「quantum」に関連した英語例文の一覧と使い方(56ページ目) - Weblio英語例文検索

To determine a leader with a probability "1" within a time proportional to ZlogZ at most for an upper limit Z of the number of hosts regardless of the form of a network by sharing quantum bits having a correlative relationship between hosts in advance.例文帳に追加

予め相関関係を持つ量子ビットを各ホスト間で共有しておくことにより、ネットワークの形状によらず、ホスト数の上限Ｚに対し、高々ＺlogＺに比例する時間内に確率１でリーダを決定する。 - 特許庁

In the quantum interference device, the optical frequency of one of the two photons having optical frequencies different from each other is converted to the other optical frequency and the Bell states of the two photons (1', 2) having optical frequencies identical with each other are measured.例文帳に追加

この量子干渉装置では、光周波数の異なる２光子の一方の光周波数を他方の光周波数に変換し、光周波数が一致した２光子（１’，２）のベル状態測定を行う。 - 特許庁

This optical semiconductor device 10 is an optical semiconductor device emitting beams each having an emitted light center wavelength of not less than 0.9 μm and not more than 1.2 μm, comprises an In_xGa_1-xAs substrate (X≠1) 11, and a tensile strain quantum well active layer 15.例文帳に追加

光半導体素子１０は、発光中心波長が0.9μm以上1.2μm以下の光を射出可能な光半導体素子であり、In_xGa_1-xAs基板(X≠1)１１と、引張り歪量子井戸活性層１５とを備えている。 - 特許庁

On the basis of its calibration, the excitation light at a spectrum of the excitation light as a single is irradiated at the solid sample, a spectrum of fluorescence emitted by the sample is measured, and the absolute fluorescence quantum efficiency of the solid sample can be measured.例文帳に追加

これに基づき、励起光単独のスペクトル、励起光を固体試料に照射し、該試料が発する蛍光のスペクトルを測定することにより、固体の絶対蛍光量子効率を測定することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical amplifier which is constituted in such an element structure that the amplifier can make polarization- independent operations with a single injected current and a quantum well structure can also be introduced to the amplifier and a method for manufacturing the amplifier.例文帳に追加

半導体光増幅器において、単一の注入電流で偏光無依存動作を実現することができ、量子井戸構造の導入も可能な素子構造およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The green-emitting phosphor particles are composed of (Sr, Ba, Ca)_1-xGa_2S_4:Eu_x (wherein 0.10≤x≤0.20, preferably 0.10≤x≤0.18), and the value of [internal quantum efficiency/absorption efficiency] is ≥0.7.例文帳に追加

また、本発明の緑色発光蛍光体粒子は、（Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ）_1-xＧａ_2Ｓ_4：Ｅｕ_x（但し、０．１０≦ｘ≦０．２０、好ましくは、０．１０≦ｘ≦０．１８）から成り、（内部量子効率／吸収効率）の値が０．７以上である。 - 特許庁

The quantum state of two physical systems is replaced by irradiating these two physical systems simultaneously with two kinds of light beams having a frequency which sympathizes with the transition which can transit optically, changing the strength.例文帳に追加

これら2つの物理系に、光学的に遷移可能な遷移に共鳴する周波数を有する2種の光を、強度へ変化させながら同時に照射することにより、2つの物理系の量子状態を入れ替える。 - 特許庁

An n-AlGaN clad layer 12 (a lower clad layer), a quantum-well active layer 14 (an active layer) and a p-AlGaN clad layer 16 (an upper clad layer) are laminated successively on an n-GaN substrate 11 (a semiconductor substrate).例文帳に追加

ｎ−ＧａＮ基板１１（半導体基板）上に、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層１２（下部クラッド層）、量子井戸活性層１４（活性層）およびｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１６（上部クラッド層）が順次積層されている。 - 特許庁

A quantum well state caused in the multi-layer film is changed by applying voltage between the metal probe 5 and a surface of the multi-layer film 41, and relative magnetization between the magnetic metal layers 1 and 3 is changed.例文帳に追加

金属探針５と多層膜４１の表面との間に電圧を印加することにより、多層膜中に生じる量子井戸状態を変化させ、磁性金属層１，３間の相対的な磁化を変化させる。 - 特許庁

To perform unified simulation of electrical characteristics of an electronic device in atomic level by considering a quantum property, statistical property, non-balancing property, many-body interaction and electromagnetic interaction.例文帳に追加

本発明が解決しようとする課題は、量子的性質・統計的性質・非平衡的性質・多体相互作用・電磁相互作用を考慮して、電子デバイスの電気的特性を原子レベルで統一的にシミュレーションすることである。 - 特許庁

To provide an effective computation method for clarifying a dynamic process, not a conventional static computational result, in a quantum dot formation process expected to be a basis for development of next-generation optical semiconductor devices.例文帳に追加

次世代の光半導体デバイス開発の基礎になるものと期待されている、量子ドットの形成過程について、従来の静的な計算結果ではなく、動的過程を解明するための有効な計算方法を提供する。 - 特許庁

To substantially control a dark current, blooming and color mixture when a PWL (p-type well region) structure is employed that deepens the PWL concentration profile, to improve the quantum efficiency of photoelectric conversion in a photo diode.例文帳に追加

ＰＷＬ（Ｐ型のウエル領域）の濃度プロファイルを深くしフォトダイオードでの光電変換の量子効率を向上させるＰＷＬ構造を有した場合、暗電流、ブルーミング及び混色などを大幅に抑制する。 - 特許庁

In the trap layer 13, when an InAs layer grows on a GaAs layer or InGaAs layer, quantum dots of InAs are formed in a self-organized manner on the GaAs or InGaAs layer.例文帳に追加

該トラップ層１３は、ＧａＡｓ層又はＩｎＧａＡｓ層の上にＩｎＡｓ層を成長する場合に、ＧａＡｓ層又はＩｎＧａＡｓ層の上に、ＩｎＡｓからなる量子ドットが自己組織的に形成される。 - 特許庁

Light emitted to the ZnO substrate from the ZnO-based semiconductor crystal layer 13 can be reflected for discharge to the outside of the element, so the external quantum efficiency of the light emitting element can be improved.例文帳に追加

ＺｎＯ系半導体結晶層１３よりＺｎＯ基板１１に向かって放射された光を反射して素子外部に放出させることができるので、発光素子の外部量子効率の向上を図ることができる。 - 特許庁

To realize an arbitrary unitary operation by a quantum circuit which utilizes two ancilla qubits and has one kind of 1-qubit observable A_θ and one kind of 2-qubit observable Z(×)X as basic constituents.例文帳に追加

２個の補助量子ビットを使い、１種類の１量子ビット観測量Ａ_θ及び１種類の２量子ビット観測量Ｚ（×）Ｘを基本構成要素とする量子回路により、任意のユニタリ演算を実現する。 - 特許庁

Since the annealing of the quantum well structure 25 and thermal cleaning prior to the growth of the second conductivity group III-V compound semiconductor region 29 are executed in the organometallic vapor growth furnace 11, a process is simplified.例文帳に追加

有機金属気相成長炉１１において、量子井戸構造２５のアニールと、第２導電型ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体領域２９の成長に先立つ熱クリーニングとを行うので、工程を簡素化できる。 - 特許庁

Due to a known quantum-mechanical effect, the light in the 1-photon state interferes as a pattern of a cycle 1/2 times that of incidence to form an image, thereby materializing the definition double an image formation limit in the prior art.例文帳に追加

そして、周知の量子力学的効果のため、１光子状態の光子が入射したときの１／２倍の周期のパターンとして干渉、結像され、従来の結像限界の２倍の精細さが実現できる。 - 特許庁

Classification treatment is then carried out with a DMA 4 and copper oxide quantum dots having an average particle diameter D of ≤15 nm and a ratio σ/D of a standard deviation σ to the average particle diameter D of ≤0.2 are collected with a collector 5.例文帳に追加

次いでＤＭＡ４で分級処理を行い、平均粒径Ｄが１５ｎｍ以下であって標準偏差σと平均粒径Ｄとの比σ／Ｄが０．２以下の銅酸化物量子ドットを捕集器５で捕集する。 - 特許庁

A GaN(gallium nitride) based semiconductor layer 15 containing an MQW(multiple quantum well) luminous layer 7 is subjected to the epitaxial growth on the upper surface of the sapphire substrate 1 and the side surface 101 and the bottom surface 102 of the step part 100.例文帳に追加

サファイア基板１の上面上ならびに段差部１００の側面１０１上および底面１０２上に、ＭＱＷ発光層７を含むＧａＮ系半導体層１５をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

A second optical reflector (22) over the active region (18) forms with the first optical reflector (14) a vertical optical cavity (28) overlapping a portion of a quantum well (44, 46, 48) of the active region (18).例文帳に追加

第２光学反射体（２２）は、活性領域（１８）上にあり、第１光学反射体（１４）と共に、活性領域（１８）の量子井戸（４４、４６、４８）の一部に重なる垂直光学キャビティ（２８）を形成する。 - 特許庁

An InGaN laser diode structure 100 is equipped with an upper waveguide layer 170 above an MQW(multi-quantum well) region 150, and above this, is equipped with an upper cladding structure 180 composed of a metal oxide of ITO(indum tin oxide).例文帳に追加

ＩｎＧａＮレーザダイオード構造１００は、ＭＱＷ領域１５０の上方に上部導波路層１７０を備え、その上方に金属酸化物であるＩＴＯからなる上部クラッド構造１８０を備える。 - 特許庁

When optical stimulation or current injection is conducted, the quantum well thin film 5 generates light which travels over the circumference of the cyclindrical resonator, to generate light resonance state by whispering gallery mode.例文帳に追加

光励起または電流注入により量子井戸薄膜５に光が発生し、発生した光が円筒状のレーザ共振器の周上を走行し、ウィスパリング・ギャラリー・モードによる光共鳴状態が発生する。 - 特許庁

To provide a quantum nano-structure semiconductor laser which has such a structure that uses no embedding structure and can be manufactured by a simplified and highly reproductive manufacturing process, and which is superior in reduction of threshold and stability of oscillation frequency.例文帳に追加

埋め込み構造を用いることなく、簡単で再現性の良い製造プロセスを用いて作製できる構造であって、低閾値化と発振周波数の安定化に優れた量子ナノ構造半導体レーザを提供する。 - 特許庁

Ridge structure 18 is formed, on which a p type InP clad layer 12 (p type clad layer), an AlGaInAs distortion quantum well active layer 14 (active layer) and an n type InP clad layer 16 (n type clad layer) are laminated.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＰクラッド層１２（ｐ型クラッド層）、ＡｌＧａＩｎＡｓ歪量子井戸活性層１４（活性層）及びｎ型ＩｎＰクラッド層１６（ｎ型クラッド層）が積層されたリッジ構造１８が形成されている。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor device with an iron silicide semiconductor thin film capable of increasing the quantum efficiency of optical-electricity conversion and obtaining excellent practicality as a light receiving element and a light emitting element, and a method of manufacturing it.例文帳に追加

光−電気変換の量子効率が高く、受光素子及び発光素子として、優れた実用性が得られる鉄シリサイド半導体薄膜を有する光半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film photoelectric conversion device that has high quantum efficiency for a wavelength longer than 1,000 nm of a photoelectric conversion unit of a thin film photoelectric conversion device including a crystalline germanium photoelectric conversion layer.例文帳に追加

結晶質ゲルマニウム光電変換層を含む薄膜光電変換装置の光電変換ユニットの１０００ｎｍよりも長い波長に対する量子効率が高い薄膜光電変換装置を提供する。 - 特許庁

The quantum well layer 3 includes first compound semiconductor layers 3a and 3c, and a second compound semiconductor layer 3b causing crystals of the first compound semiconductor layers 3a and 3c to generate lattice strain.例文帳に追加

量子井戸層３には、第１の化合物半導体層３ａ及び３ｃと、第１の化合物半導体層３ａ及び３ｃの結晶に格子歪を生じさせる第２の化合物半導体層３ｂと、が設けられている。 - 特許庁

To provide a photodetector suitable for receiving quantum encryption or the like by reducing a dark count generated by a parasitic photon generated at a signal band by a parametric down-conversion process.例文帳に追加

本発明の目的は、パラメトリックダウンコンバージョン過程による信号帯域へ発生する寄生的な光子により生じていた暗計数を低減し、量子暗号等の受信に好適な光検出装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a monochromatic/color reflective/light-transmissive electrophoresis display device capable of suppressing the occurrence of crosstalk and performing simple matrix driving by using electret charged fine particles and charged magnetic fine particles generated by quantum beam irradiation.例文帳に追加

量子線照射によるエレクトレット性荷電微粒子、荷電磁性微粒子を用い、クロストークの発生を抑え、単純マトリックス駆動が可能なモノクロ・カラー反射・透光型電気泳動表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide: a device which achieves wavelength conversion by using a Purcell effect and a photonic band gap effect in a coupling system between a quantum dot and a resonator; a wavelength conversion method; and a single photon generation device.例文帳に追加

量子ドットと共振器の結合系におけるパーセル効果とフォトニックバンドギャップ効果を用いることで、波長変換を実現する装置および波長変換方法および単一光子発生装置を提供する。 - 特許庁

To provide a monochrome/color reflection/translucent type electrophoretic display device, using electret property charged microparticulates by quantum irradiation and charged magnetic microparticulates, capable of restraining the occurrence of crosstalks and executing simple matrix drive.例文帳に追加

量子線照射によるエレクトレット性荷電微粒子、荷電磁性微粒子を用い、クロスト−クの発生を抑え、単純マトリックス駆動が可能なモノクロ・カラー反射・透光型電気泳動表示装置を提供する。 - 特許庁

It is possible to suppress the occurrence of defects on the surface of the luminescent semiconductor nanocrystal and can maintain a quantum yield by allowing the reactive silicone group to be adsorbed into the surface of the luminescent semiconductor nanocrystal.例文帳に追加

反応性シリコーン基を発光性半導体ナノクリスタルの表面中に吸着させることで、発光性半導体ナノクリスタルの表面に欠陥が発生することを抑制でき、量子収率を維持することができる。 - 特許庁

After the single electron memory for the two-quantum point application forms each floating gate 5, 6 on both the ends of a channel 1, an insulation layer is interposed thereon to have a structure for forming a control gate 7.例文帳に追加

本発明に係る二つの量子点応用単一電子メモリは、チャネル１上の両端に各々浮遊ゲート５、６を形成した後、その上に絶縁層４を介在させて制御ゲート７を形成した構造を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element having an active region of a quantum well structure which has a barrier layer made of a group III-V compound semiconductor containing aluminum, gallium, indium, and arsenic so as to be able to reduce a leak current.例文帳に追加

アルミニウム、ガリウム、インジウムおよびヒ素を含むIII−Ｖ化合物半導体のバリア層を有する量子井戸構造の活性領域を備えリーク電流を低減可能な半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide new fluorescent sorvatochromic dyes having long excitation wavelengths, a high mol extinction coefficient and a high fluorescent quantum yield, and whose emission wavelengths are remarkably shifted even in the slight change of a polarity, and to provide a method for using the same.例文帳に追加

励起波長が長波長で、モル吸光係数が大きく、ケイ光量子収率が高く、わずかな極性の変化でも大きく発光波長シフトする新規ケイ光ソルバトクロミック色素及びその使用法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin wiry structure assembling method for mounting a thin wiry structure represented by a quantum thin wire such as a silicon nanowire at a predetermined location in a self-aligning manner in a predetermined orientation.例文帳に追加

シリコンナノワイヤーなどの量子細線に代表される細線状構造体を自己整合的に、所定の位置にしかも所定の方位に載置することができる細線状構造体のアッセンブリ方法を提供する。 - 特許庁

By containing a ring compound in a specific structure in at least one type of organic compound layer, the durable organic electroluminescence element having high luminous efficiency (for example, external quantum efficiency) is obtained.例文帳に追加

少なくとも一種有機化合物層に特定構造の環状化合物を含有させることにより、高い発光効率（例えば外部量子効率）を有し、かつ耐久性に優れる有機電界発光素子が得られる。 - 特許庁

When excitons are created in the quantum well layer 1, Coulomb attraction acting between a hole (shown with a white outline mark +) and an electron (shown with a white outline mark -) is remarkably reinforced compared with that in bulk.例文帳に追加

量子井戸１内に励起子が生成されると、正孔（白抜きの＋で表される）と電子（白抜きの−で表される。）との間に働くクーロン引力は、バルク中におけるクーロン引力に比べて顕著に増強される。 - 特許庁

The semiconductor laser element 1 has a first conductivity clad layer 13, a second conductivity clad layer 17, and a quantum well active layer 15 sandwitched by the layer 13 and the layer 17.例文帳に追加

半導体レーザ素子１は、第１導電型クラッド層１３と、第２導電型クラッド層１７と、第１導電型クラッド層１３と第２導電型クラッド層１７とに挟まれた量子井戸活性層１５とを有している。 - 特許庁

To provide a GaN-based semiconductor light emitting device having an active layer of quantum well structure containing In in which thermal damage due to growth temperature of a semiconductor layer being grown up after the active layer can be suppressed.例文帳に追加

Ｉｎを含む量子井戸構造の活性層を有し、活性層よりも後に成長させる半導体層の成長温度による熱のダメージを抑制することができるＧａＮ系半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a particulate semiconductor fluorescent substance having not only excellent heat resistance but also electroconductivity, and including nitride particles in good crystallinity, having a quantum well structure and/or a p-n junction.例文帳に追加

熱安定性に優れる上に導電性を有し、且つ量子井戸構造及び又はｐｎ接合を有している結晶性の良い窒化物粒子を含んでいる粒子状の半導体蛍光体を提供すること。 - 特許庁

The superconductivity wiring section 101a of a magnetic flux transmission machine 101 is shared with superconductivity wiring sections 103a, 104a of a side (a fourth side) which is not provided with the Josephson junction of magnetic flux quantum bits 103, 104.例文帳に追加

磁束転送器１０１の超伝導配線部１０１ａを、磁束量子ビット１０３，１０４のジョセフソン接合を備えていない辺（第４の辺）の超伝導配線部１０３ａ，１０４ａと共有する。 - 特許庁

To constitute a light-emitting layer composed of a quantum well structure, so that the layer emits superior monochromaticity light at constituting of the layer on a barrier layer composed of a boron-containing III-V compound semiconductor.例文帳に追加

含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層からなる障壁層上に、量子井戸構造からなる発光層を構成するに際し、単色性に優れる発光をもたらすに好適となる発光層の構成を示す。 - 特許庁

The vicinity 205a of light exit edge of an InGaAlP multiple quantum well layer 205 sandwiched by these stable oxides has a disordered tissue and transmits laser beam.例文帳に追加

そして、これらの安定な酸化物に挟まれたＩｎＧａＡｌＰ多重量子井戸層２０５、つまりＩｎＧａＡｌＰ多重量子井戸層２０５の光出射端面近傍２０５ａは、組織が無秩序で、且つ、レーザ光を透過する。 - 特許庁

Since a semiconductor photo absorption layer 3 is formed on the second semiconductor layer 2d, it succeeds the crystallinity of the second semiconductor layer 2d, the crystallinity is improved and quantum efficiency is enhanced.例文帳に追加

半導体光吸収層３は第２半導体層２ｄ上に設けられるので、第２半導体層２ｄの結晶性を継承することにより、結晶性が改善され、量子効率が増加することとなる。 - 特許庁