「plasma generation」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a high frequency electrode in which the influence on the nodes of standing waves generated in a high frequency transmission line is suppressed and to provide a plasma treating apparatus with which satisfactory treatment free from the generation of a plasma distribution is made possible by using the same.例文帳に追加

高周波伝送線路に生じる定在波の節の影響を抑制した高周波電極、およびそれを用いてプラズマ分布の生じない良好な処理を可能とするプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma generating device that allows efficient mass generation of radicals, and to provide a cleaning/purifying device, and a small electric appliance, using the plasma generating device.例文帳に追加

ラジカルを効率よく大量に発生させることのできるプラズマ発生装置、当該プラズマ発生装置を用いた洗浄浄化装置および小型電器機器を得る。 - 特許庁

This is an X-ray generation device in which pulse laser beam is condensed and irradiated on a target substance and the target substance is made a plasma, and the X-ray radiated from the plasma is utilized.例文帳に追加

標的物質にパルスレーザー光を集光照射して標的物質をプラズマ化し、該プラズマより輻射されるＸ線を利用するＸ線発生装置に関する。 - 特許庁

To provide a method and a device for a surface discharge plasma coating which generates a stable surface plasma with little arc (spark) generation and forms a film whose variation in quality is small and thickness is uniform.例文帳に追加

膜質のムラのない膜厚の均一な膜形成が可能でアーク (スパーク) 発生が少なく安定した表面プラズマを発生させる表面放電プラズマコーティング方法及びその装置を提供すること。 - 特許庁

The fuel reforming device is provided with a fuel atomization means for atomizing the fuel; and a plasma generation means for irradiating the fuel atomized by the fuel atomization means with plasma.例文帳に追加

燃料を微粒化するための燃料微粒化手段と、該燃料微粒化手段によって微粒化された燃料にプラズマを照射するためのプラズマ発生手段とを備えたことを特徴とする、燃料改質装置が提供される。 - 特許庁

To provide a plasma processing device, which controls the generation of active species and the uniformity of a plasma process, prevents a change in the characteristics of a semiconductor element, and optimizes process conditions in a separate manner.例文帳に追加

活性種発生制御、均一性制御、半導体素子特性変化防止、プロセス処理条件の適正化が、それぞれ独立に制御できるプラズマ処理装置を実現する。 - 特許庁

Since the projecting part 3 is formed of an insulator, plasma P1 cannot intrude into the inside region of the projecting part 3, a ring-like plasma region is formed between the projecting part 3 and the generation chamber 2.例文帳に追加

突出部３は絶縁体で形成されているため、プラズマＰ１は突出部３の内側領域に侵入することはできず、突出部３とプラズマ生成チャンバ２との間にリング状のプラズマ領域が形成される。 - 特許庁

By inserting the dielectrics 7, impediment of plasma diffusion caused by a recess of the microwave introduction window is prevented, resulting in generation of uniform plasma.例文帳に追加

誘電体７を挿入することによって、マイクロ波導入窓の窪みによるプラズマ拡散の阻害を失くし、均一なプラズマを生成することができる。 - 特許庁

This equipment has the plasma generation device 30 to produce the plasma 12 by HF discharge and supply it to a circumference of the upper stream portion of the base plate 4.例文帳に追加

このイオンビーム照射装置は、高周波放電によってプラズマ１２を生成してそれを基板４の上流側近傍に供給するプラズマ発生装置３０を備えている。 - 特許庁

In this configuration, plasma generation is limited in a vicinity of the aperture 13, the temperature elevation of the substrate 1 by the plasma heat can be suppressed, and the thermal deformation of photosensitive resin 2 can be suppressed by a simple remodeling.例文帳に追加

かかる構成によれば、プラズマの発生を開口部１３の付近に限定して、プラズマの熱による基板１の温度上昇を抑制できることになり、簡単な改造で、感光体樹脂２の熱変形を抑制できる。 - 特許庁

To provide an atmospheric-pressure plasma generation head capable of stably providing a highly-uniform processing region, in an atmospheric-pressure plasma head for generating a linear processing region.例文帳に追加

ライン状の処理領域を生成する大気圧プラズマヘッドにおいて、均一性の良い処理領域を安定して得られる大気圧プラズマ生成ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning method for a thin film deposition system where, in cleaning with NF_3 plasma, without subjecting a component made of Al or an Al alloy in a film deposition system directly exposed to the plasma to surface treatment, the generation of black powder (AlF) on the surface of the component is suppressed.例文帳に追加

ＮＦ_3プラズマによるクリーニングにおいて、該プラズマに直接暴露される成膜装置内のＡｌまたはＡｌ合金製部品に表面処理を施しておくことなく、その部品表面の黒粉（ＡｌＦ）の発生を抑制する。 - 特許庁

The powder generated even then is efficiently removed from a plasma generation area during a period in which plasma excitation strength is weak by applying a positive potential to a ground potential to a dust collecting device 8 installed inside a reaction container 1.例文帳に追加

それでもなお発生するパウダーは、反応容器１内に設置した集塵器８に接地電位に対して正の電位を印加して、プラズマ励起強度が弱い基板にプラズマ生成領域から効率良く取り除く。 - 特許庁

To provide a plasma processing device that can prevent deterioration due to abrasion and formation of particles by preventing members which sections and forms a plasma generation space from coming into direct frictional contact with each other when expanding/contracting.例文帳に追加

プラズマ生成空間を区画形成する部材同士がそれぞれ膨張・収縮の際に直接に摩擦接触させるのを防止して摩耗による劣化及びパーティクルの発生を防止することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The plasma P diffuses in a processing container 1 communicating with the plasma generation container 2 through its opening, and thereby, predetermined processing is applied to the surface of a substrate 9 arranged in the processing container 1.例文帳に追加

プラズマ生成容器２の開口を通して連通している処理容器１内にプラズマＰが拡散し、処理容器１内に配置された基板９の表面に所定の処理が施される。 - 特許庁

A parasitic plasma prevention pipe 15 including ceramic is inserted into the opening of the feed pipe 10 at the connection part of the feed pipe 10 with the plasma generation pipe 11.例文帳に追加

供給管１０とプラズマ生成管１１との接続部における供給管１０の開口には、セラミックからなる寄生プラズマ防止管１５が挿入されている。 - 特許庁

By means of this plasma treatment device, plasma generation gas G is activated by discharge under a pressure about atmospheric pressure to be blown to a subject 5.例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下でプラズマ生成用ガスＧを放電により活性化させ、この活性化されたプラズマ生成用ガスＧを被処理物５に吹き付けるプラズマ処理装置に関する。 - 特許庁

To provide a new and epoch-making plasma generator where the generation of a long-length plasma column can be easily and stably retained to a state of being confined inside a coil over a long period.例文帳に追加

簡易に長尺なプラズマ柱を長期に渡り安定してコイル内に閉じ込めた状態に発生維持させることができる新規かつ画期的なプラズマ発生装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma treatment apparatus that reduces particle generation by preventing a clamped ring, a shield ring, and an equalization ring from intensively discharging electricity to a local region during plasma treatment.例文帳に追加

プラズマ処理中において、クランプリング、シールドリング及び均一化リングの局所への放電の集中を抑制して、パーティクルの発生を低減したプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Further, by using a hollow electrode having a high melting point as the antenna, the generation of the high temperature plasma of ≥1,000°C is made possible, and also, a powder is fed onto the central axis of the plasma, thus its thermal spraying is made possible.例文帳に追加

更に高融点の中空電極をアンテナとして用いることにより、1000℃以上の高温プラズマの生成を可能にした上で、プラズマの中心軸上に粉体を供給しその溶射を可能にする。 - 特許庁

To provide a plasma surface treatment method and a plasma surface treatment apparatus with improved power efficiency that have the equivalent surface treatment effect as a conventional method and reduce the generation of strong X rays due to secondary electrons that are discharged from an object to be treated.例文帳に追加

従来法と同等の表面処理効果を有し、被処理物から放出される２次電子による強いＸ線の発生の軽減と電力効率の良いプラズマ表面処理法及び装置を提供する。 - 特許庁

The plasma reactor 1 is equipped with a magnetic electrode 2g for plasma generation consisting of a magnetic material, as a magnetic field generating means to generate a magnetic filed in a direction facing an air flow of exhaust gas.例文帳に追加

プラズマ反応器１は、排気ガスの気流に対面する方向に磁界を発生させ得る磁界発生手段として、磁性材からなるプラズマ発生用の磁性電極２ｇを具備している。 - 特許庁

The generation of plasma allows raw material gas in the treatment chamber 3 to turn into plasma, and the DLC film is deposited on the inner circumferential surface and the outer circumferential surface of the substrate 200.例文帳に追加

このプラズマの発生により、処理室３内において原料ガスがプラズマ化し、基材２００の内周面および外周面にＤＬＣ膜が堆積される。 - 特許庁

A substrate 14 to be surface-treated with plasma is placed in a reaction vessel 12, and a magnet plate 22 forming the point-cusp magnetic field in a plasma generation space is provided.例文帳に追加

プラズマで表面を処理される基板１４が置かれる反応容器１２を有し、さらにプラズマ生成空間にポイントカスプ磁場を作るマグネット板２２を備える。 - 特許庁

To provide a plasma display apparatus and a driving method thereof that can keep a driving margin during driving a plasma display panel and improve current and heat generation characteristics caused by variance in switching element components.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルの駆動時に駆動マージンを確保し、切り換え素子の部品のバラツキによる電流及び発熱特性を改善させられるプラズマディスプレイ装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

To enhance the plasma generation efficiency and to efficiently perform the detoxification of a harmful substance or the conversion thereof to a useful substance, in a method for treating a chemical substance fluid containing a harmful substance using high frequency pulse plasma.例文帳に追加

高周波パルスプラズマを用いる、有害物質を含む化学物質流体の処理方法において、プラズマ発生効率を向上させること、および有害物質の無害化あるいは有用物質への転換、合成を効率よく行うこと。 - 特許庁

To provide a cleaning apparatus utilizing atmospheric-pressure plasma which can reduce the consumption of the gas for plasma generation and enhance the cleaning effect on the conditions of cost reduction and flexibility of the apparatus.例文帳に追加

装置の低コスト化と汎用性を持たせることを前提とし、プラズマ発生用ガスの消費量を少なくできると共に、洗浄効果を大きくできる大気圧プラズマを利用した洗浄装置を提供する。 - 特許庁

By covering the plasma electrode surface of the negative ion source with carbon nanotubes, electrons are emitted from the carbon nanotubes at a sheath voltage of source plasma for ion generation and the electrode surface is brought into a state that the work function is equivalently lowered to intensify a negative ion generation reaction.例文帳に追加

負イオン源のプラズマ電極表面をカーボンナノチューブで覆うことにより、イオン生成用のソースプラズマのシース電圧でカーボンナノチューブから電子が放出されて等価的に仕事関数が低下した電極表面状態となり負イオン生成反応が増強された負イオン源。 - 特許庁

This ion source includes: a plasma generation vessel 30; a filament 42; a reflecting electrode 48 for reflecting electrons and extracting ions 52; a control electrode 46 kept at the same potential as that of the plasma generation vessel 30; and a deceleration electrode 50 for decelerating the ions 52.例文帳に追加

このイオン源は、プラズマ生成容器３０と、フィラメント４２と、電子を反射させると共にイオン５２を引き出す反射電極４８と、プラズマ生成容器３０と同電位に保たれる制御電極４６と、イオン５２を減速する減速電極５０とを備えている。 - 特許庁

To stabilize plasma generation in a microwave plasma processing apparatus which suppressing generation of reflected waves at the connection part between a microwave supply waveguide and a microwave antenna, for improving charging efficiency, and suppressing discharging.例文帳に追加

マイクロ波プラズマ処理装置において、マイクロ波供給導波管とマイクロ波アンテナとの接続部における反射波の形成を抑制し、給電効率を向上させ、放電を抑制し、プラズマ処理装置中におけるプラズマ形成を安定化させる。 - 特許庁

To provide a plasma CVD device capable of manufacturing a semiconductor thin film having excellent film quality by reducing generation of SiH_2 radicals degrading power generation performance in silane plasma, and preventing drop of the temperature of a substrate during film formation.例文帳に追加

シランプラズマ中の発電性能を低下させるＳｉＨ_２ラジカルの発生を減少させ、さらに成膜時の基板温度低下を防止させることで、優れた膜質を有する半導体薄膜を製造できるプラズマＣＶＤ装置を提供する。 - 特許庁

To enable high uniformity plasma generation by suppressing plasma generation between a cathode electrode and a wall of a treatment vessel.例文帳に追加

カソード電極（例えば上部電極）及びアノード電極（例えば下部電極）を備えた平行平板型のプラズマ処理装置においてカソード電極と処理容器の壁部との間でプラズマが発生することを抑え、均一性の高いプラズマを発生させること。 - 特許庁

To provide an air purifier capable of effectively controlling the quantity of ion generation, by paying attention to the light emitting phenomenon correlated to the plasma discharge and estimating the quantity of generation of positive/negative ions based on the intensity of the light emitted from the plasma discharge phenomenon.例文帳に追加

プラズマ放電における相関ある発光現象に着目して、プラズマ放電現象により発生する発光の強度に基づいて正負イオンの発生量を見積もり、効果的にイオン発生量を制御可能な空気浄化装置を提供する。 - 特許庁

A plasma generation unit 30 provided with a plasma generation means 31 is evacuated in a vacuum housing chamber 12 as shown in (a) of the diagram when a substrate 5 on a substrate holder 18 is subjected to be processed by the catalyst CVD apparatus using a heated catalyst 10.例文帳に追加

加熱した触媒体１０を用いる触媒ＣＶＤ処理が基板ホルダー１８上の基板５に対して行なわれるときは、（ａ）に示すように、プラズマ生成手段３１を備えたプラズマ生成ユニット３０は真空収納室１２に退避している。 - 特許庁

High-temperature plasma is generated in a high-density high-temperature plasma generation part 2 by applying high-voltage pulse voltages to main discharge electrodes 3a and 3b formed in a chamber 1 from a high-voltage pulse generation part 20, and EUV light having a wavelength of 13.5 nm is emitted.例文帳に追加

チャンバ１内に設けられた主放電電極３ａ、３ｂに高電圧パルス発生部２０から高電圧パルス電圧を印加し、高密度高温プラズマ発生部２において高温プラズマを発生させ波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放射させる。 - 特許庁

Further, a Faraday shield 95 is provided between the plasma generation part 80 and the wafer W, and a slit 97 is formed on the Faraday shield 95 to shield an electric field, from among the electric field and a magnetic field generated in the plasma generation part 80, and allow the magnetic field to reach the wafer W.例文帳に追加

また、プラズマ発生部８０とウエハＷとの間にファラデーシールド９５を設けて、プラズマ発生部８０で発生する電界及び磁界のうち電界を遮断して磁界をウエハＷに到達させるために、当該ファラデーシールド９５にスリット９７を形成する。 - 特許庁

Two electrodes 2, 3 are placed so as to oppose each other in the direction almost parallel to the flowing direction of the plasma generation gas in the discharge space 5, while two electrodes 2, 4 are placed so as to oppose each other in the direction perpendicular to the flowing direction of the plasma generation gas in the discharge space 5.例文帳に追加

放電空間５のプラズマ生成用ガスの流れ方向と略平行な方向に二つの電極２、３を、放電空間５のプラズマ生成用ガスの流れ方向と略垂直な方向に二つの電極２、４をそれぞれ対向配置する。 - 特許庁

The flons in liquid at a normal temperature are transported from a container and packed in a pressure vessel by using a compressed air, sufficiently evaporated by a heating apparatus 13 in the outside of a plasma arc generation means (PA), and then supplied to and decomposed by the plasma arc generation means (PA) for detoxification.例文帳に追加

常温で液体のフロン類を容器から耐圧容器へ圧縮空気を用いて移送・充填し、常温で液体のフロン類をプラズマアーク発生手段（ＰＡ）の外部で加熱装置１３によって充分に気化してからプラズマアーク発生手段（ＰＡ）に供給して分解・無害化する。 - 特許庁

Moreover, a power supply 6 is also provided to apply a voltage to the electrodes 2, 3 placed opposite with each other in the direction almost parallel to the flowing direction of the plasma generation gas in the discharge space 5, and to the electrodes 2, 4 placed opposite with each other in the direction perpendicular to the flowing direction of the plasma generation gas in the discharge space 5.例文帳に追加

放電空間５のプラズマ生成用ガスの流れ方向と略平行な方向に対向配置した電極２、３間と放電空間５のプラズマ生成用ガスの流れ方向と略垂直な方向に対向配置した電極２、４間とに電圧を印加する電源６を備える。 - 特許庁

To provide a structure for plasma treatment equipment capable of suppressing the generation of a damage in a spray-coated film, even when a treatment at a high temperature and capable of preventing the generation of a discharge, or the like, by a defective insulation, and to provide the plasma treatment equipment.例文帳に追加

高温で処理を行う場合であっても、溶射皮膜に損傷が発生することを抑制することができ、絶縁不良による放電の発生等を防止することのできるプラズマ処理装置用構造体及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a laserprocessing method and device which not only decreases the cutting speed and stops the shaft but also positively prevent generation of plasma rays and eliminate a promptly defective cutting in a defective cutting due to generation of plasma rays in a laser processing device performing a laser processing on a work W with high pressure assist gas.例文帳に追加

高圧アシストガスで加工するレ−ザ加工において、プラズマ光発生による不良切断時に、単に切断速度を低下したり、軸を停止するのでなく、能動的にプラズマ光の発生を抑制して即座に不良切断をなくするようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor, a plasma processing method and an apparatus, which can reduce peeling of substances formed at plasma generation adhered on a member and a processing chamber for suppressing generation of particles, thus improving product yield or productivity.例文帳に追加

プラズマ処理において、プラズマが発生している際に生成され、処理室内部の部材上に付着する堆積物質の剥離を低減してパーティクルの発生を抑制し、製品の歩留まりや生産性を向上できるようにした半導体の製造方法及びプラズマ処理方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

The exhaust emission control device for cleaning exhaust gas from an internal combustion engine is equipped with a plasma reactor 31 for generating the cold plasma in a generation space between a metal electrode 311a and a dielectric 312b and a generation space between a metal electrode 311b and a dielectric 312c.例文帳に追加

内燃機関から排出される排ガスを浄化するための排ガス浄化装置は、金属電極３１１ａと誘電体３１２ｂとで挟まれた発生空間、及び、金属電極３１１ｂと誘電体３１２ｃとで挟まれた発生空間において、低温プラズマを発生するプラズマリアクタ３１を備える。 - 特許庁

To provide a container treatment apparatus using a plasma which prevents the deviation and concentration of the microwave energy supplied from the outside for the purpose of plasma generation and which can suppress deformation of the container due to variation in the thickness of a coating layer and heat generation.例文帳に追加

本発明は、プラズマ発生の為に外部より供給されたマイクロ波エネルギーの偏りや集中を防ぎ、コーティング層の厚さのばらつきや発熱による容器の変形を抑えることができるプラズマを使用した容器処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The sputtering apparatus 1 includes: a film forming chamber 2 housing a substrate W, and a sputtered particle ejecting section 3 having an opening 3a to eject a sputtered particle 5P from a pair of targets 5a, 5b facing each other with a plasma generation region Pz between the targets and the plasma generation region Pz.例文帳に追加

基板Ｗを収容する成膜室２と、プラズマ生成領域Ｐｚを挟んで対向する一対のターゲット５ａ，５ｂ、およびプラズマ生成領域Ｐｚからスパッタ粒子５Ｐを放出する開口部３ａを有するスパッタ粒子放出部３と、を備えたスパッタリング装置１である。 - 特許庁