「quantum」に関連した英語例文の一覧と使い方(67ページ目) - Weblio英語例文検索

This semiconductor laser possesses a first clad layer 12, an active layer 16 formed on the first clad layer and having a multiple quantum well layer composed of a GaN semiconductor, a current constriction layer 24, formed on the active layer and having an opening 26 of stripe geometry, and a second clad layer 22 formed on the current constriction layer and having a mesa stripe 23 that corresponds to the opening.例文帳に追加

第１のクラッド層１２と、第１のクラッド層上に形成され、ＧａＮ系半導体より成る多重量子井戸層を有する活性層１６と、活性層上に形成され、ストライプ状の開口部２６が形成された電流狭窄層２４と、電流狭窄層上に形成され、開口部に応じたメサストライプ２３を有する第２のクラッド層２２とを有している。 - 特許庁

The apparatus uses a fact that in a condition in which pairs of photon generated for any time whose deflection face is in a constant direction and in an quantum entanglement condition are continuously generated, a probability for one photon to penetrate through a deflection plate varies by non-local long range interactions by changing an angle of a penetration axis of a deflection plate for the other photon.例文帳に追加

いつ発生した光子対についても偏光面が一定方向でありかつ量子論的絡み合い状態にあるような光子対を連続的に発生させた状態で、一方の光子について偏光板の透過軸の角度を変化させることによって、もう一方の光子が偏光板を透過する確率が非局所的長距離相互作用によって変化することを利用する。 - 特許庁

To specifically and quantitatively detect nitrogen oxides without using a fluorescent generating reagent which indicates high fluorescent quantum yields or a coloring reagent which creates a pigment indicating a sufficiently large absorption coefficient at the detection of the nitrogen oxides and to exclude the effects of impurities, as much as possible, in a sample containing an object to be analyzed.例文帳に追加

窒素酸化物の検出において高い蛍光量子収率を示す発蛍光性試薬や、十分大きな吸光係数を示す色素を生成する呈色試薬を用いずに窒素酸化物の検出を特異的かつ定量的に行うこと、および分析対象物が含有される試料中のきょう雑物の影響を極力排除させることを目的とする。 - 特許庁

A simple and practical measuring system requiring no highly sensitive and complicated amplifying operation step is provided by using the protein array with a biological active substance such as an antibody, an antigen and lectin immobilized on a support having a three-dimensional polymer compound capable of holding stably biological activity with high density, and by using a quantum dot fluorescent substance extremely stable in optical detection in combination therewith.例文帳に追加

高密度にかつ生物活性を安定に保持できる３次元高分子化合物を有する支持体上に、抗体や抗原・レクチンなどの生理活性物質を固定化したプロテインアレイを用い、光学的検出においてきわめて安定な量子ドット蛍光物質を併用することで、高感度で煩雑な増幅操作ステップを必要としない、簡便かつ実用的な測定系が可能となる。 - 特許庁

A method of manufacturing a light emitting element includes a step of forming an MQW (Multi Quantum Well) active layer 24 that includes: the steps of forming a well layer 21 made of a nitride semiconductor; and forming a barrier layer 23 made of a nitride semiconductor on the well layer 21 at a growth temperature which is 130 to 150°C higher than the growth temperature of the well layer 21.例文帳に追加

本発明は、窒化物半導体からなる井戸層２１を形成する工程と、井戸層２１上に、窒化物半導体からなりバリア層２３を、井戸層２１の成長温度より１３０℃以上１５０℃未満高い成長温度で形成する工程と、を含むＭＱＷ活性層２４を形成する工程を有することを特徴とする発光素子の製造方法である。 - 特許庁

The semiconductor element comprises second nitride semiconductor layers 31 containing no In between an active layer 12 and an n-type clad layer 25 and between a p-type clad layer 30 and the active layer 12 and first In-containing nitride semiconductor layers 32 between the first nitride semiconductor layers and the active layer, and the active layer composed of quantum wells has two well layers.例文帳に追加

ｎ型クラッド層２５、ｐ型クラッド層３０と活性層１２との間に、Ｉｎを含まない窒化物半導体からなる第２の窒化物半導体層３１、さらに第１の窒化物半導体層と活性層との間にＩｎを含む窒化物半導体からなる第１の窒化物半導体層３２とをそれぞれ有し、さらに量子井戸からなる活性層の井戸層数を２とする。 - 特許庁

The stacking of the MQW layers include ones including quantum wells of at least two different band gaps radiating light of two different wavelengths, for example, in the blue area or the green area and at least one another area, and the intensity of radiation can be adjusted to radiate light of a preselected combined color, preferably the white light.例文帳に追加

実施例は、ＭＱＷ層の積み重ねが、たとえば、青または緑色領域および、少なくとも一つの他の領域において、２つの異なる波長の光を放射する少なくとも２つの異なるバンドギャップの量子井戸を含むものを含み、放射の強度は、予め選択された組み合わされた色、好ましくは白色の光の放射を行なうために調整されうる。 - 特許庁

A semiconductor device is composed of a semiconductor substrate 10, a buffer layer 12 that is formed on the semiconductor substrate 10 while a lattice constant near the surface differs from that near the interface with the semiconductor substrate 10, and a quantum dot that is formed on the buffer layer 12 while a luminous wavelength is stipulated by a lattice constant near the surface of the buffer layer 12.例文帳に追加

半導体基板１０と、半導体基板１０上に形成され、表面近傍における格子定数が半導体基板１０との界面近傍における格子定数とは異なるバッファ層１２と、バッファ層１２上に形成され、発光波長がバッファ層１２の表面近傍における格子定数によって規定された量子ドットとにより半導体装置を構成する。 - 特許庁

A Fabry-Perot semiconductor laser is provided with a gain region 7 containing a plurality of quantum wells, electrodes 1 and 6 for supplying electrons and holes to the gain region 7, and a reflecting section which reflects the light generated in the gain region 7 and is constituted to hold a plurality of optical oscillation modes and to extract a mode-locked optical pulse.例文帳に追加

その内部に設けられた複数の量子井戸を有する利得領域と、前記利得領域に電子及びホールを供給するための電極と、前記利得領域で発生する光を反射させる反射部を有し、複数の光学的発振モードを保持するように構成したファブリペロー型の半導体レーザ装置において、モードロックされた光パルスを取り出すように構成したものである。 - 特許庁

A radiation sensor comprises a radiation receiver, placed on a final element focal plane of a projection system, a transparent plate for supporting the radiation receiver on a side facing the projection system, a quantum transformation layer formed for absorbing first wavelength incoming light incident on the transparent plate and re-radiating second wavelength light, a fiber optics block with multiple optical fibers, and a radiation detector.例文帳に追加

放射センサは、投影システムの最終エレメントの焦点面に配置された放射レシーバと、投影システムに面する側で放射レシーバを支持する透過性プレートと、透過性プレートに入射した第一波長の光を吸収して、第二波長で光を再放射するように構成された量子変換層と、複数の光ファイバを備えるファイバオプティクスブロックと、放射ディテクタとを含む。 - 特許庁

To eliminate the need for a complex constitution such that two or more electrodes formed or two or more power sources are used for a single laser as in a conventional semiconductor laser, and enabling current to be injected nonuniformly in the direction of the resonator, by adopting a simple means of modifying the conventional semiconductor layer to a semiconductor layer, having an active layer consisting of self-formed quantum dots.例文帳に追加

半導体レーザに関し、自己形成型量子ドットからなる活性層をもつ半導体レーザに改変を加える旨の簡単な手段を採ることで、共振器方向に電流を不均一に注入することを可能にし、従来のように、１つのレーザに対し、２つ以上の電極を形成したり、２つ以上の電源を用いるなどの複雑な構成を不要にしようとする。 - 特許庁

Quantum thin lines of various sizes are formed on the single substrate by successively performing the processes of: vapor-depositing an oxide film on the semiconductor substrate; etching the oxide film so that areas where the oxide film is not formed have various sizes; and forming triangular epitaxial structures in the areas where no triangular epitaxial structure is present by using the selective epitaxial growing method.例文帳に追加

半導体基板上に酸化膜を蒸着する段階と、酸化膜のない領域が多様な大きさを有するように前記酸化膜をエッチングする段階と、選択的エピタキシャル成長法を利用して前記酸化膜のない領域に三角形のエピタキシャル構造を形成する段階と、を順次行うことで、単一基板に多様な大きさの量子細線を形成する。 - 特許庁

After an n-type AlInP clad layer 11, an active layer 12 having a multiple quantum well structure, a p-type AlInP clad layer 13, and a p-type GaAs layer 14 are grown in sequence on an n-type GaAs substrate via an n-type GaAs etching stop layer, those layers are patterned through dry etching using a resist pattern 19 having a rectangular plane shape as a mask.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型ＧａＡｓエッチングストップ層を介してｎ型ＡｌＩｎＰクラッド層１１、多重量子井戸構造を有する活性層１２、ｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層１３およびｐ型ＧａＡｓ層１４を順次成長させた後、長方形の平面形状を有するレジストパターン１９をマスクとしてこれらの層をドライエッチングによりパターニングする。 - 特許庁

To realize a manufacturing method of a semiconductor light emitting element which can improve the leading-out efficiency of a light to the outside, and the external differential quantum efficiency of a green system semiconductor light emitting element using GaP semiconductor, by a method wherein, after a light emitting layer forming part is grown without using a GaP substrate of low light transmissivity, a GaP layer is subjected to liquid growth in another process.例文帳に追加

光の透過率の低いＧａＰ基板を利用しないで、発光層形成部を成長した後、さらに別の工程でＧａＰ層を液相成長することにより、外部への光の取出し効率を向上させ、ＧａＰ半導体を用いた緑色系の半導体発光素子の外部微分量子効率を向上させることができる半導体発光素子の製法を提供する。 - 特許庁

The thin film pattern forming method includes a process spewing out dispersion solution containing a dispersion medium and particulate-like quantum dots which are dispersed into a dispersion medium by an ink-jet method, and making it adhered to a receiving surface with a given pattern, and a process of removing at least a part of the dispersion medium from the dispersion solution adhered to the receiving surface.例文帳に追加

本発明の薄膜パターン形成方法は、インクジェット法により、分散媒と微粒子状の量子ドットとを含み、前記量子ドットが前記分散媒中に分散してなる分散液を吐出し、受け面に所定パターンで付着させる工程と、前記受け面に付着した前記分散液から前記分散媒の少なくとも一部を除去する工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The apparatus for evaluating the single-photon detector is constituted of the single photon detector having an avalanche photodiode as a light receiving element, a storage device for storing photo detection times, and a computer for executing a processing program for determining the probability distribution of occurrence frequencies of detection time intervals from the photon detection times and determining the quantum efficiency of the detector from the probability distribution.例文帳に追加

単一光子検出器評価装置において、アバランシェフォトダイオードを受光素子とする単一光子検出器と、光子検出時刻を格納する記憶装置と、光子検出時刻から検出時間間隔の発生頻度の確率分布を求め、更に、確率分布から検出器の量子効率を求める処理プログラムを実行する計算機で構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a light emitting element capable of obtaining a desired luminescent color while having good luminous efficiency by increasing recombination in a luminescent layer, even when hole mobility of a hole transport material composing a hole transport layer is higher than electron mobility of the electron transport material composing an electron transport layer, in the light emitting element having a luminescent layer containing a quantum dot.例文帳に追加

量子ドットを含む発光層を備えた発光素子において、正孔輸送層を構成する正孔輸送材料の正孔移動度が電子輸送層を構成する電子輸送材料の電子移動度よりも大きい場合であっても、発光層内での再結合を多くして、所望の発光色を発光効率よく得ることができる発光素子を提供する。 - 特許庁

ENCRYPTION DEVICE, ENCRYPTION METHOD, ENCRYPTION PROGRAM, COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM WITH THE ENCRYPTION PROGRAM RECORDED, DECODER, DECODING METHOD, DECODING PROGRAM, THE COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM WITH THE DECODING PROGRAM RECORDED, ENCRYPTION DECODING SYSTEM, ENCRYPTED LOGIC REVISING DEVICE, RANDOM NUMBER GENERATING DEVICE, REPLACEMENT DEVICE, QUANTUM ENCRYPTION DEVICE, AND ENCRYPTION DEVICE例文帳に追加

暗号化装置及び暗号化方法及び暗号化プログラム及び暗号化プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体及び復号装置及び復号方法及び復号プログラム及び復号プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体及び暗号化復号システム及び暗号ロジック変更装置及び乱数生成装置及び置換装置及び量子暗号装置及び暗号装置 - 特許庁

In the quantum key delivery method, communication equipment at a reception side corrects the error in reception data by using a parity inspection matrix for definite and stable "Irregular-LDPC code", and has stable characteristics, and the communication equipment at the reception side and that at a transmission one abandon one portion of common information according to open error correction information.例文帳に追加

本発明の量子鍵配送方法では、受信側の通信装置が、確定的で特性が安定した「Ｉｒｒｅｇｕｌａｒ−ＬＤＰＣ符号」用のパリティ検査行列を用いて受信データのデータ誤りを訂正し、受信側の通信装置および送信側の通信装置が、公開された誤り訂正情報に応じて共有情報の一部を捨てることとした。 - 特許庁

The semiconductor for the laser comprises an MQW active layer 4 having an InGaAlP based quantum well structure of 4-6 nm well width Hb and 1-3 well number Wn and an InGaAlP based clad layer formed above and below the active layer, and a light reflecting layer formed in laminating direction of the active layer via the clad layer.例文帳に追加

面発光型半導体レーザにおけるＭＱＷ活性層４の井戸幅Ｈｂを４ｎｍ〜６ｎｍ、井戸数Ｗｎを１〜３のＩｎＧａＡｌＰ系量子井戸構造を有する活性層と、前記活性層の上下層に形成されたＩｎＧａＡｌＰ系クラッド層と、前記クラッド層を介し、前記活性層の積層方向に形成された光反射層とを備える。 - 特許庁

The sender sequentially measures the polarization of the 1st photon, transmits its measurement result to the recipient via a classic communication path, the recipient sequentially measures the polarization of the 2nd photon appearing in correlation with the 1st photon in terms of quantum mechanics and extracts the information to be sent by the sender according to the measurement result and that sent from the sender.例文帳に追加

送信者は第１の光子の偏光状態を順次測定して、その測定結果を古典通信路を介して受信者に送信し、受信者は第１の光子と量子力学的に相関して現れる第２の光子の偏光状態を順次測定し、その測定結果と送信者から送信される測定結果から、送信者が送信しようとした情報を取り出す。 - 特許庁

This correction device stores in a storage means 63 a correction image data Pr containing the structural noise four times or more than a quantum noise, and prepared from a reference image data acquired from a storage phosphor sheet irradiated with uniformly with a radiation, and a correcting means 62 corrects a radiographical image data P, using the correction image data Pr stored in the storage means 63.例文帳に追加

記憶手段６３には放射線が一様に照射された蓄積性蛍光体シートから取得された基準画像データＰｒｅｆから作成された、構造ノイズが量子ノイズに対し４倍以上含まれている補正画像データＰｒが記憶されており、補正手段６２が、記憶手段６３に記憶された補正画像データＰｒを用いて放射線画像データＰを補正する。 - 特許庁

There are provided a first circuit block which comprises a shunt and a delayer and outputs plural magnetic-flux quantum pulses which are to be counted, a second circuit block which outputs signals with integral multiple of clocks as cycle, and a third circuit block which comprises a counter or combination circuit, a converging device, and a shunt and adds the signal outputted from the second circuit block.例文帳に追加

分流器と遅延器とから構成され、計数すべき複数の磁束量子パルスを出力する第１の回路ブロックと、クロックの整数倍を周期として信号を出力する第２の回路ブロックと、計数器または組合せ回路と、合流器と分流器とから構成され、第２の回路ブロックから出力した信号を加算する第３の回路ブロックと、からジンクフィルタを構成する。 - 特許庁

In the nitride semiconductor element having the p-type nitride semiconductor layer, by forming an electrode containing at least rhodium and iridium, an excellent ohmic contact between the electrode and the p-type semiconductor layer is obtained and at the same time, the nitride semiconductor element the external quantum efficiency of which is excellent is obtained because the electrode has a high reflection coefficient therefore the absorption of light at the electrode is reduced.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、ｐ型窒化物半導体層に、少なくともロジウムとイリジウムとを含有する電極を形成することにより、電極とｐ型窒化物半導体層との良好なオーミック接触が得られると共に、電極が高反射率を有するので、電極における光の吸収が少なくなり、外部量子効率の良い窒化物半導体素子が得られる。 - 特許庁

The light-emitting region has a structure of alternately laminating a region with the materials with the high light-emitting quantum yield dispersed in the materials with the high carrier transport property and a region with high concentration of materials with the high carrier transport property.例文帳に追加

一対の電極の間に発光領域を有し、発光領域は、複数種の発光量子収率の高い物質と、一種または複数種のキャリア輸送性の高い物質とを含み、発光領域は、キャリア輸送性の高い物質に発光量子収率の高い物質が分散している領域と、キャリア輸送性の高い物質の濃度が高い領域とが交互に積層している構造を有する発光素子を提供する。 - 特許庁

Red images of a photoelectric conversion section having quantum efficiency of 60% or more in each of a visible light range and an infrared range are used in receiving lights in both a red gamut and an infrared range, and an infrared cut filter and a visible light cut filter are alternatively replaced for an optical path to the photoelectric conversion section, thereby recording driving information before and after a vehicle by a visible light image and an infrared image depending on situation.例文帳に追加

それぞれ可視光域および赤外光域において６０％以上の量子効率を有する光電変換部の赤画像を赤領域および赤外光域の受光に兼用し、赤外光カットフィルタと可視光カットフィルタを代替的に光電変換部への光路に差し換えることで状況に応じ可視光画像または赤外画像で車両前後の走行情報を記録する。 - 特許庁

The index guide type heterostructure nitride laser structure 100 has a first waveguide layer, a second waveguide layer, a multiple quantum well structure 145 interposed between the first and second waveguide layers, a ridge structure 111 having first, second and third faces, and a buried layer 155 existing on the first, second and third faces of the ridge structure 111.例文帳に追加

インデックスガイド型埋め込みヘテロ構造窒化物レーザ構造１００は、第１導波層及び第２導波層並びに前記第１導波層と前記第２導波層との間に配置される多重量子井戸構造１４５を有し、第１、第２及び第３の面を有するリッジ構造１１１と、前記リッジ構造１１１の前記第１、第２及び第３の面の上に存在する埋め込み層１５５とを有する。 - 特許庁

An end time prediction part 220 calculates end prediction time of a write command, and when a command management part 210 judges that the predicted time passes specified time, a thread scheduler part 130 degrades the priority of a lead thread, or reduces a quantum value of the lead thread when temporarily stopping the execution of the lead thread and concentrate resource allocation in the system into write processing.例文帳に追加

終了時刻予測部２２０によりライトコマンドの終了予測時刻が算出され、その予測時刻がコマンド管理部２１０によって指定の時刻を過ぎると判断された場合に、スレッドスケジューラ部１３０がリードスレッドの優先度を下げるか、あるいはリードスレッドのその時点でのクォンタム値を削減することで、リードスレッドの実行を一時的に停止してシステム内のリソース割り当てをライト処理に集中させる。 - 特許庁

The image sensor includes two-dimensional arrays, in which quantum type visible light detectors and thermal infrared light detectors cyclically aligned on a substrate, signal lines arranged for each column along the visible light detectors and the thermal infrared light detectors that are aligned in the column direction, and a drive lines arranged for each row along the visible light detectors and the thermal infrared light detectors that are aligned in the row direction.例文帳に追加

量子型の可視光検出器と熱型の赤外光検出器とが基板上に周期的に並んだ２次元アレイと、列方向に並ぶ前記可視光検出器または前記赤外光検出器に沿って列ごとに配置された信号線と、行方向に並ぶ前記可視光検出器または前記赤外光検出器に沿って行ごとに配置された駆動線とを前記基板上に備えたイメージセンサとしたこと。 - 特許庁

The second illuminant (30) of an illuminant composition (10/15) composed of a first illuminant (20) containing a visible light emitting illuminant and the second illuminant (30) with average primary crystallite diameter of <about 100 nm comprises at least one illuminant selected from the group consisting of the visible light emitting illuminant, a vacuum ultraviolet (VUV) light emitting illuminant and a quantum fractionated illuminant.例文帳に追加

可視光放出性発光体を含む第一の発光体（２０）と、平均一次晶子径が約１００ｎｍ未満の第二の発光体（３０）とを含む発光体組成物（１０／１５）の前記第二の発光体（３０）は、可視光放出性発光体、紫外（ＶＵＶ）光放出性発光体及び量子分割性発光体から成る群から選択される少なくとも１種の発光体を含んでいる。 - 特許庁

The distributed feedback semiconductor laser device 50 is a ridge waveguide type and comprises an n-GaAs substrate 52 and a multilayered structure, which consists of an n-AlGaAs clad layer 54, InGaAs/GaAs quantum well structure layer 56, a GaInNAs absorption layer 58 formed with diffraction grating, p-AlGaAs clad layer 60, and a GaInNAs absorption layer, which are deposited in this order on the n-GaAs substrate 52.例文帳に追加

本分布帰還型半導体レーザ素子５０は、リッジ導波路型であって、ｎ−ＧａＡｓ基板５２と、ｎ−ＧａＡｓ基板５２上に、順次、成膜された、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層５４、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子井戸構造層５６、回折格子５７が形成されているＧａＩｎＮＡｓ吸収層５８、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層６０、及びＧａＡｓキャップ層６２の積層構造とを備えている。 - 特許庁

The forming method of quantum dot includes a first formation step of forming a first semiconductor layer (120), containing GaAs on a substrate (110); and a second formation step of casting In and As each on the first semiconductor layer and forming a second semiconductor layer (130) containing InAs, after the substrate temperature of the substrate is set at a temperature between 480°C and 530°C.例文帳に追加

量子ドットの形成方法は、基板（１１０）上にＧａＡｓを含んでなる第１半導体層（１２０）を形成する第１形成工程と、基板の基板温度を摂氏４８０度及び摂氏５３０度の間の温度にした後に、第１半導体層の上に、Ｉｎ及びＡｓを夫々照射して、ＩｎＡｓを含んでなる第２半導体層（１３０）を形成する第２形成工程とを備える。 - 特許庁

The objective photosensitive material containing the tribromomethylsulfonyl compound satisfies one of the following conditions; ≤294 kJ/mol C-Br bond excitation energy obtained from quantum chemical calculation using the molecular orbital method in consideration of the Franck- Condon principle, ≤210 kJ/mol energy in the singlet state to the ground state and ≤168 kJ/mol energy in the triplet state to the ground state.例文帳に追加

本発明に係るトリブロモメチルスルホニル化合物を含有する感光材料は、分子軌道法を用いる量子化学計算から求められた、フランク−コンドンの原理を考慮した炭素−臭素結合の励起エネルギが２９４ｋＪ／ｍｏｌ以下、基底状態に対する一重項状態のエネルギが２１０ｋＪ／ｍｏｌ以下、または基底状態に対する三重項状態のエネルギが１６８ｋＪ／ｍｏｌ以下のいずれかの条件を満たしている。 - 特許庁

To provide a magnetic nanoparticle complex and a method of labeling cells by the magnetic nanoparticle complex, capable of highly efficiently labeling the cells by both of magnetism and fluorescence just by mixing magnetic nanoparticles together with negatively charged fluorescent materials for a short time and adding them to the cells and thereby introducing not only quantum dots but also various fluorescent materials into the cells.例文帳に追加

磁性ナノ粒子をマイナスチャージの蛍光物質と共に、短時間混合させて細胞に添加するだけで、高効率に細胞を磁性、蛍光の両方で標識化することを可能とし、これにより、量子ドットに留まらず、様々な蛍光物質を細胞内に導入できることができる磁性ナノ粒子複合体及び当該磁性ナノ粒子複合体による細胞の標識方法を提供する。 - 特許庁

To provide a superconducting quantum interference element which is manufactured by a photolithographic technique and consisting of a Josephson junction, a washer coil, and a detection coil constituting a superconducting loop and a feedback modulation coil, to prevent a size of the manufactured detection coil from being restricted due to the resolution of the photolithographic technique, to reduce an effective detection area of the detection coil and to increase space resolution.例文帳に追加

フォトリソグラフィ技術により作製され、超伝導ループを構成するジョセフソン接合とワッシャーコイルおよび検出コイルと、帰還変調コイルと、からなる超伝導量子干渉素子において、製作する検出コイルの大きさがフォトリソグラフィ技術の解像度に制限されず、検出コイルの有効検出面積を小さくして、空間分解能を高めた超伝導量子干渉素子の提供。 - 特許庁

To provide a method of amplifying a luminescent bandwidth of a semiconductor photoelectric element for manufacturing a multiplex quantum well structure, by which preferred temperature characteristics and modulation characteristics can be obtained, when applied to a semiconductor photoelectric element, and the width to be modulated and an amplitude gain can be widened significantly more than those of the semiconductor laser elements of the same kind, when being applied to a semiconductor laser whose wavelength is adjustable.例文帳に追加

半導体光電素子に応用した場合、好ましい温度特性と変調特性を具えさせ、更に波長が調整可能な半導体レーザに応用した場合、同類の半導体レーザ素子に比して変調できる幅と振幅利得を極めて広くする多重量子井戸構造を製造するための半導体素子の発光帯域幅の増幅方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

On the basis of the detecting signal 32 of a photodetector 30, a frequency controller 50 switches a frequency of at least either first light or second light in predetermined switching timing in such a way that the first light and the second light emitted from a light source 10 become in order a resonant photon pair that causes transition between the first ground level and the second ground level corresponding to each of the predetermined number of magnetic quantum.例文帳に追加

周波数制御部５０は、光検出部３０の検出信号３２に基づいて、光源１０が出射する第１の光と第２の光が、順に、複数の所定の磁気量子数の各々に対応する第１基底準位と第２基底準位の間で遷移を引き起こす共鳴光対となるように、所定の切り替えタイミングで第１の光及び第２の光の少なくとも一方の周波数を切り替える。 - 特許庁

This manufacturing method comprises a stage where a source electrode 20 and a drain electrode 30 separated by a specified distance are formed on an insulating substrate 10, a stage where a metal layer 40 of several nm thickness is formed between them, and a stage where a specified voltage is applied to them so that moving of metal atom/ion of the metal layer 40 forms a quantum point between them.例文帳に追加

絶縁基板１０上に所定間隔で離隔されたソース電極２０とドレイン電極３０を形成する段階と、ソース電極２０とドレイン電極３０との間に数ｎｍ厚さの金属層４０を形成する段階と、ソース電極２０とドレイン電極３０に所定電圧を印加して金属層４０の金属原子／イオンの移動によりソース電極２０とドレイン電極３０との間に量子点を形成する段階とを含む。 - 特許庁

A semiconductor quantum well structure comprises an insulating film 2, a first semiconductor region 4b which contacts the insulating film 2 and is formed of indirect transition semiconductor with compressive strain, and second and third semiconductor regions 4c which contact the first semiconductor region 4b so as to sandwich therebetween, have compressive strain different from that of the first semiconductor region 4b, and are formed of indirect transition semiconductor.例文帳に追加

絶縁膜２と、この絶縁膜２に接しかつ圧縮歪みを有する間接遷移型半導体からなる第１の半導体領域（領域４ｂ）と、絶縁膜２上に第１の半導体領域（領域４ｂ）を挟むようにして接するとともに第１の半導体領域（領域４ｂ）とは異なる圧縮歪みを有しかつ間接遷移型半導体からなる第２および第３の半導体領域（領域４ｃ）とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element 1 includes: a first semiconductor layer 17 buried spreading over a superconducting first electrode 13 and an insulating layer 14; a second semiconductor layer 18 brought into contact with the first semiconductor layer 17 and buried spreading over the insulating layer 14 and a superconducting second electrode 15; and a semiconductor quantum dot region 19 provided in a junction surface between the first semiconductor layer 17 and the second semiconductor layer 18.例文帳に追加

半導体発光素子１は、超伝導の第１電極１３と絶縁層１４とに跨って埋め込まれた第１半導体層１７と、第１半導体層１７と接するとともに、絶縁層１４と超伝導の第２電極１５とに跨って埋め込まれた第２半導体層１８と、第１半導体層１７と第２半導体層１８との接合面に設けられた半導体量子ドット領域１９とを備えている。 - 特許庁

One of the plurality of semiconductor layers is an inactive layer 336 containing nitrogen interposed between the quantum well active layer and the substrate.例文帳に追加

基板３２０と、前記基板上に形成された複数の半導体層と、量子井戸活性層３５０を含む前記半導体層の１つと、前記量子井戸活性層の一方の側に配置されたＡｌを含む第１の反射器３３０及び前記量子井戸活性層の反対側に配置された第２の反射器３９０とを含んでなり、前記半導体層の１つが窒素を含む不活性層３３６であり、窒素を含む前記不活性層が前記量子井戸活性層と前記基板との間に配置されている非対称垂直空胴表面放出レーザ構造とする。 - 特許庁

In addition, this exhibition section underwent a significant refurbishment in 2009, under the supervision of Dr. Hiroyuki Sakaki, who serves as the vice president at Toyota Technological Institute. After the renewal, the section added "the Spring of Wishes," "the River of Creativity," and "the Sea of Fertility" in a similar manner to the "water cycle" in order to exhibit a series of flows "how electric bulbs, quantum computers, or other innovative technologies have been created from the past to the present day," with a focus on the two themes: "People's wishes (i.e., imagination)" and "driving forces to actualize such wishes (i.e., creativity)."例文帳に追加

また、2009年に展示構成を大幅にリニューアルし、豊田工業大学副学長（当時）の榊裕之博士の総合監修のもと、「人の願い（想像力）とそれを実現するための原動力（創造力）、これら二つの「ソウゾウリョク」をテーマに、電球や量子コンピュータなど、過去から現在にいたるまで革新的な技術がどのように生み出されるのか、それらの一連の流れを「水の循環」になぞらえて、「願いの泉」、「創造力の川」、「豊饒の海」という形で展示している。 - 経済産業省

The silver halide photographic sensitive material includes at least one silver halide photographic emulsion layer containing silver halide grains having the spectral absorption maximum at <500 nm wavelength and a light absorption intensity of ≥60 or the spectral absorption maximum at ≥500 nm and a light absorption intensity of ≥100 and spectrally sensitized with one or more compounds each having a fluorescent quantum yield of 0.2-1.0.例文帳に追加

少なくとも一層のハロゲン化銀写真乳剤層を含有するハロゲン化銀写真感光材料において分光吸収極大波長が５００ｎｍ未満で光吸収強度が６０以上、または分光吸収極大波長が５００ｎｍ以上で光吸収強度が１００以上のハロゲン化銀粒子を含有するハロゲン化銀写真乳剤であり、かつ少なくとも１つ以上の蛍光量子収率が０．２以上１．０以下である化合物により分光増感されたハロゲン化銀写真乳剤を少なくとも１層含有することを特徴とするハロゲン化銀写真感光材料。 - 特許庁