「quantum」に関連した英語例文の一覧と使い方(65ページ目) - Weblio英語例文検索

The quantum absorber 102 is irradiated with the electromagnetic radiation provided with the first CPT generation frequency component having ν_L-ν of frequency and the first CPT component amplitude, and having the second CPT generation frequency component having ν_L+ν of frequency and the second CPT component amplitude.例文帳に追加

ν_Ｌ−νの周波数と第１のＣＰＴ成分振幅を備える第１のＣＰＴ発生周波数成分、及びν_Ｌ＋νの周波数と第２のＣＰＴ成分振幅を備える第２のＣＰＴ発生周波数成分を備える電磁放射線が、量子吸収体〔１０２〕に照射される。 - 特許庁

Two optical fibers 10 connected to output sections of the polarization beam splitter 2 are connected to input sections of the quantum dot optical amplifier 1 in a state that both of the optical fibers 10 have an electric field whose direction being adjusted to maximize its gain, and one optical fiber 10 is twisted by 90° to the other optical fiber 10.例文帳に追加

偏光ビームスプリッタ２の出力部に接続された２本の光ファイバ１０は、量子ドット光増幅器１の入力部に、いずれも最も利得が高くなるように電界の向きを調整して接続されており、一方の光ファイバ１０は、他方の光ファイバ１０に対して９０°だけねじられている。 - 特許庁

To provide an optical buffer memory device which can be made low-cost by reducing the number of optical components and stores an optical pulse signal train without electric conversion and is available at a normal temperature and is expected to deal with the up-to-date optical technologies of high speed optical networks, quantum computers, etc. on a full scale.例文帳に追加

光学部品点数を低減させ、低コスト化を図ることができ、光パルス信号列を電気変換を行うことなく蓄積し、常温で使用可能であり、高速光ネットワークや量子コンピュータといった最新の光技術への本格的な対応が期待される光バッファメモリ装置を提供する。 - 特許庁

Stabilization of the quantum well structure is attained by introducing an amine having an unsaturated bond in an organic layer of an organic and inorganic lamellar perovskite type compound comprising a halogenated metal and an organic amine, and adding external energy by irradiation with ultraviolet rays or radiation or the like to be made into a high-molecular organic layer.例文帳に追加

本発明は、ハロゲン化金属と有機アミンからなる有機無機層状ペロブスカイト型化合物の有機層に不飽和結合を有するアミンを導入し、これに紫外線や放射線の照射等により外部エネルギーを加えることにより有機層が高分子化され、その量子井戸構造の安定化ができることを見出した。 - 特許庁

If at least one metal ultrafine particle is present, the wave function of the electrons in the metal intrudes deep in the titanium dioxide fine particle and induces photo-excited electrons produced in a wide range to the outside of the metal by the quantum tunnel effect.例文帳に追加

少なくとも１個の金属超微粒子があれば、金属内電子の波動関数が二酸化チタン微粒子内部に深く浸透し、広範囲に生起される光励起電子を量子トンネル効果により金属外に誘導できるから、多数の金属超微粒子を担持したのと同様の高光触媒活性を有する。 - 特許庁

A nitride semiconductor laser element 100 (the nitride semiconductor element) includes a GaN substrate 10 with a grown main surface 10a, and an active layer 14 formed on the grown main surface 10a of the GaN substrate 10 and having a quantum well structure including a well layer 14a and a barrier wall layer 14b.例文帳に追加

この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体素子）は、成長主面１０ａを有するＧａＮ基板１０と、このＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に形成され、井戸層１４ａと障壁層１４ｂとを含む量子井戸構造を有する活性層１４とを備えている。 - 特許庁

A photoelectric converter has a plurality of receptors that have a quantum efficiency of 60% in a visible optical region and an infrared wavelength region and are regularly arranged to photograph images through light of multiple wavelength bands, wherein the photoelectric converter is provided at the center of a cellular phone.例文帳に追加

それぞれ可視光域および赤外光域において６０％以上の量子効率を有し複数の波長域の光による像を撮像するために規則的に配列された複数の受光部を有する光電変換部を携帯電話中央部に設け、携帯電話を持つ手の親指の静脈パターンを片手操作で取得する。 - 特許庁

Those method and device for high-precision calculation by the molecular dynamics method are characterized by that a potential function representing intermolecular interaction energy by quantum chemistry method as a function of the distance between the centers of gravity of molecules is used and one molecule is handled as one particle.例文帳に追加

量子化学計算による分子間相互作用エネルギーを各分子の重心間距離の関数として表したポテンシャル関数を用い、１つの分子を１つの粒子として取り扱う動力学的計算方法であることを特徴とする分子動力学法における高精度大規模計算方法及びその計算装置。 - 特許庁

ECONOMIC REASONING ANALYSIS METHOD, ECONOMIC REASONING ANALYSIS DEVICE, ECONOMIC REASONING ANALYSIS VOTING SYSTEM, ECONOMIC REASONING ANALYSIS PROGRAM, STORAGE MEDIUM STORED WITH ECONOMIC REASONING ANALYSIS PROGRAM, AND REASONING METHOD QUANTUM-COMPUTATIONALLY MERGING LEGAL REASONING ANALYSIS METHOD AND ECONOMIC REASONING ANALYSIS METHOD IN DECISION MAKING例文帳に追加

経済的推論分析方法、経済的推論分析装置、経済的推論分析投票システム、経済的推論分析プログラム、経済的推論分析プログラムが格納された記憶媒体および意思決定における法的推論分析方法と経済的推論分析方法を量子コンピュータ的に融合した推論方法。 - 特許庁

The Plasmon resonance metal thin-film comprises a metal thin-film or a metal mesh having light transmissivity and complex crystal obtained by depositing the metal nano-clusters together with metal complex as quantum dots on the metal thin-film or the metal mesh, thereby serving also as a transparent conductive electrode.例文帳に追加

前記プラズモン共鳴金属薄膜が透光性を有する金属薄膜又は金属メッシュと該金属薄膜又は金属メッシュ上に金属ナノクラスタを金属錯体とともに量子ドットとして析出させてなる錯体結晶とからなり、前記透明導電性電極を兼用することができる。 - 特許庁

When the potential of a gate electrode 32 is negative to the potential of a source electrode 34 or positive to the potential of a source electrode 34 but less than a specified positive voltage value, channel regions are formed in first quantum well layers 16-1, 16-2.例文帳に追加

ソース電極３４の電位を基準としてゲート電極３２の電位が負であるとき、又は、前記ソース電極３４の電位を基準とした前記ゲート電極３２の電位が正であって前記所定の正の電圧値より小さいとき、第一量子井戸層１６−１，１６−２内のチャネル領域が形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser, having an improved lateral guide which is suitable for optical pumping of a quantum well structure 7 in the semiconductor laser, provided with a semiconductor substrate 1 having a periodical arrangement of a recess incoming portion 2 or formed by a periodical arrangement of a semiconductor area in the semiconductor substrate.例文帳に追加

凹入部２の周期的な配置を有している半導体基体１を備えているかまたは半導体基体に半導体領域の周期的な配置が形成されている半導体レーザにおいて、量子井戸構造７の光学的なポンピングに適している、改善されたラテラルなガイドを有している半導体レーザを提供する。 - 特許庁

Even when the Al percentage composition of the evaporation preventing layer 6 is not changed, the Eg of the layer 6 on the second underlying layer 3 changes from that of the layer 6 on the first underlying layer 2 and a current (Hall) can be efficiently injected into a quantum well active layer by efficiently concentrating the current to an area having a small Eg only.例文帳に追加

蒸発防止層６のＡｌ組成比を変化させなくても第１下地層２上と第２下地層３上とで蒸発防止層６のＥｇが変化し、Ｅｇが小さい領域のみに効率よく電流を集中させて、量子井戸活性層に効率よく電流（ホール）を注入することができる。 - 特許庁

The semiconductor device 1 has the semiconductor substrate 10, a buffer layer 20 which is formed on the semiconductor substrate 10 and made of the same material as the semiconductor substrate 10, a semiconductor growth layer 30 formed on the buffer layer 20, and the quantum structure 50 formed on the semiconductor growth layer 30.例文帳に追加

半導体装置１は、半導体基板１０と、前記半導体基板１０上に形成され、前記半導体基板１０と同一材料からなるバッファ層２０と、前記バッファ層２０上に形成された半導体成長層３０と、前記半導体成長層３０上に形成された量子構造５０を有する。 - 特許庁

The infrared detector comprises a GaAs substrate 10, a multiple quantum well layer 14 formed thereon, and an antireflection film 24 formed on the rear surface of the GaAs substrate in order to reduce reflectance for infrared rays of 8-12 μm to 1% or below at the time of normal incidence.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０と、ＧａＡｓ基板１０上に形成された多重量子井戸層１４と、ＧａＡｓ基板の裏面に形成され、波長が８〜１２μｍの赤外線に対する垂直入射時の反射率を１％以下に低減する反射防止膜２４とにより赤外線検出器を構成する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises an SQW emission layer (active layer) 1 having a quantum well structure including a well layer 1a and a barrier layer 1b wherein the band gap energy of the well layer 1a is varied asymmetrically to the center of the well layer 1a in the thickness direction so that inclination of band due to a piezoelectric field is suppressed.例文帳に追加

この半導体発光素子は、井戸層１ａと障壁層１ｂとを含む量子井戸構造を有するＳＱＷ発光層（活性層）１を備え、井戸層１ａのバンドギャップエネルギは、ピエゾ電界によるバンドの傾きを抑制するように、井戸層１ａの厚み方向の中心に対して非対称に変化されている。 - 特許庁

An endoscope obtains an image separated into each single color by means of a plurality of regularly arranged photoelectric conversion means each made of a CIGS based membrane with 60% or above quantum efficiency at visible and infrared ray regions respectively, and of red, green, blue and infrared LEDs illuminating in turn on a time division basis.例文帳に追加

それぞれ可視光域および赤外光域において６０％以上の量子効率を有するＣＩＧＳ系薄膜よりなり規則的に配列された複数の光電変換部と、時分割で輪番発光する赤、緑、青、赤外ＬＥＤとによりそれぞれの色の画像を分離して取得する。 - 特許庁

The electron density and intensity of the magnetic field are controlled to keep the state of quantum Hall effect, where different spin states coexist at the same energy level, and the voltage to be applied to the potential barrier is controlled to control the symmetry of confining potential of the two-dimensional electron, thus operating the nuclear spin of elements constituting the semiconductor layer 5.例文帳に追加

電子密度及び磁場強度を制御して、エネルギー準位が同一の異なるスピン状態が混在する量子ホール効果状態を維持しながら、ポテンシャル障壁に印加する電圧を制御して、二次元電子の閉じ込めポテンシャルの対称性を制御し、半導体層５を構成する元素の核スピンを操作する。 - 特許庁

In a biomagnetism measuring apparatus used for an inspection on the reactions of brain and nerves of a living body within a magnetic shield room, optical fibers are used for wirings to connect signals from the apparatuses including a SQUID (superconducing quantum interference device) sensor located in the magnetic shield room with an electronic circuit system arranged outside the magnetic shield room for processing the signals.例文帳に追加

磁気シールドルーム内の生体の神経や脳の反応を検査する生体磁気計測装置において、前記磁気シールドルーム内に配置されたスクイッドセンサを含む機器からの信号と、前記磁気シールドルーム外に配置され前記信号の処理を行う電子回路系を結ぶ配線を光ファイバを用いて接続した。 - 特許庁

A resolution evaluation chart 11 for a fluorescence microscope includes: a substrate 12 which is optically smooth to illumination light of a fluorescence microscope; and a light-emitting part (area excluding non-emitting parts 14,16,18) having a two-dimensional structure which is formed on the substrate 12 and includes quantum dots which are excited by illumination light to emit light.例文帳に追加

蛍光顕微鏡用解像度評価チャート１１は、蛍光顕微鏡の照明光に対して光学的に平滑な基板１２と、基板１２上に形成され、照明光により励起され発光する量子ドットを含む、２次元構造を有する発光部（非発光部分１４，１６，１８を除いた部分）とを備える。 - 特許庁

A sustaining discharging voltage is lowered by containing, in the discharging space, a material of which the principal composition is aluminate of a II-group metal such as CaAl_2O_4 and which emits light at a quantum efficiency 15% or more by excitation by ultraviolet rays of wavelength within a wavelength range of 100-450 nm, and efficiency can be improved.例文帳に追加

前記放電空間内に、主な組成がＣａＡｌ_２Ｏ_４などのII族金属のアルミナ酸塩で、かつ、波長範囲100〜450nm内の波長の紫外光による励起により、量子効率が15%以上で発光する材料を含むことによりサステイン放電電圧を低減させ、効率を向上させることができる。 - 特許庁

An n-type and a p-type inorganic semiconductor layer having a band structure are used as transportation layers 12 and 14 for transporting the carriers introduced from an n-electrode 11 and a p-electrode 15 into an active layer 13 consisting of quantum dots, and so sufficient carriers can be introduced and consumption power can be reduced.例文帳に追加

ｎ電極１１及びｐ電極１５から注入されたキャリアを量子ドットでなる活性層１３へ輸送する輸送層１２及び１４として、バンド構造を有するｎ型及びｐ型の無機半導体層が用いられているので、十分にキャリアを注入することができ、低消費電力化を図ることができる。 - 特許庁

The nitride compound semiconductor epitaxial wafer is constituted by successively laminating a buffer layer 2, an n-type GaN clad layer 3, an active layer 4 of multiple quantum well structure consisting of an undoped InGaN well layer, and an undoped GaN barrier layer, p-type clad layers 5, 6, and a p-type InGaN contact layer 7 on a substrate 1.例文帳に追加

本発明の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハは、基板１上にバッファ層２、ｎ型ＧａＮクラッド層３、アンドープＩｎＧａＮ井戸層とアンドープＧａＮ障壁層とからなる多重量子井戸構造の活性層４、ｐ型クラッド層５，６、及びｐ型ＩｎＧａＮコンタクト層７が順次積層されている。 - 特許庁

In addition, contact uniformity in a surface direction of the p-type metal electrode p and the p-type gallium-nitride ohmic-contact layer are reinforced, thereby local light-emitting caused by unevenness of the second contact spreading metal layer in the third contact spreading metal layer is effectively prevented, and driving voltage is reduced, thereby making outer quantum efficiency improved.例文帳に追加

且つ、効果的に、ｐ型金属電極とｐ型窒化ガリウムオーム接触層の面方向の接触均一性を強化して、第二接触分布金属層の第三分布接触金属層中での分布が不均一のために生じる局部発光の現象を防止し、動作電圧を低下させて、外部量子効率を向上させる。 - 特許庁

A slot machine detecting the tokens thrown in from the token slot has the token detection part 26 that consists of one structure in which the followings are arranged therein: the photo-sensors 27, 28 which change the euphotic quantum with the passing of the tokens; and the electrical capacitance sensor 29 which changes the electrical capacitance with the passing of the tokens.例文帳に追加

メダル投入口から投入されたメダルを検出するスロットマシンであって、メダルの通過により受光量が変化する光センサ２７，２８と、メダルの通過により静電容量が変化する静電容量センサ２９と、が配置された一の構造体からなるメダル検出部２６を備えた構成としてある。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a GaN buffer layer 102, a non-doped GaN layer 103, an n-type GaN contact layer 104, an n-type AlGaN lower cladding layer 105, a multiple quantum well light emitting layer 106, a p-type AlGaN upper cladding layer 107 and a p-type GaN current diffusion layer 108 sequentially laminated on a sapphire substrate 101.例文帳に追加

サファイア基板１０１上に、ＧａＮバッファ層１０２、ノンドープＧａＮ層１０３、ｎ型ＧａＮコンタクト層１０４、ｎ型ＡｌＧａＮ下クラッド層１０５、多重量子井戸発光層１０６、ｐ型ＡｌＧａＮ上クラッド層１０７およびｐ型ＧａＮ電流拡散層１０８が順次積層されている。 - 特許庁

In the semiconductor laser having an oscillation wavelength of 760-800 mm, n-type first and second lower clad layers 103 and 104, a lower guide layer 105, a quantum well active layer 107, an upper guide layer 109, and a p-type upper clad layer 110 are formed sequentially on an n-type GaAs substrate 101.例文帳に追加

発振波長が７６０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さい半導体レーザ装置であって、ｎ型のＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型の第１，第２下クラッド層１０３，１０４、下ガイド層１０５、量子井戸活性層１０７、上ガイド層１０９、ｐ型の上クラッド層１１０を順次積層する。 - 特許庁

A high external quantum yield is obtained by either enlarging the optical path of the incident light in the diodes using light traps, or by stacking the diodes into a multilayer (the transition of transition zone between two diodes being facilitated by transition layers for the purposes of improved recombination and generation).例文帳に追加

ここで、この発明では、光トラップを用いて、ダイオード内での入射光の光路を長くするか、或いはこれらのダイオードを複数積み重ねる（この際、再結合と生成を高める目的の遷移層を用いて、二つのダイオード間の遷移ゾーンを緩和することができる）ことによって、高い外部量子効率を実現している。 - 特許庁

According to one exemplary embodiment of the present invention, electrons or ion dynamics are obtained by solving a set of equations for the motion of electrons by using spin-dependent quantum trajectories calculated from electron current with one equation for each electron in the atomic structure of a material of interest.例文帳に追加

本発明の一の例示的な態様では、電子の運動に対する１セットの方程式を、電子カレントから計算されるスピン依存量子軌道を用いて、関心のある材料の原子構造におけるそれぞれの電子に対して１つの方程式によって、解くことによって、電子あるいはイオンのダイナミクスが得られる。 - 特許庁

To prevent the dissipation of a recorded part from the material surface of an optical memory element by using a photochromic compound having the remarkably small ring-opening quantum yield for the optical memory element, and also to prevent the deterioration of a signal of the recorded part from the surface of an optical recording system by the recording operation utilizing the two photon absorbing reaction.例文帳に追加

光メモリ素子に開環量子収率が著しく小さいフォトクロミック化合物を用いることにより、光メモリ素子の材料面から記録部分の消滅を防止すると共に、２光子吸収反応を利用して記録することにより、光記録方式の面から記録部分の信号の低下を防止する。 - 特許庁

The active region 5 is composed of a first aluminum-containing layer 12 serving as the lowest layer of the active region, a second aluminum-containing layer 14 serving as the highest layer of the active region, and at least an InGaN quantum well layer 13 interposed between the aluminum-containing layers 12 and 14.例文帳に追加

この活性領域（５）は、活性領域の最下部層を形成する第１アルミニウム含有層（１２）、活性領域の最下部層を形成する第２アルミニウム含有層（１４）、および第１アルミニウム含有層（１２）と第２アルミニウム含有層（１４）との間に配置された少なくとも１つのＩｎＧａＮ量子井戸層（１３）を備える。 - 特許庁

The optical device is provided with a quantum well structured GaInNAs active layer that generates light, and GaInAs barrier layers vapor-deposited vertically, over and under the active layer having conduction band kinetic energy and lower valence band kinetic energy higher than that of the active layer, and it has an superior long-wavelength luminescence characteristic of 1.3 ums or longer.例文帳に追加

量子ウェル構造を有して光を生成するＧａＩｎＮＡｓ活性層と、活性層の上下部に蒸着されて前記活性層より高い伝導帯のエネルギーと低い価電子帯エネルギーとを有するＧａＩｎＡｓ障壁層とを備え、１．３μｍ以上の長波長帯域の優秀な発光特性を有する。 - 特許庁

Assuming that an optional atom in the molecule is α, and that n is a number used as the number of all electrons existing in the molecule in quantum chemical calculation, and that n_α is the number of electrons belonging to the atom α, the magnitude of the value of the difference δn_α/δn is used as an index of the degree of chemical activity of the atom α.例文帳に追加

分子内の任意の原子をαとし、ｎを量子化学計算において前記分子内に有る全電子の個数として用いる数とし、ｎ_αを原子αに属する電子の個数とするとき、差分、δｎ_α／δｎ、の値大きさを、原子αの化学的活性度の高さの指標として用いる。 - 特許庁

An external resonance type wavelength variable light source apparatus comprises a semiconductor laser 21 associated with an active layer 2 having a quantum well structure, and a diffraction grating 5 for diffracting the beam irradiated from the laser and feeding back the beam 3 having a selected wavelength to the laser.例文帳に追加

本発明は、量子井戸構造を有する活性層２が組込まれた半導体レーザ２１と、この半導体レーザから出射されるレーザ光を回折して選択された波長のレーザ光３を半導体レーザに帰還させる回折格子５とを備えた外部共振器型の波長可変光源装置に適用される。 - 特許庁

The etching stop layer 15 has a quantum well structure in which a first thin film 15A of p-GaInP and a second thin film 15B of p-AlGaInP are cyclically laminated, with the composition ratio of aluminum in the second thin film 15B being smaller than the intermediate cladding layer 14 and upper side cladding layer 16.例文帳に追加

エッチングストップ層１５は、ｐ−ＧａＩｎＰからなる第１の薄膜１５Ａとｐ−ＡｌＧａＩｎＰからなる第２の薄膜１５Ｂとが周期的に積層された量子井戸構造を有しており、第２の薄膜１５Ｂのアルミニウムの組成比は中間クラッド層１４及び上側クラッド層１６と比べて小さい。 - 特許庁

To provide a quantum computation method for solving such a problem that, when an unknown function with invariance of f(x)=f(xΛs) or g(x)=g(xVs) and Hamming weight of an n-bit column s are given, an appropriate input value is inputted to the function and the s is found out as the output value of the function.例文帳に追加

ｆ（ｘ）＝ｆ（ｘ∧ｓ）又はｇ（ｘ）＝ｇ（ｘ∨ｓ）という不変性を持つ未知の関数、ｎ−ｂｉｔ列ｓのＨａｍｍｉｎｇ重みが与えられている場合において、前記関数に適当な入力値を与えその出力値からｓを求める問題を解く量子計算方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor nanoparticles including a doping agent in a semiconductor base material, the mean particle size of the particles is 0.1-20.0 nm, and the doping agent emits light by excitation light having the wavelength of 285 nm, and the semiconductor base material emits light by excitation light having the wavelength of 365 nm by a quantum size effect.例文帳に追加

半導体母材中にドープ剤を含有する半導体ナノ粒子であって、粒子の平均粒径が０．１〜２０．０ｎｍであり、波長２８５ｎｍの励起光により該ドープ剤が発光し、かつ波長３６５ｎｍの励起光により該半導体母材が量子サイズ効果により発光することを特徴とする半導体ナノ粒子。 - 特許庁

A surface-emitting semiconductor device has: insulation layers 107 and 108 embedding separation grooves for partially separating a waveguide path in an optical resonator formed by a pair of reflecting mirrors, namely a distributed reflection type multilayer film mirror 104 and a dielectric multilayer film mirror 11; and a quantum well active layer 105.例文帳に追加

面発光型半導体装置は、分布反射型多層膜ミラー（１０４）と誘電体多層膜ミラー（１１）とからなる一対の反射鏡で構成される光共振器の導波路の一部が分離溝で分離され、分離溝を埋め込むシリコン系の絶縁層（１０７，１０８）と、量子井戸活性層（１０５）とを有する。 - 特許庁

The system is provided with a CPT servo loop capable of changing a value of the ν, and asymmetric servo loops 105, 108 capable of changing the first CPT component amplitude and the second CPT component amplitude to weaken the asymmetry with respect to a frequency ν_0 indicated by transmission light from the quantum absorber 102.例文帳に追加

νの値を変更可能なＣＰＴサーボ・ループ、及び量子吸収体〔１０２〕の透過光が示す周波数ν_０に対しての非対称性を弱めるように、ν_Ｌ、第１のＣＰＴ成分振幅、及び第２のＣＰＴ成分振幅を変更可能な非対称サーボ・ループ〔１０５、１０８〕を備える。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting device 10 having the active layer A1 including the quantum well layer having the high compressive strain amount of not less than 1%, a strain buffer layer B1 comprising a layer having a compressive strain amount not greater than the strain amount of the active layer A1 is adjacently formed on the active layer A1.例文帳に追加

圧縮歪量が１％以上の高圧縮歪量子井戸層を含む活性層Ａ１を有する半導体発光素子１０において、活性層Ａ１の歪量以下の圧縮歪量を有する層から構成される圧縮歪緩衝層Ｂ１を、活性層Ａ１上に隣接するように形成する。 - 特許庁

To provide a gallium nitride LED element having a vertical structure for increasing light-emitting efficiency and maximizing the effect of improving external quantum efficiency, by forming surface unevenness which is a fine light scattering structure on a surface of an n-type gallium nitride layer on the light-emitting side and a p-type gallium nitride layer on the reflection side.例文帳に追加

発光側のｎ型窒化ガリウム層の表面及び反射側のｐ型窒化ガリウム層の表面に微細な光散乱構造である表面凹凸を形成することで、光放出効率を増加させ、外部量子効率の改善効果を極大化する垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子を提供する。 - 特許庁

The endoscope includes a plurality of regularly arranged photoelectric converters made of a CIGS based membrane with 60% or more quantum efficiency each at visible light and infrared ray regions, and one or more pairs of light sources of red, green, blue and infrared color lightings arranged around the optic axis of imaging lenses.例文帳に追加

それぞれ可視光域および赤外光域において６０％以上の量子効率を有するＣＩＧＳ系薄膜よりなり規則的に配列された複数の光電変換部と撮像レンズの光軸まわりにそれぞれ一対以上配置される赤、緑、青および赤外の照明光源とを有する内視鏡を提供する。 - 特許庁

On an n-type clad layer 11 of a thickness of T2 which is mode of a C component, quantum dots 1 mode of an A component are formed in a cylindrical shape of a diameter Dqd and height Tqd in a form of being embedded in a matrix made of a D component by a lithography or etching method with the size, position, and distribution density being controlled.例文帳に追加

Ｃ成分からなる厚さＴ２の１１ｎ型クラッド層の上に、Ｄ成分からなる、２マトリックス中に埋った形態で、Ａ成分からなる１量子ドットを、リソグラフィ法およびエッチング法を用いて、直径Ｄ_qd、高さＴ_qdの円柱体の形状で、サイズ、位置および分布密度を制御して形成する。 - 特許庁

Quantum energy effective in the human body in the sunlight is injected into a natural dielectric ore such as feldspar, this fine powder and fine powder of a tourmaline ore are mixed or are blended with or laid on a building material such as a humidity conditioning agent and an adhesive by using graphite silica to manufacture this building material.例文帳に追加

太陽光線中の人体に有効な量子エネルギを長石等の天然誘電鉱石に注入し、この微粉末とトルマリン鉱石の微粉末を混合し、又はグラファイトシリカを用いて調湿剤や接着剤等の建築用資材にブレンド又はコーティングすることにより本発明の建築用資材は製作される。 - 特許庁

To provide a GaN-based semiconductor light emitting device having an active layer of quantum well structure containing In in which thermal damage due to growth temperature of a semiconductor layer being grown up after the active layer can be suppressed, and the luminescence and electrical characteristics are enhanced while raising intake of In.例文帳に追加

Ｉｎを含む量子井戸構造の活性層を有し、活性層よりも後に成長させる半導体層の成長温度による熱のダメージを抑制することができるとともに、Ｉｎの取り込みを高くしつつ、発光特性や電気特性を向上させたＧａＮ系半導体発光素子を提供する。 - 特許庁