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p elementsの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 428件
A variable conversion means 104 generates e=a^αb^β mod p, g=c^αd^β mod p, h=c^γd^δ mod p using prime numbers p and q that specify finite group, original elements a, b, c, and d, and random numbers α, β, γ, and δ.例文帳に追加
変数変換手段104は、有限群を指定する素数p,qと、元の要素a,b,c,dと、乱数α,β,γ,δを用いて、e=a^αb^β mod p,g=c^αd^β mod p,h=c^γd^δ mod pを生成する。 - 特許庁
The light emitting apparatus 10 includes a plurality of picture elements P.例文帳に追加
発光装置10は、複数の画素Pを有する。 - 特許庁
The width of each of the photoreception elements 22a-22p is (1/4)P therein.例文帳に追加
その場合、各受光素子22a〜22pの幅は(1/4)Pである。 - 特許庁
This Figure shows an example that the p-layer is selectively formed between the detection elements.例文帳に追加
これは、検出素子間に選択的に作成した例である。 - 特許庁
In this case, the width of each of the light-receiving elements 22a to 22d is (1/4)P.例文帳に追加
その場合、各受光素子22a〜22dの幅は(1/4)Pである。 - 特許庁
S_m, 0, S_m, 1, and S_m, 2 are the matrix elements of P×3.例文帳に追加
S_m,0、S_m,1、S_m,2はP×3の行列要素である。 - 特許庁
A group of rational points of an elliptic curve is considered as G, P is considered as an origin of G, an order of G is considered as P, a private key_x is considered as Q=xP to elements of a set {1, ..., p} and (G, p, P, Q) is considered as a public key.例文帳に追加
楕円曲線の有理点群をG,PをGの元、Gの位数をPとし、秘密鍵x∈{1,…,p}に対してQ=xPとし、(G,p,P,Q)を公開鍵とする。 - 特許庁
The surface of a p-type substrate 1 is formed with varactor elements 13 and 14.例文帳に追加
P型基板1の表面にバラクタ素子13及び14を設ける。 - 特許庁
Electrodes 5 are formed above and below the (n) type thermoelectric converting elements 3 and (p) type thermoelectric converting elements 4 to connect the (n) type thermoelectric converting elements 3 and (p) type thermoelectric converting elements 4 electrically in series.例文帳に追加
n型熱電変換素子3とp型熱電変換素子4の上下には、夫々電極5が形成され、n型熱電変換素子3とp型熱電変換素子4が電気的に直列に接続されている。 - 特許庁
Also, the heating and cooling means 3 are electrothermal converting elements obtained by making P-type Peltier elements and N-type Peltier elements as pairs and are arranged at the positions opposing to the reaction cells 2 in the lattice shape.例文帳に追加
また、加熱・冷却手段3は、P型ペルチェ素子およびN型ペルチェ素子を1対とする電—熱変換素子とし、これを反応セル2に対向する位置に格子状に配置したものである。 - 特許庁
The light source is constituted of a plurality of EL elements including organic EL elements 20a, 20b, and irradiates an original P with the light.例文帳に追加
光源は、有機EL素子20a,20bを含む複数のEL素子からなり、原稿Pに光を照射する。 - 特許庁
Each of photoreception elements 11-15 is formed to have (1/6) P of width dimension, four of the photoreception elements 11-14 are arranged along a moving direction with (1/12) P of space, and photoreception elements 14, 15 are arranged with (1/4) P of space.例文帳に追加
各受光素子11〜15の幅寸法を(1/6)Pとし4つの受光素子11〜14は(1/12)Pの間隔を隔てて移動方向に配置し、受光素子14と15とは(1/4)Pの間隔を隔てて配置している。 - 特許庁
Additionally, the oxide semiconductor layer of the thin-film transistor is covered with an insulating layer containing antimony elements (Sb) or phosphorus elements (P) instead of the boron elements.例文帳に追加
また、ボロン元素に代えてアンチモン元素(Sb)やリン元素(P)を含む絶縁層で薄膜トランジスタの酸化物半導体層を覆う構成とする。 - 特許庁
Elements are separated as needed, in a P-type semiconductor substrate 201.例文帳に追加
P型半導体基板201は必要に応じて素子間分離がなされている。 - 特許庁
The temperature sensor circuit includes: a plurality p of temperature-sensitive elements whose temperature coefficients are different; and a composite detection circuit for detecting a temperature as a product sum of currents flowing individually through the plurality p of temperature-sensitive elements or converted values of these currents, and the plurality p of weights corresponding individually to the plurality p of temperature-sensitive elements.例文帳に追加
温度係数が異なる複数pの感温素子と、前記複数pの感温素子に個別に流れる電流、またはこれらの電流の換算値と、前記複数pの感温素子に個別に対応した複数pの重みとの積和として温度を検知する合成検知回路とを備える。 - 特許庁
Out of the n-channel switching elements, upper arm side n-channel switching elements Q10 and Q13 are cascaded with p-channel switching elements Q9 and Q12.例文帳に追加
このnチャンネルのスイッチング素子のうち、上アーム側のnチャンネルスイッチング素子Q10、Q13に、pチャンネルスイッチング素子Q9、Q12が縦続接続されている。 - 特許庁
As the componential values of the steel after secondary refining, the componential values of ≥5 elements including C, Si, Mn, P and S are analyzed per charge.例文帳に追加
二次精錬後の鋼の成分値として、C、Si、Mn、P、Sを含む5以上の元素の成分値をチャージ毎に分析する。 - 特許庁
The p-channel switching elements Q9 and Q12 are for lower power than the n-channel switching elements Q10 and Q13.例文帳に追加
このpチャンネルスイッチング素子Q9、Q12は前記nチャンネルスイッチング素子Q10、Q13よりも低電力用である。 - 特許庁
The polynomial expansion of multiplications of elements of GF(p^k) in which the calculation amount is large, is performed by using the quasi inverse elements.例文帳に追加
擬似逆元を用いることで、演算量の多いGF(p^k)の元どうしの乗算を多項式展開できる。 - 特許庁
One or more elements are selected out of S, P, B, and Ti as additives.例文帳に追加
その添加する元素として、S,P,B,Tiのうちの1種以上からなること。 - 特許庁
In an inspection method of this invention, an inductor load is connected to two or more P-side switching elements selected out of a group of P-side switching elements or to two or more N-side switching elements selected out of a group of N-side switching elements (S12).例文帳に追加
本発明の検査方法は、P側スイッチング素子群の中から選択された2つ以上のP側スイッチング素子、若しくは、N側スイッチング素子群の中から選択された2つ以上のN側スイッチング素子に誘導負荷を接続する(S12)。 - 特許庁
A first vector operation section obtains q (q≤p) conversion vector candidates from data to be sorted including p elements.例文帳に追加
第1ベクトル演算部は、p個の成分を含む分類対象データから、それぞれq個(q≦p)の変換ベクトル候補を求める。 - 特許庁
The temperature-measuring means 4 are electrothermal converting elements obtained by making P-type Seebeck elements and N-type Seebeck elements as pairs and arranged on a second inorganic base plate at the positions opposing to the reaction cells 2 in the lattice shape.例文帳に追加
また、温度測定手段4は、第二の無機質基板上にP型ゼーベック素子およびN型ゼーベック素子を1対とする熱—電変換素子として、これを反応セル2と対向する位置に格子状に配置したものである。 - 特許庁
A pixel circuit P controls OLED elements 15 to a shade corresponding to a voltage of a data line 13.例文帳に追加
画素回路PはOLED素子15をデータ線13の電圧に応じた階調に制御する。 - 特許庁
Transmission light components of the paper money P are light-received by the light-receiving elements 13, 14 on the upper side.例文帳に追加
紙幣Pの透過光成分が上側の受光素子13、14で受光される。 - 特許庁
The arrangement pitch P of the lens elements 22 is 0.30 mm or larger and 0.57 mm or smaller.例文帳に追加
レンズ要素22の配置ピッチPが0.30mm以上0.57mm以下である。 - 特許庁
Further, the plurality of hologram elements (1A) are discretely arrayed, so the total number of fine elements (P) can be made small even when the size of the arrangement surface of the hologram elements is made large.例文帳に追加
また、複数のホログラム要素(1A)は離散的に配列されるので、ホログラム要素の配置面のサイズを大きくしても、微小素子(P)の総数は抑えられる。 - 特許庁
An image pickup sensor 3 is provided with a plurality of light-receiving elements P which are two-dimensionally arranged, and a filter for transmitting the light of a specific wavelength band is attached on each of the light-receiving elements P.例文帳に追加
撮像センサ3は複数の受光画素Pを2次元に配列して備えており、各受光画素Pにはそれぞれ、特定の波長帯の光を透過するフィルタが付されている。 - 特許庁
Also, the light passed through near the end part of the recording paper P is injected only in the light receiving elements 55 just below near the end part of the recording paper P, and is not injected into the other light receiving elements 55.例文帳に追加
また、記録用紙Pの端部近傍を通過した光は、記録用紙Pの端部近傍の真下の受光素子55のみに入射し、他の受光素子55に入射することはない。 - 特許庁
To efficiently implement a specific first operation closed in a first finite set comprising P elements with a combination of second operations closed in a second finite set comprising Q elements.例文帳に追加
P個の要素からなる第1有限集合内で閉じた特定の第1演算を、Q個の要素からなる第2有限集合内で閉じた第2演算の組合せで効率よく実現する。 - 特許庁
The control power supply 9 supplies a driving current only to q(q is an integer of 2 or more and p-1 or less)semiconductor laser elements T selected from the p semiconductor laser elements T.例文帳に追加
制御電源部9は、p個の半導体レーザ素子Tのうち、選択したq個(qは2以上p−1以下の整数)の半導体レーザ素子Tのみに駆動電流を供給する。 - 特許庁
The lifting elements 15 are loaded with the heating fluid in such a manner that the lifting elements 15 are extendable through a predetermined change p-p_0 of the hydrostatic pressure p of the heating fluid.例文帳に追加
持ち上げ要素15は、持ち上げ要素15が加熱流体の静水圧pの所定の変化p〜p_0によって伸張可能であるように、加熱流体によって負荷をかけられる。 - 特許庁
A thermoelectric element is constituted of P-type elements 3 composed of a P-type thermoelectric material, N-type elements 4 composed of an N-type thermoelectric material, two substrates 2 having metallic electrodes 5 which can form P-N junction pairs by joining the elements 3 and 4 to each pair by pair, and so on.例文帳に追加
P型熱電材料からなるP型エレメント3と、N型熱電材料からなるN型エレメント4と、これら異種エレメント3、4を一対ずつ接合してPN接合対を形成可能な金属電極5を有する2枚の基板2等、から構成されている。 - 特許庁
When the temperature of the high-temperature side heat flux plate 21 with fins is lowered to a predetermined low temperature, the heat influx to the p-type thermoelectric generating elements P and n-type ones N are interrupted and thermal damages to the peripheries of the elements P and N are prevented.例文帳に追加
高温側フィン付熱流板21の温度が所定の低温に低下すると、p型熱電発電素子Pおよびn型熱電発電素子Nへの熱流入が遮断されてその周辺の熱害が防止される。 - 特許庁
In addition, even if the position of the recording paper P is displaced vertically, the positions of the light receiving elements just below near the end part of the recording paper P are kept unchanged, and the light passed through near the end part of the recording paper P is injected only into these light receiving elements.例文帳に追加
更に、記録用紙Pの位置が上下にずれたとしても、記録用紙Pの端部近傍の真下の受光素子55が変わらず、この真下の受光素子55のみに記録用紙Pの端部近傍を通過した光が入射する。 - 特許庁
The pair of elements DR are formed on the primary surface above the p-type regions.例文帳に追加
1対の注入元素子DRは、p型領域上であって主表面に形成される。 - 特許庁
A p-type diffusion layer 11 connected to GND line 19 is extracted from among a plurality of elements.例文帳に追加
複数の素子のうち、GNDライン19と接続されたP型拡散層11を抽出する。 - 特許庁
As the solid solution elements other than N, He, Li, B, C, O, Ne, Mg, P, S, Ar, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, Ta and W can be cited.例文帳に追加
N以外の固溶元素としては、He,Li,B,C,O,Ne,Mg,P,S,Ar,V,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Zr,Nb,Mo,Sn,Hf,Ta,及びWがある。 - 特許庁
In this thermoelectric conversion module 1, a serial circuit is constituted by alternately arranging p-type thermoelectric elements 2 and n-type thermoelectric elements 3 and successively connecting the thermoelectric elements 2 and 3 to each other through conductive members 4.例文帳に追加
熱電変換モジュール1は、p型の熱電素子2とn型の熱電素子3とを交互に配列し、導電性部材4で順次接続して直列回路を構成する。 - 特許庁
Picture elements which are four picture elements positioned on the upper and lower sides and right and left sides of the indicating point P and have the large difference from the picture element value of the indicating point P0, are selected as optimum search picture elements.例文帳に追加
指示点P0の上下および左右に位置する4つの画素であって、指示点P0の画素値との差ができるだけ大きな画素を最適探索画素として選択する。 - 特許庁
At least two P-N junction elements of the first P-N junction element, the second P-N junction element, the third P-N junction element and the fourth P-N junction element are connected between two different potential lines in forward bias to form an electrostatic protection circuit.例文帳に追加
第一のPN接合素子、第二のPN接合素子、第三のPN接合素子、および第四のPN接合素子のうちの少なくとも2つのPN接合素子を、異なる2つの電位配線間に順方向バイアスに接続して静電気保護回路とする。 - 特許庁
Print elements n, n+1, n+2,..., n+6 at the left end of the print chip 12-n are arranged with a regular pitch P and print elements N, N+1, N+2,..., N+6 at the right end of the print chip 12-N are arranged with a pitch P' which is greater than the pitch P by 2 μm.例文帳に追加
印字チップ12−n左端の正規ピッチPの印字素子n、n+1、n+2、・・・、n+6に対して、印字チップ12−Nの右端の印字素子N、N+1、N+2、・・・、N+6は2μm大きいピッチP′で配列されている。 - 特許庁
A value of d/p which is a quotient of the distance d between the point light source elements 2 and the incidence plane 1a of the light guide plate 1 divided by an arrangement interval p of the point light source elements 2 is 0.2 or more and less than 1.例文帳に追加
点状光源素子2と導光板1の入射面1aとの距離dを、点状光源素子2の配列間隔pで除した値であるd/pは、0.2以上1未満である。 - 特許庁
Further, when the interval of adjacent elements of a plurality of magnetic resistance effect elements is set to D and the magnetization pitch of the multiple-pole magnetization magnet is set to P, the element interval D is set to an integer multiple of the magnetization pitch P.例文帳に追加
さらには、複数の磁気抵抗効果素子の隣り合う素子の間隔をD、前記多極着磁磁石の着磁ピッチをPとした場合、素子間隔Dを着磁ピッチPの奇数倍に設定する。 - 特許庁
A light-emitting device 1 comprises p(p is an integer of 3 or more) semiconductor laser elements T provided in parallel with each other, and a control power supply 9.例文帳に追加
互いに並列に設けられたp個(pは3以上の整数)の半導体レーザ素子Tと、制御電源部9とを備えた発光装置1が提供される。 - 特許庁
Consequently, a paper sheet P passing this is uniformly illuminated, and optical information of the paper sheet P is precisely detected from the light receiving elements 12b and 13b.例文帳に追加
よって、ここを通る紙幣Pが均一に照明され、受光素子12b、13bから精度良く紙幣Pの光学的情報が検出される。 - 特許庁
A yield strength of 450 to 470 MPa can be obtained owing to solid solution strengthening by solid solution strengthening elements such as C and N, and solid solution strengthening and crystal grain refinement strengthening by P and Mn.例文帳に追加
C、Nなどの固溶強化元素により固溶強化、P、Mnによる固溶強化および結晶粒微細化強化により、450〜470MPaの降伏強度を得る。 - 特許庁
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