「photoelectric-conversion」に関連した英語例文の一覧と使い方(139ページ目) - Weblio英語例文検索

The contact has a plug for applying the reference voltage and a semiconductor region of the second conductivity type, and also has a semiconductor region of the second conductivity type having lower impurity density than the semiconductor region of the second conductivity type of the contact between the semiconductor region of the second conductivity type of the contact and the semiconductor region of the first conductivity type constituting the photoelectric conversion section.例文帳に追加

このコンタクトは、基準電圧を供給するためのプラグと第２導電型の半導体領域とを有し、コンタクトの第２導電型の半導体領域と光電変換部を構成する第１導電型の半導体領域との間に、コンタクトの第２導電型の半導体領域に比べて不純物濃度が低い第２導電型の半導体領域を有する。 - 特許庁

For each pixel row, middle voltages Vmid0, Vmid1 and ON voltage Von are successively supplied in that order to a gate electrode of a transfer transistor as a transfer pulse TRG, and signal charges accumulated in the photoelectric conversion element 21 during an accumulation period of one unit are divided into three portions e.g. and transferred to the stray diffusion capacitance 26.例文帳に追加

画素行ごとに、中間電圧Ｖｍｉｄ０，Ｖｍｉｄ１およびオン電圧Ｖｏｎをその順番で順次転送トランジスタのゲート電極に転送パルスＴＲＧとして供給し、一単位の蓄積期間中に光電変換素子２１に蓄積された信号電荷を例えば３分割転送にて浮遊拡散容量２６へ転送する。 - 特許庁

A wire connected to the gate of a MOS transistor for composing a signal read-out circuit is set to be the wiring 41 on the lower layer in the wires connected to the signal read-out circuit attached to and formed at each photoelectric conversion circuit, and the wiring connected to the source or drain of the MOS transistor is set to be the wiring 42 on the upper layer.例文帳に追加

各光電変換素子に付設形成された信号読出回路に接続される前記配線のうち信号読出回路を構成するＭＯＳトランジスタのゲートに接続される配線を下層の配線４１とし、ＭＯＳトランジスタのソースまたはドレインに接続される配線を上層の配線４２とする。 - 特許庁

This compound photoelectric conversion element is provided with a substrate, a first electrode formed on the substrate; an n-type semiconductor layer formed on the first electrode, and oriented vertically to the substrate, in which nano carbon materials are included; a p-type organic semiconductor layer formed on the n-type semiconductor layer; and a second electrode formed on the p-type organic semiconductor layer.例文帳に追加

基体と、この基体上に形成された第１の電極と、この第１の電極上に形成され、前記基体に対し垂直に配向した、ナノカーボン材料を含むｎ型半導体層と、このｎ型半導体層上に形成されたｐ型有機半導体層と、このｐ型有機半導体層上に形成された第２の電極とを具備することを特徴とする。 - 特許庁

In the back electrode type photoelectric conversion element equipped with semiconductor layers 60, 62 and electrodes 80, 82 for collecting carriers only onto the back side of a semiconductor substrate 40 constituted of a principal constituent of a group IV material, a quantum well unit 50 is provided between a p-layer and an n-layer which constitute a pn junction unit on the back side of the substrate.例文帳に追加

ＩＶ属材料を主成分とする半導体基板４０の裏面側にのみキャリアを収集するための半導体層６０，６２及び電極８０，８２を備えた裏面電極型の光電変換素子において、基板裏面側のｐｎ接合部を構成するｐ層とｎ層との間に量子井戸部５０を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

A photosensor 1 according to the present invention is provided with a photo diode 12 as a photoelectric conversion element for outputting current according to incidence light to a light reception surface 12a and an optical filter 11 for absorbing a light constituent at a near infrared region out of the constituents of incidence light and at the same time transmitting the light constituent of a visible region.例文帳に追加

本発明の受光センサ１は、受光面１２ａへの入射光に応じた電流を出力する光電変換素子としてのフォトダイオード１２、受光面１２ａ上に配置され、入射光の成分のうち近赤外領域の光成分を吸収すると共に可視領域の光成分を透過させる光学フィルタ１１とを具備する。 - 特許庁

With the photoelectric conversion element laminated with a conductive support body, a photosensitive layer consisting of charge transport material with the space filled with semiconductor fine particles absorbing dyestuff, a charge transport layer and a counter electrode, in that order, the voids of the photosensitive layer is made to be smaller toward the direction of the conductive support body.例文帳に追加

導電性支持体、色素を吸着した半導体微粒子及び当該半導体微粒子の間の空隙に充填された電荷輸送材料からなる感光層、電荷移動層及び対極の順に積層された光電変換素子において、導電性支持体方向へ向かって感光層の空隙率が小さくなるよう構成する。 - 特許庁

A charge transfer region a is provided on a silicon substrate 10, a charge transfer electrode 12 and a photoelectric conversion region b are formed to surround the charge transfer region a, and etchback is performed over the entire surface after a shading film 14 and an antireflection film 15 are deposited to leave the sidewall film 15' of the antireflection film 15 on the side of the charge transfer electrode 12.例文帳に追加

シリコン基板１０に電荷転送領域ａを設け、電荷転送領域ａを覆うように電荷転送電極１２と光電変換領域ｂを形成し、遮光膜１４および反射防止膜１５を堆積してから全面エッチバックを行い、電荷転送電極１２の側面に反射防止膜１５のサイドウォール膜１５’を残す。 - 特許庁

This material for the photoelectric conversion element is constituted of calixarene provided with a hydrophobic upper end and a lower end provided with ionic hydrophilic functional group, fullerene, and a conductive substrate provided with a surface having an electric charge opposite to the hydrophilic functional group of calixarene, and a complex formed by connecting calixarene and fullerene by the ratio of 2:1 is laminated on a substrate surface in a monomolecular film shape.例文帳に追加

疎水性の上部端とイオン性の親水性官能基を有する下部端とを有するカリックスアレーン；フラーレン；およびカリックスアレーンの親水性官能基と反対の電荷を持つ表面を有する導電性基板から構成され、カリックスアレーンとフラーレンが２：１の比率で結合して形成された錯体が、基板表面に単分子膜状に積層している光電変換素子用材料。 - 特許庁

The solar cells 10a and 10b include insulators 14 connected to a rear surface of a photoelectric conversion portion 20, a first through hole electrode 23 that penetrates the insulator 14 and is electrically connected to a first current collecting electrode 30, and a second through hole electrode 25 that penetrates the insulator 14 and is electrically connected to a second current collecting electrode 35.例文帳に追加

太陽電池１０ａ及び太陽電池１０ｂは、光電変換部２０の裏面に接後される絶縁体１４と、絶縁体１４を貫通し第１集電電極３０と電気的に接続された第１スルーホール電極２３と、絶縁体１４を貫通し第２集電電極３５と電気的に接続された第２スルーホール電極２５とを有する。 - 特許庁

An electrooptical device 100 includes: a plurality of unit elements U which are arranged in a matrix shape on the plate surface of a base material 10, and each having an OLED element 15; and a plurality of photoelectric conversion elements 4 disposed for each unit element U and respectively supply electric energy to the OLED elements 15 of the unit elements.例文帳に追加

電気光学装置１００は、基材１０の板面上にマトリクス状に配列されて各々がＯＬＥＤ素子１５を有する複数の単位素子Ｕと、単位素子Ｕごとに設けられて受光量に応じた電気エネルギを当該単位素子ＵのＯＬＥＤ素子１５に供給する複数の光電変換素子４とを有する。 - 特許庁

In an imaging element and an imaging method, the element has at least one photoelectric conversion region, wherein the region includes at least one electrode, at least one kind of organic dye, and at least one inorganic material, and the organic dye is disposed in a manner of being contacted to the inorganic material, and the electrodes applies positive-bias voltage for at most one second.例文帳に追加

基板上に少なくとも一つの光電変換部位を有する撮像素子において、該光電変換部位が少なくとも一つの電極、少なくとも１種の有機色素、少なくとも一つの無機材料を含み、該有機色素が無機材料に接触して配置されており、かつ、該電極は撮影時に該無機材料に正バイアス電圧を１秒以下印加する電極であることを特徴とする撮像素子及び撮像方法。 - 特許庁

The solar cell is provided in order with a texture layer having an uneven texture structure on its upper surface, a lower electrode, a photoelectric conversion layer, and an upper electrode, and the texture layer contains a silicon-based polymer made mainly of silsesquioxane including a unit represented by general formula (I) (wherein R is H, a methyl group, or a phenyl group).例文帳に追加

基板上に、凹凸からなるテクスチャ構造を上面にもつテクスチャ層、下部電極、光電変換層および上部電極をこの順で有する太陽電池であって、テクスチャ層が、下記一般式（Ｉ）で表される単位を含むシルセスキオキサンを骨格として有するケイ素系ポリマーを含有する太陽電池。 - 特許庁

For the manufacturing method of the photoelectric conversion element interposing an electron transfer layer composed of photosensitive pigment, an electric charge separation layer, and a conductive layer between a pair of electrode layer of which, at least one side is transparent, the electric charge separation layer is formed by spraying a liquid containing photosensitive pigment on the surface of the electron transfer layer by ink-jet method.例文帳に追加

少なくとも一方が透明な一対の電極層の間に、光増感色素からなる電子輸送層、電荷分離層、および導電層を有する光電変換素子の製造方法において、該電荷分離層を、電子輸送層の表面に光増感色素を含む溶液をインクジェット法を用いて噴射することにより形成することを特徴とする、光電変換素子の製造方法。 - 特許庁

The photoelectric conversion element such as a die-sensitized solar cell is constituted in such a way that a semiconductor electrode comprising a metal oxide semiconductor layer 3 containing light scattering particles in addition to light absorbing particles and a counter electrode 6 using a conductive polymer and/or a carbon base material are faced and an electrolyte layer 7 is interposed between the electrodes.例文帳に追加

光吸収粒子に加えて光散乱粒子を含む金属酸化物半導体層３からなる半導体電極と、導電性高分子および／またはカーボン系材料を用いた対極６とを互いに対向させ、それらの間に電解質層７を設けて色素増感型太陽電池などの光電変換素子を構成する。 - 特許庁

At the time of manufacturing a photoelectric conversion element provided with a semiconductor layer containing n-type impurities and a semiconductor layer containing p-type impurities formed thereon, the semiconductor layer containing n-type impurities is made to contain a first n-type impurity having a relatively small atomic radius and a second n-type impurity having a relatively large atomic radius.例文帳に追加

ｎ型不純物半導体層と、その上に形成されたｐ型不純物半導体層とを備えた光電変換素子を作製するにあたって、ｎ型不純物半導体層に、相対的に小さな原子半径を有する第１のｎ型不純物と、相対的に大きな原子半径を有する第２のｎ型不純物とを含有させる。 - 特許庁

In the all solid dye-sensitized photoelectric conversion device which consists of an anode-side current collector, a porous n-type oxide semiconductor layer sensitized by dye, a hall moving layer, and a cathode-side current collector; the dye having a specific structure and a hall moving agent are made of polythiophene.例文帳に追加

アノード側集電体、色素によって増感された多孔質ｎ型酸化物半導体層、ホール移動層及びカソード側集電体によって構成された全固体色素増感型光電変換素子において、特定構造の色素とホール移動剤がポリチオフェンであることを特徴とする全固体色素増感型光電変換素子。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion device having wide detectable illuminance without widening a range of an output voltage or an output current, having small fraction of an output caused by the variation of characteristics of a photodetector, having small power consumption, and having a high yield and low cost.例文帳に追加

出力電圧もしくは出力電流の範囲を広げることなく、検出可能な照度範囲が広い光電変換装置を得ること、光センサの特性ばらつきによる出力ばらつきが小さい光電変換装置を得ること、消費電力が小さい光電変換装置を得ること、歩留まりが高く、製造コストが小さい光電変換装置を得ることを課題とする。 - 特許庁

The photoelectric conversion element 1 comprises a porous photoelectrode 2 including a semiconductor where colorant is adsorbed, a solid or solidified charge transport layer 3 arranged in contact with the photoelectrode 2 and including an ion liquid and high specific surface active carbon, a first electrode 4 electrically connected with the photoelectrode 2, and a second electrode 5 electrically connected with the charge transport layer 3.例文帳に追加

光電変換素子１は、色素が吸着された半導体を含む多孔質状の光電極２と、該光電極２に接して配置され、イオン液体および高比表面積活性炭を含む固体状または擬固体状の電荷輸送層３と、前記光電極２に電気的に接続される第１の電極４と、前記電荷輸送層３に電気的に接続される第２の電極５とを含む。 - 特許庁

(1) The photoelectric conversion element comprises a light absorption layer; a first selective contact formed on an electron extraction side of the light absorption layer; a negative electrode formed on outside of the first selective contact; and a positive electrode formed on a hole extraction side of the light absorption layer.例文帳に追加

（１）前記光電変換素子は、光吸収層と、前記光吸収層の電子取り出し端側に形成された第１エネルギー選択性コンタクトと、前記第１エネルギー選択性コンタクトの外側に形成された負極と、前記光吸収層の正孔取り出し端側に形成された正極とを備えている。 - 特許庁

The image reading apparatus having a plurality of read modes as to reading of an original image by using a photoelectric conversion element calculates the main scanning resist adjustment value in response to the read mode (steps S2 to S4) and stores the calculated main scanning resist adjustment value for each read mode (step S5).例文帳に追加

光電変換素子を用いた原稿画像の読取りについて複数の読取モードを有する画像読取装置において、原稿の読取りの際に、読取モードに応じて主走査レジスト調整値を算出し（ステップＳ２〜Ｓ４）、その算出された主走査レジスト調整値を読取モード毎に記憶する（ステップＳ５）。 - 特許庁

The image sensor which improves image resolution without changing the resolution of a photoelectric conversion semiconductor device that detects images, and an image detection method using it are provided.例文帳に追加

本発明は、分解能が向上するイメージセンサ及びこれを用いたイメージ感知方法に関し、より詳しくは、イメージを感知するための光電変換半導体素子の分解能を変化させないながらイメージの分解能を向上させる効果を有する分解能が向上するイメージセンサ及びこれを用いたイメージ感知方法に関する。 - 特許庁

PN junction reverse leak current of a photodiode and pn junction reverse leak current of an MOS transistor are offset by deciding the conductivity type of the MOS transistor connected to the photodiode with a pn junction, and noise component is reduced as added to a signal charge due to photoelectric conversion.例文帳に追加

ＰＮ接合を有するフォトダイオードに接続されるＭＯＳトランジスタの導電型を決定することで、フォトダイオードのＰＮ接合逆方向リーク電流と、ＭＯＳトランジスタのＰＮ接合逆方向リーク電流を相殺し、光電変換による信号電荷に加算されるノイズ成分を低減する構成とする。 - 特許庁

A driving frequency switching means 752 for the photoelectric conversion board 717 switches a driving signal frequency 1 to 1/16 enough to avoid giving influence on the clamp voltage.例文帳に追加

待機時に動作クロックを停止させると、ラインクランプ回路がコンデンサの充／放電を利用した回路であるため、コンデンサの電圧が０Ｖのように完全な放電状態のときには、正常なクランプ電位に達するまでには時間がかかることになるので、光電変換基板７１７への駆動周波数切替手段７５２により駆動信号周波数１をクランプ電圧に影響がでない程度、１／１６にする。 - 特許庁

In the photoelectric conversion element, a semiconductor film to adsorb dyes and an electrolyte layer are laminated between a transparent conductive film formed on the surface of a translucent substrate and the counter electrode, the electrolyte layer is made of a liquid electrolyte and insulator particulates, and 10 to 25 vol% insulator particulates are contained in the electrolyte layer.例文帳に追加

透光性基板の表面に形成された透明導電膜と対極との間に、色素を吸着した半導体膜と電解質層とが積層され、前記電解質層が液体電解質と絶縁体微粒子とからなり、前記絶縁体微粒子が電解質層中に１０〜２５体積％含まれていることを特徴とする光電変換素子により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film solar cell capable of simplifying a process by unnecessitating degassing of a substrate when a photoelectric conversion layer is formed, preventing a relative positional deviation of connecting holed and current collecting holed and applying a laser processing method capable of forming holes of high quality.例文帳に追加

光電変換層形成時における基板の脱ガス処理を不要としてプロセスの簡略化と、また接続孔と集電孔との相対的位置ズレの発生防止とを図り、さらに接続孔や集電孔などの加工に、高品質の孔加工が可能なレ−ザ加工法を適用可能とする薄膜太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the organic photoelectric conversion film which is formed by a coating process in which the coating is performed by dissolving an electron-donative first organic material and an electron-acceptive second organic material in an organic solvent, the first organic material is a polyfluorene derivative, the second organic material is a silole derivative, and the organic solvent is contained in the film.例文帳に追加

電子供与性の第１有機材料と電子受容性の第２有機材料とを有機溶媒に溶解させて塗布する塗布処理により形成される有機光電変換膜において、前記第１有機材料はポリフルオレン誘導体であり、前記第２有機材料はシロール誘導体であり、かつ、前記有機溶媒を膜内に含む。 - 特許庁

In other words, the photoelectric conversion element is composed by arranging two of the semiconductor electrodes by facing the surfaces of the semiconductor electrodes to each other through the electrolyte layer abutting on them, and is characterized in that one of the semiconductor electrodes has the metal oxide semiconductor layer having n-type conductivity and the other semiconductor electrode has the metal oxide semiconductor layer having p-type conductivity.例文帳に追加

更に、二つの半導体電極を、それに接した電解質層を介して互いの半導体電極表面を対面させて配置した光電変換素子であって、一方の半導体電極がｎ型伝導性の金属酸化物半導体層を有し、他方の半導体電極がｐ型伝導性の金属酸化物半導体層を有することを特徴とする光電変換素子である。 - 特許庁

The dye-sensitized solar cell 100 includes a glass substrate 1, a transparent conductive layer 1, a porous semiconductor layer 2, a porous insulating layer 3, a plurality of photoelectric conversion elements 10 comprising counter electrode layers 4, a cover glass substrate 22, and a first glass frit layer 23 and a second glass frit layer 24 as the sealing material.例文帳に追加

色素増感太陽電池１００は、ガラス基板１と、透明導電性層１、多孔質半導体層２、多孔質絶縁層３、対極層４からなる複数の光電変換素子１０と、カバーガラス基板２２と、封止材としての第１のガラスフリット層２３及び第２のガラスフリット層２４を有する。 - 特許庁

In the solid-state image pickup device 30, a plurality of photoelectric conversion elements 34 in which a heavily-doped impurity diffusion layer 36 is formed on the surface are formed in a two-dimensional array at the surface of a semiconductor substrate, and an insulating layer 40 is laminated on a semiconductor substrate 32.例文帳に追加

表面に高濃度不純物拡散層３６が形成された複数の光電変換素子３４が半導体基板表面部に二次元アレイ状に配列形成され、半導体基板３２の上に絶縁層４０が積層された固体撮像素子３０において、前記各光電変換素子の直上の絶縁層４０と高濃度不純物層３６との間の界面部分にそれぞれ不純物拡散抑制層５０を形成する。 - 特許庁

This invention provides the image pickup device that is characterized in that pixel areas consisting of pixels each including a photoelectric conversion section and two-dimensionally arranged are placed on one semiconductor chip adjacently to each other at a prescribed space interval, a micro lens is formed on the pixel areas respectively and a micro lens is formed on each prescribed space among the pixel areas respectively.例文帳に追加

光電変換部を含む画素を2次元状に配列した複数の画素領域を、それぞれ所定のスペ—スを設けて隣接して同一半導体チップ上に配置し、前記複数の画素領域上にマイクロレンズを形成するとともに、前記複数の画素領域間の前記所定のスペ—ス上にマイクロレンズを形成していることを特徴とする撮像装置を提供する。 - 特許庁

In the solid-state imaging apparatus which comprises imaging areas of a standard part and a reference part where a plurality of pixels each having a photoelectric conversion element are arrayed respectively and performs phase difference detection type automatic focus, signals output from the standard part and the reference part are output to output circuits of individual channels, which are arranged adjacently to each other.例文帳に追加

光電変換素子を有する画素がそれぞれ複数配列された基準部と参照部の撮像領域から成り、位相差検出型オートフォーカスを行う固体撮像装置において、前記基準部と参照部から出力される信号を個別のチャンネルの出力回路に出力し、前記各出力回路は、互いに隣接して配置される。 - 特許庁

The manufacturing method of the photoelectric conversion device comprises a process of substrate surface treatment for improving the wettability of the surface of the substrate of a first conduction type and the coating liquid, and a coating process of coating the coating liquid to the surface of the substrate to which the substrate surface treatment is carried out using a pressure-type air spray system.例文帳に追加

第一導電型の基板の表面と塗布液との濡れ性が向上するように基板表面処理する工程と、前記基板表面処理を施した前記基板の表面に加圧式エアレススプレー方式を用いて前記塗付液を塗付する塗付工程とを有する光電変換素子の製造方法である。 - 特許庁

Therefore, weak voltage and/or current obtained by the photoelectric conversion is hardly affected by microwave noise, and accurately converted into output for control or display, control and display accurately reflecting a lighting status of plasma can be provided, so that a stable plume can be obtained.例文帳に追加

したがって、光電変換によって得られた微弱な電圧および／または電流は、マイクロ波ノイズの影響を受けることなく、制御のための出力や表示のための出力などに正確に変換されるので、プラズマの点灯状態を正確に反映した制御や表示が可能になり、安定したプルームを得ることができる。 - 特許庁

The power generation plant ship 1 has a solar power generation system 3 to obtain the electric energy by performing photoelectric conversion of the sunlight, an electrolytic means 4 to obtain hydrogen and oxygen by performing electrolysis of sea water using the electric energy obtained by the solar power generation system 3, and a hydrogen storage means 5 to store hydrogen obtained by the electrolytic means 4 which are provided on a hull 2 having a propulsion mechanism 7.例文帳に追加

本発明の発電プラント船１は、推進機構７を備えている船体２に、太陽光を光電変換して電気エネルギを得る太陽光発電システム３と、太陽光発電システム３により得られた電気エネルギを用いて海水を電気分解し、水素と酸素を得る電気分解手段４と、この電気分解手段４によって得られた水素を貯蔵する水素貯蔵手段５とを備える。 - 特許庁

Each of dye-sensitized photoelectric conversion elements is composed of a transparent conductive layer 2 formed on a transparent substrate 1, a conductive layer 4 formed on a substrate 3 to face the transparent conductive layer 2, and a dye-sensitized semiconductor layer 5 and a catalyst electrode layer 5 arranged to face each other between the transparent conductive layer 2 and the conductive layer 4 with an electrolyte layer 7 in-between.例文帳に追加

透明基板１上に透明導電層２を形成し、基板３上に透明導電層２に対向して導電層４を形成し、透明導電層２と導電層４との間に色素増感半導体層５と触媒電極層６とを電解質層７を介して互いに対向して設けて各色素増感光電変換素子を構成する。 - 特許庁

To provide an image processing method as a quickened and simplified processing method for a silver salt color photosensitive material with relieved environment load capable of reading image information of the silver salt color photosensitive material through photoelectric conversion while silver halide and/or development silver remain and efficiently correcting the image quality by the silver halide and/or development silver, in particular, reduction in the color reproducibility until a satisfactory result is obtained.例文帳に追加

迅速・簡易化され、かつ、環境負荷の低減された銀塩カラー感光材料の処理方法として、ハロゲン化銀および／または現像銀が残存した状態で銀塩カラー写真感光材料の画像情報を光電変換により読み取り、ハロゲン化銀および／または現像銀による画質、特に色再現性の低下を、満足のいくレベルまで効率的に補正できる画像処理方法を提供する。 - 特許庁

The solid-state imaging device is driven by a vertical transfer pulse applying step for applying a vertical transfer pulse to a vertical shift register and transferring signal charge output by a photoelectric conversion unit in a column direction, and a horizontal transfer pulse applying step for applying a horizontal transfer pulse to a horizontal shift register during a horizontal transfer period and transferring the signal charge in a row direction.例文帳に追加

垂直シフトレジスタに垂直転送パルスを印加して、光電変換部が出力した信号電荷を列方向に転送させる垂直転送パルス印加ステップと、水平シフトレジスタに水平転送期間に水平転送パルスを印加して、信号電荷を行方向に転送させる水平転送パルス印加ステップとにより固体撮像装置を駆動する。 - 特許庁

The moving positions of a sheet 50 carried by a carrying belt 40 and a line sensor 20 are set so that the relative moving directions of the sheet 50 and the sensor 20 become oblique in the arranging direction X of the photoelectric conversion element 21 and one part of an object area to be photoelectrically converted by the element 21 is made to overlap at least in the adjacent moving positions.例文帳に追加

搬送ベルト40によるシート50とラインセンサ20との相対的な移動方向が、光電変換素子21の配列方向Ｘに対して斜め方向であるとともに、シート50上の、各光電変換素子21による光電変換の対象領域の一部が、少なくとも隣接する移動位置間において重複せしめられるように、移動位置を設定する。 - 特許庁

The right end of a bottom gate line 22 connected to a bottom gate electrode 18 of a photoelectric conversion thin-film transistor 16, for example, is connected to a common line 15 disposed outside the cut line 12 to cope with static electricity through a wiring line 31, a connection pad line 33 in a bottom gate driver mounting region 32, and a lead out line 34.例文帳に追加

そして、例えば、光電変換薄膜トランジスタ１６のボトムゲート電極１８に接続されたボトムゲートライン２２の右端部は、引き回し線３１、ボトムゲートドライバ搭載領域３２内の接続パッド３３および引き出し線３４を介して、カットライン１２の外側に配置された静電気対策用の共通ライン１５に接続されている。 - 特許庁

On the basis of the pulse width, which is the period from when the electric signal equals or rises above the reference voltage to when the electric signal equals or drops below the reference voltage, a signal processing device corrects the rising timing with which the electric signal has become greater than the reference voltage, thereby calculating the timing with which signal light has begun to enter a photoelectric conversion part 100.例文帳に追加

信号処理装置は、電気信号が基準電圧以上になってから基準電圧以下になるまでの時間であるパルス幅に基づいて、電気信号が基準電圧以上になった立ち上がりタイミングを補正することにより、信号光が光電変換部１００に入射し始めたタイミングを算出する。 - 特許庁

This method for controlling an image pickup system or image pickup device provided with an image pickup element having a photoelectric conversion function includes detecting steps (S100 and S101) for detecting the rotating state of the image pickup element and switching steps (S103 to S106) for switching a photometric operation algorithm in accordance with the rotating state of the element detected in the detecting steps.例文帳に追加

光電変換機能を有する撮像素子を備えた撮像システムまたは撮像装置の制御方法であって、前記撮像素子の回転状態を検知する検知工程（Ｓ１００，Ｓ１０１）と、前記検知工程により得られた回転状態に応じて、測光演算アルゴリズムを切り換える切り換え工程（Ｓ１０３〜Ｓ１０６）とを有する。 - 特許庁

The imaging apparatus is provided with a plurality of optical units 220 for acquiring image and pixel elements for conducting photoelectric conversion; an imaging device 240 for converting the image acquired by the optical unit 220 into electric data; and the number of times recording section 244 provided to a non-use area of the imaging device 240 to record the number of recycle times of the imaging apparatus.例文帳に追加

画像を取得する光学ユニット２２０と、光／電気変換する画素素子を複数備え、光学ユニット２２０により取得された画像を電気データに変換する撮像素子２４０と、撮像素子２４０の非利用領域に設けられ、撮像装置のリサイクル回数を記録する回数記録部２４４とを備える。 - 特許庁

The solid-state photographing device is characterized in that it is equipped with: a photographing region where pixels 60 composed of photoelectric conversion unit PDs and transistors Tr1 and Tr2 are arranged; and a multilayered interconnection 62 [621, 622, and 623] formed above the pixels 60 through an interlayer insulating film 61, and that the interlayer insulating film 61 has shading properties.例文帳に追加

光電変換部ＰＤとトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２で構成された複数の画素６０が配列された撮像領域と、複数の画素６０の上方に層間絶縁膜６１を介して形成された複数層の配線６２〔６２１、６２２、６２３〕を有し、層間絶縁膜６１が遮光性を有して成ることを特徴とする。 - 特許庁

The optical receiver applies photoelectric conversion and amplification to an optical signal passing through the transmission path and a variable dispersion compensation unit, thereafter detects a difference between average space levels for a time average value and an identification phase of the entire signal and controls the variable dispersion compensation unit so as to increase the difference between the average space levels at the time average value and the identification phase for the entirely detected signal.例文帳に追加

伝送路、可変分散補償器を通過した光信号を、光受信器において、光電気変換、増幅後、信号全体の時間平均値と識別位相での平均スペースレベルの差を検出し、検出した信号全体の時間平均値と識別位相での平均スペースレベルの差が大きくなるように可変分散補償記を制御する。 - 特許庁