「orientation flat」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To accurately measure the linearity of orientation flat in a short time.例文帳に追加

オリフラの直線性を短時間で正確に測定する。 - 特許庁

In the manufacturing method of wafer, the crystal orientation accuracy of orientation flat is improved by processing only an orientation flat end surface of ingot formed by cutting the orientation flat mechanically or wafer formed by slicing the orientation flat, in a wet-etching with an anisotropy wet-etching liquid suitable for a material of the wafer and an orientation flat direction desired to be used.例文帳に追加

本発明によるウエハの製造方法は、オリフラを機械的にカットしたインゴット又はスライスしたウエハのオリフラ端面のみをウエハの材質及び使用したいオリフラ方位に適した異方性エッチング液でウエットエッチングを行うことにより、オリフラの結晶方位精度を高くすることを特徴としている。 - 特許庁

The orientation of each of the GaN substrates 27a-27c is indicated by the direction of orientation flat.例文帳に追加

各ＧａＮ基板２７ａ〜２７ｃの向き付けは、オリエンテーションフラットの向きにより示される。 - 特許庁

When an orientation flat is inserted into the guiding groove member 34 with an orientation flat upward, the base member 32 may be positioned downward.例文帳に追加

オリフラが上を向いていてガイド溝部材３４に差し込まれる場合には、ベース部材３２を下に位置させればよい。 - 特許庁

The SiC substrate has a first orientation flat 12 parallel with a <11-20> direction, and a second orientation flat 13 which is directed to cross the first orientation flat 12 and different in length from the first orientation flat 12.例文帳に追加

ＳｉＣ基板は、＜１１−２０＞方向に平行な第１のオリエンテーションフラット１２と、第１のオリエンテーションフラット１２に交差する方向であって、かつ第１のオリエンテーションフラット１２と長さが異なる第２のオリエンテーションフラット１３とを備えている。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS OF ORIENTATION FLAT MACHINING OF INGOT例文帳に追加

インゴットのオリエンテーションフラット加工方法及びオリエンテーションフラット加工装置 - 特許庁

To provide a holder in a body to be inspected and a crystal orientation measuring apparatus for accurately measuring a crystal surface to the orientation flat of a wafer and preventing the orientation flat from being damaged.例文帳に追加

ウェハのオリフラに対する結晶面のずれを正確に測定することが可能で，オリフラの損傷を防止できる，被検査体のホルダー及び結晶方位測定装置を提供する。 - 特許庁

To accurately align the center of a semiconductor wafer and the position angle (orientation flat) of its flat when a semiconductor wafer is transferred.例文帳に追加

半導体ウエハを搬送するときにウエハのセンタおよび平坦部の位置角（オリフラ）を正確に合せる - 特許庁

To provide a chamfering method of a wafer with an orientation flat, not causing the sectional shape of a chamfering part to vary in each of the outer peripheral part, orientation flat straight part and orientation flat corner rounded part of the wafer to obtain a favorable chamfering shape.例文帳に追加

面取り部の断面形状がウェーハの外周部、オリフラ直線部、及びオリフラコーナーＲ部の各部において変化せず、良好な面取り形状を得ることができるオリエンテーションフラット付ウェーハの面取り方法を提供すること。 - 特許庁

By forming a claw 44 from among plural claws of a board- pressing board 40 into a shape of pressing an overall orientation flat W0 of a wafer W, pressure is dispersed to the orientation flat W0 as a whole, so as to prevent cracking or chipping of the end of the orientation flat W0.例文帳に追加

基板押え板４０の複数の爪部のうち１つの爪部４４を、ウェーハＷのオリフラＷ_O 全体を押圧する形状とすることにより、押圧力をオリフラＷ_O全体に分散させ、オリフラＷ_O の端の割れや欠けを防止する。 - 特許庁

To provide an orientation flat positioning device for a semiconductor wafer capable of positioning an orientation flat of the wafer in a process period wherein the wafer is stored in a cassette.例文帳に追加

ウェーハをカセットに格納する工程期間内において、ウェーハのオリフラ合わせも共に実施することができる半導体ウェーハのオリエンテーションフラット合わせ装置を提供すること。 - 特許庁

An orientation flat surface 4 is formed on an outer circumferential surface 3c of the optical fiber holding member 3.例文帳に追加

光ファイバ保持部材３の外周面３ｃ上にオリフラ面４が形成されている。 - 特許庁

To provide a backing material for easily installing a polishing head on a base board holding support plate, without making a comma of a wafer part of an orientation flat corresponding part excessive, even if a base board to be polished is an orientation flat wafer.例文帳に追加

研磨される基板がオリフラ付ウエハであっても、オリフラ相当部のウエハ部分のカンマが過多にならず、研磨ヘッドの基板保持支持板への取り付けが容易なバッキング材の提供。 - 特許庁

To provide an a-plane nitride semiconductor single crystal substrate having flat side-surfaces in crystallographic orientations (orientation flats) as a marker of a plane orientation to facilitate discrimination of a plane orientation.例文帳に追加

面方位の判別が容易にできるように、面方位の印として、結晶方向において扁平な側面（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ ｆｌａｔ）を有するａ面窒化物半導体単結晶基板を提供する。 - 特許庁

An annular wafer support provided in heat treatment equipment for heating a wafer with orientation flat comprises an annular supporting shelf section for supporting the edge part of the wafer other than the orientation flat part, and a covering shelf section for covering the orientation flat part from below.例文帳に追加

オリエンテーションフラット付きウェーハを加熱する熱処理装置内に設けられた環状のウェーハ支持体であって、該ウェーハの該オリエンテーションフラット部以外のウェーハエッジ部分を支持する環状の支持棚部と該オリエンテーションフラット部を下方から空隙を介して覆う被覆棚部とを備えるようにした。 - 特許庁

The silicon substrate 20 having a (100) plane on the surface and a b-axis at an OF (orientation flat) part is used.例文帳に追加

（１００）面を表面に有し、ＯＦ（オリフラ）部にｂ軸を有するシリコン基板２０を使用する。 - 特許庁

A plurality of semiconductor substrates 10 to be housed in a boat 1 are changed for the direction of an orientation flat 10a by each prescribed number of substrates, so that orientation flats are dispersed along the outer perimeter of the boat to eliminate entrainment of gas due to the orientation flat, resulting in the gas flowing uniformly.例文帳に追加

ボ−ト１に収納すべき複数の半導体基板を所定枚数ごとにオリフラ１０ａの向きを変えることによって、ボ−トの外周にオリフラが分散されオリフラによるガスの巻き込みが無くなり、ガスは一様に流れるようになる。 - 特許庁

The orientation flat faces of the semiconductor substrate wafer are formed as the (111) faces, and a wet etching mask is formed aligned to be parallel with the orientation flat faces as a basis to form the plate-like structure.例文帳に追加

半導体基板ウエハのオリフラ面を（１１１）面とし、当該オリフラ面を基準としてこれと平行になるようにウエットエッチングのマスクを位置合わせ形成し、板状構造体を形成する。 - 特許庁

Setting the allowable number of repeated transferrings of the wafer, corresponding to the number of allowable displacements of the orientation flat, will be able to automatically control an irregular orientation flat caused by the repeated transferrings within an allowable range and prevent in advance accident which results from the displaunt of orientation flat.例文帳に追加

したがって、ウェーハの移載を繰り返すことができる回数をオリフラのずれが許容できる範囲である回数に設定することによって、前記移載が繰り返されている間に発生したオリフラのずれは、許容できる範囲内で自動的に修正され、オリフラのずれを原因とする事故を未然に防ぐことができる。 - 特許庁

The Si wafer 14 and the Si wafer 18, which are overlaid on each other with an orientation flat 14A and an orientation flat 18A aligned with each other, are heated under pressure to solidify the SOG film 16P, thereby forming an SOG solidified film 16S.例文帳に追加

オリフラ１４Ａとオリフラ１８Ａとを揃えて、Ｓｉウェハ１４とＳｉウェハ１８とが重ね合わされた状態で、加圧下で加熱されてＳＯＧ膜１６Ｐが固化し、ＳＯＧ固化膜１６Ｓが形成される。 - 特許庁

A determination process is conducted for determining a displacement between the orientation flat 11 and the crystal plane from the number of steps.例文帳に追加

そして、段差の数により、オリエンテーションフラット１１と結晶面とのずれを判断する判断工程を実施する。 - 特許庁

Subsequently, the method includes also a step of pushing the pushing board 35 to the orientation flat part 11a and integrally moving both the wafers 11, 12.例文帳に追加

引き続き、押圧板３５をオリフラ部１１ａにも押し当て、両ウェーハ１１，１２を一体的に移動させる。 - 特許庁

To execute both orientation measurement performed by irradiating the end face with an X-ray such as cut face measurement and orientation measurement performed by irradiating the peripheral face with the X-ray such as the orientation measurement of an orientation flat face by a common measuring device without requiring relocation of a measuring object.例文帳に追加

カット面測定のようにＸ線を端面に照射して行う方位測定と、オリフラ面の方位測定のようにＸ線を外周面に照射して行う方位測定とを、共通の測定装置によって、しかも測定物の着け変えを行う必要なく、実行できるようにする。 - 特許庁

In the step for forming the wiring layer 13 and the conductor film 14, the conductor film 14 which extends in the direction substantially perpendicular to the orientation flat portion 111 is formed only near the orientation flat portion 111.例文帳に追加

前記配線層１３および前記導体膜１４を形成する前記工程では、オリエンテーションフラット部１１１に近傍領域のみにオリエンテーションフラット部１１１に略直交する方向に延在する導体膜１４を形成する - 特許庁

The surfaces of corner cut parts or orientation flat parts of the glass substrate 10 are kept unpolished so as to perform positioning or stock number verification of the glass substrate 10 by irradiating the corner cut parts or orientation flat parts with laser light from a laser displacement gauge.例文帳に追加

本発明のガラス基板１０は、レーザー変位計からレーザー光をコーナーカット部又はオリフラ部に照射しての位置決め、又はガラス基板１０の品番確認のために、コーナーカット部又はオリフラ部の面を未研磨面とした。 - 特許庁

In the crystal orientation measuring method for a semiconductor wafer, a preparation process is conducted for preparing a semiconductor wafer 10 having cleavability that it cracks along a crystal plane with a specific orientation and formed with an orientation flat 11.例文帳に追加

半導体ウエハの結晶方位測定方法は、特定方向の結晶面に沿って割れるへき開性を有するとともに、オリエンテーションフラット１１が形成された半導体ウエハ１０を準備する準備工程を実施する。 - 特許庁

To secure a space 32 with a prescribed clearance between flat perforated tubes 14 adjacent when the flat perforated tubes 14 are layered along a thickness direction with the same orientation.例文帳に追加

扁平多孔チューブ１４を同一向きで厚み方向に積層した時に隣り合う扁平多孔チューブ１４との間に所定間隔の空間３２を確保する。 - 特許庁

To allow high-speed detection of centering, an orientation flat, etc., of a wafer for a semiconductor manufacturing device or substrate inspection device.例文帳に追加

半導体製造装置や基板検査装置においてウエハのセンタリング、オリフラ等の高速検出を行えるようにする。 - 特許庁

To accurately and automatically adjust a drawing pattern of a 2nd mask process to a desired angle of rotation for the orientation flat of a wafer.例文帳に追加

自動的に第２マスク工程の描画パターンをウェハのオリフラに対して所望の回転角に正確に合わせる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of compensating in sufficiency of precision of the index of crystal orientation such as a notch and an orientation flat even when the precision is insufficient.例文帳に追加

ノッチ及びオリエンテーションフラット等の結晶方位の指標の精度が十分とはいえない場合であっても、それを補償することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, the cleavage jig 3 is rotated with the portion of the semiconductor wafer 1 set in the cleavage jig 3 around the shaft parallel to the temporary orientation flat 1a, so that the semiconductor wafer 1 can be cleaved by using the flaw 2 as a point of origin, resulting in orientation flat formation.例文帳に追加

半導体ウェーハ１の前記部分を劈開治具３に嵌め込み、劈開治具３を仮のオリエンテーションフラット１ａに平行な軸を中心に回転させることにより、傷２を起点に半導体ウェーハ１を劈開させてオリエンテーションフラットを形成する。 - 特許庁

The <111> direction is defined as the orientation flat direction 15, and the etching mask 14 used has a periodical recess pattern having edges 12 having an angle larger than 1° and smaller than 44° to the direction of the (111) plane predicted from the orientation flat direction.例文帳に追加

＜111＞方向をオリエンテーションフラット方向１５とし、オリエンテーションフラット方向から予想される(111)面の方向に対して１度より大きく４４度より小さい角度からなるエッジ１２を有する周期的な凹形状を備えたエッチングマスク１４を用いる。 - 特許庁

A GaN substrate having a main surface composed of (0001)-face has an orientation flat OF1 used for discriminating the <1-100> equivalent direction of the substrate.例文帳に追加

主面が（０００１）面のＧaＮ基板であって、＜１−１００＞等価方向を判別するオリエンテーションフラットＯＦ１を有する。 - 特許庁

Further, the contact resistance is decreased by allowing an impurity such as a donor or an acceptor to diffuse into the orientation flat part 5 mentioned above.例文帳に追加

また、上記オリエンテーションフラット部分５にドナー、アクセプタ等の不純物を拡散して接触抵抗値を小さくするようにする。 - 特許庁

The orientation flat surface 4 can be processed while mounted on a reference surface 6a, and can also be coupled with the optical waveguide substrate.例文帳に追加

オリフラ面４を基準面６ａ上に載せて加工を行うことができ、また光導波路基板と結合することができる。 - 特許庁

To allow a high-precision positioning when forming a crystal plane mark such as an orientation flat or a notch on a single crystal ingot.例文帳に追加

単結晶インゴットにオリフラまたはノッチ等の結晶面指標を形成する際の位置決めを高精度に行えるようにする。 - 特許庁

The testing location can also be moved to the predetermined chip, even if the location of the orientation flat 4a is deviated by making reference to these data.例文帳に追加

これらのデータを参照することにより、オリフラ４ａの位置ずれても所定のチップに検査位置を移動できるようにする。 - 特許庁

To improve the electric-power generating efficiency of a solar battery module by installing the solar battery module on a flat roof in an optimum direction irrespective of the orientation of the flat roof.例文帳に追加

フラット屋根の方位にかかわらず、太陽電池モジュールを最適な方向へ向けて取り付けられるようにすることにより、発電効率の向上を図ることができるようにする。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display element manufacturing method that is unaffected by fluctuations of orientation flat and crystal orientation from one semiconductor wafer to another and permits controlling or reducing the quantity of deficiency in a semiconductor substrate.例文帳に追加

オリフラと結晶方位との半導体ウエハ毎のばらつきの影響を受けず、半導体基板の欠けの量を制御または低減することが可能な液晶表示素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The position where the mark can be read is obtained when the orientation flat is correctly positioned, so the trial small rotation is stopped at the position.例文帳に追加

この読み取り可能となる位置は、オリフラが正しく合わせられた位置なので、この位置で前記の試行的な小回転を停止する。 - 特許庁

To provide a wafer-fixing mechanism with which the outer peripheral part of a semiconductor wafer including its orientation flat part can be pressed uniformly and be held.例文帳に追加

半導体ウェーハの外周縁部をオリフラ部を含めて均等に押圧して保持することができるウェーハ固定機構を提供すること。 - 特許庁

An orientation flat OF is formed in a notch forming section for a notch n by grinding the outer periphery of a wafer 10 for active layer except the notch forming section.例文帳に追加

ノッチｎの形成部以外の活性層用ウェーハ１０の外周部を外周研削し、ノッチ形成部にオリフラＯＦを形成する。 - 特許庁

As a result, the large and small wafers 11, 12 can be laminated in the state that the centerlines are brought into coincidence with the orientation flat parts 11a, 12a.例文帳に追加

その結果、大小のウェーハ１１，１２を、互いの中心線とオリフラ部１１ａ，１２ａとが合致した状態で貼り合わせできる。 - 特許庁

The spherical object 61 in which the X-Y plane is set to be an orientation flat 63a can be obtained by peeling the identification part 62.例文帳に追加

また、識別部６２を剥離することで、Ｘ−Ｙ平面をオリエンテーションフラット６３ａとする球状体６１を得ることができる。 - 特許庁

To provide a material discriminating apparatus capable of easily and certainly selecting a material of a glass substrate without relying on conventional orientation flat recognition.例文帳に追加

従来のオリフラ認識によらずにガラス基板の材質を、簡単にしかも確実に選別できる、材質判別装置を提供する。 - 特許庁