「quantum」に関連した英語例文の一覧と使い方(59ページ目) - Weblio英語例文検索

Without using a multi-quantum well structure, light can be emitted from nearly all the light emitting layer 3 that is comparatively large in thickness, so that the oxide semiconductor light emitting device which is simple in structure, manufactured at a low cost, and high in luminous efficiency can be obtained.例文帳に追加

多重量子井戸構造などを用いることなく、比較的厚い発光層３の略全体を発光できるので、構造簡易で製造コストが低く、しかも、高効率発光の酸化物半導体発光素子が得られる。 - 特許庁

Alternatively, there are laminated in this order: the substrate; the n-type contact layer; an active region consisting of the plurality of barrier layers and quantum well layers, wherein the highest portion thereof is the barrier layer; the blocking layer with a graded composition; and the p-type contact layer.例文帳に追加

あるいは、基板と、ｎ型コンタクト層と、複数のバリア層及び量子井戸層からなり最上部がバリア層である活性領域と、グレーデッドな組成を有するブロッキング層と、ｐ型コンタクト層とがこの順に積層されている。 - 特許庁

A semiconductor laser having a structure laminating a buffer layer 11, a grating layer 2, a grating buried layer 3, a light confinement layer 4, a multiple quantum well active layer 5, a light confinement layer 6, and a clad layer 7 is formed on an n-type substrate 1.例文帳に追加

ｎ型基板１の上に、バッファ層１１、回折格子層２、回折格子埋込層３、光閉込層４、多重量子井戸活性層５、光閉込層６、クラッド層７を積層した構造の半導体レーザが形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element having a GaInNAs-based quantum well active layer with its improved temperature characteristics and lowered threshold by decreasing hydrogen (H) to be taken into the GaInNAs-based material.例文帳に追加

ＧａＩｎＮＡｓ系量子井戸活性層を用いた半導体発光素子において、ＧａＩｎＮＡｓ系材料への水素（Ｈ）の取り込まれを低減して、温度特性が良く低しきい値である半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

Consequently, respective conductor particles such as the silicon particles 1 are insulated and isolated by an insulating film such as the silicon nitride film 2 to form quantum dots which are arranged at substantially equal intervals, and a layer thereof has properties of a semiconductor.例文帳に追加

これにより、シリコン粒子１等の各導電体粒子が、シリコン窒化膜２等の絶縁膜により絶縁分離されて、ほぼ等間隔で配置された量子ドットが形成され、この層は半導体としての性質を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor quantum dot for maintaining the quality and shape of a nanostructure with high quality without causing a problem of a decrease in crystal quality resulting from the shape of a huge island, and a method of forming the same.例文帳に追加

巨大アイランドの形成による結晶品質の低下という問題を引き起こすことなく、ナノ構造の品質・形状を高品質に保つことを可能とする半導体量子ドット及び同形成方法を提供すること。 - 特許庁

After that, Sb is supplied as the surfactant during the growth of a GaInAs mixed crystal or a GaInNAs mixed crystal, and the quantum well layer 105 which is composed of GaInAsSb or GaInNAsSb is grown up on a substrate.例文帳に追加

その後、ＧａＩｎＡｓ混晶またはＧａＩｎＮＡｓ混晶の成長中にＳｂをサーファクタントとして供給して、基板上にＧａＩｎＡｓＳｂまたはＧａＩｎＮＡｓＳｂからなる量子井戸層１０５を成長させる。 - 特許庁

When this multi-quantum barrier layer is introduced, carriers are effectively restrained from overflowing and the compound semiconductor light-emitting device can be improved in luminous efficacy and durability, even if p/n-type semiconductor layers on both sides are reduced in film thickness and aluminum(Al) compositional ratio.例文帳に追加

この様な多重量子障壁層の導入により、両側のｐ／ｎ型半導体層の膜厚やアルミニウム（Ａｌ）組成比を小さくしても、キャリヤのオーバーフローが効果的に抑制され、発光効率と耐久性が向上する。 - 特許庁

An electromagnetic wave, where the quantum dot for forming a two-dimensional electron system has been efficiently concentrated, is absorbed, a generated excitation state is retained at least for 10 seconds, and at least one million electrons can be carried for the absorption of single photons.例文帳に追加

２次元電子系を形成する量子ドットが能率良く集中した電磁波を吸収し、生じた励起状態を１０ｎ秒以上保持し、単一光子の吸収に対して１００万個以上の電子を移送可能にする。 - 特許庁

As the above fluorescent coloring matter has high quantum yield in a solid state(including solid and semi-solid), this cosmetic composition has high fluorescence intensity even in a dry state, thus having excellent color-brightening effect and being high in light resistance as well.例文帳に追加

この蛍光色素は、固体状態（固体及び半固体を含む）で高い量子収率を有しているので、乾燥状態でも高い蛍光強度を有しており、優れた明色化効果を有し、かつ耐光性にも優れている。 - 特許庁

When the semiconductor layers of a nitride laser are formed through a crystal growth method, an In-containing multi-quantum well structure active layer 107 is formed keeping a substrate at a temperature of 750°C.例文帳に追加

本方法では、少なくともＩｎを含む第１の窒化物半導体層を形成し、次いで第２の別の窒化物半導体層を形成しながら基板を昇温し、次にＩｎを含まない第３の窒化物半導体層を形成する。 - 特許庁

To provide mass spectrometry for efficiently adjusting the wavelength of a laser to the wavelength of the resonance excitation level or the ionization level to irradiate an unknown specific molecule predicted with high accuracy, using a quantum-chemical calculations technique.例文帳に追加

量子化学的計算手法を用いて高精度で予測た未知の特定分子の共鳴励起準位やイオン化準位の波長にレーザの波長を効率的に調整して照射する質量分析方法を提供する。 - 特許庁

A gain medium 120 such as a semiconductor, atoms, molecules, or quantum dots is arranged outside a resonator 110 where an evanescent wave in a minute resonator mode is present, and a gain substance is excited by current and external visible rays.例文帳に追加

微小共振器モードのエバネッセント波が存在する共振器１１０の外部に半導体、原子、分子または量子点のような利得媒質１２０を配置し、電流や外部可視光を使用して利得物質を興奮させる。 - 特許庁

Also, the transparent photocatalyst layer formation composition is suitable to form a photocatalyst layer having 20-30° surface hydrophilicity on the bases of the contact angle to water and 0.01-1 quantum efficiency, which expresses the organic matter decomposition capability.例文帳に追加

さらに、形成される光触媒層が、水との接触角に換算して２０〜３０°の表面親水性を示し、かつ有機物分解性能を表す量子効率が０．０１〜１である透明光触媒層形成組成物を提案する。 - 特許庁

In the quantum entangled photon pair generating method, a semiconductor substance such as CuCl is irradiated with two parent photons (angular frequency ω_i) and an exciton molecule in a condition of an angular momentum of 0 is generated by two-photon resonant excitation.例文帳に追加

本発明の量子もつれ光子対の生成方法は、ＣｕＣｌ等の半導体物質に２個の親光子（角振動数ω_ｉ）を照射して、二光子共鳴励起によって角運動量が０の状態の励起子分子を生成する。 - 特許庁

To provide hydrophilic nanoparticles which have a uniform particle diameter, are excellent in quantum efficiency, and give a luminescent spectrum of a wide wavelength range, and a method for simply and safely producing the hydrophilic nanoparticles.例文帳に追加

本発明の目的は、均一な粒子径を有し、量子効率に優れ、広い波長域の発光スペクトルを示す親水性ナノ粒子、及び該親水性ナノ粒子を簡便且つ安全に製造する方法を提供することである。 - 特許庁

The Alice's and Bob's communication apparatus comprise a plurality of wavelength channel separation filters having mutually symmetric bands to the center frequency and measure the quantum entangled statuses of a light at selected bases on each wavelength channel.例文帳に追加

アリスとボブの通信装置は、前記中心周波数に対して互いに対称な帯域を有する複数の波長チャネル分離フィルタを備えており、各波長チャネルにおいて、選択された基底で光の量子もつれ状態を測定する。 - 特許庁

The light emitting diode (LED) emits light in wavelength bands spaced out in the regions from the ultraviolet to the red color in which each wavelength light is formed by multiple quantum well (MQW) active emitting areas of multiband gaps.例文帳に追加

本発明の発光ダイオード（ＬＥＤ）は、紫外から赤色までの領域の 間隔を開けた波長帯で発光する、各波長の光は マルチバンドギャップの、多重量子井戸（ＭＱＷ）の活性発光領域で形成される。 - 特許庁

To calculate the bonding strength between a carrier and a catalyst component by quantum mechanics and to increase the prediction accuracy of a catalyst structure by the calculation and thereby to design a high-efficient catalyst structure.例文帳に追加

計算手法による触媒構造の予測精度を一層高めるべく、担体と触媒成分の結合強度を量子力学に基づく計算によって求め、それによって、高い効率で最適な触媒構造を設計する。 - 特許庁

The memory transistor further has PtSi layers 18a, 18b so as to suppress the excess erasure to field emit electrons of the gate 13 at the erasure time to the insulating film on the sidewall of the gate 13 in a quantum mechanical tunneling manner.例文帳に追加

浮遊ゲート１３の側壁には、消去時に浮遊ゲート１３の電子が量子力学的トンネリングにより絶縁膜に電界放出される過剰な消去を抑制するために、ＰｔＳｉ層１８ａ，１８ｂを形成している。 - 特許庁

A GaAs buffer layer is formed on a GaAs substrate, a GaSb_xAs_1-x (0<x≤1) layer is introduced onto the GaAs buffer, and InAs quantum dots are self-formed on the a GaSb_xAs_1-x (0<x≤1) layer.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上に、ＧａＡｓバッファ層を形成し、ＧａＡｓバッファ層上に、ＧａＳｂ_ｘＡｓ_１−ｘ（０＜ｘ≦１）層を導入し、ＧａＳｂ_ｘＡｓ_１−ｘ（０＜ｘ≦１）層上に、ＩｎＡｓ量子ドットを自己形成する。 - 特許庁

In an (i) layer of a pin junction, quantum wave interference layers Q1-Q4, made by stacking a first layer W and a second layer B having a broader band width than the first layer W at a multiple cycle and carrier confinement layers C1-C3, are formed.例文帳に追加

ｐｉｎ接合のｉ層において、第１層Ｗと第１層Ｗよりもバンド幅の広いバンドを有する第２層Ｂとを多重周期で積層した量子波干渉層Ｑ_1〜Ｑ_4とキャリア閉込層Ｃ_1〜Ｃ_3を設けた。 - 特許庁

The laser part 2 and the light deflection part 3 are configured by successively laminating an n-type clad layer, an n-type guide layer, a multiple quantum well layer, a p-type guide layer, a p-type clad layer and a p-type contact layer on an n-GaAs substrate.例文帳に追加

またレーザ部２及び光偏向部３は、ｎ−ＧａＡｓ基板上に、ｎ型クラッド層、ｎ型ガイド層、多重量子井戸層、ｐ型ガイド層、ｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層が順次積層されて構成されている。 - 特許庁

To realize a modulation-doped multiple quantum well structure having a sharp Zn profile of a few nm by satisfying two requirements, an increase in Zn concentration, and a reduction in the diffusion of Zn by the use of an organic metal vapor growth method using Zn.例文帳に追加

Ｚｎを用いた有機金属気相成長法を用いて、Ｚｎ濃度の増大とＺｎ拡散の低減を両立し、数ｎｍの急峻なＺｎプロファイルを有する変調ド−プ多重量子井戸構造を実現する。 - 特許庁

To provide an amorphous composite material having N pieces of different components (where N is an integer not less than 2), i.e., having a laminar structure or a columnar structure and each component is ecellent in mechanical, magnetic, electric, chemical, thermal, electronic or quantum characteristic.例文帳に追加

Ｎ個の（Ｎは２以上の整数）異なる組成、すなわち、機械的、磁気的、電気的、化学的、熱的、電子的、および、量子的に特性の異なる層構造あるいはコラム構造を有する、アモルファス複合材料を作製すること。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element having high emission luminance, excellent quantum efficinecy, and high durability, and causing little lowering of luminance especially at the initial stage of light emission, and to provide a display device and a lighting system equipped with it.例文帳に追加

高い発光輝度および優れた量子効率、さらには高い耐久性を有し、とくに発光初期における輝度低下の小さい有機エレクトロルミネッセンス素子、およびそれを具備してなる表示装置、照明装置の提供。 - 特許庁

In order to examine more strictly, factor decomposition was conducted in regard to fluctuations in import amount of mineral-related fuels (difference from the previous year and difference from the same month of the previous year), using unit and quantum indices in Trade Statistics (Figure, Table 2-4-1-13).例文帳に追加

より厳密に確認するため、貿易統計の価格指数及び数量指数を用いて、鉱物性燃料の輸入額の変動（前年差及び前年同月差）についての要因分解を行った（第2-4-1-13 図表参照）。 - 経済産業省

To provide a quantum encryption key distribution system preventing the simultaneous input of both an optical pulse to a sender unit and an optical pulse from the sender unit to a phase modulator of a receiver unit owing to the delay amount of a transmission line.例文帳に追加

伝送路の遅延量によって、送信者ユニットへの光パルスと送信者ユニットからの光パルスが受信者ユニットの位相変調器へ同じタイミングで入力しないようにする量子暗号鍵配布システムを提供する。 - 特許庁

The LED chip 1 is structured such that a quantum well structure comprising an n-type semiconductor layer 3 and light-emitting layer 4 of a GaN compound semiconductor, and a p-type semiconductor layer 5 are laminated in order on the crystal of a translucent substrate 2.例文帳に追加

ＬＥＤチップ１は、透光性基板２の結晶上にＧａＮ系化合物半導体のｎ型半導体層３、発光層４を含む量子井戸構造、及びｐ型半導体層５を順番に積層した構造を備える。 - 特許庁

An image processor which quantizes multi-value (M-value) image data into N-value (M>N≥2) data using a multilevel error diffusion or multilevel average error minimum method determines the value of a quantization error according to density of input data and the quantum state of a periphery of a pixel of interest.例文帳に追加

多値（Ｍ値）画像データを、多値誤差拡散または多値平均誤差最小法を用いてＮ値（Ｍ＞Ｎ≧２）に量子化する画像処理装置は、入力データの濃度と注目画素周辺の量子状態に応じて、量子化誤差の値を決める。 - 特許庁

An n-type GaN layer 2, an InGaN multi-quantum well active layer 3, a p-type AlGaN electronic barrier layer 4, a p-type AlGaN/GaN strain superlatticed layer 5 and a p-type GaN contact layer 6 are sequentially formed on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

サファイア基板１の上にｎ型ＧａＮ層２、ＩｎＧａＮ多重量子井戸活性層３、ｐ型ＡｌＧａＮ電子障壁層４、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ歪超格子層５及びｐ型ＧａＮコンタクト層６が順次形成されている。 - 特許庁

To improve light-emitting output further which makes expansion of scope of application to various applied products possible using an active layer of a multiple quantum well structure, and to provide a nitride semiconductor light-emitting element whose dielectric breakdown voltage is improved.例文帳に追加

多重量子井戸構造の活性層を用い種々の応用製品への適用範囲の拡大を可能とする発光出力のさらなる向上及び静電耐圧の向上する窒化物半導体発光素子を提供することである。 - 特許庁

When light is irradiated on the surface of the semiconductor substrate 16, polarized light of the irradiated light which is parallel to the major axis direction of the ellipse in which the quantum rings 14 are extended is reflected, while polarized light parallel to the minor axis direction is passed through.例文帳に追加

この半導体基板１６の表面に光を照射した場合、その照射光の偏光のうち、量子リング１４の延在方向である楕円の長軸方向に平行な偏光は反射され、短軸方向に平行な偏光は透過する。 - 特許庁

The group-III nitride semiconductor layer 2 has a lamination structure, where an n-type contact layer 21, a multiple quantum well layer 22, a GaN final barrier layer 25, a p-type electron blocking layer 23, and a p-type contact layer 24 are laminated successively from the side of the GaN substrate 1.例文帳に追加

III族窒化物半導体層２は、ＧａＮ基板１側から順に、ｎ型コンタクト層２１、多重量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を積層した積層構造を有している。 - 特許庁

Optical gain characteristics of the quantum well layers are influenced by the compositional uniformity of surrounding layers, the dot size distribution, the dot density, and the number of layers of the dots that can be placed in an active region without exceeding a critical thickness for forming dislocation.例文帳に追加

前記量子井戸層の光学的ゲイン特性はまわりの層の組成不均一、ドットサイズ分布、ドット密度、及び、転移形成のための臨界厚みを超えることなく活性領域内に配置可能なドットレイヤの数によって影響される。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting element which can have an upper/lower electrode structure, the nitride semiconductor light-emitting element being excellent in internal quantum efficiency, light extraction efficiency and drive voltage, and further excellent in mass-productivity; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

上下電極構造を採り得る窒化物半導体発光素子であって、内部量子効率、光取り出し効率および駆動電圧に優れ、量産性にも優れる窒化物半導体発光素子、ならびにその製造方法を提供する。 - 特許庁

To deteriorate an element basic characteristic such as an increase of current density and deterioration of inner quantum efficiency, by diffusing a Zn acceptor from a p-type clad layer to a region near an active layer by thermal history in a wafer process in a semiconductor laser element.例文帳に追加

半導体レーザ素子では、ウエハプロセス工程での熱履歴によってｐ型クラッド層から活性層近傍領域までＺｎアクセプタが拡散することにより、電流密度が増大、内部量子効率が低下する等、素子基本特性が劣化する。 - 特許庁

The 3DPG facilitates lateral current spreading so that current is injected into the entire active region, increases the number of radiative recombination events in the active region and improves the external quantum efficiency and the power efficiency of the device.例文帳に追加

３ＤＰＧは、電流が活性領域の全体にわたって注入されるように横方向電流拡がりを容易にし、活性領域における放射再結合の事象の数を増加させ、デバイスの外部量子効率と電力効率を改善する。 - 特許庁

To provide a light-emitting device capable of suppressing the generation of non-radiation level caused by defective crystal, by reducing the height of irregularities, when improving external quantum efficiency, using photonic crystalline structure.例文帳に追加

フォトニック結晶構造を用いて外部量子効率を向上させるにあたって、凹凸の高さを低減して、結晶欠陥に起因する非発光準位の発生を抑制することができる発光装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that when the heat radiation performance of a light source deteriorates due to reduction in size and thickness of the device, the temperature of the light source rises, the life of the light source is shortened, or signal quality degrades due to an increase in quantum noise, and slope efficiency is reduced.例文帳に追加

装置の小型化や厚さの低下による光源の放熱性能低下によって、光源の温度が上昇し、光源の寿命の短命化や、量子ノイズの増加にともなう信号品位の悪化、スロープ効率の低下が発生する。 - 特許庁

Through the zinc silicate layer, a light-emitting layer 12 having a quantum well structure consisting of an n-type ZnO layer 11, a ZnO well layer and a ZnMgO barrier layer, and a p-type ZnO layer 13 are grown epitaxially for the ZnO-based substrate.例文帳に追加

このジンクシリケート層を介して、ｎ型ＺｎＯ層１１、ＺｎＯ井戸層とＺｎＭｇＯ障壁層からなる量子井戸構造を有する発光層１２、及びｐ型ＺｎＯ層１３がＺｎＯ系基板に対してエピタキシャル成長される。 - 特許庁

After a first high frequency magnetic pulse is applied, a first frequency selective irradiation pulse is applied to ^1H J_HH-coupled with desired ^1H to generate a multiple quantum coherence between ^1Hs, and a second high frequency magnetic pulse is successively applied.例文帳に追加

第１の高周波磁場パルスを印加後に、所望の^１ＨとＪ_ＨＨカップリングした^１Ｈに対して第１の周波数選択照射パルスを印加して^１Ｈ間の多量子コヒーレンスを生成し、続いて第２の高周波磁場パルスを印加する。 - 特許庁

The light source module includes a light emitting device package including a plurality of light emitting device chips; a quantum dot sealing package is disposed on the light emitting device package in a light emitting direction; and the light source module converts wavelengths of light emitted from the light emitting device chips to generate wavelength-converted light.例文帳に追加

多数の発光素子チップを含む発光素子パッケージの光放出方向の上部に量子点密封パッケージが配され、発光素子チップから放出される光を波長変換して波長変換光を放出する光源モジュールである。 - 特許庁

There is provided a key sharing system having a resistance to a quantum computer by adopting a method that the safety of the key sharing system depends on the difficulty of solving one of the NP complete problem, high order multi-variable simultaneous algebraic equation.例文帳に追加

鍵共有方式の安全性をＮＰ完全問題の１つである高次多変数連立代数方程式の解法の困難さに依存する方式を採用することにより、耐量子コンピュータ性を持つ鍵共有方式を提供する。 - 特許庁

A short-period superlattice structure layer 4 in which an integral multiple of a plurality of two-dimensional compound semiconductor molecular layers are alternately laminated is provided on a semiconductor substrate 1, and in addition the self-forming quantum dot 5 is provided on the structure layer 4.例文帳に追加

半導体基板１上に複数の２元化合物半導体の分子層の整数倍が交互に積層された短周期超格子構造層４を設けるとともに、短周期超格子構造層４上に自己形成型量子ドット５を設ける。 - 特許庁