「quantum」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD FOR RECORDING INFORMATION, CALCULATING METHOD, METHOD FOR COMMUNICATING INFORMATION, METHOD FOR STORING ENERGY, METHOD FOR MEASURING MAGNETIC FLUX AND METHOD FOR CONSTITUTING QUANTUM BIT UTILIZING SUPERCONDUCTOR COMPRISING A PLURALITY OF BANDS例文帳に追加

複数のバンドを有する超伝導体を利用した情報記録方法、演算方法、情報伝達方法、エネルギー蓄積方法、磁束測定方法及び量子ビットの構成方法 - 特許庁

Quantizers 12-1 to 12-m generate compression vectors y=[y^_1, ..., y^_m], obtained by making the components y_1 to y_m of the feature vectors discrete by scalar quantum functions Γ_l to Γ_m, respectively.例文帳に追加

量子化器１２−１〜１２−ｍは、特徴ベクトルの各成分ｙ_１〜ｙ_ｍをそれぞれスカラー量子関数Γ_１〜Γ_ｍにより、離散化された圧縮ベクトルｙ＝［ｙ＾_１，・・・，ｙ＾_ｍ］を生成する。 - 特許庁

To improve high-power characteristics by reducing interface strain, related to a semiconductor laser device provided with an active region comprising a quantum well layer of compression strain and a barrier layer of tensile strain.例文帳に追加

圧縮歪の量子井戸層と引張歪の障壁層からなる活性領域を備えた半導体レーザ装置において、界面歪を低減させ高出力特性を改善する。 - 特許庁

Each section of the pixel structures has a plurality of quantum well infrared radiation absorbing photoconductor (QWIP) elements, and the elements are formed into diffraction gratings with respect to the received infrared radiations.例文帳に追加

ピクセル構造の各セクションは複数の量子井戸赤外輻射吸収光導電体（ＱＷＩＰ）エレメントを持ち、それは受けた赤外輻射にたいする回折格子となっている。 - 特許庁

The semiconductor laser of the gain diffraction lattice-type is provided with the diffraction lattice causing periodical gain fluctuation in the direction of a resonator in a quantum well structure active layer.例文帳に追加

本ＤＦＢレーザは、共振器方向に周期的な利得変動を生じさせる回折格子を量子井戸構造活性層に備えている利得性回折格子型の半導体レーザである。 - 特許庁

In this case, the recombination is set in such a timing that a time equivalent to the reuniting life of an exciton molecule formed in the quantum dot is lapsed after photoexcitation.例文帳に追加

その際、再結合のタイミングを、光励起後、前記量子ドット中に形成されている励起子分子の再結合寿命に相当する時間が経過した後になるように設定する。 - 特許庁

The resin surface is irradiated with quantum beams, and the resin is dipped in a dispersion in which a triazine thiol derivative is dispersed to bind the triazine thiol derivative to the resin surface.例文帳に追加

樹脂表面に、量子ビームを照射し、樹脂表面にトリアジンチオール誘導体を分散させた分散液に浸漬し、この樹脂表面にトリアジンチオール誘導体を結合させる。 - 特許庁

The quantum correlation photon pair generator 11 is an apparatus for generating signal photons and idler photons from pump photons by a optical parametric process and typified by a secondary optical nonlinear crystal.例文帳に追加

量子相関光子対発生器１１は、光パラメトリック過程によりポンプ光子からシグナル光子とアイドラー光子を発生する装置であり、２次光非線形結晶に代表される。 - 特許庁

The quantum correlation photon pair generator 13 is an apparatus for generating signal photons and idler photons from pump photons by a optical parametric process and typified by a secondary optical nonlinear crystal.例文帳に追加

量子相関光子対発生器１３は、光パラメトリック過程によりポンプ光子からシグナル光子とアイドラー光子を発生する装置であり、２次光非線形結晶２０に代表される。 - 特許庁

The quantum-bit control unit 107 has microwave generators 171, 172, a pulse generator 173, double-pulse balancing mixers 174, 175, and splitters SP1, SP2.例文帳に追加

量子ビット制御部１０７は、マイクロ波発生器１７１，マイクロ波発生器１７２，パルス発生器１７３，ダブルバランスミキサー１７４，ダブルバランスミキサー１７５，スプリッターＳＰ１，及びスプリッターＳＰ２を備えている。 - 特許庁

Consequently, a diffusion condition of impurities to the infrared laser active layer (quantum well layer ) 12 can be controlled by adjusting a mixture ratio of the two elements Mg and Zn.例文帳に追加

したがって、この２つの元素ＭｇとＺｎの混合比を調整することで、赤外レーザ活性層(量子井戸層)１２への不純物の拡散条件をコントロールすることができる。 - 特許庁

To obtain a single magnetic flux quantum (SFQ) pulse output in which operation margin of a bias current is large without requiring complex timing sequence when operation is performed by a DC power source.例文帳に追加

直流電源で動作する際、複雑なタイミングシーケンスを必要とせずバイアス電流の動作マージンが大きい、単一磁束量子（ＳＦＱ）パルス出力の取得を可能とする。 - 特許庁

The relation between the density of a current injected into the active layer and the gain coefficients of the active layer, at least, in the two different transition wavelength regions of the quantum structure is graphed.例文帳に追加

活性層に注入される電流密度と、活性層の利得係数との関係を、量子構造の、少なくとも２つの異なる遷移波長域の利得係数についてグラフ化する。 - 特許庁

To provide an encryption technique allowing use of classic Y-00 scheme performed using classic physical random numbers instead of quantum fluctuation in electrical communication and data storage in recording media.例文帳に追加

量子揺らぎの代わりに古典物理乱数を用いて実施する古典Ｙ−００方式を電気通信で利用可能かつ記録媒体にデータ保存可能にする暗号化技術を提供する。 - 特許庁

A nonlinear resonator for reading quantum bits, having a different resonance frequency, is continuously driven by an external microwave source, and its responding amplitude or phase is continuously measured.例文帳に追加

別の共振周波数を持つ量子ビット読み出し用非線形共振器は、外部マイクロ波源により連続的に駆動され、その応答の振幅または位相が連続的に計測されている。 - 特許庁

The photosensitive medicine is characterized in that a fluorescent semiconductor quantum dot subjected to a surface treatment using a polycarboxylic acid compound is bound to a substance capable of selectively binding to a target cell.例文帳に追加

ポリカルボン酸化合物で表面処理された蛍光性半導体量子ドットが、標的細胞に選択的に結合可能な物質に結合されてなる光感受性薬剤。 - 特許庁

The initial data input is performed by generating electron-positive hole pairs by irradiating with light with an intensity distribution corresponding to the data, and injecting the electrons into the upper layer quantum dots.例文帳に追加

初期データの入力は、データに対応した強度分布を持つ光を照射して電子−正孔対を生成し、その電子を上の層の量子ドット１１に注入して行う。 - 特許庁

In addition, the first clad layer 4 is formed in a manner that a phase difference between the light emitted from the quantum well active layer 5 and that reflected on the DBR 3 becomes an integer multiple of 2π.例文帳に追加

また、第１クラッド層４は、量子井戸活性層５からの発光光と、ＤＢＲ３で反射された反射光との位相差が２πの整数倍になるように形成されている。 - 特許庁

METAL-CONTAINING FULLERENE DERIVATIVE, COMPOSITION CONTAINING THE SAME, STRUCTURE OBTAINED BY ORGANIZING THE SAME, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY MATERIAL, QUANTUM DEVICE MATERIAL AND MOLECULAR SWITCH MATERIAL USING THE SAME例文帳に追加

金属含有フラーレン誘導体、それを有する組成物、それを組織化した構造体、並びに、それを用いた液晶ディスプレイ材料、量子デバイス材料及び分子スイッチ材料 - 特許庁

To provide an optical semiconductor device having semiconductor structure obtained by multilayering semiconductor microcrystal of a quantum dot to have a high quality, and to provide a laser module and a manufacturing method of the optical semiconductor device.例文帳に追加

量子ドットなどの半導体微結晶を高品質に多層化した半導体構造をもつ光半導体装置、レーザモジュールおよび光半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

This new 2-(vinylimino)-5,6-benzopyran derivative is found to exhibit the excellent thermal stability and high fluorescence quantum yield.例文帳に追加

本発明者らは、下記一般式（１）で表される新規な２−（ビニルイミノ）−５，６−ベンゾピラン誘導体を発明し、これらが優れた熱安定性および高い蛍光量子収率を示すことを見出した。 - 特許庁

An antisurfactant is stuck on the compound semiconductor surface and antimony-based quantum dots are grown and formed on the compound semiconductor surface on which the antisurfactant stick.例文帳に追加

化合物半導体表面上に、アンチサーファクタントを付着させ、次いで、アンチサーファクタントが付着した上記化合物半導体表面上に、アンチモン系量子ドットを成長させて形成する。 - 特許庁

The plurality of light emission regions 17A-17E have the plurality of quantum fine lines 19A-19E provided aligned with periods Λa-Λe corresponding to the wavelengths of the laser light beams respectively.例文帳に追加

複数の発光領域１７Ａ〜１７Ｅは、レーザ光の波長に対応する周期Λａ〜Λｅでもって並んで設けられた複数の量子細線１９Ａ〜１９Ｅを各々有する。 - 特許庁

The electrode 1 for quantum beam monitor of this invention includes a monitor target 21 on which a plurality of ribbon shape carbon graphite thin films 210 are put with a specific interval along a direction.例文帳に追加

本発明の量子ビームモニタ用電極１は、複数のリボン状のカーボングラファイト薄膜２１０が所定間隔おきに一方向に沿って並設されたモニタターゲット２１を備えている。 - 特許庁

To provide the semiconductor optical source of a quantum well structure capable of stably providing the light of a wide wavelength band by controlling a band gap after the growth of a substrate.例文帳に追加

基板の成長後にバンドギャップを制御することによって、広い波長帯域の光を安定的に提供することができる量子井戸構造の半導体光源を提供する。 - 特許庁

Also, by using the compound having a specific structure, a durable element can be manufactured that emits light with high external quantum efficiency in a blue region.例文帳に追加

また、ある特定の構造を有する本発明の化合物を使うことにより、青色領域において高い外部量子効率で発光し、かつ耐久性に優れる素子の作製が可能になる。 - 特許庁

To provide the semiconductor laser device of high reliability and satisfactory temperature characteristics in the semiconductor laser device, having a window structure area using the random process of a quantum well structure.例文帳に追加

量子井戸構造の無秩序化プロセスを用いた窓構造領域を有する半導体レーザ装置であって、高い信頼性、良好な温度特性の半導体レーザ装置を得る。 - 特許庁

To provide a diffraction grating type light-emitting diode improved in external quantum efficiency by suitably setting a period for holes when the holes are formed periodically in two dimensions.例文帳に追加

空孔を２次元周期的に形成する場合にその周期を適切に設定することにより外部量子効率の向上を図った回折格子型発光ダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of semiconductor nanoparticles having low toxicity and higher light emission quantum yield and to provide the semiconductor nanoparticles obtained by the manufacturing method.例文帳に追加

低毒性であり、且つより高い発光量子収率を有する半導体ナノ粒子の製造方法、並びに当該製造方法により得られる半導体ナノ粒子を実現する。 - 特許庁

An InAlGaN multiplex quantum well (MQW) heterostructure 24 which, for example, contains at least Al by 25% above the superlattice layer 16 may well be formed to provide an LED.例文帳に追加

ＬＥＤにするなら例えば超格子層１６の上方に少なくとも２５％のＡｌ分を含むＩｎＡｌＧａＮ多重量子井戸（ＭＱＷ）へテロ構造２４を形成する。 - 特許庁

The resonance tunnel element 6 has a multiple barrier structure including quantum wells and energy barriers formed alternately and continuously with the energy barriers at both ends.例文帳に追加

本発明の共鳴トンネル素子６は、エネルギー障壁を両端として、量子井戸とエネルギー障壁とが交互に連続するように形成されてなる多重障壁構造を有している。 - 特許庁

To achieve a spin polarized electron generating element having high spin polarization degree and external quantum efficiency while providing flexibility in selecting materials of a substrate, a buffer layer, and a distorted superlattice layer.例文帳に追加

基板、バッファ層、歪み超格子層の材料選択の自由度を持たせた状態で、スピン偏極度と外部量子効率の高いスピン偏極電子発生素子を実現すること。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element the external quantum efficiency of which is excellent by reducing the absorption of light at an electrode formed in a p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体層に形成される電極における光の吸収を少なくして外部量子効率の良い窒化物半導体素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an organic EL display apparatus having an organic EL element having a delayed fluorescence material and an organic EL element having a phosphorescent material, both the materials having good internal quantum efficiencies.例文帳に追加

内部量子効率のよい遅延蛍光材料を有した有機ＥＬ素子と燐光発光材料を有した有機ＥＬ素子とを有する有機ＥＬ表示装置を提供する。 - 特許庁

A photonic band gap related to TM polarization as it includes a transition energy between a plurality of sub-bands of the quantum well is formed by appropriately arranging the pores 22.例文帳に追加

空孔２２を適切に配置することにより、前記量子井戸の複数のサブバンドの間の遷移エネルギーを含むようなTM偏波に関するフォトニックバンドギャップが形成されるようにする。 - 特許庁

The organic electroluminescent element which shows high luminous efficiency (for example, external quantum efficiency) is obtained by incorporating at least one of an imide compound having a specified structure in organic compound layer.例文帳に追加

少なくとも一種有機化合物層に特定構造のイミド化合物を含有させることにより、高い発光効率（例えば外部量子効率）を示す有機電界発光素子が得られる。 - 特許庁

To obtain a GaAs based infrared detector utilizing quantum well structure in which an antireflection film suitable for infrared rays in 8-12 μm band is provided.例文帳に追加

量子井戸構造を利用したＧａＡｓ系の赤外線検出器に関し、８〜１２μｍ帯の赤外線に対して好適な反射防止膜を有する赤外線検出器を提供する。 - 特許庁

The neutral atoms 3 captured in the optical lattice are irradiated with laser beams 4a, 4b and the gating operation of the quantum bit is conducted by using only the interaction between the neutral atoms 3 and the laser beam.例文帳に追加

光格子に捕捉された中性原子３に対してレーザー光４ａ，４ｂを照射し、中性原子３と光との相互作用のみを用いて量子ビットのゲート操作を行う。 - 特許庁

The quantum dots include at least one of Si nanocrystal, or II-VI, III-V, or IV-VI compound semiconductor nanocrystal and a mixture of these.例文帳に追加

上記量子点はＳｉ系ナノ結晶またはＩＩ−ＶＩ族系、ＩＩＩ−Ｖ族系、ＩＶ−ＶＩ族系化合物半導体ナノ結晶及びこれらの混合物のうちのいずれか一つを含む。 - 特許庁

To provide a new pulse continuous application method for realizing the relaxation of decoherence required for performing quantum information processing without any errors without shortening a pulse application period so much.例文帳に追加

量子情報処理を誤りなく行なうに必要なデコヒーレンスの緩和を、パルス印加周期をさほど短くすることなく実現することのできる、新たなパルス連続印加法を提供する。 - 特許庁

The accelerating voltage, the size and the incident time of an ion beam of an ion beam scanning device are adjusted to form quantum holes having a desired diameter and depth in a semiconductor substrate.例文帳に追加

イオンビーム走査装置のイオンビームの加速電圧、大きさ及び入射時間とを調節して半導体基板に所望の直径及び深さを有するクアンタムホールを形成する。 - 特許庁

A multiple quantum well structure is used as an active layer 4, and further a maximum position of an intensity distribution of emitted light is shifted from the center position of the active layer 4 to a p-type cladding layer 6 side.例文帳に追加

活性層４として多重量子井戸構造を用いると共に、放射光強度分布の最大位置を活性層４の中心位置よりｐ型クラッド層６側にずらす。 - 特許庁

A composition of the III group (Ga and In) of a GaInAsN well layer 12 in a quantum well structure is set to be substantially equal to that of the group III of a GaInAsP barrier layer 11.例文帳に追加

量子井戸構造中のＧａＩｎＡｓＮ井戸層１２のＩＩＩ族（ＧａとＩｎ）組成とＧａＩｎＡｓＰ障壁層１１のＩＩＩ族組成が、ほぼ等しくなるように設定する。 - 特許庁

When the movement state quantum exceeds the first prescribed value A (time t1), it is judged that a key is depressed.例文帳に追加

運動状態量＝押鍵深さ×ａ＋鍵速度×ｂ＋鍵加速度×ｃ＋ｄ・・・（１） この運動状態量が、第１の所定の値Ａを超えたとき（時刻ｔ１）、押鍵されたと判断する。 - 特許庁

The second conductivity-type barrier layer 2a is provided in a range of the multiple quantum well 40 in which first conductivity-type dopants contained in the p-InP clad layer 22 are diffused.例文帳に追加

第２導電型バリア層２ａは、多重量子井戸４０においてｐ−ＩｎＰクラッド層２２に含まれる第１導電型のドーパントが拡散した範囲に設けられている。 - 特許庁