「principal axis」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The motor rotates the antenna to move on a circumference having an extension of a principal point of the lens as an axis.例文帳に追加

また、モータは、レンズにおける主点の延長線を軸とする円周上をアンテナが移動するようにアンテナを回転させる。 - 特許庁

The angle formed by a crystal axis vector C and the normal N of the principal surface 13a of the substrate 13 is the above off-angle.例文帳に追加

結晶軸ベクトルＣと基板１３の主面１３ａの法線Ｎとの成す角は、上記のオフ角度である。 - 特許庁

An output V12 from a microphone amplifier 12 indicates that the sensitivity in front of a camera is high and the sensitivity at the back thereof is low with respect to the microphone directivity principal axis.例文帳に追加

マイクアンプ１２からの出力Ｖ１２は、マイクロホン指向性主軸に対してカメラ前方の感度は高く、後方の感度は低くなる。 - 特許庁

The omnidirectional eddy current probe (600) includes a number of sense coils (110), arranged in a stack (112) having a principal axis (114).例文帳に追加

全方向性渦電流プローブ（６００）は、主軸（１１４）を有する堆積物（１１２）をなして配列された複数の感知コイル（１１０）を含んでいる。 - 特許庁

Since a c-axis of the GaN semiconductor of the base 13 extends from a side face 13c to a side face 13d, a substrate principal plane is a m- or a-plane.例文帳に追加

支持体１３のＧａＮ半導体のｃ軸は、側面１３ｃから側面１３ｄに伸びているので、基板主面は、ｍ面またはａ面である。 - 特許庁

However, polarized light is made to be in the direction of a principal axis of double refraction of the spatial photomodulator 8 by turning the polarized light with a λ/2 plate 9.例文帳に追加

ただし、λ／２板９によって偏光を回転させることにより、空間光変調器８の複屈折の主軸方向に合わせている。 - 特許庁

On the extension body 10, a chip holder 20 which holds an inspection chip 40 at a position separated from the principal axis 4 is installed.例文帳に追加

延出体１０には、主軸４から離間した位置で検査チップ４０を保持するチップホルダ２０が設けられている。 - 特許庁

An n-type clad layer 21, an active layer 25 and a p-type clad layer 23 are arranged in the direction of a normal axis NX of a principal surface 17a.例文帳に追加

ｎ型クラッド層２１、活性層２５及びｐ型クラッド層２３は主面１７ａの法線軸ＮＸの方向に配置される。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING PRINCIPAL AXIS THERMOPHYSICAL PROPERTY VALUE OF TWO-DIMENSIONAL ANISOTROPIC SUBSTANCE USING HEAT FLOWMETER TYPE MULTIPOINT TEMPERATURE MEASURENT METHOD例文帳に追加

熱流計式多点温度測定法による二次元異方性物質の主軸熱物性値測定方法およびその測定装置 - 特許庁

The side wall faces of the groove are kept parallel to each other and the side wall faces are in the same direction to the crystal principal axis of the substrate.例文帳に追加

該溝部の側壁面は互いに平行を保ち、かつ、側壁面は基板の結晶主軸と同じ方向に沿っている。 - 特許庁

A reflector 35 has an inside surface-shaped reflecting surface equivalent to a shape formed by cutting a part of an ellipsoid of revolution along a surface perpendicular to its principal axis.例文帳に追加

リフレクタ３５は、回転楕円面の一部をその主軸に直交する面に沿って切除したのと等価な内面形状の反射面を、有している。 - 特許庁

The buffer B is provided across the longitudinal principal axis of the toggle-type hinge H without reference to the solution, and joined to a hinge pot.例文帳に追加

解決法に関わらず、緩衝装置Ｂはトグル型ヒンジＨの長手方向主軸線を横切って設けられ、そしてヒンジポットに接合される。 - 特許庁

At least two of the sense coils (110) are rotationally skewed about the principal axis (114) relative to each another.例文帳に追加

感知コイル（１１０）の２以上は、主軸（１１４）の回りで回転方向について互いにねじれの位置にある。 - 特許庁

In such lens constitution, an angle formed by an optical axis with a principal light beam of the bundle of rays condensed on the corner of an image plane is set to satisfy 15°<PA<30° (PA: angle formed by the optical axis with the principal light beam of the bundle of rays condensed on the corner of the image plane).例文帳に追加

そして、このレンズ構成において、画面隅に集光する光線束の主光線と光軸との成す角度に関して１５°＜ＰＡ＜３０°（ＰＡ：画面隅に集光する光線束の主光線と光軸との成す角度）を満足させるようにする。 - 特許庁

A semiconductor laser element 1 comprises: a semiconductor layer 10 having an active region 13 extending along a reference axis A, and a principal surface P1; a first end surface E1 and a second end surface E2 which intersect the reference axis A; and a first groove 24 and a second groove 25 which are provided on the principal surface P1.例文帳に追加

半導体レーザ素子１は、基準軸Ａに沿って延在する活性領域１３と主面Ｐ１とを有する半導体積層１０と、基準軸Ａに交差する第１の端面Ｅ１及び第２の端面Ｅ２と、主面Ｐ１に設けられた第１の溝２４及び第２の溝２５とを備える。 - 特許庁

A principal axis of a cylindrical lens 7 of the projection optical system and a principal axis of an objective 8 of the detection optical system cross each other at a certain angle, and the line CCD 11 detects an intensity distribution of the light rays generated by the illumination rays 7 in the line-like form on a line.例文帳に追加

投光光学系のシリンドリカルレンズ７の主軸と、検出光学系の対物レンズ８の主軸とが一定の角度で交わるとともに、ラインＣＣＤ１１は、ライン状の集光７によって生じる光の当該ライン上における強度分布を検出する。 - 特許庁

Since the flexible member 29 is formed in a shape symmetrical to the optical axis in the principal direction, the extending and contracting way of the flexible member 29 is the same on both sides in the principal direction with respect to the optical axis so as to uniformly move the line sensor 32.例文帳に追加

また、伸縮部材２９は、主方向において光軸に対して対称な形状で形成されているので、光軸に対して主方向両側で、伸縮部材２９の伸縮の仕方が同じになり、ラインセンサ３２を均一に光軸方向に移動させることができる。 - 特許庁

Alternatively, the "rotary phaser type" ellipsometer is constituted by arranging one sheet of wave plate arrayed with a plurality of wave plates different in principal axis directions, and one sheet of polarizer having a fixed principal axis direction to be layered overlappedly, and by combining those with the photoreception element array.例文帳に追加

または、主軸方向が異なる複数の波長板を配列した波長板アレイ１枚と、主軸方向が一定の偏光子１枚を重なるように配置し、受光素子アレイと組み合わせることによって「回転位相子型」お偏光解析装置を構成する。 - 特許庁

The photographing device also includes a front section moving means 40 with which the lens mount section 21 and a tilt axis TX perpendicular to the lens axis LX of the interchangeable lens 11 for tilting are relatively moved in the direction of the lens axis LX, thereby establishing a positional relation in which the second principal point of the interchangeable lens 11 passes through the tilt axis TX.例文帳に追加

ティルトアオリにおける交換レンズ１１のレンズ軸ＬＸに垂直なティルト軸ＴＸとレンズマウント部２１とをレンズ軸ＬＸ方向に相対移動させて交換レンズ１１の第２主点がティルト軸ＴＸを通る位置関係にするフロント部移動手段４０とを備える。 - 特許庁

While each of the tilt axis (A) slewing mechanism and the turn axis (B) slewing mechanism are made in a non-operational state, the work W is held by the work-clump 6, and by carrying out high-speed rotation with NC control axis for a principal-axis drive, an usual lathe processing can be performed.例文帳に追加

前記チルト軸（Ａ）旋回機構と前記ターン軸（Ｂ）旋回機構とを何れも非作動状態として、ワーククランプ６でワークＷを把持し、かつ、主軸駆動用のＮＣ制御軸によって高速回転させることで、通常の旋盤加工を行うことができる。 - 特許庁

The principal growth plane 10a of the GaN substrate 10 is consisting of a plane having off-angle in each direction of a-axis direction and c-axis direction relative to an m-plane, and the off-angle in the a-axis direction is larger angle than the off-angle in the c-axis direction.例文帳に追加

そして、ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａが、ｍ面に対して、ａ軸方向およびｃ軸方向の各方向にオフ角度を有する面からなり、ａ軸方向のオフ角度が、ｃ軸方向のオフ角度より大きい角度となっている。 - 特許庁

The heat radiating fins 2 have their principal surfaces parallel to an axis A of the coil 11 and are provided in the core 13 radially around the axis A.例文帳に追加

放熱フィン２は、その主表面がコイル１１の軸線Ａに平行であり、かつ該軸線Ａを中心とした放射状となるようにコア１３内に設けられている。 - 特許庁

The principal surface 55a of the substrate 55 forms an angle larger than 61 degrees with reference to a reference plane perpendicular to a reference axis VC55 extending in a c-axis direction of the group III nitride semiconductor.例文帳に追加

基板５５の主面５５ａは、該III族窒化物半導体のｃ軸方向に延びる基準軸ＶＣ５５に直交する基準平面を基準にして６１度より大きい角度を成す。 - 特許庁

The crystal substrate is so constituted that an angle formed by an optical axis and the principal surface of the substrate or an angle formed by the optical axis and the end side of the substrate is in a specified angle range where the polarization direction is not rotated.例文帳に追加

水晶基板は、その光軸と主面とのなす角度、或いは該光軸と基板端辺とのなす角度が夫々、偏光方向が回転することがない特定の角度範囲となるように構成されている。 - 特許庁

The panel drive rotates the movable panel 10 on the uniaxial 11A, and also turns the central rotation axis 11A on the principal axis 19A, thereby turning the movable panel 10 substantially upside down in substantially the same plane area.例文帳に追加

可動パネル１０を一軸１１Ａ回りに回転させるとともに、この回転中心軸１１Ａを主軸１９Ａ回りに回動させることにより、可動パネル１０を略同一平面領域において実質的に裏向きにする。 - 特許庁

Thus, the other principal surface 11b of the work comes into surface contact with the polishing surface 12a while being conveyed within a plane parallel to the rotation axis 12e of the polishing roller in the direction inclined to the rotation axis.例文帳に追加

ワークの他方の主面１１ｂは、研磨ローラの回転軸線１２ｅに平行な平面内でその回転軸線に対して傾斜した方向に搬送されながら研磨面に面接触させられる。 - 特許庁

A principal surface 13a of the group-III nitride semiconductor support 13 shows non-polarity inclined to a reference plane Sc orthogonal to a reference axis Cx, which in turn extends along a (c) axis of a group-III nitride semiconductor.例文帳に追加

III族窒化物半導体支持体１３の主面１３ａは、基準軸Ｃｘに直交する基準平面Ｓｃに対して傾斜する非極性を示しており、基準軸ＣｘはIII族窒化物半導体のｃ軸方向に延びる。 - 特許庁

On the shadow mask principal surface, a plurality of electron beam passing hole lines each comprising a plurality of slit-like electron beam passing holes arranged in the minor axis direction through a bridge are arranged in the major axis direction.例文帳に追加

シャドウマスク主面において、ブリッジを介して短軸方向に配列された複数のスリット状の電子ビーム通過孔からなる電子ビーム通過孔列が長軸方向に複数列配列されている。 - 特許庁

Two grooves 207D and two grooves 207E are formed in the same area in the axial direction of the center axis of the cam ring 207, that is, a principal axis 201.例文帳に追加

２つの第１カム溝２０７Ｄと２つの第２カム溝２０７Ｅは、カム環２０７の中心軸、すなわち主軸２０１の軸線回り方向における同一の領域に設けられている。 - 特許庁

When a first holding member 31 is set to a fixing part 12A in the case of a beam splitter 21, an optical axis L4 of a passing light Le can be agreed with a principal axis 33a of a first collective lens 33.例文帳に追加

ビームスプリッタ２１のときに固定部１２Ａに第１の保持部材３１を取り付けると、透過光Ｌｅの光軸Ｌ４と第１の集光レンズ３３の主軸３３ａを一致させることができる。 - 特許庁

The sapphire substrate 10 has the principal plane on which the intermediate layer 11 is grown and which is vertical to the m-axis of the sapphire substrate 10 or is slant to the m-axis of the sapphire substrate 10.例文帳に追加

サファイア基板１０は、中間層１１を成長させる主面が、当該サファイア基板１０のｍ軸と垂直、あるいは、当該サファイア基板１０のｍ軸に対し傾斜している。 - 特許庁

A principal plane 13a of a support substrate 13 constituted of the group III nitride semiconductor extends along a reference plane R_SUB orthogonal to a reference axis Ax inclined at a predetermined angle ALPHA relative to a c-axis of the group III nitride semiconductor.例文帳に追加

III族窒化物半導体からなる支持基体１３の主面１３ａは、該III族窒化物半導体のｃ軸に対して所定の角度ＡＬＰＨＡで傾斜した基準軸Ａｘに直交する基準平面Ｒ_ＳＵＢに沿って延在する。 - 特許庁

To prevent the generation of disk resonance in an optical disk drive having a tilt correcting mechanism to move up and down a principal axis and a secondary axis to guide the optical head by reducing the vibration of the optical head in a seeking operation.例文帳に追加

光ヘッドを案内する主軸と副軸を上下動するチルト補正機構を有する光ディスクドライブ装置において、シーク動作時の光ヘッドの振動を低減し、ディスク共振の発生を防止すること。 - 特許庁

In a sample sampled from the strippable sheet, a distribution range of an inclination of orientation principal axis (orientation angle) of the strippable sheet substrate with respect to a straight axis set in an arbitrary direction is 5° or less.例文帳に追加

剥離シートからサンプリングした試料において、任意方向に設定した直線軸に対する剥離シート基材の配向主軸の傾き（配向角）の分布範囲が５°以下である。 - 特許庁

A housing (30) of the lens drive unit (20) has a substantially rectangular parallelopiped, and includes a principal axis (38) extended along an optical axis (O) direction in the first corner out of four corners of the housing in an inside of the housing.例文帳に追加

レンズ駆動装置(２０)のハウジング（３０）は略直方体形状をしており、ハウジング内の当該ハウジングの四隅中の第１の隅で、光軸（Ｏ）方向に延在する主軸（３８）を備える。 - 特許庁

In the case of a half mirror 22 (22a, 22b), a second holding member 32 is set to the fixing part 12A, whereby an optical axis L5 of a passing light Le' can be agreed with a principal axis 34a of a second collective lens 34.例文帳に追加

またハーフミラー２２の場合には、固定部１２Ａに第２の保持部材３２を取り付けることにより、透過光Ｌｅ′の光軸Ｌ５と第２の集光レンズ３４の主軸３４ａを一致させることができる。 - 特許庁

A reference hole 11 at the side of a principal axis and a reference hole 12 at the side of a secondary axis are provided on the bottom surface of an assembling casing 1, and tapered positioning pins 16 and 17 are inserted into reference holes 11 and 12 respectively.例文帳に追加

組立筐体１の底面に主軸側の基準穴１１および副軸側の基準穴１２を設け、それぞれの基準穴１１、１２にテーパー位置決めピン１６、１７を挿入した。 - 特許庁

Because the position of the optical axis direction of the lens 5 is made adjustable, a parallelism (a telecentric degree) toward an optical axis of a principal ray incident on the polarizing element 6 and the integrator 7 is variable.例文帳に追加

レンズ５の光軸方向の位置を調整可能としたので、偏光素子６やインテグレータ７に入射する主光線の光軸に対する平行度（テレセン度）を変えることができる。 - 特許庁

A principal surface 13a of a semiconductor substrate 13 is inclined at an angle A_OFF of inclination of 50 to 70° to a reference surface orthogonal to a reference axis Cx in a (c) axial direction of GaN along an (a) axis of GaN.例文帳に追加

半導体基板１３の主面１３ａは、ＧａＮのａ軸方向にＧａＮのｃ軸方向の基準軸Ｃｘに直交する基準面に対して５０度以上７０度以下の範囲の傾斜角Ａ_ＯＦＦで傾斜する。 - 特許庁

The group-III nitride semiconductor laminated structure 2 has an m-axis as the principal plane of the crystal growth and is constituted by laminating, in the m-axis direction, an n-type semiconductor layer 11, a light-emitting layer 10, and a p-type semiconductor layer 12.例文帳に追加

III族窒化物半導体積層構造２は、ｍ軸を結晶成長の主面としており、ｍ軸方向に、ｎ型半導体層１１、発光層１０、およびｐ型半導体層１２を積層して構成されている。 - 特許庁

The diffraction element 13 has a half-wave plate 21 of a single plate made of a quartz substrate which is cut at such an angle that the normal of the principal plane of the quartz substrate forms 90° to an axis Z being a crystal optical axis of a quartz.例文帳に追加

回折素子１３は、水晶基板の主面の法線が水晶の結晶光学軸であるＺ軸に対して９０°となるような角度でカットした水晶基板からなる単板の１／２波長板２１を有する。 - 特許庁

The principal surface 17a is inclining in the direction of the m-axis of a hexagonal nitride semiconductor at an angle of ALPHA in the range of 63 degree or more and less than 80 degree with reference to a plane orthogonal to a reference axis Cx extending in the direction of the c-axis of the hexagonal nitride semiconductor.例文帳に追加

この主面１７ａは、六方晶系窒化物半導体のｃ軸の方向に延在する基準軸Ｃｘに直交する面を基準に６３度以上８０度未満の範囲の角度ＡＬＰＨＡで六方晶系窒化物半導体のｍ軸の方向に傾斜している。 - 特許庁

The principal growth plane 10a of the GaN substrate 10 is a plane having off-angles in a-and c-axis directions relative to an m-plane, and the off-angle in the a-axis direction is larger than the off-angle in the c-axis direction.例文帳に追加

そして、ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａが、ｍ面に対して、ａ軸方向およびｃ軸方向の各方向にオフ角度を有する面からなり、ａ軸方向のオフ角度が、ｃ軸方向のオフ角度より大きい角度となっている。 - 特許庁

A nitride semiconductor laser element 100 (nitride semiconductor element) includes: an n-type GaN substrate 10 having a growth principal surface 10a having an off angle to an (m) plane in an (a)-axis direction; and a nitride semiconductor layer 20 formed on the growth principal surface 10a of the n-type GaN substrate 10.例文帳に追加

この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体素子）は、ｍ面に対してａ軸方向にオフ角度を有する面を成長主面１０ａとするｎ型ＧａＮ基板１０と、ｎ型ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に形成された窒化物半導体層２０とを備えている。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser element 100 (nitride semiconductor element) includes an n-type GaN substrate 10 having, as a growth principal surface 10a, a surface having an off angle to an (m) plane along an (a) axis, and a nitride semiconductor layer 20 formed on the growth principal surface 10a of the n-type GaN substrate 10.例文帳に追加

この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体素子）は、ｍ面に対してａ軸方向にオフ角度を有する面を成長主面１０ａとするｎ型ＧａＮ基板１０と、ｎ型ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に形成された窒化物半導体層２０とを備えている。 - 特許庁