「quantum」に関連した英語例文の一覧と使い方(64ページ目) - Weblio英語例文検索

A CdTe isotope super-grating structure constituted with an A(^111Cd) face, B(^113Cd) face, C(^123Te) face, and D(^125Te) face being a zinc blende crystal structure (111) face constituted of the same isotope element as a super- grating laminate cycle is used for four quantum bits.例文帳に追加

同一の同位体元素から構成されるセン亜鉛鉱結晶構造（１１１）面である、Ａ（^ 111Ｃｄ）面、Ｂ（^ 113Ｃｄ）面、Ｃ（^ 123Ｔｅ）面、及び、Ｄ（^ 125Ｔｅ）面を超格子積層周期として構成されるＣｄＴｅ同位体超格子半導体結晶を４量子ビットに用いる。 - 特許庁

A buffer layer 102, a high carrier concentration n+ type layer 103 and a multiple quantum well structure light emitting layer 104 are formed on a sapphire substrate 101, P type layers 105, 106 and a first thin film metal layer 111 of metal vapor deposition are formed thereon, and a negative electrode 140 is formed on the layer 103.例文帳に追加

フリップチップ型の III族窒化物系化合物半導体発光素子において、ｐ型半導体層に接続され、光をサファイア基板側へ反射する厚膜正電極を銀（Ａｇ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、または、これらの合金より形成する。 - 特許庁

The group III nitride-based compound semiconductor light-emitting element 100 has a sapphire substrate 10, an n-type GaN layer 11, an n-type AlGaN layer 12, a light-emitting layer 13 of GaN/InGaN multiple quantum well structure, a p-type AlGaN layer 14, a p-type GaN layer 15, and a p^+-type GaN layer 16.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体発光素子１００は、サファイア基板１０、ｎ型ＧａＮ層１１、ｎ型ＡｌＧａＮ層１２、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸構造の発光層１３、ｐ型ＡｌＧａＮ層１４、ｐ型ＧａＮ層１５、ｐ^+型ＧａＮ層１６を有する。 - 特許庁

To provide new semiconductor ultrafine particles having both substrate specific affinity (for example, biological activity) of an oligopeptide residue and an absorption or emission characteristic controlled by quantum effect of a semiconductor crystal, and utilizable as a substrate specific analytical reagent for biological analysis or the like.例文帳に追加

オリゴペプチド残基の基質特異的親和性（例えば生物学的活性）と、半導体結晶の量子効果による制御された吸光あるいは発光特性を兼ね備えた、生物学的分析等の基質特異的分析試薬として利用可能な、新規な半導体超微粒子を提供する。 - 特許庁

The wavelength multiplexer 43 receives carrier waves different in wavelength from a first nano optical device 42 through the region of the nano scale, excites an exciton only when carrier waves in wavelength according to an energy gap are incident, and moves and multiplexes it through each quantum dot.例文帳に追加

波長多重装置４３は、第１のナノ光デバイス４２から互いに異なる波長の搬送波をナノスケールの領域を介して受け取り、エネルギーギャップに応じた波長の搬送波が入射された場合のみ励起子を励起させ、これを各量子ドットを介して移動させて多重合成する。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element changes emission wavelength as well as emits light by applying any electric field, using the electric field control part 103, to the light-emitting layer 101 that emits light by injecting carriers from the carrier injection part 102 to induce the quantum-confined Stark effect (QCSE).例文帳に追加

こ半導体発光素子では、キャリア注入部１０２によりキャリアを注入することで発光する発光層１０１に、電界制御部１０３により任意の電界を印加し、量子閉じ込めシュタルク効果（ＱＣＳＥ）を生じさせることで、発光と同時に発光波長の変調を行う。 - 特許庁

To provide a white semiconductor light-emitting device (LED) that makes resin containing luminescent color conversion members set up directly to the periphery of the LED chip, and attaches them so that respective luminescent color conversion members are not be mixed, thus enhancing the external quantum efficiency.例文帳に追加

発光色変換部材を含む樹脂を直接ＬＥＤチップの外周に密着させて設け、それぞれの発光色変換部材が混合しないように付着させることにより、外部量子効率を高くすることができる白色半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a dispersion liquid having high mono-dispersion of dispersed materials and good dispersion stability, to provide an organic EL element using the dispersion liquid having high taking-out quantum efficiency and long light emitting life time, and to provide lighting device and display device using the organic EL element.例文帳に追加

分散物の単分散性が高く、分散安定性が良好な分散液を提供し、該分散液を用いて、高い外部取り出し量子効率を示し、且つ、発光寿命が長い有機ＥＬ素子を提供し、該有機ＥＬ素子を具備した照明装置および表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a diamine compound polymer having a fused aromatic group which is easy to simultaneously maintain basic various performances required as a charge transport material, that is, mobility, quantum efficiency, productivity, stability, handling properties and the like at a high level and can be utilized in various organic electronic devices.例文帳に追加

電荷輸送材料として求められる基本的な諸性能、すなわち、モビリティー、量子効率、製造性、安定性、取り扱い性等を高いレベルで両立させることが容易で、種々の有機電子デバイスに利用可能な縮合芳香族基を有するジアミン化合物重合体を提供すること。 - 特許庁

The light-emitting diode comprises a first clad layer 2, a first light-emitting layer 3 laminated on the surface of the first clad layer, a second light-emitting layer 4 consisting of the quantum well structure laminated on the first light-emitting layer, and a second clad layer 5 laminated on the second light-emitting layer.例文帳に追加

第１クラッド層２と、該第１クラッド層表面上に積層された第１発光層３と、該第１発光層上に積層された量子井戸構造よりなる第２発光層４と、該第２発光層上に積層された第２クラッド層５とから構成したものである。 - 特許庁

The VCSEL device 10 has a tunnel junction 17 between an n-type lower DBR mirror 12 and an n-type upper DBR mirror 19, and the tunnel junction 17 has a quantum dot layer 32 of 2.5 mono layer thickness between a p^+-GaAs layer 31 and an n^+-InGaAs layer 33.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ素子１０は、ｎ型下部ＤＢＲミラー１２とｎ型上部ＤＢＲミラー１９との間にトンネル接合１７を有し、トンネル接合１７は、ｐ^+−ＧａＡｓ層３１とｎ^+−ＩｎＧａＡｓ層３３との間に２．５モノレーヤ厚みの量子ドット層３２を有する。 - 特許庁

To provide a stable service life characteristics by improving the initial degradation in light-emission intensity, related to a nitride compound semiconductor light-emitting element wherein a quantum well light-emitting layer comprising an InGaN layer, InGaNAs layer, or InGaNP layer is provided on a nitride compound semiconductor layer.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体層上にＩｎＧａＮ層、ＩｎＧａＮＡｓ層またはＩｎＧａＮＰ層を含む量子井戸発光層を有する窒化物系化合物半導体発光素子において、発光強度の初期劣化を改善して安定した寿命特性を得る。 - 特許庁

When a source 103 and a drain 104 larger than a micro wire region 105 made of a semiconductor are connected with both ends of the wire region 105 which is minute enough to cause a quantum size effect, the forbidden band of the wire region 105 serves as an energy band for electrons present in the source 103.例文帳に追加

量子サイズ効果が生じるような微小な細線部１０５の両端に、半導体よりなる細線部１０５より大きなソース１０３及びドレイン１０４が接続された状態とすると、ソース１０３に存在する電子にとって、細線部１０５の禁制帯はエネルギーバリアとなる。 - 特許庁

A quantum well active layer 107 where there are alternately overlapped first conduction-type lower clad layers 103 and 104, a barrier layer formed of an InGaAsP material, and a well layer, and a second conduction-type upper clad layer 110 are laminated on a first conduction-type GaAs substrate 101.例文帳に追加

第一導電型のＧａＡｓ基板１０１上に、第一導電型の下クラッド層１０３，１０４、ＩｎＧａＡｓＰ系材料からなるバリア層と井戸層とを交互に重ねてなる量子井戸活性層１０７、および第二導電型の上クラッド層１１０を少なくとも積層する。 - 特許庁

To provide an organic EL (electroluminescence) element, which shows high emission efficiency, high outside extraction quantum efficiency and long driving life (long light emitting life), an illuminating apparatus and a display which are equipped with the organic EL element, and further an organic EL element material employed for the organic EL element.例文帳に追加

高い発光効率を示し、高い外部取り出し量子効率を示し、且つ、駆動寿命が長い（発光寿命が長い）有機ＥＬ素子、該有機ＥＬ素子を備えた照明装置及び表示装置、更には、前記有機ＥＬ素子に用いられる有機ＥＬ素子材料を提供する。 - 特許庁

The upper surface of the mask substrate of the photomask 1 involving quantum dots is irradiated with light from a flash lamp of a light source 20, and near field light oozes out to a neighbourhood of an opening of a light shielding film 2 formed on the photomask 1 to expose a resist layer 11 on the surface of the workpiece located just under the opening.例文帳に追加

光源２０のフラッシュランプからの光が、量子ドットを含むフォトマスク１のマスク基板の上面照射され、フォトマスク１に形成された遮光膜２の開口の近傍に近接場光がしみだし、開口の直下に位置する被処理体表面のレジスト層１１が露光される。 - 特許庁

The MQW active layer 5 includes a multiple quantum well structure constituted of barrier layers and well layers having a tensile strain, and a layer thickness of each well layer is larger than that of each barrier layer, and the layer thickness of at least one well layer is made different from those of the other well layers.例文帳に追加

ＭＱＷ活性層５は、バリア層と引っ張り歪を持つ井戸層で構成された多重量子井戸構造を有しており、井戸層の各膜厚がバリア層の各膜厚よりも大きく、井戸層のうち、少なくとも１層の膜厚が他の井戸層とは異なるように構成されている。 - 特許庁

An optical core 110 is formed on an intermediate layer 106 by an epitaxial layer growth, then a multiple quantum well 112 is formed adjacent to the optical core 110, and then an outside structure 116 including a total internal, reflecting body is formed, thereby a ring laser system 300 is configured.例文帳に追加

中間層１０６の上に光コア１１０をエピタキシャル層成長により形成し、前記光コア１１０に隣接して多重量子井戸１１２を形成し、そして内部全反射体を含む外側構造体１１６を形成して構成されるリングレーザシステム３００を提供する。 - 特許庁

A first n-type layer, second n-type layer, third n-type layer, active layer having a multiple quantum well structure, a first p-type layer, second p-type layer, third p-type layer and p-type contact layer are laminated in the order on an n-type contact layer and this light-emitting element has a double heterostructure.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層の上に、第一のｎ型層と、第二のｎ型層と、第三のｎ型層と、多重量子井戸構造を有する活性層と、第一のｐ型層と、第二のｐ型層と、第三のｐ型層と、ｐ型コンタクト層とが順に積層され、ダブルへテロ構造を有する。 - 特許庁

To provide a method for forming a substrate wherein the generation of pits and voids in compound semiconductor layers formed on the substrate is retrained and crystallinity can be improved, and a semiconductor substrate, and further to provide a semiconductor element wherein external quantum efficiency can be stabilized and reliability is high.例文帳に追加

基板上に形成される化合物半導体層におけるピットやボイドの発生を抑制し、結晶性を向上させることができる基板の形成方法及び半導体基板、さらには、外部量子効率を安定化させることができ、信頼性の高い半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a simpler and highly-accurate PL quantum yield measurement method on a light emitting material and its device with measurement time shortened and measurement accuracy enhanced by using an integrating sphere, and with a calibration method used with uncertain assumption excluded therefrom in absolute sensitivity calibration on the whole of a measuring instrument.例文帳に追加

積分球を使用することにより測定時間の短縮および測定精度の向上を図り、かつ測定装置全体の絶対感度校正において不確かな仮定を排除した校正方法を用いることにより、より簡便で高精度な発光材料のＰＬ量子収率測定方法および装置を提供する。 - 特許庁

In a synchronous pulse control method, in the interaction between a 2-level system carrying quantum information and a peripheral environment for surrounding the 2-level system, and when those mainly affecting the decoherence of the 2-level system have a characteristic frequency; a continuous pulse is applied to the 2-level system in synchronization with the frequency.例文帳に追加

量子情報を担う２準位系と、これを取り巻く周囲環境との相互作用であって、該２準位系のデコヒーレンスに主要な影響を及ぼすものに特徴的な振動数がある場合に、この振動数に同期させて前記２準位系に連続したパルスを印加することを特徴とする同期パルス制御法。 - 特許庁

The detector has a structure that two light detection elements having the same element structure, i.e., a first and second quantum dot elements 21, 22 are stacked face to face perpendicularly to a light incidence through a cavity 23 and coupled with a semiconductor 23A being a solidified material occupying a part of the cavity 23.例文帳に追加

同じ素子構造をもつ２つの光検知素子である第１の量子ドット素子２１及び第２の量子ドット素子２２が空洞２３を介して光の入射方向に対して垂直に対向して重ねられ、且つ、空洞２３の一部を占有する固化物質である半導体部２３Ａで結合された構造を備える。 - 特許庁

To realize a spectrofluorophotometer capable of properly specifying a calculation range of the wavelength of scattered light data and a calculation range of the wavelength of fluorescent intensity data in the operation process of a fluorescent quantum yield and capable of easily and efficiently operating the fluorescent intensity data even with respect to a sample unknown in its exciting wavelength characteristics.例文帳に追加

蛍光量子収率演算の過程で、散乱光データの波長の計算範囲と、蛍光強度データの波長の計算範囲を適切に指定することができ、励起波長特性の分からないサンプルでも、容易にかつ効率的に、蛍光量子収率演算を行うことができる分光蛍光光度計を実現すること。 - 特許庁

The superlattice layer 13 is constituted in a multilayered quantum well layer in which pairs of InGaAsP well layers 13w having a thickness of 6 nm and a compositional wavelength λg of 40 μm and InGaAsP barrier layers 13b having a thickness of 6 nm and a compositional wavelength λg of 1.15 μm are laminated upon another.例文帳に追加

超格子層１３は、厚さが６ｎｍで組成波長λｇが１．４０μｍのＩｎＧａＡｓＰからなる井戸層１３ｗと、厚さが６ｎｍで組成波長λｇが１．１５μｍのＩｎＧａＡｓＰからなる障壁層１３ｂとの対が積層された多重量子井戸層として構成されている。 - 特許庁

Excitation light 36 of 810 nm from the semiconductor laser element 31 is converged to the semiconductor element 23 by a converging lens and is effectively absorbed by light confinement layers 14, 16 and a multi-quantum well active layer 15 of the semiconductor element 23 and laser light 37 of wave-length of about 980 nm is output.例文帳に追加

半導体レーザ素子31からの８１０ｎｍの励起光36は、集光レンズにより面発光型半導体素子23に集光され、面発光型半導体素子23の光閉じ込め層14、16および多重量子井戸活性層15により効率よく吸収されて、波長約９８０ｎｍのレーザ光37が出力される。 - 特許庁

Multiple specific transmitters applying optical communication quantum cipher communication in a communication system include: Running key generation sections for generating Running keys by using cipher keys managed by a receiver; and multiple value light generation sections for controlling multiple value level optical signals by using the Running keys, and then, transmitting the multiple value level optical signals.例文帳に追加

通信システムにおいて、光通信量子暗号通信を適用した複数の特定送信装置は、受信装置で管理されている暗号鍵を用いてＲｕｎｎｉｎｇ鍵を生成するＲｕｎｎｉｎｇ鍵生成部と、Ｒｕｎｎｉｎｇ鍵を用いて、多値光生成部で制御される多値レベルの光信号を送出する。 - 特許庁

In the process of irradiating a semiconductor substrate 2 with light from a light source 11 through a photomask 13, the substrate is irradiated with light through a photomask 13 having a photomask substrate 21 comprising quantum dots 31 and a light shielding film 22 formed on the photomask substrate 21 according to a desired pattern to be transferred.例文帳に追加

光源１１からの光をフォトマスク１３を介して半導体基板２に照射する際において、量子ドット３１が含められてなるフォトマスク基板２１を有し、転写すべき所望のパターンに応じて遮光膜２２がフォトマスク基板２１上に成膜されたフォトマスク１３を介して光を照射する。 - 特許庁

The quantum key delivery system includes: a photon pair generator which generates a time-bin entangled photon pair comprising a pulse train of signal photon and a pulse train of idler photon, a first receiver which receives the pulse train of signal photon, and a second receiver which receives the pulse train of idler photon.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係る量子鍵配送システムは、シグナル光子のパルス列とアイドラー光子のパルス列とからなる時間位置もつれ光子対を発生する光子対発生器と、シグナル光子のパルス列を受信する第１の受信機と、アイドラー光子のパルス列を受信する第２の受信機とを備える。 - 特許庁

Consequently, a thermal diffusion into a backing-layer region containing the active layer 5 having a multiple quantum well structure progresses when the clad layer 12 is grown in Zn doped as an acceptor during the growth of the clad layer 12 but the thermal diffusion is inhibited largely by Si doped to the diffraction grating layer 8.例文帳に追加

このため、ｐ導電型のクラッド層１２の成長中にアクセプタとしてドーピングされたＺｎは、クラッド層１２の成長時に多重量子井戸構造の活性層５を含む下地層領域への熱拡散が進行するが、回折格子層８にドーピングされたＳｉによってその熱拡散が大幅に抑制される。 - 特許庁

There are provided a light-emitting part for emitting first lights by current injection, and an absorption light-emitting part for emitting second lights by absorbing the first lights from the first light-emitting part, whereby an internal loss of emitted lights from the light-emitting part is decreased and external quantum efficiency can be enhanced.例文帳に追加

電流注入により第１の発光を生ずる発光部と、前記第１の発光部からの前記第１の発光を吸収して第２の発光を生ずる吸収発光部と、を備えることにより、発光部からの発光の内部損失を低減し、外部量子効率を向上することができる。 - 特許庁

When a GaAs substrate is used as the compound semiconductor substrate 1, a small number of quantum dots 6 having diameters of 30-50 nm and heights of 5-15 nm are formed only on tops 3 of the step structures 2 by forming the tops 3 as GaAs (001) faces and inclined side faces 5 of the structures 2 as facet faces other than (001) faces.例文帳に追加

化合物半導体基板１としてＧａＡｓ基板を用いる場合、段差構造の頂上部３をＧａＡｓ（００１）面、側面傾斜部５を（００１）面以外のファセット面とすることにより、頂上部３にのみ、直径３０〜５０ｎｍ、高さ５〜１５ｎｍの量子ドット６を少数個形成する。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser device has: a substrate 101 composed of silicon whose principal plane orientation is a (100) plane; and a semiconductor laminate 120 formed on the substrate 101 and constituted of a plurality of semiconductor layers each composed of a nitride of groups III-V, which include a multiple quantum well active layer 107.例文帳に追加

窒化物半導体レーザ装置は、主面の面方位が｛１００｝面であるシリコンからなる基板１０１と、該基板１０１の上に形成され、それぞれがIII-Ｖ族窒化物からなり、多重量子井戸活性層１０７を含む複数の半導体層により構成された半導体積層体１２０とを有している。 - 特許庁

known as a eigen-vector of a two-dimensional harmonic vibrator in quantum mechanics is used to calculate the reflection (emission) intensity of the light at the point (X, Y) in the X direction from C2 and the reflection intensity in the Y direction from C3.例文帳に追加

本画像処理では、量子力学で、２次元調和振動子の固有ベクトルとして知られる、正規直交関数系 Ψ_Ｎ（Ｘ，Ｙ）＝ψ_ｉ（Ｘ）・ψ_ｊ（Ｙ） を用いることによって、点（Ｘ，Ｙ）における光のＸ方向の反射（放射）強度はＣ_２によって、Ｙ方向の反射強度はＣ_３によって算出する。 - 特許庁

A source electrode 42 and a drain electrode 43 isolated from each other along a length direction of the quantum wire 13 electrically conducted with the high mobility channel via a contact layer 30, and a gate electrode 41 opposed to the channel 20 via a Schottky junction interposed via an insulating layer between the electrode 42 and the electrode 43 are provided.例文帳に追加

コンタクト層30を介して高移動度チャネル13に電気的に導通する一方で、量子細線13の長さ方向に沿って互いには離間したソース電極42、ドレイン電極43と、ソース電極42とドレイン電極43の間に設けられ、絶縁層を介するかショットキ接合を介して低移動度チャネル20に臨むゲート電極41を設ける。 - 特許庁

To provide a parallel distributed processing method for speeding up theoretical calculation in quantum chemical calculation by introduction of approximation in energy electric field differentiation for polarizability of industrially valuable molecular group or the like, reducing the maximum storage capacity, and performing estimation with a high degree of precision, and a calculation system thereof.例文帳に追加

工業的価値のある分子集団の分極率などのエネルギー電場微分について、量子化学計算による理論計算において近似を導入して高速化し、かつ最大記憶容量も削減して高精度に推定するという課題を解決するための並列分散処理法及びその計算システムを提供すること。 - 特許庁

Crystals of grains distributed between 0.5 nm or larger and 100 nm or smaller are deposited or dispersed, and in the grains band gaps due to quantum confinement effect are generated and at least a part of the grains gain electrical conductivity by supplying carriers.例文帳に追加

粒子の大きさが0.５nm以上１００nm以下の範囲内で分布する結晶が堆積または分散されてなるものとし、それら粒子においては量子閉じ込め効果によるバンドギャップが生成されると共に、少なくともその一部の粒子がキャリアを供給することで電気伝導性を得ているものとする。 - 特許庁

To provide a vertically structured gallium nitride-based LED device adapted to increase a light emission efficiency and maximize an improving effect on an external quantum efficiency by forming a fine surface unevenness, that is, a light-scattering structure, on the surface of an n-type gallium nitride layer disposed on a light emission side and the surface of a p-type gallium nitride layer disposed on a light reflection side.例文帳に追加

発光側のｎ型窒化ガリウム層の表面及び反射側のｐ型窒化ガリウム層の表面に微細な光散乱構造である表面凹凸を形成することで、光放出効率を増加させ、外部量子効率の改善効果を極大化する垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子を提供する。 - 特許庁

On both end faces of a semiconductor laser 100 in a lengthwise direction L, core layers 123 are formed which are composed of GaInAsP not containing Al and work as passive waveguide layers, instead of a lower part SCH layer 112, a multiple quantum well active layer 113 and an upper part SCH layer 114 which are positioned in the center of the lengthwise direction L.例文帳に追加

半導体レーザ１００の長さ方向Ｌの両端面に、長さ方向Ｌの中央に位置する部分の、下部ＳＣＨ層１１２、多重量子井戸活性層１１３、上部ＳＣＨ層１１４の代わりに、Ａｌを含まないＧａＩｎＡｓＰでなる、受動導波路層としてのコア層１２３が形成されている。 - 特許庁

The photoelectrically converting device is configured to include a p-type monocrystal silicon layer 100, an n-type semiconductor layer 120, a porous silicon layer 110 which is formed between the p-type monocrystal silicon layer 100 and the n-type semiconductor layer 120, and contains a plurality of quantum dots 112 in a hole 111.例文帳に追加

本発明の一態様の光電変換装置は、ｐ型単結晶シリコン層１００と、ｎ型半導体層１２０と、ｐ型単結晶シリコン層１００とｎ型半導体層１２０との間に形成された、孔１１１に複数の量子ドット１１２を含有する多孔質シリコン層１１０と、を備える構成としている。 - 特許庁

The method for predicting the activity of a metal oxide catalyst comprises the step of constituting a cluster model which is a simplification of the structure of active sites on the catalyst surface in a metal oxide catalyst and the step of estimating the physical properties in the surface of the catalyst by a technique of calculatory quantum chemistry.例文帳に追加

金属酸化物触媒における触媒表面の活性点の構造を単純化したクラスタモデルを構築する工程と、構築されたクラスタモデルについて、量子化学計算手法により触媒表面における物性値を推算する工程と、を含むことを特徴とする、金属酸化物触媒の活性予測方法。 - 特許庁

There are formed on a sapphire substrate 11 a first semiconductor layer 12 comprising n type gallium nitride, a multiple quantum well active layer 13 where 3 pairs of laminates of a GaN barrier layer and an InGaN well layer are laminated, and a p-type gallium nitride second semiconductor layer 14, sequentially.例文帳に追加

サファイアよりなる基板１１の上には、ｎ型の窒化ガリウムよりなる第１の半導体層１２と、ＧａＮよりなる障壁層とＩｎＧａＮよりなる井戸層とが３対積層されてなる多重量子井戸活性層１３と、ｐ型の窒化ガリウムよりなる第２の半導体層１４とが順次形成されている。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser device 10 is provided with a multilayer structure comprising an n-AlGaN cladding layer 14, an n-GaN optical guide layer 16, a quantum well activating layer 18, a p-GaN optical guide layer 20, a p-AlGaN cladding layer 22 and a p-GaN contact layer 24 on an n-GaN contact layer 12.例文帳に追加

本窒化物系半導体レーザ素子１０は、ｎ−ＧａＮコンタクト層１２上に、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層１４、ｎ−ＧａＮ光ガイド層１６、量子井戸活性層１８、ｐ−ＧａＮ光ガイド層２０、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層２２、及びｐ−ＧａＮコンタクト層２４の積層構造を備えている。 - 特許庁

The quantum cascade laser 100 is provided with an active layer 120 that is pinched by a pair of waveguide layers 110 and 140; and a bonding layer 130 that has a lamination structure different from the active layer 120 and is inserted between the active layer 120 and the waveguide layer 140 that becomes a negative electrode side, when voltage is applied to the active layer 120.例文帳に追加

量子カスケードレーザ１００は、１組の導波層１１０，１４０に挟まれた活性層１２０と、活性層１２０への電圧印加時に負電極側となる導波路層１４０と活性層１２０との間に、活性層１２０とは異なる積層構造を有する接合層１３０が挿入されている。 - 特許庁

The all silicon quantum computing element is provided with a silicon terrace 6 in a ^28Si isotope wafer not having a nuclear spin, a bridge 3 having an atom chain of linearly grown ^29Si in a step 7 of the terrace 6, a cap layer of ^28Si to be grown, and a ferromagnetic micro magnet (a magnet) deposited in correspondence to the bridge 3.例文帳に追加

核スピンを持たない^28Ｓｉ同位体ウエハ中にシリコンのテラス６と、このテラス６の段差７に１次元的に成長された^29Ｓｉの原子鎖８とを有するブリッジ３と、成長される^28Ｓｉのキャップ層と、前記ブリッジ３に対応して蒸着される強磁性体のマイクロマグネット（磁石）１とを具備する。 - 特許庁