「quantum」に関連した英語例文の一覧と使い方(60ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve the characteristics of a semiconductor device by controlling and suppressing the delay in light emitting life of a semiconductor element using a quantum dot and, in addition, by realizing such a configuration that can eliminate phonon bottle neck phenomena.例文帳に追加

半導体素子に関し、量子ドットを用いた半導体素子に於ける発光寿命の遅延を制御・抑制し、且つ、フォノン・ボトルネック現象を解消できる構成を実現させ、これに依って、半導体装置の特性を向上させようとする。 - 特許庁

When the emission quantum efficiency falls within these predetermined ranges, the rate of active oxygen generation of the semiconductor nanoparticles can be greater than 1 mL/min/g when irradiated with ultraviolet rays, thus being effective for exterminating cancer cells.例文帳に追加

発光量子効率がこれらの所定の範囲にある場合、紫外線を照射したときの半導体ナノ粒子の活性酸素発生速度は１ｍＬ／min／ｇ以上に達することが可能であり、がん細胞を死滅させるために効果的である。 - 特許庁

The optical path of a portion of object light in a visible light area to an optical finder is divided into a CIGS sensor, having quantum efficiency of 60% or more in a visible light area to thereby simultaneous live view is enabled without making the finder dark.例文帳に追加

光学ファインダへの可視光域における被写体光の一部を、可視光域において６０％以上の量子効率を有する高感度のＣＩＧＳセンサに光路分割することで、ファインダを暗くすることなく同時ライブビューを可能とする。 - 特許庁

To provide a quantum encryption key distribution system in which synchronism is established between a transmitter unit and a receiver unit to make constant all the time a phase relationship between an optical pulse outputted from the receiver unit and an optical pulse returned to the receiver unit.例文帳に追加

送信者ユニットと受信者ユニットとの同期を確立し、受信者ユニットから出力する光パルスと受信者ユニットに帰ってくる光パルスとの位相関係を常に一定とすることが可能な量子暗号鍵配布システムを提供する。 - 特許庁

To provide an electronic circuit for a superconducting quantum interference device that, even if a frequency of a saw tooth current is high when measuring the critical current of a DC-SQUID, can easily and precisely measure a statistical average thereof.例文帳に追加

ＤＣ−ＳＱＵＩＤの臨界電流を測定する際の鋸歯状電流の周波数が高い場合でも、その統計平均を、簡便、かつ、正確に測定することのできる超伝導量子干渉素子用電子回路を提供する。 - 特許庁

To an Al-free semiconductor laser device which has a high output and high reliability and has 760 to 800 nm by compensating a strain in the active regions of a barrier layer and a quantum well layer, and to provide a reproducer/recorder for an optical disk using the same.例文帳に追加

バリア層と量子井戸層の活性領域における歪を補償し、高出力でありかつ信頼性の高い、７６０〜８００ｎｍのＡｌフリーの半導体レーザ装置、及びそれを用いた光ディスク用再生記録装置を提供する。 - 特許庁

For example, in the case of introducing a GaSb layer with 0.24 to 1.52 ML thickness with a composition x (x=1) of antimony (Sb) to the GaAs buffer layer, the InAs quantum dots can be self-formed on the GaSb layer with a high uniformity with a dot density of 1.1×10^11cm^-2 or over.例文帳に追加

たとえば、アンチモン（Ｓｂ）の組成ｘをｘ＝１にして、０．２４〜１．５２ＭＬ厚のＧａＳｂ層を導入する場合は、ＧａＳｂ層上にＩｎＡｓ量子ドットを、１．１×１０^11ｃｍ^-2以上のドット密度で、高均一に自己形成できる。 - 特許庁

To provide a method of chemically synthesizing at a low temperature under a heterogeneous reaction condition a dispersed semiconductor with a narrow size distribution emitting an intense light luminescence with a short wavelength, e.g. a CdX(X=S, Se, Te) quantum dot, safely and easily in a high yield at a low cost.例文帳に追加

安価、安全かつ簡易であり、高収率の短波長の強い光ルミネセンスを発光する、低サイズ分散半導体、例えばＣｄＸ（Ｘ＝Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）量子ドットを製造するための、不均一反応条件下での低温化学合成方法を提供する。 - 特許庁

To protect a quantum well layer and a barrier layer against damage by a method wherein an In-containing first nitride semiconductor layer is formed, a substrate is made to rise in temperature as a second another nitride semiconductor layer is formed, an In-free third nitride semiconductor layer is formed, and a first to a third process are successively carried out.例文帳に追加

結晶成長によりインジウムを含む半導体層を安定に形成する、例えば良好な活性層を備えた窒化物レーザを製造できる、インジウムを含む窒化物半導体結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

The group-III nitride semiconductor layer 2 has an n-type contact layer 21, a multiple quantum well layer 22, a GaN final barrier layer 25, a p-type electron blocking layer 23, and a p-type contact layer 24 laminated successively from the side of the GaN single-crystal substrate 1.例文帳に追加

III族窒化物半導体層２は、ＧａＮ単結晶基板１側から順に積層されたｎ型コンタクト層２１、多重量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を有している。 - 特許庁

Portions near the resonator end faces 9A and 9B of the multiple quantum well active layer 3 are windows 3a and 3b in which the non-doped GaInP well layer formed a mixed crystal with a non-doped AlGaInP optical guide layer adjacent thereto or a non-doped AlGaInP barrier layer.例文帳に追加

多重量子井戸活性層３の共振器端面９Ａ，９Ｂ近傍の部分は、ノンドープＧａＩｎＰウェル層が隣接するノンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層またはノンドープＡｌＧａＩｎＰバリア層と混晶化した窓部３ａ，３ｂである。 - 特許庁

A first inorganic material of the inorganic materials can include nano-wires and/or nanotubes 114a, 116a and a second inorganic material of the inorganic materials can include nano-particles and/or quantum dots 114b, 116b.例文帳に追加

非有機材料のうちの第１の非有機材料がナノワイヤ及び／又はナノチューブ１１４ａ、１１６ａを含むことができ、非有機材料のうちの第２の非有機材料がナノ粒子及び／又は量子ドット１１４ｂ、１１６ｂを含むことができる。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 has an active layer 5 of quantum well structure comprising a clad layer 9 composed of p-type semiconductor material, a clad layer 3 composed of n-type semiconductor material and a light confinement layer, and emits a laser beam from the active layer 5.例文帳に追加

半導体レーザ１は、ｐ型半導体材料からなるクラッド層９とｎ型半導体材料からなるクラッド層３と光閉じ込め層と量子井戸構造からなる活性層５を有し、活性層５から出射されるレーザ光を出射する。 - 特許庁

To provide a method or the like for predicting the activity of a new chemical substance by utilizing an index of the reactivity of a molecule, calculated based on a quantum chemistry calculation by considering even a reactive molecular orbital except a frontier orbital.例文帳に追加

本発明により、フロンティア軌道以外の反応性分子軌道をも考慮した量子化学計算に基づき算出された分子の反応性の指標を利用した新たな化学物質の活性度の予測方法等を提供可能とする。 - 特許庁

To provide a GaN group semiconductor light-emitting element including an active layer containing In and reducing a quantum efficiency in a large injection current state, and also to provide a method for manufacturing the GaN group semiconductor light-emitting element.例文帳に追加

Ｉｎを含む活性層を備えるＧａＮ系半導体発光素子において、注入電流が大きい場合における量子効率の低下を軽減することができるＧａＮ系半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The nitride semiconductor light emitting element has an n-type clad layer 30 composed of AlGaN on a predetermined substrate 10, an active layer 40 composed of a quantum well of a nitride semiconductor thereon, and a p-type clad layer 50 composed of AlGaInN thereon.例文帳に追加

所定の基板１０上に、ＡｌＧａＮからなるｎ型のクラッド層３０を有し、その上に窒化物半導体の量子井戸で構成される活性層４０を有し、その上にＡｌＧａＩｎＮからなるｐ型のクラッド層５０を有する。 - 特許庁

To provide a novel fluorescent substance, to which a functional group, which makes the absorption and fluorescent wavelengths of a fluorescent organic compound longwave, further increases a fluorescence quantum yield, and also has reactivity with a biologically-relevant molecule or the like, is bonded.例文帳に追加

蛍光性有機化合物の吸収波長、蛍光波長を長波長化し、さらに蛍光量子収率を増大させるとともに、生体関連分子などとの反応性も有する官能基を結合させた、新規蛍光性物質を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting element capable of preventing a defect, and emitting light with high efficiency, even if the emission wavelength is made long by maintaining very small lattice mismatches of a quantum-well structure in the active layer.例文帳に追加

活性層における量子井戸構造の格子不整合を非常に小さくした状態を維持することにより、欠陥の発生を防ぎ、発光波長を長波長化させても高効率で発光が可能な窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

A nitride semiconductor quantum structure is formed which has an (n) or (i) type positive hole injection layer on a (p) type semiconductor substrate and includes at least indium and gallium at a long distance enough from the (p) type semiconductor substrate to inject positive holes.例文帳に追加

ｐ型半導体基板上にｎ型あるいはｉ型の正孔注入層を備え、前記ｐ型半導体基板から正孔が注入されうる距離に、少なくともインジウムとガリウムとを含む窒化物半導体量子構造を形成する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting diode which has a sufficient light emitting area and is excellent in quantum efficiency and linearity though the diode uses a substrate in which low-dislocation density areas and high-dislocation density areas alternately exist like the ELOG-grown substrate.例文帳に追加

ＥＬＯＧ成長基板のように低転位密度領域と高転位密度領域が交互に存在する基板を用いながら、十分な発光面積を有し、かつ、量子効率やリニアリティに優れた窒化物半導体発光ダイオードを提供すること。 - 特許庁

The semiconductor laser is a quantum well type semiconductor laser impressed with a tension strain in an active layer, and is formed by cutting an outside of an optical waveguide area by etching, and by film-forming both sides thereof by an insulating passivation film.例文帳に追加

活性層に引張り歪を印加した量子井戸型半導体レーザであって、光導波路領域の外側をエッチングにより切り出し、その両側を、絶縁性のパッシベーション膜で成膜することによって形成される量子井戸型半導体レーザ。 - 特許庁

The active layer 10 is configured by laminating a quantum well layer 221 consisting of an Al_yGa_(1-y)As_(1-x3)P_x3 layer, and a barrier layer 222 consisting of an Al_x4Ga_(1-x4)As layer alternately and repeatedly a plurality of times.例文帳に追加

活性層１０は、Ａｌ_ｙＧａ_（１−ｙ）Ａｓ_（１−ｘ３）Ｐ_ｘ３層からなる量子井戸層２２１とＡｌ_ｘ４Ｇａ_（１−ｘ４）Ａｓ層からなる障壁層２２２とを交互に複数周期繰り返し積層して構成されている。 - 特許庁

Thus, the quantum well layer 5 provided in the p-InP clad layer 104 functions as a carrier recycle layer, so that the electrons overflown once in the p-clad layer can be made to be contributed to laser oscillation and the optical conversion efficiency be made high as a result.例文帳に追加

これにより、ｐ−ＩｎＰクラッド層に設けられた量子井戸層５が、キャリア・リサイクル層として機能するので、一度はｐ−クラッド層にあふれ出した電子をレーザ発振に寄与させることができ、これにより光変換効率が高くなる。 - 特許庁

A multiple quantum well layer 4 to detect infrared rays by utilizing transition between sub-bands and a reflection electrode layer 9 situated on a surface are separated farther than a distance in which the metal of the reflection electrode 9 is dispersed by a heat history during a manufacturing process.例文帳に追加

サブバンド間遷移を利用して赤外線を検出する多重量子井戸層４と表面に在る反射電極９とが製造工程中の熱履歴で該反射電極９の金属が拡散する距離以上に離隔して設けられている。 - 特許庁

(2) A quantum bit energy generating device is constituted by stacking the paper coil described by (1), a layer (laminated element layer) formed by laminating a plurality of thin films each having a spiral thin layer containing one kind of element on its surface while kinds of elements are changed, and a color material layer in this order.例文帳に追加

（２） （１）記載のペーパーコイル、一種類の元素を含む螺旋状の薄層を表面に設けた薄膜が、元素の種類を変えて複数積層された層（積層元素層）、及び色料層をこの順に積層したカンタムビットエネルギー発生装置。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element which has high emission luminous intensity and excellent quantum efficiency, further has high durability, and in particular has small degradation in intensity in the initial stage of light emission, and to provide a display device and a lighting device each having the element.例文帳に追加

高い発光輝度及び優れた量子効率、更には高い耐久性を有し、とくに発光初期における輝度低下の小さい有機エレクトロルミネッセンス素子、及びそれを具備してなる表示装置もしくは照明装置を提供すること。 - 特許庁

In this method, out of lights radiated from a light-emitting layer 10, a light emitted toward the outer periphery of the disk-like light-emitting layer (quantum disk) 10 can be reflected in the direction of a light extraction surface, and thus, the light extraction efficiency can be improved.例文帳に追加

したがって、発光層１０から放射された光の内、円盤状の該発光層（量子ディスク）１０の外周側へ放射された光を、光取出し面方向に反射することができるので、光取出し効率を向上することができる。 - 特許庁

To provide a mammographic image photographing apparatus with which a decline of a radiation dose by absorption of radiation by a front plate of a cassette and an accompanying increase in quantum noise of radiation are prevented so that a picture with high definition can be obtained.例文帳に追加

カセッテの前面板が放射線を吸収することによる放射線量の低下及びそれに伴う放射線量子ノイズの増大を防止して高精細な画像撮影を行うことのできる乳房画像撮影装置を提供する。 - 特許庁

A four-level system (four-state system) used in a phase-gate operation is a tripod-shaped four-level system composed of two low-energy states |0> and |1> utilized for a quantum bit, a low-energy state |2> utilized supplementally, and an excited state |e>.例文帳に追加

位相ゲート操作で用いる四準位系(四状態系)は、量子ビットに利用する下二準位の状態｜０＞、｜１＞と補助的に利用する下準位の状態｜２＞と励起状態｜ｅ＞からなる三脚型の四準位系である。 - 特許庁

To provide an electronic signature method which is not broken even when a quantum computer is realized by constituting electronic signature by using a homomorphic unidirectional function which is not based on number theory problems such as a problem of factorization into prime factors and a problem of discrete logarithms.例文帳に追加

素因数分解問題、離散対数問題などの数論的問題に基づかない準同型一方向性関数を用いて電子署名を構成することにより量子計算機が実現しても破られない電子署名方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting device of surface light emission, a Bragg reflection mechanism comprising DBR multi-layer reflectors 64 and 69 on upper and lower layers sandwiching an active layer 66 is provided to restrict light emitting patterns by light quantum containment effect by the Bragg reflection mechanism.例文帳に追加

面発光型の半導体発光素子において、活性層66を挟む上下層にＤＢＲ多層反射鏡64および69からなるブラッグ反射機構を備え、ブラッグ反射機構による光の量子閉じ込め効果により発光パターンを制限する。 - 特許庁

After an InAs quantum dot, fabricated by S-K mode growth on a GaAs substrate, is embedded and planarized using GaAs, molecular-layer etching for etching molecular layers layer by layer is carried out continuously, without moving from the growth container.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上にＳ−Ｋモード成長を利用して作製したＩｎＡｓ量子ドットをＧａＡｓで埋め込んで表面を平坦にした後、分子層を一層、一層エッチングする分子層エッチングを、成長槽内から移動せずに連続的に行なう。 - 特許庁

In the oxide semiconductor light emitting element, an n-type MgZnO clad layer 103, a non-doped quantum well active layer 105, a p-type MgZnO second clad layer 109, and a p-type ZnO contact layer 110, are successively laminated upon an n-type ZnO single-crystal substrate 101.例文帳に追加

ｎ型ＺｎＯ単結晶基板基板１０１上に、ｎ型ＭｇＺｎＯクラッド層１０３、ノンドープ量子井戸活性層１０５、ｐ型ＭｇＺｎＯ第２クラッド層１０９およびｐ型ＺｎＯコンタクト層１１０を順次積層する。 - 特許庁

On the superlattice layer of InN and In_xGa_1-xN, the active region is disposed to relax strain generated on the active region, so that crystallinity of the quantum well is improved to enhance a recombination rate.例文帳に追加

ＩｎＮとＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＮの超格子層上に活性領域が配置されることによって、活性領域に発生するストレインを緩和させることができ、量子井戸の結晶性を改善することによって再結合率を高めることができる。 - 特許庁

To provide a quantum correlation photon pair generator based on polarized light which generates a photon pair in straight beams having an identical wavelength of two photons by using the parametric down conversion by a nonlinear medium satisfying the type-1 phase matching condition.例文帳に追加

タイプ１位相整合条件を満たす非線形媒質によるパラメトリック下方変換を利用した、２個の光子の波長が同一となる直線ビーム状の光子対を発生する偏光に基づく量子相関光子対発生装置を提供する。 - 特許庁

To provide a rare earth metal complex which excels in a luminescent quantum yield, is characteristics in a luminescent wavelength and can be produced from inexpensive raw materials, and its production method; and to provide a wavelength conversion material using the complex.例文帳に追加

発光量子収率に優れ、発光波長に特徴を持ち、しかも安価な原料から製造することができる希土類金属錯体およびその製造方法、並びに該希土類金属錯体を用いた波長変換材料を提供する。 - 特許庁

To provide a light emitting diode having an active region of a multiple quantum well structure in which well layers and barrier layers are alternately laminated between a nitride gallium based N-type compound semiconductor layer and a nitride gallium based P-type compound semiconductor layer.例文帳に追加

窒化ガリウム系のＮ型化合物半導体層と窒化ガリウム系のＰ型化合物半導体層との間にウェル層と障壁層が交互に積層された多重量子ウェル構造の活性領域を有する発光ダイオードを提供すること。 - 特許庁

A method for generating intersubband electron transition by TE mode light (electromagnetic wave) is invented by using a semiconductor having anisotropy in effective mass of electrons and forming a quantum well structure in a direction inclined from a main axis in an equal energy face.例文帳に追加

電子の有効質量に異方性がある半導体を用い、かつ、等エネルギー面の主軸から傾いた方向に量子井戸構造を形成することにより、ＴＥモード光（電磁波）によりサブバンド間電子遷移を生じさせる方法を発明した。 - 特許庁

Two-dimensional photonic crystals are formed on a slab 21 having a quantum well structure obtained by alternately laminating a first semiconductor layer 211 and a second semiconductor layer 212 having partially overlapped electron band gaps by periodically forming pores 22 therein.例文帳に追加

電子のバンドギャップの一部が重複する第１半導体層２１１と第２半導体層２１２を交互に積層して成る量子井戸構造を有するスラブ２１に、周期的に空孔２２を形成することにより２次元フォトニック結晶を形成する。 - 特許庁

In this semiconductor light emitting element having an active layer comprising a III-V group mixed crystal semiconductor containing nitrogen (N) and other V group elements concurrently, the active layer is a quantum well layer of the n-type conductivity.例文帳に追加

窒素（Ｎ）と他のＶ族元素を同時に含んだＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体からなる活性層を有する半導体発光素子において、前記活性層は量子井戸活性層であり、導電型がｎ型であることを特徴としている。 - 特許庁

To provide an arithmetic circuit with which arithmetic processing, such as summing and summing of products and so on is carried out, without being influenced by a diffraction limit of light by finding a photophysical phenomenon distinct among quantum dots arranged in nanometer region.例文帳に追加

ナノメートル領域に配置した量子ドット間に特有な光物理現象を見出し、光の回折限界に支配されることなく和演算や積和演算を始めとした演算処理等を行うことができる演算回路を提供する。 - 特許庁

The luminescent marking material includes at least one luminescent material, which includes semiconductive nanoparticles (quantum dots), and at least one vehicle for delivering the luminescent material to an object.例文帳に追加

本発明のルミネセントマーキング物質は、少なくとも１種のルミネセント物質と、そのルミネセント物質を対象物へと送達する少なくとも１種のビヒクルとを含むものであるが、ここでそのルミネセント物質には半導性のナノ粒子（量子ドット）が含まれている。 - 特許庁

The photoresponsive molecular materials 3 vary in resistivity based on irradiation with light with a quantum probability and change in states reversibly when irradiated with light having a first predetermined wavelength and with light having a second predetermined wavelength.例文帳に追加

光応答性分子材料３は、光の照射により抵抗率が量子論的な確率で変化し、第１の所定波長の光を照射したときの状態と第２の所定波長の光を照射した時の状態とが可逆的に変化する。 - 特許庁

A neutron diffracting method using a high resolution neutron diffracting device and a magnetic measuring method using a super-conducting quantum interferometer are combined to obtain the accurate information related to lithium and oxygen in the structure of the electrode material.例文帳に追加

高分解能中性子回折装置を用いた中性子回折法及び超伝導量子干渉計を用いた磁気測定法を組み合わせることにより、電極材料の構造中のリチウムや酸素に関する精度の良い情報を得ることからなる。 - 特許庁

To obtain a polyphenylene derivative which has high solubility in an organic solvent, low crystallinity, an excellent heat stability and a high fluorescence quantum efficiency and an organic electroluminescent element emitting high-luminance and high-efficiency blue luminescence.例文帳に追加

有機溶媒に対して高い溶解性を有しかつ低結晶性であり、また熱安定性に優れ、高い蛍光量子収率を有するポリフェニレン誘導体及び高輝度かつ高効率な青色発光を呈する有機電界発光素子を提供すること。 - 特許庁