「plasma application」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a plasma generation electrode unit and a plasma generator capable of increasing throughput by generating wide plasma in the short direction of an electrode without discharging between the voltage application electrode and an object to be treated.例文帳に追加

電圧印加電極−被処理物間で放電させることなく、電極短尺方向に幅の広いプラズマを発生させることで、処理能力を増加させることができるプラズマ生成電極ユニットおよびプラズマ生成装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma display panel enabling image display of high quality through restraint of phosphor application failure in a display region.例文帳に追加

表示領域での蛍光体塗布不良を抑制して高品質の画像表示を可能とするプラズマディスプレイパネルを提供する。 - 特許庁

To produce a locally stable plasma flow for the sake of application to correction of defects generated at a TFT board.例文帳に追加

ＴＦＴ基板の発生した欠陥の修正に適用することを目的に、局所的に安定なプラズマ流を生成する。 - 特許庁

To provide an AC plasma display device having high luminous efficiency without largely raising an application voltage for maintaining discharging.例文帳に追加

放電維持のための印加電圧を大きく上昇させることなく、発光効率の高いＡＣ型プラズマディスプレイ装置を得る。 - 特許庁

To provide a plasma display panel enabling image display of high quality by preventing the failure of phosphor application in a display region.例文帳に追加

表示領域での蛍光体塗布不良を抑制して高品質の画像表示を可能とするプラズマディスプレイパネルを提供する。 - 特許庁

The treatment process may include, for example, a low energy actinic radiation exposure, anneal, mechanical strain, DC voltage, plasma application, etc.例文帳に追加

処理プロセスは、例えば、低エネルギー化学線照射、アニール、機械的歪み、直流電圧、またはプラズマを加えることなどがある。 - 特許庁

In this ECR(Electron Cyclotron Resonance) plasma device, a substrate voltage application device 23 and a target voltage application device 24 respectively apply bias voltages to a substrate 20 and targets 22 fixed inside a vacuum chamber 11.例文帳に追加

真空チャンバ１１内に基板２０とターゲット２２を固定し、これらに基板用電圧印加装置２３とターゲット用電圧印加装置２４とによってそれぞれバイアス電圧を印加する。 - 特許庁

To widen an application range of a plasma welding machine by narrowing the gap down to the dimension capable of surely performing plasma welding even in the case of a large gap of a work at a welding section.例文帳に追加

溶接部位におけるワークの隙間が大きくてもその隙間を確実にプラズマ溶接することができる寸法にまで狭めることができるようにし、プラズマ溶接機の適用範囲を広くする。 - 特許庁

To widen a range of application of plasma processing by enabling to efficiently carry out the plasma processing by applying a pulse corona discharge, for example, by using a coaxial cylinder-shaped reactor having a linear electrode and a cylinder-shaped electrode.例文帳に追加

線状電極と筒状電極を有する例えば同軸円筒型のリアクタを用いたパルスコロナ放電によるプラズマ処理を効率よく行えるようにして、プラズマ処理の適用範囲を広げる。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of effectively and inexpensively performing plasma processing position selectively to a region of different shape on a processing surface of a work using one application electrode.例文帳に追加

１つの印加電極を用いて、ワークの処理面上の異なる形状の領域に対して位置選択的に行うプラズマ処理を、効率よく低コストで行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma discharge reactor which enhances the durability of the leading front of a prong of high-voltage application electrode and to provide a gas treatment device.例文帳に追加

プラズマ放電リアクター及びガス処理装置において、高電圧印加電極の突起先端の耐久性を向上させることである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a plasma display panel which enables excellent application of a coating material on a substrate, corresponding to a desired structure.例文帳に追加

所望の構造物に対応して基板上に塗布材料を良好に塗布できるプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the plasma CVD device for performing the film deposition on a work by using plasma, a pair of high frequency application electrodes 2 and 3, and carrying means 6a-6d for transferring works 7 and 8 while facing each other between the pair of high frequency application electrodes 2 and 3 are provided in a film deposition chamber 1.例文帳に追加

プラズマを用いて、被処理材の成膜処理をおこなうプラズマＣＶＤ装置において、成膜室内１に、一対の高周波印加電極２、３と、この一対の高周波印加電極２、３の間に被処理材７、８を対向させて移送させる搬送手段６ａ〜６ｄとを備えてなる。 - 特許庁

The wafer W attracted to the dielectric 25 is plasma processed, and then application of a chuck voltage is stopped by turning off a power supply switch 30.例文帳に追加

誘電体２５に吸着されたウェハＷに、プラズマ処理を施した後、給電用スイッチ３０を切って、チャック電圧の印加を停止する。 - 特許庁

This plasma processing device has a high-impedance formation circuit 38 to increase the impedance of a load circuit of a high-frequency power application part 39.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、高周波電力印加部３９の負荷回路のインピーダンスを大きくするための高インピーダンス化回路３８を有する。 - 特許庁

The end point detection system 5 sends the signal of the detected plasma treatment end point to a device control system 6 and stops the application of high frequency power.例文帳に追加

終点検出システム５は、検出したプラズマ処理終点の信号を装置制御システム６へ送り高周波電力の印加を停止する。 - 特許庁

The device promotes purification of the purified gas in the insulator honeycomb 11 by generating plasma by application of the pulse voltage and using its heat.例文帳に追加

パルス電圧の印加によりプラズマを発生させ、その熱を利用して絶縁体ハニカム１１における被浄化ガスの浄化を促進させる。 - 特許庁

This plasma processing method is used for entering a substrate W into a plasma generation area P where plasma is generated by applying a voltage to an application electrode 15 to activate a processing gas G1, and for decomposing and removing organic matter present on a surface of the substrate W.例文帳に追加

本発明のプラズマ処理方法は、印加電極１５に電圧を印加して処理ガスＧ１を活性化させることによりプラズマが発生するプラズマ発生領域Ｐ内に、基板Ｗを進入させて、基板Ｗの表面にある有機物を分解、除去する処理方法である。 - 特許庁

To solve problems in a conventional rocket taking out plasma jet directly from a thermonuclear reaction device and using it as a propulsion force wherein mass of plasma carrying it is small, a propulsion force is extremely small, and the rocket cannot be used in an application requiring a large propulsion force, although generated energy is markedly large and a speed of the plasma is high in the rocket.例文帳に追加

熱核反応装置から直接プラズマジェットを取り出して推進力とするロケットでは、発生エネルギーは著しく大きくプラズマの速度も速いが、それを担うプラズマの質量が小さいため推力は極端に小さく、大きな推力が必要となる用途には利用できない。 - 特許庁

A treatment system control (304) automates the operation of the system and controls flow of the process gas, evacuation of the chamber, and the application of the plasma excitation power to minimize the length of a treatment cycle and to optimize the uniformity of the plasma treatment.例文帳に追加

処理システム制御（３０４）は、システムの動作を自動化し、処理ガスのフロー、チャンバの排気、およびプラズマ励起パワーの印加を制御して、処理サイクルの長さを最小限に抑え、プラズマ処理の均一性を最適化する。 - 特許庁

To provide a surface working method of a discharge plasma processing apparatus, an application electrode and a discharge plasma processing apparatus for achieving highly precise flattening by a one-time operation process, thereby improving the efficiency of working.例文帳に追加

１回の作業工程で精度の高い平坦化を実現し作業効率の向上を図ることのできる放電プラズマ処理装置の表面加工方法、印加電極及び放電プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To detect the shape of fluorophor layer formed on a substrate by non-destructive inspection during the manufacturing process of a plasma display panel, with respect to a method for evaluating the application state of the fluorophor of a plasma display panel.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルの蛍光体塗布状態を評価する方法に関し、基板に形成された蛍光体層の形状を非破壊検査によって、プラズマディスプレイパネルの製造工程中に検出することを課題とする。 - 特許庁

In a process step (5), the substrate is left standing in a vacuum atmosphere, without the application of plasma for removing moisture adsorbed to the substrate, by setting the time after the plasma cleaning, until the start of air opening (moisture-removing step).例文帳に追加

（５）の工程でプラズマクリーニング後、大気開放を開始するまでの時間を設定することで基板をプラズマ印加しない状態で真空雰囲気に放置して基板吸着水分を除去する（水分除去工程）。 - 特許庁

EJECTION DEVICE, APPARATUS FOR MANUFACTURING COLOR FILTER SUBSTRATE, APPARATUS FOR MANUFACTURING ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY DEVICE, APPARATUS FOR MANUFACTURING PLASMA DISPLAY DEVICE, WIRING MANUFACTURING DEVICE AND APPLICATION METHOD例文帳に追加

吐出装置、カラーフィルタ基板の製造装置、エレクトロルミネッセンス表示装置の製造装置、プラズマ表示装置の製造装置、配線製造装置、および塗布方法 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film with a relatively large area having reduced defects from plasma generated by the application of pulse electrode.例文帳に追加

比較的に大面積でかつ欠陥の少ない薄膜を、パルス電圧印加によって生成するプラズマから形成する方法を提供することである。 - 特許庁

MATERIAL APPLICATION METHOD, PRODUCTION METHOD OF COLOR FILTER SUBSTRATE, PRODUCTION METHOD OF ELECTROLUMINESCENT DISPLAY, PRODUCTION METHOD OF PLASMA DISPLAY UNIT, INSPECTION METHOD, AND DISCHARGE SYSTEM例文帳に追加

材料塗布方法、カラーフィルタ基板の製造方法、エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法、プラズマ表示装置の製造方法、検査方法、および吐出システム - 特許庁

To do away with an application unevenness in a method of applying phosphor paste between ribs of a substrate for forming a phosphor screen for a plasma display panel.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルの蛍光面を形成するために蛍光体ペーストを基板のリブ間に塗布する方法において、塗布ムラをなくすことができるようにする。 - 特許庁

The thickness of the plasma sheath made at the upper electrode 21 becomes large due to the high frequency applied from the second high frequency application mechanism 200 to the upper electrode 21.例文帳に追加

第２の高周波印加機構200から上部電極21に印加される高周波電力により、上部電極21に形成されるプラズマシースの厚さが厚くなる。 - 特許庁

To provide a silicon-containing aromatic polymer capable of forming a film with good heat resistance and a low dielectric constant, superior mechanical properties, plasma resistance and chemical resistance, and its application.例文帳に追加

耐熱性が良好で、比誘電率が低く、機械特性、耐プラズマ性および耐薬品性に優れる膜を形成することができるポリマーを与えること。 - 特許庁

The method comprises, for the step of etching a thin film exposed at the front surface of a substrate, a first step of heating with application of gas plasma almost not including the etching function to the thin film; and a second step of etching the thin film exposed at the front surface of substrate with application of plasma.例文帳に追加

基板の表面に露出している薄膜をエッチングする工程において、上記薄膜に対するエッチング能力を殆んど有しないガスのプラズマの印加により加熱する第１の工程と、上記基板の表面に露出している薄膜をプラズマの印加によりエッチングする第２の工程と、を含む。 - 特許庁

Then, the silicon thin film is subjected to plasma oxidation or plasma nitriding treatment by discontinuing the application of the high-frequency electric field, replacing the atmosphere inside the chamber with an oxidizing or nitriding gas atmosphere and resuming the application of the high-frequency electric field.例文帳に追加

その後、高周波電界の印加を中止し、プラズマ処理チェンバ内を酸化性ガス雰囲気あるいは窒化性ガスの雰囲気に置き換え、再び、高周波電界を印加して前記の基板上に形成されているシリコン薄膜のプラズマ酸化処理あるいはプラズマ窒化処理を行うシリコンナノ結晶構造体の形成方法。 - 特許庁

To provide a surface treatment apparatus and a surface treatment method with which distribution of strength of plasma is made uniform by uniforming a standing wave generated between a pair of electrodes in application of VHF plasma to surface treatment, and uniform ultrahigh frequency plasma surface treatment of a large area is realized.例文帳に追加

ＶＨＦプラズマの表面処理への応用において、一対の電極間に発生の定在波を均一化することにより、プラズマの強さの分布を一様化し、その結果、大面積・均一の超高周波プラズマ表面処理が可能な表面処理装置および表面処理方法を提供すること。 - 特許庁

The plasma processing apparatus 1 for applying plasma processing to a substrate (work) 10 comprises a ground electrode (first electrode) 2 for supporting a substrate 10, an application electrode (second electrode) 3, a power supply circuit 4, and a gas supply (gas supply means) 5.例文帳に追加

プラズマ処理装置１は、基板（ワーク）１０に対してプラズマ処理を施すものであって、基板１０を支持する接地電極（第１の電極）２と、印加電極（第２の電極）３と、電源回路４と、ガス供給部（ガス供給手段）５とを有する。 - 特許庁

Adoption of a step, for the processing processes, of controlling the plasma distribution to be higher toward external portions through the application of a lower source power and a wafer bias power in the plasma ON/OFF states to form a thicker sheath around the center and a thinner sheath than the thickness of the sheath above around the outer circumference above the wafer.例文帳に追加

プラズマＯｎ／Ｏｆｆ時に、低めのソース電力とウエハバイアス電力を印加し、プラズマ分布を外高に制御するステップを入れることにより、ウエハの中心付近では厚いシースが、外周付近ではそれより薄いシースが形成される。 - 特許庁

The plasma display system forms a resin protection film 24 by application for the purpose of protecting a wiring conductor 23 in the flexible wiring board of an address driver circuit for supplying display data to an address electrode of a plasma display panel.例文帳に追加

本発明のプラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネルのアドレス電極に表示データを供給するためのアドレスドライバ回路ブロックのフレキシブル配線基板において、配線導体２３を保護する目的である塗布による樹脂保護膜２４を形成した。 - 特許庁

The second gas is passed through a second passage formed between an electric field application electrode 31 and a grounding electrode so as to be made into plasma, and is blown off from a blow-off port 23b.例文帳に追加

第２ガスは、電界印加電極３１と接地電極の間に形成された第２通路に通されてプラズマ化された後、吹出し口２３ｂから吹出される。 - 特許庁

To provide a plasma display device capable of performing a stable address discharge even by a scanning electrode whose order of scanning pulse application is later, and its driving method.例文帳に追加

スキャンパルスの印加される順番が後の走査電極でも安定したアドレス放電を遂行することのできるプラズマ表示装置の駆動方法を提供する。 - 特許庁

The application of high pressure DC voltage to an electrostatic chuck 11 from the high pressure DC power source 13 is started after plasma is lighted up, and the wafer W is sucked.例文帳に追加

そして、プラズマが着火された後、高圧直流電源１３から静電チャック１１への高圧直流電圧の印加が開始されてウエハＷの吸着が行われる。 - 特許庁

By a heat treatment in an hydrogen atmosphere or by the application of a hydrogen plasma, resistances of the portions (H regions) of the p-type AlGaInN cladding layer 6 and the p-type GaN layer 7 are increased.例文帳に追加

次に水素化物雰囲気中での熱処理または水素プラズマ照射を行いp-AlGaInNクラッド層６、p-GaN層７の一部分（Ｈ領域）を高抵抗にする。 - 特許庁

To provide an AC plasma display panel having a high luminous efficiency without enlarging the length between electrodes, and without increasing largely an application voltage for discharge sustainment.例文帳に追加

電極間長を拡大し、放電維持のための印加電圧を大きく上昇させることなく、発光の効率の高いＡＣ型プラズマディスプレイパネルを提供する。 - 特許庁

The plasma light source includes a pair of coaxial electrodes 10 disposed opposite each other, a radiation environment holding device 20 supplying the plasma medium into the coaxial electrodes and holding it at temperature and pressure suitable for plasma generation, and a voltage application device 30 applying discharging voltages of the opposite polarities to the coaxial electrodes, wherein a tubular discharge 4 is generated between the pair of coaxial electrodes to axially confine plasma 3.例文帳に追加

対向配置された１対の同軸状電極１０と、同軸状電極内にプラズマ媒体を供給しかつプラズマ発生に適した温度及び圧力に保持する放電環境保持装置２０と、各同軸状電極に極性を反転させた放電電圧を印加する電圧印加装置３０とを備え、１対の同軸状電極間に管状放電４を形成してプラズマ３を軸方向に封じ込める。 - 特許庁

In the plasma processing unit 4, plasma is generated by the application of a high-frequency voltage from a high-frequency power supply 6, and organic substances on a work 43 are removed by the oxidizing action of the oxygen and the reducing action of hydrogen generated by the activated water.例文帳に追加

このプラズマ処理部４では、高周波電源６からの高周波電圧が印加されることにより、プラズマが生成されて、活性化された水により発生する酸素の酸化作用及び水素の還元作用により、ワーク４３上の有機物が除去される。 - 特許庁

The plasma light source comprises: a pair of coaxial electrodes 10 which are arranged opposite each other;, a discharge environment holding device 20; and a voltage application device 30 which applies a polarity-inverted discharging voltage to the respective coaxial electrodes, and generates a tubular discharge between the pair of coaxial electrodes to confine plasma 3 in an axial direction, thereby emitting plasma light 8.例文帳に追加

対向配置された１対の同軸状電極１０と、放電環境保持装置２０と、各同軸状電極に極性を反転させた放電電圧を印加する電圧印加装置３０とを備え、１対の同軸状電極間に管状放電を形成してプラズマ３を軸方向に封じ込めプラズマ光８を発光させる。 - 特許庁

A plasma generating apparatus 1 comprises a torch body 2, a gas feed pipe 3 to feed working gas of plasma P to the torch body 2, and an electric field application means to apply the electric field to the working gas fed to the torch body 2, and further comprises magnets 4n and 4s to apply the magnetic field to the plasma P generated from the torch body 2.例文帳に追加

本発明に係るプラズマ発生装置１は、トーチ本体２と、トーチ本体２にプラズマＰの作動ガスを供給するガス供給管３と、トーチ本体２に供給された作動ガスに対して電界を印加する電界印加手段とを備え、トーチ本体２から発生したプラズマＰに磁界を印加する磁石４ｎ，４ｓが設けられている。 - 特許庁

To measure the accurate thickness of a material from a detection signal which is acquired at an application point of laser light for ultrasonic wave generation, and has a low-signal level with plasma shock waves removed therefrom thereafter.例文帳に追加

超音波発生用レーザ光の照射点で得られる、プラズマ衝撃波を除去した後の信号レベルの小さい検出信号から正確な材料厚を測定することができる。 - 特許庁