「plasma shift」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a plasma etching apparatus that can perform etching with excellent in-plane uniformity and that can reduce the nonuniformity of the CD shift caused by variations in the surface density.例文帳に追加

ＣＤシフトの疎密差を含めた面内均一性に優れたプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁

A first amount of positional shift between the light-emitting point detected by the plasma position monitor and a light-emitting reference position is determined, and the light-emitting section driver is driven based on the first amount of positional shift.例文帳に追加

そして、プラズマ位置モニタにより検出された発光点と発光基準位置との第１ズレ量を判断し、第１ズレ量に基づいて、発光部駆動装置を駆動する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a plasma display panel of high quality in a high yield by preventing the positional shift of a film at the time of contact bonding of the film, and a manufacturing apparatus therefor.例文帳に追加

フィルム圧着時のフィルムの位置ずれを防止し、高品質で歩留まりの高いプラズマディスプレイパネルの製造方法とその製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate transmitting device which controls the positional shift of the substrates without damaging the substrates, a burning system, and manufacturing method of plasma display panel.例文帳に追加

焼成炉内での基板の位置ずれを抑制し、基板の破損がない基板搬送装置と焼成装置およびプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereby, the plasma gun 10 can stably generate the glow discharge in a short period of time, and can shift the glow discharge to the arc discharge though having a structure provided even with three intermediate electrodes.例文帳に追加

これにより、３つの中間電極を備えた構成であっても短時間にグロー放電を安定して生じさせることができ、アーク放電に移行させることができる。 - 特許庁

Since the CO and H_2O having dipole moment are made into radicals or ions and activated by the plasma, a CO shift reaction and a methanation reaction proceed simultaneously and efficiently.例文帳に追加

双極子モーメントを有するCO及び H_2Oはプラズマによってラジカル化あるいはイオン化して活性化されるので、COシフト反応及びメタン化反応が同時に効率よく進行する。 - 特許庁

To perform plasma etching to form a gate electrode on a workpiece of a large-size diameter, while ensuring the in-plane uniformity of CD shift of the gate electrode.例文帳に追加

大口径の被処理体にゲート電極の形成を目的としてプラズマエッチングを行う際に、ゲート電極のＣＤシフトの面内均一性を確保するのが困難になってきている。 - 特許庁

To solve the problem that it is difficult to secure in-plane uniformity of a CD shift of a gate electrode when plasma-etching for the purpose of forming the gate electrode on a material to be processed with a large diameter.例文帳に追加

大口径の被処理体にゲート電極の形成を目的としてプラズマエッチングを行う際に、ゲート電極のＣＤシフトの面内均一性を確保するのが困難になってきている。 - 特許庁

To provide a method in which appropriate shift of charging to an electrode Y_as from an electrode X is guaranteed regardless of a type of phosphor of a cell in a plasma display panel.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルにおいて、電極Ｘから電極Ｙ_ａｓへの充電の適切な移行をセルの蛍光体のタイプに関係なく保証することのできる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a regeneration method for recovering deterioration of a display function caused by a wavelength shift of a phosphor, luminance deterioration or the like; and to provide a plasma display panel having a function recovery means.例文帳に追加

蛍光体の波長シフトや輝度劣化などに起因する表示機能の劣化を回復させる再生方法および機能回復手段を備えたプラズマディスプレイパネルを提供する。 - 特許庁

Further, the light-shielding layer 3 is patterned to form a light-shielding pattern 3a, and the shifter layer 2 is subjected to dry etching with chlorine, using ICP(inductively coupled plasma) type dry etching apparatus, to form a phase shift pattern 2a for obtaining shift mask 100 of the invention.例文帳に追加

さらに、遮光層３をパターニング処理して遮光パターン３ａを形成し、さらに、シフター層２をＩＣＰ（誘電結合プラズマ）タイプのドライエッチング装置を用いて塩素によるドライエッチングにてエッチングし、位相シフトパターン２ａを形成し、本発明の位相シフトマスク１００を得る。 - 特許庁

To provide semi-fabricated item of an electrode for a plasma arc torch having a structure preventing shift of an electron emission element during a heating process after assembly and its exposure to an atmosphere during the heating process.例文帳に追加

組立後の加熱工程で電子放出要素が移動せず、電子放出要素が加熱工程中の雰囲気に露出しない構造となるプラズマアークトーチ用電極の半製品を提供する。 - 特許庁

As a result, since no change is produced in the temperature distribution of the optical bench 2, even before and after the plasma flame 3 is ignited, the problem due to the positional shift of the optical element is solved and consumption of argon gas can be reduced also.例文帳に追加

結果として、プラズマ炎３の点火前も点火後も光学ベンチ２の温度分布に変化が生じないため、光学素子の位置ずれのよる問題が解決し、アルゴンガスの消耗も低減できる。 - 特許庁

The halftone phase shift mask is produced by forming a MoSi-based halftone phase shift film having a film thickness giving a phase difference of ≤135° on a quartz glass substrate and engraving the quartz glass substrate with high perpendicular property and in-plane uniformity by dry etching by magnetic neutral line discharge plasma.例文帳に追加

本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクは、石英ガラス基板上に、位相差が１３５°以下となるような膜厚をもつＭｏＳｉ系のハーフトーン位相シフト膜を設け、磁気中性線放電プラズマによるドライエッチングで石英ガラス基板を垂直性よく且つ面内均一性よく掘り込んで構成される。 - 特許庁

To provide a plasma display panel with a small non-discharge gap and proper color balance and brightness-contrast characteristics, while improving shift of color balance generated by the difference of luminous strength and deterioration with time between colors.例文帳に追加

色毎による発光強度の差及び経時劣化の差によって生じる色バランスのずれを改善しつつ、非放電ギャップ部を小さくして色バランス及び輝度−コントラスト特性のよいプラズマディスプレイパネルを供給する。 - 特許庁

To provide an endpoint detecting method for a plasma treatment, capable of dealing with a shift of an emitted light wavelength in a simplified construction using a band-pass filter, of improving monitoring accuracy and of ensuring the low cost.例文帳に追加

本発明はバンドパスフィルタを用いた簡単な構成で、発光波長のズレにも対応でき、かつ監視精度の向上、低コストを図ることができるプラズマ処理の終点検知方法およびその装置を得るにある。 - 特許庁

To provide a positive type resist composition which gives a photoresist forming a pattern of a rectangular shape and ensures low edge roughness of a line pattern in the production of a semiconductor device and ensures a small dimensional shift in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、矩形形状のパターンを形成するフォトレジストを与え、ラインパターンのエッジラフネスが少なく、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが小さいポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To obtain a positive type resist composition having high sensitivity and high resolving power, giving a rectangular photoresist, having good wettability with a developing solution, nearly free from development defects and ensuring a slight dimensional shift in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step.例文帳に追加

高感度及び高解像力で、矩形形状を有するフォトレジストを与え、現像液への濡れ性が良好で現像欠陥が少なく、更に酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写時に寸法シフトが小さいポジ型レジスト組成物を得る。 - 特許庁

To provide a laminator capable of achieving a high yield and cost reduction without causing the positional shift of a film sheet in a lamination method adapted to a glass substrate, a metal substrate, a plastic substrate or the like for use in a liquid crystal display, a plasma display panel, an electric product or the like.例文帳に追加

液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル、電気製品などに用いられるガラス基板、金属基板、プラスチック基板などへのラミネート方法において、フィルムシートの位置ずれのない高歩留まりで低コスト化が図れるラミネート装置を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having high resolving power in the production of a semiconductor device, also having a rectangular shape and ensuring low edge roughness of a line pattern and a small shift in dimensions in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、高解像力を有し、しかも矩形形状を有し、ラインパターンのエッジラフネスが少なく、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが小さいポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide an inexpensive plasma cleaning apparatus with good facility investment efficiency, which can shift an experimental device with verifications, such as the cleaning experiment, process development, and application development of electronic parts, to a mass-production apparatus.例文帳に追加

本発明は、電子部品の洗浄実験、プロセス開発、あるいは、用途開発等の検証を行った実験装置を量産装置に移行することができ、設備投資効率のよい安価なプラズマ洗浄装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a positive type resist composition which gives a photoresist forming a rectangular pattern in the production of a semiconductor device and ensures low edge roughness of a line pattern and a small dimensional shift in the transfer of a pattern to a lower layer in an oxygen plasma etching step.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、矩形形状のパターンを形成するフォトレジストを与え、ラインパターンのエッジラフネスが少なく、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが小さいポジ型レジスト組成物をを提供すること。 - 特許庁

The method for manufacturing a halftone phase shift mask includes steps of forming the MoSi halftone phase shift film having a film thickness giving the phase difference of ≤135° on the quartz glass substrate by reactive sputtering and etching the quartz glass substrate using a chromium film as a mask by dry etching by magnetic neutral line discharge plasma with addition of a gas having an effect of protecting a side wall to the process gas.例文帳に追加

また、本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクの製造法は、石英ガラス基板上に、反応性スパッタリング法によりＭｏＳｉ系のハーフトーン位相シフト膜を位相差が１３５°以下となるような膜厚に成膜し、続いてクロム膜をマスクとして、磁気中性線放電プラズマによるドライエッチングによりプロセスガスに側壁保護効果をもつガスを添加して、石英ガラス基板をエッチング処理することから成る。 - 特許庁

To obtain a positive type photoresist composition having high sensitivity and high resolving power of ≤0.2 μm, giving a photoresist of a rectangular shape and less liable to cause a dimensional shift in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step when the composition is used as the upper layer resist of a two-layer resist system.例文帳に追加

高感度であり、０．２μｍ以下の高解像力を有し、矩形形状を有するフォトレジストを与え、しかも二層レジストシステムの上層レジストとして使用した場合、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが少ないポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having high sensitivity and high resolving power in the production of a semiconductor device, having a rectangular shape, ensuring low edge roughness of a line pattern and causing a small size shift, in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、高感度であって高解像力を有し、しかも矩形形状を有し、ラインパターンのエッジラフネスが少なく、更に酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが小さいポジ型レジスト組成物を提供することである。 - 特許庁

The hydrogenated amorphous carbon film is prepared from a hydrocarbon gas through a plasma CVD method and is characterized by a G band shift of 1,550-1,559 cm^-1 and a half-width of G band of 180-197 cm^-1 in a Raman spectrum measured by Raman spectroscopy with an Ar laser (wavelength: 488 nm).例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法によって炭化水素ガスから得られる水素化アモルファスカーボン膜であって、Ａｒレーザ（波長：４８８ｎｍ）によるラマン分光分析によって測定されるラマンスペクトルのＧバンドシフトが１５５０〜１５５９ｃｍ^−１、かつＧバンド半値幅が１８０〜１９７ｃｍ^−１であることを特徴とする。 - 特許庁

To obtain a positive type photoresist composition having high sensitivity and high resolving power of ≤0.2 μm in the production of a semiconductor device, giving a photoresist of a rectangular shape and less liable to cause a dimensional shift in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step when the composition is used as the upper layer resist of a two- layer resist system.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、高感度で0.2μｍ以下の高解像力を有し、かつ矩形形状のフォトレジストを与え、また二層レジストシステムの上層レジストとして使用した場合、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが少ないポジ型フォトレジスト組成物を得る。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition which gives a resist pattern having high sensitivity and high resolution as ≤0.15 μm and having a square cross section in the production of a semiconductor device and to provide a positive photoresist composition showing small dimensional shift when a pattern is transferred to a lower layer in an oxygen plasma etching process of a two-layer resist method.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において高感度且つ0.15μｍ以下の高解像力を有し、矩形形状を有するレジストパターンを与えるポジ型フォトレジスト組成物、２層レジスト法において酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが小さいポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

A welding wire is temporarily brought into contact with a base material and is fed backward to get away therefrom so that application of an initial arc current generates an initial MIG arc, and the backward feeding is continued to increase arc length to generate a plasma arc, and thereafter the feeding is switched to forward feeding and a MIG welding current is applied to shift the arc to a regular MIG arc.例文帳に追加

溶接ワイヤを母材と一旦接触させた後に後退送給して引き離すことによって初期アーク電流が通電する初期ミグアークを発生させ、後退送給を継続してアーク長を長くすることによってプラズマアークを発生させ、それ以降は前進送給に切り換えると共にミグ溶接電流を通電して定常ミグアークへと移行させる。 - 特許庁

A dry etching step of a phase shifter film in a phase shift mask essentially comprises predicting an etching rate in the next process substrate by using a correlation between an average phase difference in a plasma current-voltage and the etching rate of the phase shifter film observed during the etching process and using changes in the phase difference output with time, and then setting an optimum etching time to carry out the etching process.例文帳に追加

位相シフトマスクに於ける位相シフター膜のドライエッチング工程に於いて、エッチング処理中に観測されるプラズマ電流−電圧間の位相差の平均値と位相シフター膜のエッチング速度の相関関係と位相差出力の経時変化とを用いて次回処理基板に於けるエッチング速度を予測し、然る後、最適エッチング時間を設定してエッチング処理を行なう過程が含まれてなることを基本とする。 - 特許庁

Nanoparticles which can be fully dispersed are made by plasma without carrying out surface treatment, and moreover, in order to shift an equipotential point to an acid side and to raise dispersibility in a neutral region extremely, while making a dissimilar metal ion or atom pour in and unify in a crystal structure when needed, a crystal structure which does not make active oxygen discharge is created, and simultaneously desired fine particles are obtained by an ultrasonic wave dispersion or centrifuge method.例文帳に追加

プラズマにより、表面処理をせずに完全分散できるナノ粒子を作ること、また、等電位点を酸性側にシフトさせ中性域での分散性を極めて高めるため、必要に応じて結晶構造中に異種金属イオン又は原子を注入せしめて一体化するとともに、活性酸素を排出させない結晶構造を創製せしめて、同時に超音波分散又は及び遠心分離法により所望の微粒子を得る。 - 特許庁