「photoelectric-conversion」に関連した英語例文の一覧と使い方(140ページ目) - Weblio英語例文検索

This photoelectric conversion function element is provided with electrodes on the front and rear surfaces of a II-VI group compound semiconductor crystal having at least pn junction, and it is also provided with a contact layer between an n-type semiconductor layer and an n-type electrode, and furthermore at least a part of the contact layer is made of n-type semiconductor containing an In element as an n-type impurity.例文帳に追加

ｐｎ接合を少なくとも有するＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶の表面と裏面にそれぞれ電極を設けてなる光電変換機能素子において、ｎ型半導体層とｎ型電極との間にコンタクト層を有するとともに、前記コンタクト層の少なくとも一部は、Ｉｎ元素をｎ型不純物として含むｎ型半導体で構成されるようにした。 - 特許庁

This solar battery module is provided with a transparent insulating substrate 1, having first and second main faces, and a transparent electrode layer 2, semiconductor photoelectric conversion layer 3, and backside electrode layer 4 sequentially laminated on the first main face of the transparent insulating substrate 1, and glare-proof film 10 formed, so that a prescribed pattern can be obtained on the second main face of the transparent insulating substrate 1.例文帳に追加

第１および第２の主面を有する透明絶縁基板（１）と、透明絶縁基板（１）の前記第１主面上に順次積層された透明電極層（２）、半導体光電変換層（３）および裏面電極層（４）と、透明絶縁基板（１）の第２主面に所定の模様をなすように形成された防眩膜（１０）とを備えた太陽電池モジュール。 - 特許庁

The photoelectric conversion element comprises a pn-junction constituted of a p-type semiconductor layer 13 and an n-type semiconductor layer 14 which are sequentially placed in the direction along the principal plane, and includes a p-electrode 11 provided in contact with the p-type semiconductor layer 13 and an n-electrode 12 in contact with the n-type semiconductor layer 14 in the direction extending along the principal plane.例文帳に追加

光電変換素子は、その主面に沿った方向に順次配置されたｐ型半導体層１３およびｎ型半導体層１４により構成されるｐｎ接合からなり、その主面に沿った方向にｐ型半導体層１３と接して配置されたｐ電極１１およびｎ型半導体層１４と接して配置されたｎ電極１２を有する。 - 特許庁

When irradiating a visible laser L outputted according to operation of a trigger key 21a of a reader/writer 20 onto a solar battery cell 11 provided in the electronic tag 10 desired by the user, an ID (an identifier) of the tag 10 is transmitted as a response signal according to photoelectric conversion operation by the solar battery cell 11, and is received by the reader/writer 20.例文帳に追加

リーダライタ２０のトリガキー２１ａの操作に応じて出力される可視光レーザＬを、ユーザ所望の電子タグ１０に設けられた太陽電池セル１１に対して照射すると、当該太陽電池セル１１による光電変換動作に応じて、当該タグ１０のＩＤ（識別子）が応答信号として送信され前記リーダライタ２０に受信される。 - 特許庁

The biting of silicon is suppressed, the generated stress is easily liberated, the residual amount of internal strain in silicon is reduced, and the photoelectric conversion efficiency of the polycrystalline silicon is improved by making the inner surface of the vessel into such a flat surface that the undulation is ≤3 mm and the surface roughness Ra is ≤10 μm, preferably ≤6 μm.例文帳に追加

また、容器内面のうねりを３ｍｍ以下、表面粗さＲａを１０μｍ以下、更に好ましくは６μｍ以下の平滑な表面とすることによってシリコンの食い込みを低減して発生応力を逃げ易くし、シリコン内部歪の残留を軽減し、多結晶シリコンの光電変換効率を向上させる。 - 特許庁

When an original 2 is supplied to the double-side reading type image reader 1, each of image read units for the front and rear sides activates a light source and emits light to the original 2 and a light receiving sensor receives reflected light in the original 2 and applies photoelectric conversion to the reflected light to read an image or each side of the original.例文帳に追加

原稿２が両面読取り型画像読取り装置１に供給されると、表面用及び裏面用の画像読取りユニットの各々において、光源が点灯して原稿２に光を照射し、受光センサが原稿２からの反射光を受光して光電変換することによって、原稿の各面の画像を読取る。 - 特許庁

As the conductive paste for forming an electrode on the semiconductor substrate for the photoelectric conversion device, there is adopted the conductive paste that includes: metal powder which mainly contains Al; and glass, frit-crystallized in a heat treatment by which the conductive paste, is glazed on the semiconductor substrate, to form the electrode.例文帳に追加

光電変換素子用の半導体基板に電極を形成するための導電性ペーストとして、Ａｌを主に含有する金属粉末と、電極を形成するために半導体基板上に導電性ペーストを焼き付ける熱処理において結晶化するガラスフリットとを含ませた導電性ペーストを採用する。 - 特許庁

The solar cell module includes: a plurality of solar cells including at least one photoelectric conversion layer as optical conversion members; a transparent member (430) provided on upper surfaces of the plurality of solar cells; and a filling layer to seal the plurality of solar cells, wherein at least one layer selected from the transparent member and the filling layer contains the semiconductor nanocrystals (115).例文帳に追加

本発明に従う太陽電池モジュールは、光転換部材として少なくとも１つ以上の光電変換層を含む複数個の太陽電池セル、上記太陽電池セルの上部面に備えられる透明部材（４３０）、及び上記太陽電池セルを封入するための充填層を含み、上記透明部材または充填層のうちから選択された少なくともいずれか１つ以上の層は半導体ナノ結晶（１１５）を含むことを特徴とする。 - 特許庁

By attaining a structure for which a third electrode formed in an area, where the photoelectric conversion layer is not formed on the supporting substrate or in the area where the photoelectric conversion layer is not formed on the insulation layer is connected to the second electrode, the electrical resistance of the surface opposite to the incident light is reduced, and the crystal system solar battery of high efficiency and the large area is obtained.例文帳に追加

セラミックや金属等の支持基板上に絶縁層が形成され、その絶縁層上に光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換層が設けられ、入射光により発生したキャリアを取り出すために、光電変換層の入射光面倒に第1の電極が、その反対の絶縁層側の面に第2の電極が形成された太陽電池において、支持基板上の光電変換層が形成されていない領域または絶縁層上の光電変換層が形成されていない領域に形成された第3の電極が前記第2の電極に接続されている構造とすることにより、入射光と反対の面の電気抵抗を低減し、高効率で大面積の結晶系太陽電池を得る。 - 特許庁

In the dye-sensitized solar cell or the photoelectric conversion element having a semiconductor electrode layer consisting of dye-sensitized semiconductor particles, an electrolytic solution layer and a counter electrode on a conductive support in this order, the electrolytic solution layer consists of an electrolytic solution containing an ionic liquid using halogen ions as anions, and using a glycol ether expressed by following general formula (1) as a solvent.例文帳に追加

導電性支持体上に、色素増感された半導体粒子からなる半導体電極層、電解液層および対向電極をこの順で有する色素増感型太陽電池または光電変換素子において、前記電解液層がハロゲンイオンをアニオンとするイオン液体を含み、下記一般式（１）に示すグリコールエーテルを溶媒とする電解液からなることを特徴とする色素増感型太陽電池または光電変換素子。 - 特許庁

In the photoelectric conversion element provided with a first electrode with an electron transport compound covered, a second electrode facing the electron transport compound of the first electrode, and a hole transport layer composed of a hole transport material between the electron transport compound of the first electrode and the second electrode, the hole transport layer is laminated with a compound having different molecular weight, and a hole transport material near a second electrode side is a polymer.例文帳に追加

電子輸送性化合物が被覆された第一電極と、前記第一電極の電子輸送性化合物と対峙する第二の電極と、前記第一電極の電子輸送性化合物と前記第二の電極との間にホール輸送性材料からなるホール輸送層を具備した光電変換素子において、ホール輸送層が分子量の異なる化合物で積層されており、第二電極側に近いホール輸送材料が高分子であることを特徴とする光電変換素子。 - 特許庁

The organic photoelectric conversion element 10 is equipped with: a pair of electrodes comprising a first electrode 32 and a second electrode 34; an active layer 50 sandwiched between the pair of electrodes; and a metal layer 44 between the active layer and one of the pair of electrodes, having the absolute value of the work function, being ≥3.7 eV and ≤5.5 eV, and formed of a metal having semiconductor characteristics when oxidized.例文帳に追加

有機子電変換素子１０は、第１電極３２及び第２電極３４からなる一対の電極と、前記一対の電極間に挟持される活性層５０と、前記一対の電極のうちのいずれか一方の電極と前記活性層との間に金属層を有し、該金属層が、仕事関数の絶対値が３．７ｅＶ以上かつ５．５ｅＶ以下であり、酸化されたときに半導体特性を有する金属で形成された金属層４４とを備える。 - 特許庁

The photoelectric conversion device 1 converting an optical signal into an electric signal in an optical transmission system includes: a photodiode 1 in a bias-free state; a capacitor 2 that extracts only the AC component from a signal output from the photodiode 1; an output terminal 3 that outputs the signal from which the AC component is extracted through the capacitor 2; and a resistance 4 that performs impedance matching with equipment connected to the output terminal 3.例文帳に追加

本発明に係る光電変換装置は、光伝送システムにおいて光信号を電気信号に変換する光電変換装置であって、無バイアス状態としたフォトダイオード１と、フォトダイオード１から出力される信号の交流成分のみを取り出すコンデンサ２と、コンデンサ２を介して取り出された交流成分の信号を出力する出力端子３と、出力端子３に接続される機器との間のインピーダンス整合を行う抵抗４と、を備えている。 - 特許庁

A CMOS image sensor is composed of pixels which are each equipped with a photodiode and an amplifying MOSFET that amplifies charge generated by the photodiode through photoelectric conversion and arranged in lines or an array, where the well of the amplifying MOSFET is electrically isolated from that of the other device contained in the pixel, and the source and well of the amplifying MOSFET are kept at the same potential.例文帳に追加

フォトダイオードとこのフォトダイオードにおいて光電変換により生成された電荷を増幅するアンプ用ＭＯＳＦＥＴとを有する画素を複数個ライン状またはアレイ状に配列したＣＭＯＳイメージセンサにおいて、前記アンプ用ＭＯＳＦＥＴのウェルを前記画素に含まれる他の素子のウェルと電気的に分離し、かつ、前記アンプ用ＭＯＳＦＥＴのソースと前記アンプ用のＭＯＳＦＥＴの前記ウェルとを同電位とした。 - 特許庁

The photoelectric conversion apparatus comprises multiple granular crystalline semiconductors 2 arranged on a substrate 1 having one electrode layer 1, and an insulator 3 filling the gaps of the granular crystalline semiconductors 2 wherein the granular crystalline semiconductors 2 and the substrate 1 are bonded through a complex 20 produced by diffusing particles 22 composed of the material of the granular crystalline semiconductor 2 into an alloy 21 of the granular crystalline semiconductor 2 and the substrate 1.例文帳に追加

一方の電極層１‘を有する基板１上に少なくとも多数の粒状結晶半導体２を配設し、この粒状結晶半導体２間に絶縁体３を充填した光電変換装置であって、上記粒状結晶半導体２と基板１とを、上記粒状結晶半導体２と基板１との合金２１中に前記粒状結晶半導体２の材料からなる粒子２２が分散された複合体２０で接合した。 - 特許庁

The solid-state imaging device has a plurality of unit pixels arrayed which consist of: a storage well 2 for accumulating electric charges generated by a photoelectric conversion element with incident light; a transfer control element region TT for transferring electric charges to a floating diffusion region; and an output transistor Tm for outputting pixel signals amplified using the electric charges transferred to the floating diffusion region.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置は、入射した光によって光電変換素子が発生した電荷を蓄積する蓄積ウェル２と、電荷をフローティングディフュージョン領域へ転送するための転送制御素子領域ＴＴと、フローティングディフュージョン領域に転送された電荷に基づいて増幅された画素信号を出力するための出力用トランジスタＴｍと、を備えた単位画素を、複数配列して構成される。 - 特許庁

The photoelectric conversion element has a photodiode waveguide 12, a pair of electrode layers 13, 14 connected with the waveguide 12, first transmission lines 15a, 15b connected respectively with the electrode layers 14, 13, and second transmission lines 16a, 16b connected respectively with the first transmission lines 15a, 15b.例文帳に追加

フォトダイオード導波路１２と、導波路１２に接続する対をなす電極層１３，１４と、電極層１３，１４に接続する第一伝送線路１５ａ，１５ｂと、第一伝送線路１５ａ，１５ｂに接続する第二伝送線路１６ａ，１６ｂとを備え、第一伝送線路１５ａ，１５ｂが第二伝送線路１６ａ，１６ｂよりも大きな特性インピーダンスであり、上記導波路１２と第一伝送線路１５ａ，１５ｂとが、β_d ・Ｌ_d ＜β_l ・Ｌ_l ＜２π／１６の条件を満たすようにした。 - 特許庁

An image pickup element where photoelectric conversion elements are arranged two-dimensionally and signal outputs for a plurality of rows are provided and/or an image pickup device that stores the signals and can control the delay between the signals are provided with a means controlling a combination between amplification factors of analog signals from the image pickup element and a barrel shifter 17.例文帳に追加

光電変換素子を２次元に配置し、（複数）行の信号出力を有する撮像素子、および／または、それらの信号を蓄積し、各信号間の遅延を制御可能な撮像装置において、前記撮像素子からのアナログ信号を任意の倍率で増幅する増幅手段、および、該信号がアナログ・デジタル変換された後、バレル・シフタ手段によって倍率を変化されることにより２のべき乗より細かく倍率制御を可能としたことを特徴とする。 - 特許庁

In a holding member, there is formed a positioning part which positions the photoelectric conversion element package in an axial direction perpendicular to a light receiving surface by abutting against the package at the outside of the electrode of the package, and is formed a second opening for flowing an adhesive to a region of the printed circuit board corresponding to the inside of the electrode of the package.例文帳に追加

プリント基板の光電変換素子パッケージの電極の内側に対応する領域に第１の開口部を形成し、保持部材には、光電変換素子パッケージの電極の外側で光電変換素子パッケージと当接することで受光面に直交する軸方向に光電変換素子パッケージを位置決めする位置決め部を形成するとともに、光電変換素子パッケージの電極の内側に対応する領域に接着剤を流し込むための第２の開口部を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flat panel detector for obtaining a phosphor layer having a high emission amount by highly accurately forming the phosphor layer on the surface of a photodetector panel without generating local peeling on the interface of a photodetector panel (support) and the phosphor layer, and thereby highly accurately receiving/measuring light converted by the phosphor layer with a photoelectric conversion element.例文帳に追加

光検出器パネル（支持体）と蛍光体層との界面に局所的な剥離さえも生じることなく、光検出器パネル表面に蛍光体層を高精度に形成することを可能にし、これにより、蛍光体層で変換された光を光電変換素子によって高精度に受光／測定することができ、しかも、発行量が高い蛍光体層を得ることができる平面放射線画像検出器の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The liquid device is equipped with a current generation means which has a colored layer sandwiched between a transparent electrode layer 13 as a transparent 1st conductive layer and a reflecting layer 10 as a conductive metal layer, so external light is made incident from the transparent electrode 13 to reach, for example, phthalocyanine-based pigment and a current can be generated through photoelectric conversion between the transparent electrode layer 13 and reflecting layer 10.例文帳に追加

着色層１１を透明な第１の導電層としての透明電極層１３と導電性の金属層としての反射層１０とで挟む電流生成手段を備えることとしたので、透明電極層１３から外光が入射し、例えばフタロシアニン系の顔料に外光が到達することができ、該透明電極層１３と反射層１０との間で光電変換により電流を発生させることが可能となる。 - 特許庁

In an optical receiver 2, an optical connector 40 for connecting an optical cable, a coaxial terminal 20 for connecting a coaxial cable, and a photoelectric conversion circuit 50 for converting an optical signal input through the optical connector 40 into an electric signal to output to the coaxial terminal 20 are housed in a housing 80.例文帳に追加

光ケーブルを接続するための光コネクタ４０と、同軸ケーブルを接続するための同軸端子２０と、光コネクタ４０を介して入力された光信号を電気信号に変換して同軸端子２０に出力する光電変換回路５０とを、筐体１０に収容して構成された光受信機１であって、筐体１０の少なくとも一部を、光受信機１を設置するための設置面に埋め込み固定するための取り付け器具と、光ケーブルの余長部分を巻き取るための余長処理部９０とを備える。 - 特許庁

Moreover, this solid-state imaging apparatus includes an aperture 21, formed to an insulating layer 19 directly above the photoelectric conversion element in the effective pixel region 11, a dummy aperture 24 formed to an upper insulating layer 19 of the peripheral region 13, and a buried layer 22 which is embedded in the aperture 21 and the dummy aperture 24.例文帳に追加

光電変換素子を有する画素２が複数配列された有効画素領域１１と、有効画素領域１１の周辺領域１３とを備え、有効画素領域１１における光電変換素子の直上の絶縁層１９に形成された開口部２１と、周辺領域１３の上部の絶縁層１９に形成されたダミー開口部２４と、開口部２１及び前記ダミー開口部２４に埋め込まれた埋め込み層２２とを有する固体撮像装置とする。 - 特許庁