「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(93ページ目) - Weblio英語例文検索

By compositely doping the nitrogen together with the group III elements, diffusion of the group III elements to other than the n-type semiconductor layer is suppressed.例文帳に追加

ＩＩＩ属元素と一緒に窒素を複合ドープすることにより、ｎ型半導体層以外の他の層に対するＩＩＩ属元素の拡散が抑制される。 - 特許庁

Etching is performed by an etching process up to the first n-GaN electrode layer 303 to create an optical waveguide 320 of a deep ridge waveguide structure.例文帳に追加

エッチングプロセスにより第１のｎ−ＧａＮ電極層３０３に至るまでエッチングを行い、ハイメサ導波路構造の光導波路３２０を作製している。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium in which a magnetic layer having uniform thickness is formed during manufacturing and which obtains a high C/N ratio in a short wavelength region.例文帳に追加

製造時に均一な厚さを有する磁性層を形成できるとともに、短波長領域において高Ｃ／Ｎ比が得られる磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

A flip chip type nitride semiconductor light emitting element 20 includes p-type and n-type nitride semiconductor layers 24, 26, and an active layer 25 formed between them.例文帳に追加

フリップチップ型の窒化物半導体発光素子２０は、ｐ型及びｎ型窒化物半導体層２４、２６とその間に形成された活性層２５を有する。 - 特許庁

A plurality of second floating field plates FB are formed on an upper part of the n-layer 110 through a first insulation film LA and a second insulation film LB.例文帳に追加

ｎ^-層１１０の上方には、第１絶縁膜ＬＡおよび第２絶縁膜ＬＢを介して複数の第２フローティングフィールドプレートＦＢが形成される。 - 特許庁

The LDMOSFET 3a comprises an n-type drain region 21 and a p-type source region 31, formed on a semiconductor layer 13 of the SOI substrate 2.例文帳に追加

ＬＤＭＯＳＦＥＴ３ａは、ＳＯＩ基板２の半導体層１３に形成されたｎ型ドレイン領域２１とｐ型ソース領域３１とを含んでいる。 - 特許庁

Further, at least an n^+ emitter region and a gate structure of a gate electrode, etc., are formed as the top-side element structure on the fourth epitaxial layer.例文帳に追加

ついで、第４エピタキシャル層上に、おもて面素子構造として、少なくともｎ^+エミッタ領域、およびゲート電極などのゲート構造を形成する。 - 特許庁

In the hard coat film, the contact angle of water and the contact angle of n-dodecane on the surface of a hard coat layer are made simultaneously to be within specified numerical ranges, respectively.例文帳に追加

ハードコートフィルムにおいて、ハードコート層表面の水の接触角およびｎ−ドデカンの接触角を同時にそれぞれ特定の数値範囲にする。 - 特許庁

As a result, a pn junction is formed at the interface between the p-type epitaxial layer PEpi2 and the n-type silicon substrate NSub so as to form a capacitor C1.例文帳に追加

これにより、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥｐｉ２とＮ型シリコン基板ＮＳｕｂとの界面にｐｎ接合が形成され、キャパシタＣ１が形成される。 - 特許庁

A metal pad 152 for relaxing a stress is formed on the first plug 150n on the N-type diffusion layer by patterning the Ti/TiN/W deposited film 151.例文帳に追加

Ｔｉ／ＴｉＮ／Ｗ積層膜１５１をパターニングして、Ｎ型拡散層上第１プラグ１５０ｎの上に応力緩和用金属パッド１５２を形成する。 - 特許庁

A voltage source 11b applies a potential higher than the potential of the p^+ diffusion layer 43 to the n^+ diffusion layers 41 of the cells other than the cell to be driven.例文帳に追加

電圧源１１ｂは、駆動対象のセルを除く他のセル中のＮ^＋拡散層４１に対して、Ｐ^＋拡散層４３よりも高い電位を与える。 - 特許庁

The amorphous silicon films 30, 31 are etched as far as the thickness of the N-hill layer 11 exposed from the amorphous silicon films 30, 31 to be used as an electrode.例文帳に追加

アモルファスシリコン膜３０、３１を、Ｎ−ｈｉｌｌ層１１がアモルファスシリコン膜３０、３１から露出する厚みにまでエッチングして電極とする。 - 特許庁

After an n+-type region 16b of a gate electrode 11 and a Poly-Si layer 16 is formed, thermal oxidation is carried out and an oxidized film 12 is formed.例文帳に追加

ゲート電極１１及びＰｏｌｙ−Ｓｉ層１６のうちのｎ^+型領域１６ｂを形成したのち、熱酸化を施して酸化膜１２を形成する。 - 特許庁

Moreover, in another adjacent side of the each floating gate 7, a trench Tr 1 is formed; and in the bottom side, an n-type diffusion layer 3 is formed.例文帳に追加

また、各浮遊ゲート７の他方の隣接側には、溝Ｔｒ１が形成されており、その底部側にはｎ型拡散層３が形成されている。 - 特許庁

A series/parallel LED array is so formed on a highly resistive base layer that p- and n-contacts for array are positioned on the same surface of the array.例文帳に追加

アレイ用のｐ及びｎ型コンタクトが該アレイの同一面に位置するよう直列／並列ＬＥＤアレイが高抵抗性基層上に形成される。 - 特許庁

An n-type GaN layer 12 is grown on a sapphire substrate 11, on which a growth mask 14 having, for example, hexagonal openings 13 is formed.例文帳に追加

サファイア基板１１上にｎ型ＧａＮ層１２を成長させ、その上に例えば六角形状の開口部１３を有する成長マスク１４を形成する。 - 特許庁

Finally, N type ions are injected into the lower layer of the region for forming a photosensor part 120 at a concentration of about 1E12 thus forming a charge collecting region 122.例文帳に追加

次に、フォトセンサ部１２０が形成される領域の下層に１Ｅ１２程度の濃度でＮ型イオンを注入し、電荷収集領域１２２を形成する。 - 特許庁

An annealing temperature (e.g. 300 to 500≤) for activating the N-type defect layer is set at a lower temperature than the melting point (700≤) of the anode electrode 8 of aluminum.例文帳に追加

このｎ型欠陥層の活性化のためのアニール温度（例えば300℃〜500℃）は、アルミニウムのアノード電極８の融点（700℃）よりも低い温度で十分である。 - 特許庁

A film structure comprises the low k dielectric films 18 and 42; a barrier layer film 6; and N-H base source films such as an etching stopping film 30 and a hard mask film 54.例文帳に追加

膜構造は、低ｋ誘電体膜１８，４２および、バリア層膜６、エッチング停止膜３０およびハードマスク膜５４のようなＮ−Ｈ塩基源膜を含む。 - 特許庁

The n-type epitaxial layer 2 and the p-type semiconductor region 3 are divided into a plurality of insular regions 11 by the fault stop region 10.例文帳に追加

この欠陥停止領域１０によって、ｎ型エピタキシャル層２およびｐ型半導体領域３を、複数の島状領域１１に分離する。 - 特許庁

To make a perpendicular recording layer thin and to provide a perpendicular magnetic recording medium with small medium noise and high S/N and signal stability.例文帳に追加

垂直記録層の膜厚を薄くできるようにし、これにより、媒体ノイズが小さく、Ｓ／Ｎ及び信号安定性の高い垂直磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

In one region of the N-type diffused layer 15 about a gate electrode 14, an in-cell power line 11a extending from the power terminal 11 is formed.例文帳に追加

Ｎ型拡散層１５のゲート電極１４に対する一方の領域には、電源端子１１から延びるセル内電源線１１ａが形成されている。 - 特許庁

Heat treatment for activation is performed under a state where the n^-type epitaxial layer 2, the source region 4 and the drain region 5 are covered with the silicon oxide film 6.例文帳に追加

そして、シリコン酸化膜６によってｎ^-型エピ層２、ソース領域４及びドレイン領域５を覆った状態で活性化のための熱処理を行う。 - 特許庁

In the epitaxial layer 3, N-type diffusion layers 4, 5 as cathode regions are formed, which are diffused so as to be coupled with the substrate 2.例文帳に追加

エピタキシャル層３には、カソード領域としてのＮ型の拡散層４、５が形成され、Ｎ型の拡散層４、５は基板２と連結するように拡散されている。 - 特許庁

The surface-side conductive film 41 constitutes an ohmic electrode for the n-type layer 21 and the rear-side conductive film 42 constitutes the bonding electrode on the rear side of the substrate 1.例文帳に追加

表側導電膜４１はｎ型層２１へのオーミック電極をなし、裏側導電膜４２は基板１の裏側にてボンディング電極をなしている。 - 特許庁

In this case, preferably, the dielectric lens is in an N-layer structure where the permittivity of a center core section 2a_1 is set to 2 and that of an outer periphery section 2aN is set to 1.例文帳に追加

ここで、誘電体レンズ２は中芯部２ａ_1の誘電率を２とし、外周部２ａ_N の誘電率を１としたＮ層構造とすることが好ましい。 - 特許庁

Furthermore, Zn is thermally diffused selectively into the light receiving region until the n-type InP avalanche multiplication layer 6 is reached, thus forming a p-type conductive region 10.例文帳に追加

さらに、前記受光領域に、Ｚｎを選択的にｎ型ＩｎＰアバランシェ増倍層６に至るまで熱拡散し、ｐ型導電領域１０を形成する。 - 特許庁

An N-type fifth semiconductor layer 16 is formed on an inner surface of the fifth recess part 54a so as to generate a sixth recess part 55a being smaller than the fifth recess part 54a.例文帳に追加

Ｎ型第５半導体層１６は、第５凹部５４ａの内面にそれより小さい第６凹部５５ａを生じるように形成されている。 - 特許庁

Each pixel includes an N-type charge accumulating layer 15a arranged in the p-type well 52 and accumulating charges photoelectrically converted depending on incident light.例文帳に追加

各画素は、Ｐ型ウエル５２中に配置され入射光に応じて光電変換された電荷を蓄積するＮ型の電荷蓄積層１５ａを有する。 - 特許庁

The n-type and p-type thermoelectric semiconductors are then subjected to grooving at a fine pitch and aligned each other before being bonded integrally trough an adhesive layer.例文帳に追加

ｎ型とｐ型の熱電半導体にそれぞれ細かいピッチで細い溝加工を施し、この加工部どうしをめ合わせてから接着層で固着一体化する。 - 特許庁

In the semiconductor device, P-type diffusion layers 22, 23 as a collector region are formed around an N-type diffusion layer 24 as a base region.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、コレクタ領域としてのＰ型の拡散層２２、２３が、ベース領域としてのＮ型の拡散層２４の周囲に形成される。 - 特許庁

An electrode 6 connected to the gate electrode G of the n-channel MOS transistor 1 and an impurity diffusion layer 7 are connected with each other through a capacitor 2.例文帳に追加

ＮｃｈＭＯＳトランジスタ１のゲート電極Ｇに接続されている電極６と、不純物拡散層７とは、コンデンサ２を介して接続される。 - 特許庁

(2) A first FP electrode 17a is provided on the (n) drift region 12d of the parallel pn layer outside the active region via an insulation film 19.例文帳に追加

（２）活性領域の外側の並列ｐｎ層のｎドリフト領域１２ｄ上に絶縁膜１９を介して第一ＦＰ電極１７ａを設ける。 - 特許庁

The amorphous p-i-n thin film light emitting diode has an emission layer on the p-i interface so that emission intensity of a device is increased while lowering a required operating voltage.例文帳に追加

本発明の非晶質ｐ−ｉ−ｎ薄膜発光ダイオードの発光層はp-iの界面にあり、デバイスの発光光度を上げ、必要な操作電圧を下げる。 - 特許庁

Then, removing the photoresist mask 12 leaves the Mg film 13 and the metal film 14 only at the part where the n^--GaN layer 11 is intended to be p-type (figure 1c).例文帳に追加

その後、フォトレジストマスク１２を除去すると、ｎ^- −ＧａＮ層１１のｐ型化させたい部分にのみ、Ｍｇ膜１３と金属膜１４が残る（図１ｃ）。 - 特許庁

In a subsequent step, an n-type ohmic contact electrode layer is easily formed, and entire electrical characteristics are better to decrease an operation voltage of whole equipment.例文帳に追加

その後のステップでｎ型オームコンタクト電極層を形成しやすく、並びに全体の電気特性を良好とし、全体装置の操作電圧を下げる。 - 特許庁

This electrophotographic photoreceptor is characterized in having a layer incorporating organic particulates whose cohesion rate: N (%) is in the following range on a conductive supporting body.例文帳に追加

導電性支持体上に凝集率：Ｎ（％）が下記範囲にある有機微粒子を含有する層を有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

One end of the plurality of first-layer n^+-type polycrystalline silicon regions 14 is connected with an external gate electrode terminal 11, and the other end is connected with a source electrode 7.例文帳に追加

複数の１層目のＮ＋型多結晶シリコン領域１４の一方の端は外部ゲート電極端子１１と、他方の端はソース電極７と接続する。 - 特許庁

In other words, even when a light emitting diode 1 is small in size, the n-type semiconductor layer 6 and the transparent electrode 4 are connected without fail.例文帳に追加

すなわち、発光ダイオード１が微小なサイズを有する場合であっても、ｎ型半導体層６と透明電極４とが確実に接続されることになる。 - 特許庁

A p-type well region as an element forming layer is formed in an n-type silicon substrate and a photodiode and various MOS transistors are provided therein.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板中には素子形成層としてのＰ型ウェル領域を形成し、そこにフォトダイオードや各種ＭＯＳトランジスタ等を設けている。 - 特許庁

The laminate in which the adhesive strength between the polymethylpentene resin layer and the substrate is at least 0.5 N/25 mm is prepared.例文帳に追加

この積層体は、表面の中心線平均粗さＲａが０．０１〜１０μｍ程度である基材の面に、ポリメチルペンテン系樹脂層が形成されていてもよい。 - 特許庁

After an n-type impurity diffusion layer 3 is formed on at least one surface of the semiconductor substrate 1, a rear surface is abraded for thinning the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の一方の表面に少なくともｎ型の不純物拡散層３を形成後、裏面を削って前記半導体基板１を薄くする。 - 特許庁

A backface incident photo diode 1 is provided with an n-type semiconductor substrate 10, a p^+-type impurity semiconductor area 11, a recessed part 12, and a coating layer 13.例文帳に追加

裏面入射型ホトダイオード１は、Ｎ型半導体基板１０、Ｐ^+型不純物半導体領域１１、凹部１２、及び被覆層１３を備えている。 - 特許庁

A laser element structure composed of an N-type semiconductor 12, an active layer 13, and a P-type semiconductor 14 is formed on a semiconductor board 11.例文帳に追加

半導体基板１１上には、ｎ型半導体部１２と、活性層１３と、ｐ型半導体部１４とからなるレーザ素子構造体が形成されている。 - 特許庁

In the strong field drift layer 6 are formed field concentrating recessed parts 8 for reducing the distance between the surface electrode 7 and the n-type silicon substrate 1.例文帳に追加

強電界ドリフト層６には、表面電極７とｎ形シリコン基板１との距離を小さくした電界集中用凹部８が形成されている。 - 特許庁