に追加

発熱回路パターン４０の両端は、第１層もしくは第ｎ層５０に設けた発熱回路パターン４０に接続するランド部６０に多層プリント配線板に構成したスルーホール７０で接続されている。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium for recording information which has an optical recording layer and a magnetic recording layer, and can obtain a high S/N ratio for both of a magnetic recording signal and an optical recording signal.例文帳に追加

光記録層と磁気記録層を兼備する情報記録用磁気記録媒体であって、磁気記録信号と光記録信号の双方で高いＳ／Ｎを得ることができる磁気記録媒体を提供すること。 - 特許庁

A lateral mode control layer 13 or 7 of AlN with a thickness of 0-300 nm is provided either of between N-type clad layers 12 and 14 or between P-type clad layers 6 and 8, or between one of the above clad layers and an active layer.例文帳に追加

ｎ型クラッド層又はｐ型クラッド層の少なくとも一方のクラッド層内もしくは前記少なくとも一方のクラッド層と活性層の間に、厚さ０〜３００ｎｍのAlN からなる横モード制御層を設けた。 - 特許庁

In a process for forming a separation groove for separating into chips by dry etching and then surface-roughening a surface where the n-type nitride semiconductor layer 2 is exposed, the side of the active layer 3 is melted and the width is narrowed.例文帳に追加

チップに分離するための分離溝をドライエッチングで形成した後、ｎ型窒化物半導体層２が露出した表面の粗面加工を行う工程で、活性層３の側面が溶けて幅が狭くなったものである。 - 特許庁

On a sapphire substrate 11, a buffer layer 12 of film thickness of about 25 nm comprising nitride aluminum(AlN) is provided, over which a high carrier concentration n+ layer 13 of film thickness of about 4.0 μm comprising silicon(Si) doped GaN is formed.例文帳に追加

サファイア基板１１の上には窒化アルミニウム(AlN) から成る膜厚約25nmのバッファ層１２が設けられ、その上にシリコン(Si)ドープのGaN から成る膜厚約4.0 μｍの高キャリア濃度ｎ^+ 層１３が形成されている。 - 特許庁

In a through-hole 14 formed in the nitride semiconductor laminate structure portion 2, a second heat conductor 15 is buried, and in contact with the p-type GaN layer 5 and n^+-type GaN layer 6.例文帳に追加

窒化物半導体積層構造部２に形成された貫通孔１４には、第２熱伝導体１５が埋め込まれ、この第２熱伝導体１５は、ｐ型ＧａＮ層５、ｎ^＋型ＧａＮ層６と接触している - 特許庁

Side surfaces of the laminate and side surfaces of the n-type high concentration layer 12a each have a portion forming wall surfaces continuing to each other and reaching from the surface of the substrate 11 to the p-type high concentration layer 12e without causing a step difference.例文帳に追加

当該積層体の側面及びｎ型高濃度層１２ａの側面は、互いに連続して基板１１表面からｐ型高濃度層１２ｅまで段差なく到達する壁面を形成する部分を有する。 - 特許庁

In the high carrier concentration region, a laminated structure, composed of the n-type or p-type impurity layer and a group IV semiconductor layer which are successively repeatedly laminated by vapor phase growth, for example, is formed.例文帳に追加

高キャリア濃度領域は例えば気相成長により順次繰返して積層されるｎ型またはｐ型いずれかの一方の不純物層とIV族半導体層とからなる積層構造の形成により行なわれる。 - 特許庁

The p-type GaN-based semiconductor layer 6 has an impurity concentration of ≤1×10^20 cm^-3, and the first n-type GaN-based semiconductor layer 4 has an impurity concentration of ≤1×10^18 cm^-3.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ系半導体層６の不純物濃度は、１×１０^２０ ｃｍ^−３以下であり、第１ｎ型ＧａＮ系半導体層４の不純物濃度は１×１０^１８ｃｍ^−３以下に構成される。 - 特許庁

The semiconductor laser includes a structure including a tunnel diode structure 4 including a p^+ type bonding layer 4a and an n^+ type bonding layer 4b, and thereby an optical output caused by the multilayering of a laser structure can be increased (can be made to be a high output).例文帳に追加

ｐ^+型接合層４ａとｎ^+型接合層４ｂとにより構成されるトンネルダイオード構造４を備えた構造とすることで、レーザ構造の多層化による光出力の増大（高出力化）を図る。 - 特許庁

An electrophotographic photoreceptor having a photosensitive layer formed on a conductive base body is immersed in a cleaning liquid of N-methylpyrolidone in an oversaturated state of the oxygen amount dissolved in the liquid and subjected to ultrasonic cleaning to remove the photosensitive layer.例文帳に追加

導電性基体上に感光層が形成されてなる電子写真感光体を、溶存酸素量が過飽和状態にあるＮ−メチルピロリドンの洗浄液に浸漬し、超音波洗浄によって感光層を剥離した。 - 特許庁

The sequential formation of the first n+a-Si layer 104 on the semiconductor layer 103 can increase ON-current of the TFT and can reduce variation in the ON-current.例文帳に追加

半導体層１０３の上に連続して１層目のｎ＋ａ−Ｓｉ層１０４を形成することによってＴＦＴのＯＮ電流を増大させることが出来るとともに、ＯＮ電流のばらつきを小さくすることが出来る。 - 特許庁

The interconnections of gradient potentials V3 and V7 which are supplied to the N-type regions 64 and 66 of the same line respectively are formed in the same line of a third metal layer and second metal layer, respectively, and adjacently located up and down.例文帳に追加

同一行のＮ型領域６４及び６６にそれぞれ供給される階調電位Ｖ３とＶ７の配線は、それぞれメタル第３層及びメタル第２層の同一行に形成されて、上下に隣り合っている。 - 特許庁