「quantum」に関連した英語例文の一覧と使い方(58ページ目) - Weblio英語例文検索

In a light-emitting diode which includes an active layer 13 comprising AlGaInP multiple quantum well, a rugged structure for light extraction efficiency improvement is formed on the surface of an n-type AlGaInP clad layer 12 which is a light extraction layer.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸からなる活性層１３を有する発光ダイオードにおいて、光取り出し層であるｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１２の表面に光取り出し効率向上のための凹凸構造を設ける。 - 特許庁

Infrared light is subjected to optical path division of wavelength selectivity so as to be directed to the CIGS sensor, to thereby utilize the characteristics of the CIGS sensor having the quantum efficiency of 60% or more, in an infrared area, as well as, a night-vision camera.例文帳に追加

赤外光はＣＩＧＳセンサに向かうよう波長選択性の光路分割を行うことで、赤外域においても６０％以上の量子効率を有するＣＩＧＳセンサの特性を暗視カメラとして活用する。 - 特許庁

At substantially the center of a region 143 of the shape of a rectangle formed on a silicon substrate 141, in a substantially the right-angle direction relative to the longitudinal direction of the region 143, a quantum thin line 145 of nanometer size is formed and set as a floating gate region.例文帳に追加

シリコン基板１４１に形成された長方形状の領域１４３の略中央に、領域１４３の長手方向に対して略直角方向に、ナノメータサイズの量子細線１４５を形成して浮遊ゲート領域とする。 - 特許庁

To provide a polarization-entangled photon pair generating apparatus which is useful as a light source of a quantum encryption key distribution system, includes high photon pair generation efficiency, does not need procurement of special parts, and requires little time and labor for the adjustment and control of the generating apparatus.例文帳に追加

量子暗号鍵配付システムの光源として有用な、光子対生成効率が高く、特殊部品の調達が必要なく、装置の調整や制御の手間が少ない、偏波もつれあい光子対の生成装置を提供する。 - 特許庁

An ultra short light pulse exciting excitons (E2HH1, E2HH2) of subbands different in the number of quantums simultaneously is irradiated to a terahertz wave generating element (1) composed of a multiple quantum well (MQW) by a light irradiation circuit (2).例文帳に追加

多重量子井戸構造（ＭＱＷ）で構成されるテラヘルツ波発生素子（１）に対し、量子数の異なるサブバンドの励起子（Ｅ２ＨＨ１，Ｅ２ＨＨ２）を同時に励起する超短光パルスを光照射回路（２）により照射する。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element which has a high external quantum efficiency and has a long emission life, and can be driven by a low driving voltage, and to provide its manufacturing method and a display and lighting device using the element.例文帳に追加

外部取りだし量子効率が高く、発光寿命が長く、且つ、低駆動電圧で起動できる有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法、該素子を用いる表示装置及び照明装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting element of superior electrostatic breakdown voltage whose light-emitting output is improved so that a range of application to various applied products is widened with the use of an active layer of a multiple quantum well structure.例文帳に追加

多重量子井戸構造の活性層を用い種々の応用製品への適用範囲の拡大を可能とするため、発光出力がより向上し、静電耐圧が良好な窒化物半導体発光素子を提供することである。 - 特許庁

When a quantum key is distributed from a transmitter to a receiver, when a measurement value of the QBER gets worse than the Q_bit, the frame synchronization processing is executed and when the measurement value gets worse than the Q_phase, the phase compensation processing and the frame synchronization processing are executed.例文帳に追加

送信器から受信器へ量子鍵が配布されたとき、ＱＢＥＲの測定値がＱ_bitより悪化していればフレーム同期処理を実行し、Ｑ_phaseより悪化していれば位相補正処理およびフレーム同期処理を実行する。 - 特許庁

Even in this case, since the Al crystal mixing ratio x of the firstn-type clad layer 24 in the side of the AlGaAs multiple quantum well active layer 25 is equal to 0.425, the elliptical coefficient can be improved by setting the radiation angle θ⊥ in the vertical direction to 36°.例文帳に追加

その場合でも、ＡlＧaＡs多重量子井戸活性層２５側の第１ｎ型クラッド層２４のＡl混晶比はｘ＝０.４２５であるため、垂直方向放射角θ⊥を３６度に合わせて楕円率改善を図ることができる。 - 特許庁

To prevent misdetection of reception data by correcting phase errors due to temperature characteristics, variations in delay amount, or the like, of a threshold generating section for varying and controlling a threshold or other logic sections, in a receiving device which performs optical communication quantum encryption communication.例文帳に追加

光通信量子暗号通信を行う受信装置における、閾値を変動制御する閾値生成部や他の論理部の温度特性や遅延量変化等による位相誤差を補正し受信データの誤検出を防止する。 - 特許庁

This quantum cascade laser is configured by including a semiconductor substrate, and an active layer which is formed on the substrate, and has a cascade structure in which unit laminates 16 comprising a light emission layer 17 and an injection layer 18 are laminated in a multi-stage.例文帳に追加

半導体基板と、基板上に設けられ、発光層１７及び注入層１８からなる単位積層体１６が多段に積層されたカスケード構造を有する活性層とを備えて量子カスケードレーザを構成する。 - 特許庁

Further, equal energy levels are arranged in a moving direction of carriers by arraying quantum dots 6S, 6M and 6L of the same size in a thickness direction, and carriers are moved through tunnel effect without losing energy, thereby extracting a current.例文帳に追加

また、同じサイズの量子ドット６Ｓ，６Ｍ，６Ｌを厚さ方向に配列することで、キャリアの移動方向に同一のエネルギ準位を並べ、エネルギを失うことなくトンネル効果によってキャリアを移動させて、電流を取り出す。 - 特許庁

A light emitted from a face (rear side end face) 1b opposed to an outgoing end face (front side end face) 1a of the quantum cascade laser 1 is wave-guided in an inside of the tubular member 5, and gets incident into the infrared detector 7, to be detected.例文帳に追加

量子カスケードレーザ１の出射端面（前側端面）１ａと対向する面（後側端面）１ｂから放射された光は、管状部材５の内側を導波し、赤外線検出器７に入射して、検出される。 - 特許庁

A p-type impurity is doped in a first barrier layer nearer to the p-type semiconductor layer, among the first barrier layer and a second barrier layer included in the quantum well adjacent to the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

そして、前記ｐ形半導体層に隣り合う前記量子井戸を構成する第１の障壁層および第２の障壁層のうちの前記ｐ形半導体層に近い前記第１の障壁層にｐ形不純物がドープされる。 - 特許庁

To provide a super fine semiconductor which can be used as a raw material for a thin film excellent in water repellency (water resistance) or oil repellency (oil resistance) and transparency, and which can control absorption and emission wave length by the quantum effect.例文帳に追加

撥水性（耐水性）又は撥油性（耐油性）と透明性に優れた薄膜状成形体の材料として利用可能であり、且つ量子効果による吸発光波長の制御性を兼備した半導体超微粒子を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a compound semiconductor quantum dot which has a dot-like favorable shape characteristic capable of achieving a three-dimensional electron trapping on a Si substrate and has a favorable crystallinity.例文帳に追加

化合物半導体量子ドットの製造方法に関し、Ｓｉ基板上で３次元電子閉じ込めを実現できるドット状の良好な形状特性をもち、且つ、結晶性良好な化合物半導体量子ドットを実現させようとする。 - 特許庁

An active layer 14 of a quantum well structure is constructed on an InP board 11, using an InGaAs film having a tensile distortion as a barrier layer 14b and an InGaAs film having a compression distortion as a well layer 14w.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１１上に量子井戸構造の活性層１４を、障壁層１４ｂとして引張歪みを有するＩｎＧａＡｓ膜、井戸層１４ｗとして圧縮歪みを有するＩｎＧａＡｓ膜を用いて構成する。 - 特許庁

Consequently, misfit dislocation occurs at a predetermined density in the crystal(upper layer part of the quantum well layer) of the semiconductor light-emitting element 1, and the misfit dislocation acts to ease the distortion energy stored in the crystal.例文帳に追加

これにより、半導体発光素子１の結晶内部（量子井戸層よりも上層部分）に所定の密度でミスフィット転位が発生し、このミスフィット転位が結晶内部に蓄積された歪みエネルギーを緩和するように作用する。 - 特許庁

An infrared detector includes a light absorption layer 200 that absorbs infrared using an inter-subband transition of a quantum dot 24 that is laminated in a multi-layer, and a lower electrode 27 and an upper electrode 28 provided so as to interpose the light absorption layer 200.例文帳に追加

多層に積層された量子ドット２４のサブバンド間遷移を利用して赤外線を吸収する光吸収層２００と、光吸収層２００を挟むように設けられた下部電極２７及び上部電極２８を有する。 - 特許庁

To provide a quantum effect semiconductor laser element which is manufactured by using a selecting growth method, in which a leakage current in a growth suppression layer position is hardly generated, and which can be oscillated at a low threshold voltage.例文帳に追加

選択成長法を用いて製造される量子効果型半導体レーザー素子において、成長抑制層位置でのリーク電流を生じにくく、ひいては低い閾電圧で発振可能な半導体レーザー素子を提供する。 - 特許庁

Cross talk lights of the classic channel, that is, the cross talk light by a naturally emitted light and the cross talk light by a nonlinear optical effect are controlled, and the communication to have no influence on the quantum channel by the classic channel is conducted thereby.例文帳に追加

これにより、古典チャネルのクロストーク光、すなわち自然放出光によるクロストーク光と非線形光学効果によるクロストーク光を抑圧し、古典チャネルが量子チャネルに影響を及ぼさない通信が可能となる。 - 特許庁

In the fluorescent layer 45, a light absorption rate of a fluorescence substance in a part on a light incident surface side is higher than that in a part on a light emission surface side, and internal quantum efficiency of the fluorescence substance in the part on the light incident surface side is lower than that in the part on the light emission surface side.例文帳に追加

蛍光体層４５では、光入射面側の部位が光射出面側の部位よりも、蛍光体の光吸収率が高くなっており、かつ蛍光体の内部量子効率が低くなっている。 - 特許庁

Accordingly, since electron energy potential of the quantum dot 13 which emits the carrier by absorbing the light may be varied in accordance with the electric field applied to a pair of first electrodes 16, 17, the wavelength of the detected light can also be varied.例文帳に追加

このようにすると、第１の一対の電極１６、１７に印加された電界に応じ、光を吸収してキャリアを放出する量子ドット１３の電子エネルギポテンシャルを変更できるので、検知する光の波長を変更できる。 - 特許庁

The emission of the fluorescent light is caused by the incidence of the electrons into the quantum well structure of the nitride semi-conductor layer 14 and by the rebinding of the produced electrons to the positive hole pairs, and the speed of response is an order of μsec or higher.例文帳に追加

この蛍光は、窒化物半導体層１４の量子井戸構造への電子の入射と、これにより生成された電子と正孔の対の再結合に起因するものであり、その応答速度はμｓｅｃオーダー以下である。 - 特許庁

To simplify system configurations by improving a cipher key generation rate of a quantum key distribution system, by excluding a phase modulator which has large optical loss and requires high-speed, high-precision control from a receiving device.例文帳に追加

大きな光学損失を持つ上に高速・高精度な制御が必要であった位相変調器を受信装置から排除することにより、量子鍵配布システムの暗号鍵生成レートを向上し、システム構成を簡略化する。 - 特許庁

To provide an organic EL element high in external extraction quantum efficiency, exhibiting long light emission life, exhibiting high emission luminance, and exhibiting high luminous efficiency; and to provide a display device and a lighting system each having the organic EL element.例文帳に追加

外部取り出し量子効率が高く、長発光寿命を示し、高い発光輝度を示し、且つ、高い発光効率を示す有機ＥＬ素子提供し、更に、該有機ＥＬ素子を備えた表示装置及び照明装置を提供する。 - 特許庁

Then, a nonvolatile memory, in which the floating gate region between a channel region 150 and a gate electrode 147 is constituted using the quantum thin line 145, is formed by forming the gate electrode 147, a source region 148, and a drain region 149.例文帳に追加

その後、ゲート電極１４７,ソース領域１４８およびドレイン領域１４９を形成して、チャネル領域１５０とゲート電極１４７との間の浮遊ゲート領域を量子細線１４５で構成した不揮発性メモリを形成する。 - 特許庁

The dominant wavelength of the first light is set, so that the absolute value of the gradient (ΔK/Δλ) of the curve which represents the wavelength dependency of the internal quantum efficiency of a phosphor may be included in the wavelength range which becomes 1%/nm or more.例文帳に追加

蛍光体の内部量子効率の波長依存性を示す曲線の勾配（ΔＫ／Δλ）の絶対値が１［％／ｎｍ］以上となる波長範囲に含まれるように第１の光の主波長が設定されている。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element having high emission luminance, excellent quantum efficiency, and high durability, and causing little lowering of luminance especially at the initial stage of light emission, and to provide a display device and a lighting system equipped with it.例文帳に追加

高い発光輝度および優れた量子効率、さらには高い耐久性を有し、とくに発光初期における輝度低下の小さい有機エレクトロルミネッセンス素子、およびそれを具備してなる表示装置、照明装置を提供する。 - 特許庁

To provide a device for distributing/transmitting a single-photon quantum key which prevents 3 dB principle loss in a transmitter, provides a high transmission rate by eliminating a polarization compensation mechanism on a receiver side, and requires a simple structure.例文帳に追加

送信器内部での３ｄＢの原理損失を防ぎ、また受信器側での偏光補償機構を排除することによって、高い伝送レートが得られ、かつ簡便な構成ですむ単一光子量子鍵配付送信装置を提供する。 - 特許庁

The photocatalyst mainly comprises zirconium oxide, graphite or graphite silica and has water decomposition property which is equal to or more than 30% of a quantum yield even in a visible light region containing little ultraviolet ray of 60-100 W of an incandescent lamp.例文帳に追加

酸化ジルコン及び黒鉛又はグラファイトシリカを主成分とする光触媒であって、60〜100W白熱灯の紫外光をほとんど含まない可視光領域でも量子収率30％以上の水分解性能を発揮する光触媒。 - 特許庁

To provide a simple method of manufacturing a pseudo two phase CCD image sensor which achieves high quantum efficiency over a visible part of an electromagnetic spectrum and achieves high charge transfer efficiency in a shift register of an image forming apparatus.例文帳に追加

電磁スペクトルの可視部分に亘って高い量子効率を実現し、画像形成装置のシフトレジスタにおいて高い電荷転送効率を実現する疑似２フェーズＣＣＤ画像センサを製造する簡単な方法が必要とされている。 - 特許庁

To provide a superconducting single-photon detecting element which has superior property of optical coupling with photons and superior light absorptivity and then can be greatly improved in quantum efficiency, and a manufacturing method of the superconducting single-photon detecting element.例文帳に追加

光子との光カップリング性および光吸収性に優れ、これにより、量子効率の大幅な改善が可能な超伝導単一光子検出素子および超伝導単一光子検出素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an active layer energy band for a laser diode by which a conduction band gap differential value between a quantum well and a well barrier of the laser diode is improved up to 300 meV or 450 meV and a characteristic temperature of the laser diode is improved.例文帳に追加

レーザダイオードの量子井戸と井戸障壁との間の伝導帯ギャップ差値が、３００ｍｅＶ乃至４５０ｍｅＶまで向上され、レーザダイオードの特性温度が向上されるレーザダイオードの活性層エネルギー帯を提供する。 - 特許庁

In the configuration, a quantum well caused by a band gap difference between the nanocrystal grain (d) and the amorphous layer of the semiconductor composing the nanocrystal grain (d) is formed, so that the photoelectric conversion device having a high photoelectric conversion rate can be obtained.例文帳に追加

かかる構成によれば、ナノ結晶粒と当該ナノ結晶粒を構成する前記半導体のアモルファス層とのバンドギャップ差に起因する量子井戸が形成され、光電変換効率の高い光電変換装置となる。 - 特許庁

To provide a back irradiation type solid-state image pickup device that can be improved in quantum efficiency by suppressing the occurrence of a dark current by suppressing the occurrence of crystal defects caused by metallic contamination during a process.例文帳に追加

プロセス中の金属汚染による結晶欠陥の発生を抑制して、暗電流の発生を抑えて量子効率を向上させることができる裏面照射型の固体撮像装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the film thickness or composition of a light emitting layer 5 (especially quantum well) varies, so that different wavelengths can be assigned to the respective nano-columns 10 and light emission can be also realized in a plurality of wavelength areas without using phosphor.例文帳に追加

これによって、発光層５（特に量子井戸）の膜厚や組成もばらつき、各ナノコラム１０に異なる波長を割当てることができ、蛍光体を用いることなく複数の波長域で同時に発光させることができる。 - 特許庁

To obtain a semiconductor laser device comprising an AlGaAs clad layer, an InGaAsP or InGaP optical waveguide layer, and an InGaAs or InGaAsP quantum well layer formed on a GaAs substrate in which resistance and noise are reduced.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上に、ＡｌＧａＡｓクラッド層、ＩｎＧａＡｓＰあるいはＩｎＧａＰ光導波層、ＩｎＧａＡｓあるいはＩｎＧａＡｓＰ量子井戸層を備えた半導体レーザ素子において、低抵抗であって低ノイズなものとする。 - 特許庁

By employing a p-n heterojunction for high injection efficiency, and transparent windows for low-loss optical extraction out both the top and the side surfaces, high total external quantum efficiencies are achieved.例文帳に追加

注入効率が高くなるように、ｐ−ｎヘテロ構造を用い、また、上部表面と側部表面の両方からの光抽出の損失が少なくなるように、透明な窓を用いることによって、高い全外部量子効率が得られる。 - 特許庁

To solve such a problem that a decoding method exists for Knapsack encryption although it has advantages that encryption and decryption take shorter time compared to presently prevailed RSA encryption and that safety are not necessarily spoiled with a quantum computer.例文帳に追加

ナップザック暗号は現在主流のＲＳＡ暗号と比べて暗号化および復号が短時間であり量子計算機によってさらに安全性が危うくなるということはないという利点があるが、解読法が存在する。 - 特許庁

To improve luminous efficiency, light emitting wavelength reproducibility, and in-plane uniformity in a nitride-based compound semiconductor light emitting element provided with an Al-containing evaporation preventing layer immediately above an In-containing quantum well active layer.例文帳に追加

Ｉｎを含む量子井戸活性層の直上にＡｌを含む蒸発防止層を設けた窒化物系化合物半導体発光素子において、発光効率、発光波長の再現性および面内均一性を良好にする。 - 特許庁

The controller 610 calculates the internal quantum efficiency of the semiconductor LED 100 based on values obtained by dividing integrated emission intensities in the detector 607-detected respective excitation power densities of light by the excitation power densities.例文帳に追加

制御部６１０は、検出部６０７で検出した光の各励起パワー密度における積分発光強度をその励起パワー密度で除算した値に基づいて半導体発光素子１００の内部量子効率を演算する。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor layer 2 has an n-type contact layer 21, a quantum well layer 22, a GaN final barrier layer 25, a p-type electron block layer 23, and a p-type contact layer 24 formed sequentially from the GaN single crystal substrate 1 side.例文帳に追加

III族窒化物半導体層２は、ＧａＮ単結晶基板１側から順に積層されたｎ型コンタクト層２１、量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を有している。 - 特許庁

Then an atmosphere containing an In component is produced in the reaction chamber to form liquid drops which consist of the In component and in which the As component and P component are dissolved, and the liquid drops are crystallized to form quantum dots consisting of InAsP.例文帳に追加

その後、反応室を、Ｉｎ成分を含む雰囲気にして、Ｉｎ成分よりなりＡｓ成分及びＰ成分が固溶した液滴を形成するとともに、この液滴を結晶化して、ＩｎＡｓＰよりなる量子ドットを形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor of an ultrafine particle which has not a problem of the quantum efficiency decrease because of the surface defect and which is excellent in such resistances to the environment as a resistance to water and a resistance to weather and also which does not deteriorate in the characteristics even when radiated with such an energy as an ultraviolet ray.例文帳に追加

表面欠陥による量子効率低下の問題のなく、耐水性、耐候性などの耐環境性に優れると共に紫外線などのエネルギー照射でも特性が劣化しない半導体超微粒子の提供。 - 特許庁