「negative word」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The negative voltage source can then discharge and maintain the word line at a negative bias.例文帳に追加

ネガティブ電源は前記ワードラインを放電して前記ワードラインはネガティブバイアスに保持する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE FOR SELECTIVELY DRIVING NEGATIVE WORD LINE例文帳に追加

選択的にネガティブワード線を駆動する半導体メモリ装置。 - 特許庁

A negative word, which is related to a negative brand image, is defined in a negative-word definition table, and the numbers of times of retrieval, on the Internet, of a search word including a characteristic name such as a company name are stored in a number-of-times-of-retrieval database, the retrieval being executed in combination with a negative word and without combination with the negative word respectively.例文帳に追加

負のワード定義テーブルには、負のブランドイメージに結びつく負のワードが定義されており、企業名等の固有名称を含む検索ワードがインターネット上で検索された検索回数について、負のワードと組み合わせて検索された検索回数と負のワードと組み合わせられずに検索された検索回数を検索回数データベースに記憶させる。 - 特許庁

The X decode part 30 selects one selection word line WORD_i from among the plurality of word line WORD_0 and so on and supplies a negative voltage VXNS during erasion operation, and supplies a positive voltage VXPS to a non-selection word line WORD_j≠WORD_i, other than the selection word line WORD line WORD_i.例文帳に追加

Ｘデコード部３０は、消去動作時に、複数のワード線ＷＯＲＤ＿０〜から一つの選択ワード線ＷＯＲＤ＿ｉを選択して負電圧ＶＸＮＳを供給し、選択ワード線ＷＯＲＤ＿ｉ以外の非選択ワード線ＷＯＲＤ＿ｊ≠ＷＯＲＤ＿ｉに正電圧ＶＸＰＳを供給する。 - 特許庁

A main word line, sub-word line, word line enable signal, or other type of word line is coupled to the negative voltage source during a precharge operation.例文帳に追加

プリチャージ動作中に主ワードライン、サブワードライン、ワードラインイネーブル信号、または他の形態のワードラインはネガティブ電源に接続される。 - 特許庁

In a standby mode, a negative voltage Vng is supplied to word lines WL0, WL1 by word drivers 8, 9.例文帳に追加

待機モードのとき、ワードドライバ８，９は、ワード線ＷＬ０，ＷＬ１に負電圧Ｖｎｇを供給する。 - 特許庁

A negative logic dummy word line *DWORD is laid in parallel to and near a dummy word line DWORD.例文帳に追加

ダミー・ワード線ＤＷＯＲＤに並行に、かつ接近させて、負論理ダミー・ワード線＊ＤＷＯＲＤを敷設する。 - 特許庁

When an active word line(WL) is in a power-down state, a non-active word line is separated from negative VNWL voltage and made highly resistant immediately before the power-down of the active word line to prevent the rise of the non-active word line having negative voltage.例文帳に追加

アクティブワード線（ＷＬ）のパワーダウンのときに、マイナスの電圧にある非アクティブワード線（ＷＬ）の引上げを防ぐため、非アクティブワード線を、アクティブワード線のパワーダウン直前に、マイナスのＶＮＷＬ電圧から切り離して、高抵抗とする。 - 特許庁

A negative argument inserts the nth word from the end of the previous command. 例文帳に追加

引き数が負ならば、前のコマンドの最後からn 番目の単語が挿入されます。 - JM

With a negative argument, uppercase the previous word, but do not move point. 例文帳に追加

負の引き数を指定すると、前の単語を大文字にしますが、ポイントは動きません。 - JM

With a negative argument, lowercase the previous word, but do not move point. 例文帳に追加

負の引き数を指定すると、前の単語を小文字にしますが、ポイントは動きません。 - JM

The negative voltage generator is controlled responsive to a word line precharge signal.例文帳に追加

ネガティブ電圧発生器はワードラインをプリチャージする信号に応答して制御される。 - 特許庁

MAIN WORD LINE DRIVER CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE TO WHICH NEGATIVE VOLTAGE IS SUPPLIED例文帳に追加

負電圧が供給される半導体メモリ装置のメインワードラインドライバ回路 - 特許庁

To attain a negative boosting word line driver of high speed, high accuracy and low power consumption, with the saved area.例文帳に追加

省面積で高速、高精度、低消費電力の負昇圧ワード線ドライバを実現する。 - 特許庁

A memory device utilizing a negatively biased word line scheme diverts word line discharge current from the negative voltage source during a precharge operation, thereby reducing voltage fluctuations and current consumption from the negative voltage source.例文帳に追加

ネガティブにバイアスされたワードライン構造を適用するメモリ装置はプリチャージ動作する間にワードライン放電電流をネガティブ電源に流すので、電圧の変動を減らしてネガティブ電源の消費電流を抑える。 - 特許庁

An NMOS transistor for pulling down a word line enable signal and a word line drive signal to a negative voltage is controlled to a negative voltage.例文帳に追加

ワードラインイネーブル信号およびワードライン駆動信号をネガティブ電圧にプルダウンするＮＭＯＳトランジスタはネガティブ電圧に制御される。 - 特許庁

And when the memory cell of the deplete-state exists, voltage (Vss or negative voltage) of a selection level is applied to one of word lines in order, the residual word lines are made a non-selection level (negative voltage or Vss).例文帳に追加

そして、デプリート状態のメモリセルがあったときは、ワード線のうち一つに順番に選択レベルの電圧（ＶＳＳまたは負電圧）を印加し、残りのワード線は非選択レベル（負電圧またはＶＳＳ）にするようにした。 - 特許庁

A theme degree of an association calculation part 13 for a positive word, a theme degree of an association calculation part 14 for a common word, and a theme degree of an association calculation part 15 for a negative word calculate theme degrees of the association of the positive words, common words and negative words with respect to the object theme, respectively.例文帳に追加

ポジティブ単語用テーマ関連度算出部13、共通単語用テーマ関連度算出部14、ネガティブ単語用テーマ関連度算出部15はそれぞれ、ポジティブ単語、共通単語、ネガティブ単語の対象テーマに対するテーマ関連度を算出する。 - 特許庁

In the dictionary constructing device, the user is caused to designate a domain desired by the user as determination of positive example/negative example of keywords, and a new word is automatically determined to be positive example/negative example based on the positive example/negative example determination result input by the user.例文帳に追加

本発明の第１の辞書構築装置は、ユーザが所望するドメインをキーワードの正例／負例の判定として指定させ、ユーザが入力した正例／負例判定結果から新語を正例／負例に自動判定する。 - 特許庁

This device is provided with a word line driving circuit 2 driving a word line connected to a memory cell and resetting the word line, and the device is constituted so that a reset level of the word line driving circuit 2 set when reset operation of the word line is performed is switched between a first potential of a ground potential and the like and a second potential of a negative potential and the like.例文帳に追加

メモリセルに接続されたワード線を駆動してワード線をリセットするワード線駆動回路を備え、ワード線のリセット動作を行う際に設定されるワード線駆動回路のリセットレベルを、接地電位等の第１の電位と、マイナス電位等の第２の電位との間で切り替えるように構成される。 - 特許庁

ROW DECODER FOR NON-VOLATILE MEMORY WHICH CAN BIAS SELECTIVELY WORD LINE BY POSITIVE OR NEGATIVE VOLTAGE例文帳に追加

正または負の電圧で選択的にワード線をバイアスすることができる不揮発性メモリ用ロウデコーダ - 特許庁

To provide the voltage generating circuit which generates a negative voltage suitable for word line drive, when the semiconductor storage device holds data.例文帳に追加

半導体記憶装置のデータ保持時におけるワード線駆動に適した負電圧を発生する電圧発生回路を提供する。 - 特許庁

To suppress that a word line voltage to be applied to negative becomes 0 or positive voltage at the erasing operation.例文帳に追加

消去動作時に負に印加すべきワード線電圧が０または正電圧となることを抑制すること。 - 特許庁

Further, the erase speed is increased equal to or more than 1,000 times as large by applying negative voltage of -1 V to the word gate.例文帳に追加

更に、−１Ｖの負電圧をワードゲートに印加することによって、消去速度は１０００倍以上に高められる。 - 特許庁

Thus, in the negatively biased word line structure, the flowing of the discharge current into a negative voltage source is reduced.例文帳に追加

したがって、ネガティブにバイアスされたワードライン構造で、ネガティブ電圧源への放電電流の流入は減少する。 - 特許庁

The selecting transistor is formed on a well, which is supplied with a first negative voltage during read-out operation, and a selected word line is supplied with a first voltage (first voltage ≥ first negative voltage), and unselected word lines are supplied with a second voltage.例文帳に追加

選択トランジスタは、ウェル上に形成され、読み出し動作時に、ウェルには第１負電圧が供給され、選択ワード線には第１電圧（第１電圧≧第１負電圧）が供給され、非選択ワード線には、第２電圧が供給される。 - 特許庁

The selection transistor is formed on a substrate, and a first negative voltage is supplied to the substrate in the read operation, and a first voltage (first voltage ≥ first negative voltage) is supplied to the selective word line, and a second voltage is supplied to a non-selective word line.例文帳に追加

選択トランジスタは、基板上に形成され、読み出し動作時に、基板には第１負電圧が供給され、選択ワード線には第１電圧（第１電圧≧第１負電圧）が供給され、非選択ワード線には、第２電圧が供給される。 - 特許庁

The word line driver 120a is basically constituted by PMOS transistors QP1-2 and NMOS transistors QN1-2 so that a word line reset level voltage (negative voltage) Vw set at the reset operation is latched and stored.例文帳に追加

リセット動作時に設定されたワード線リセットレベル電圧（負電圧）Ｖｗをラッチして記憶するように、ＰＭＯＳトランジスタＱＰ１〜２及びＮＭＯＳトランジスタＱＮ１〜２でワード線ドライバ１２０ａを基本構成する。 - 特許庁

Then complex correlation operation between the unique word of the received signal and a unique word given positive and negative frequency offsets intentionally on a reception side is performed to estimate a frequency error.例文帳に追加

そこでは、受信信号のユニークワードと、受信側で正負に故意に周波数オフセットを与えたユニークワードとの複素相関演算を行い、周波数誤差を推定する。 - 特許庁

To provide a sub-word circuit in which speed delay at the time of non-selection of a word line, current consumption of a negative potential VKK, and control wiring can be reduced, and a semiconductor memory device using it.例文帳に追加

ワード線非選択時の速度遅延、負電位ＶKKの消費電流、制御配線の低減が可能なサブワード回路とそれを使った半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

In a word line 142 which is not selected, the NMOS transistor 314 is turned on in a period of time during the operation of a sense amplifier, and the potential of the word line 142 is decreased to a negative electric potential (VNB).例文帳に追加

一方、非選択となるワード線１４２は、センスアンプが動作する期間には、ＮＭＯＳトランジスタ３１４がＯＮになって、ワード線１４２が負電位（ＶＮＢ）に引き下げられる。 - 特許庁

A semiconductor device in which non-selected word lines are set to negative voltage is provided with a circuit 40 setting non-selection word lines to a ground potential at the time of the prescribed mode.例文帳に追加

非選択のワード線を負電圧に設定する半導体装置において、所定モード時、非選択のワード線を接地電位に設定する回路４０を具備するようにした。 - 特許庁

To provide a word line decoder in a NAND type flash memory in which negative voltage can be applied to the word line of a flash memory cell.例文帳に追加

フラッシュメモリセルのワードラインに負の電圧を印加することが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリのワードラインデコーダを提供すること。 - 特許庁

A leak current path for the negative voltage line or the ground line from the word lines (WL<0>-WL<m>) is interrupted, a word line of a non-selection state can be kept exactly at non-selection voltage (VPP level).例文帳に追加

ワード線（ＷＬ＜０＞−ＷＬ＜ｍ＞）から負電圧線または接地線へのリーク電流経路は遮断され、非選択状態のワード線を確実に非選択電圧（ＶＰＰレベル）に維持することができる。 - 特許庁

A source of the first PMOS (Q1) is connected to a sub-word line inverse signal (FXT) to which the sub-word line (FXB)is reversed, and a source of the first NMOS (Q2) is connected to a first negative potential (VKK).例文帳に追加

前記第１ＰＭＯＳ（Ｑ１）のソースは前記サブワード線（ＦＸＢ）を反転したサブワード線反転信号（ＦＸＴ）に接続され、前記第１ＮＭＯＳ（Ｑ２）のソースは第１負電位（ＶKK）に接続される。 - 特許庁

The semiconductor device having the word line reset to a negative level when it is not selected is provided with the sequence circuit (23, 24, 26) that clamps the word line to a prescribed level until a prescribed power supply voltage applied to a memory cell connected to the word line reaches the prescribed level.例文帳に追加

非選択時に負電位にリセットされるワード線を有する半導体装置において、電源起動時、ワード線に接続されるメモリセルに供給する所定の電源電圧が所定の電位に達するまでは、ワード線を所定電位にクランプするシーケンス回路（２３、２４、２６）を具備する。 - 特許庁

The negative voltage regular cancels ripple from the charge pump to provide a stable negative bias voltage and reduce the amount of charge needed to precharge the word line.例文帳に追加

ネガティブ電圧調整器はチャージポンプのリップルを除去して安定したネガティブバイアス電圧を供給し、ワードラインをプリチャージするために必要な電荷量を減らす。 - 特許庁

A negative word holding part 28 holds a plurality of negative words which are predetermined as phrases with the risk of deteriorating the reputation of the company by being used together with the company name in the document data.例文帳に追加

ネガティブワード保持部２８は、文書データ中に会社名とともに使用されることで該会社の信用を低下させるおそれのある語句として予め設定される複数のネガティブワードを保持する。 - 特許庁

The plurality of memory macros hold each of the plurality of word lines at a negative voltage obtained based on the first negative voltage outputted from the main power supply circuit block during nonselection.例文帳に追加

複数のメモリマクロは、複数のワード線のそれぞれを、非選択時には主電源回路ブロックから出力された第１の負電圧に基づいて得られた負電圧に保持する。 - 特許庁

A non-crosslinked negative resist is used for the formation of the pattern of the word line in a nonvolatile semiconductor storage device and an alternate phase inverted arrangement of a phase-shift exposure is performed on the negative resist.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置のワード線のパターン形成に非架橋系ネガレジストを用い、交互位相反転配置の位相シフト露光を行う。 - 特許庁

A negative pump circuit 15 for an internal operation is driven by the positive voltage VPD, and generates negative voltage VNA (e.g -9.2 V) required for a word line in an internal operation such as an erase operation.例文帳に追加

内部動作用負ポンプ回路１５は、正電圧ＶＰＤによって駆動され、消去動作などの内部動作時にワード線に必要な負電圧ＶＮＡ（たとえば、−９．２Ｖ）を生成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device, having a word line structure to be biased negative and capable of reducing the noise generated by the fluctuations of negative voltage, by reducing the flowing of a discharge current into a negative voltage source, and to provide its drive method.例文帳に追加

ネガティブにバイアスされるワードライン構造を有する半導体メモリ装置において、ネガティブ電圧源への放電電流の流入を減少させることで、ネガティブ電圧の変動によって発生するノイズを減少させることができる半導体メモリ装置およびその駆動方法を提供する。 - 特許庁

This highlight device has: a storage means 3 storing a dictionary of words of the positive image and the negative image; a retrieval means 21 retrieving a word of the dictionary from the inputted sentence; and a highlight means 22 performing different highlight of the retrieved word by the image.例文帳に追加

プラスのイメージとマイナスのイメージの単語の辞書を格納する格納手段３と、入力された文から前記辞書の単語を検索する検索手段２１と、前記検索した単語を前記イメージにより異なる強調表示をする強調表示手段２２とを備える。 - 特許庁

A row decoder 20 applies a first negative voltage to a selection word line whose data is to be erased, and applies a second positive voltage to a non-selection word line whose data is not to be erased, in a state of applying an erasure voltage to a semiconductor region when performing erasure.例文帳に追加

ロウデコーダ２０は、消去動作時に、半導体領域に消去電圧を印加した状態で、データが消去される選択ワード線に負の第１の電圧を印加し、データが消去されない非選択ワード線に正の第２の電圧を印加する。 - 特許庁

At the time of writing, each source line is applied with either 1st voltage or 2nd voltage according to the data to be written, and after 1st negative control voltage is applied to a control word line CWL, the control word line is applied with 2nd high control voltage in the state of maintaining the voltage of each source line SL .例文帳に追加

書き込み時、各ソース線SLには、書き込みするデータに応じて第１及び第２ソース電圧のうち何れか一方が印加され、コントロールワード線CWL には、負電圧の第１制御電圧が印加された後、各ソース線SLの電圧が維持された状態で、高電圧の第２制御電圧が印加される。 - 特許庁