「quantum」に関連した英語例文の一覧と使い方(55ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain a III-V nitride semiconductor material, based radiation-emitting semiconductor, which allows its manufacture to be simple in terms of technology and thereby being inexpensive to be performed, and has high external quantum efficiency.例文帳に追加

技術的に簡単にかつこれにより安価に製造可能であって高い外部量子効率を有する、ＩＩＩ−Ｖ窒化物半導体材料をベースとした放射線を発する半導体チップを得ること - 特許庁

The multiple quantum well, GaN final barrier, p-type electron rejection, and p-type contact layers 23, 24, 25, 26 are subjected to epitaxial growth coherently to the n-type compressive stress application layer 22.例文帳に追加

多重量子井戸層２３、ＧａＮファイナルバリア層２４、ｐ型電子阻止層２５およびｐ型コンタクト層２６は、ｎ型圧縮応力印加層２２に対してコヒーレントにエピタキシャル成長された層である。 - 特許庁

A p-AlGaAs first upper cladding layer 108 having a doping concentration of 1×10^18 cm^-3 is formed between the p-AlGaAs second upper cladding layer 109 and a multiple strained quantum well active layer 106.例文帳に追加

ｐ-ＡlＧaＡs第２上クラッド層１０９と多重歪量子井戸活性層１０６との間に、ドーピング濃度が１×１０^18ｃｍ^-3のｐ-ＡlＧaＡs第１上クラッド層１０８を形成する。 - 特許庁

To obtain new semiconductor superfine particles binding amino groups capable of linking various chemical structures and having stabilized light absorbing and emitting characteristics by quantum effects of a semiconductor crystal such as water resistance.例文帳に追加

多様な化学構造を連結可能なアミノ基を結合し、かつ、耐水性等、半導体結晶の量子効果による吸発光特性が安定化された、新規な半導体超微粒子を提供する。 - 特許庁

A through-hole 18 is provided at a portion of the first electrodes 15 above the semiconductor quantum dot region 13, and a space 19 is provided between the first electrode 15 and the second electrode 16.例文帳に追加

第１電極１５のうち半導体量子ドット領域１３の上方部分に貫通孔１８が設けられ、第１電極１５と第２電極１６との間に間隙１９が設けられている。 - 特許庁

To provide a quantum conducting molecule switch for obtaining a neutral element that can be easily connected and disconnected by light irradiation and reduce the size of wiring to a nanoscale.例文帳に追加

光照射により容易に接続したり切断したりでき、配線の大きさをナノスケールまで縮小することが可能なニューラル素子を実現するための量子導電分子スイッチを提供する。 - 特許庁

The epitaxial wafer, having an epitaxial lamination structure of group III-V compound semiconductor, includes: InP substrate 1, a multiple quantum well structure 3, and InP layer 5 forming a surface layer.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャル積層構造を有するウエハであって、ＩｎＰ基板１と、多重量子井戸構造３と、表面層を構成するＩｎＰ層５とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

Thereafter, the quantum information is transmitted as two divided optical pulse signals by fibers and is restored into information coded to polarization degrees of freedom in a transmission destination in accordance with reverse procedures.例文帳に追加

その後、この量子情報を２分割された光パルス信号としてファイバー伝送し、伝送先で上記と逆の手順により再び偏光自由度に符号化された情報として復元する。 - 特許庁

By growing, to the substrate, a film different from a base film constituting the surface in lattice constant, a quantum dot is formed in a part Ex excited by the emission of the laser light.例文帳に追加

その基板に対してその表面を構成する下地膜と格子定数の異なる膜を成長させることによって，上記レーザ光の照射により励起した部位Ｅｘに量子ドットが形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element of high output and satisfactory reliability by preventing diffusion of impurity to an undoped optical guide layer, in the semiconductor laser element containing a quantum well as an active layer.例文帳に追加

量子井戸を活性層とする半導体レーザ素子においてアンドープ光ガイド層への不純物の拡散を防止することによって、高出力で信頼性の良好な半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which scarcely influences the decrease of quantum efficiency of a photoelectric conversion element and the effect to an integrated circuit and can laminate a photoelectric conversion element and an integrated circuit.例文帳に追加

光電変換素子の量子効率の低下と集積回路に与える影響とが少なく、光電変換素子と集積回路とを積層することができる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gallium nitride semiconductor light-emitting element having an active layer of multi-quantum well structure, and by which an element of high luminous efficiency can be obtained.例文帳に追加

多重量子井戸構造の活性層を有する窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法であって、発光効率の高い素子が得られる製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A semiconductor mesa of the laminate structure 33 includes a low-temperature GaN buffer layer 35, an n-type GaN layer 37, and an active layer 39 and a p-type gallium nitride-based semiconductor layer 37 of a quantum well structure.例文帳に追加

積層構造３３の半導体メサは、低温ＧａＮバッファ層３５、ｎ型ＧａＮ層３７、量子井戸構造の活性層３９及びｐ型窒化ガリウム系半導体層３７を含む。 - 特許庁

To achieve a semiconductor element wherein inner quantum efficiency of a light emitting layer is high and light acquiring efficiency of the semiconductor element is high by reducing density of a through transition inside the semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子内の貫通転移の密度を低減して、発光層の内部量子効率が高く且つ半導体素子の光取り出し効率が高い半導体素子を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor layer using a nitride III-V group compound semiconductor capable of sufficiently reducing a quantum noise in a rated optical output required in a system in use.例文帳に追加

使用するシステムで要求される定格光出力において量子ノイズの十分な低減を図ることができる、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザを提供する。 - 特許庁

By changing the distance and an applied voltage between the metal probe and the multilayer film surface, the quantum well state generated in the multilayer film is changed, and the relative magnetization between the magnetic metal layers is changed.例文帳に追加

金属探針と多層膜表面との間の距離、印加電圧を変化させることにより、多層膜中に生じる量子井戸状態を変化させ、磁性金属層間の相対的な磁化を変化させる。 - 特許庁

The p-type electrode 12 is formed on the upper surface of a p-type GaAs contact layer 10 of the semiconductor laser 17 having a strain quantum well active layer formed on an n-type GaAs substrate 1.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１の上に形成された歪み量子井戸活性層を有する半導体レーザ１７のｐ型ＧａＡｓコンタクト層１０の上面にｐ型電極１２を形成する。 - 特許庁

The Group 12 and 16 compound semiconductor nanocrystals prepared by the chemical wet preparation method, are stable and have high quantum efficiency and uniform sizes and shapes, and capable of preparing the Group 12 and 16 compound semiconductor nanocrystals of stable alloy type.例文帳に追加

本発明によれば、化学的湿式合成法でサイズ及び形態が均一であり、量子効率が高く、安定的な合金形態の１２、１６族化合物半導体ナノ結晶を製造できる。 - 特許庁

The wavelength multiplex optical signal is directly introduced in an activation layer of a nonlinear light semiconductor device by using the nonlinear light semiconductor device having the activation layer containing self-organizing quantum dots.例文帳に追加

自己組織化量子ドットを含む活性層を有する非線形光半導体装置を使い、前記非線形光半導体装置の活性層中に前記波長多重光信号を直接に導入する。 - 特許庁

To provide a photocathode semiconductor device suitable for attaining desired super-high brightness performance by making an energy state of electron monochromatic and improving quantum efficiency with the use of a superlattice structure.例文帳に追加

超格子構造を利用して電子のエネルギー状態を単色化させ、量子効率を向上させることで、所望の超高輝度性能を達成するのに好適な光陰極半導体素子を提供する。 - 特許庁

Joint use of the Super Photon ring-8GeV (SPring-8), the SPring-8 Angstrom Compact Free Electron Laser (SACLA), and the Japan Proton Accelerator Research Complex (J-PARC) are promoted to support research and development in manufacturing industries by utilizing quantum beam and photon science and technology. 例文帳に追加

大型放射光施設（SPring-8）、Ｘ線自由電子レーザー施設（SACLA)、大強度陽子加速器施設（J-PARC）の共用を促進し、光・量子科学技術を用いたものづくりに関する研究開発を支援。 - 経済産業省

To provide a secret key delivery device without needing information such as a mode selection key, which should be preliminarily shared between a transmitter and a receiver, and using quantum noise, and to provide a method therefor.例文帳に追加

送信機と受信機との間に予め共有しなければならないモード選択鍵のような情報が不要な、量子雑音を利用した秘密鍵配送装置および方法を提供する。 - 特許庁

The active layer 5 of the InGaN quantum well structure is formed in the manner that the ratio of the photoluminescence light emitting intensity at 300 K becomes 0.1 or less for the photoluminescence light emitting intensity for 5 K.例文帳に追加

５Ｋにおけるフォトルミネッセンス発光強度に対する３００Ｋにおけるフォトルミネッセンス発光強度の比が０．１以下となるように、ＩｎＧａＮ量子井戸構造からなる活性層５を形成する。 - 特許庁

To suppress deterioration of an S/N caused by the change over aging of an element temperature of due to the change of an external temperature in a simple configuration without enlarging the element area in a quantum well photo-detector.例文帳に追加

量子井戸型光検知装置に関し、素子面積を大きくすることなく、簡単な構成で外部温度の変化に伴う素子温度の経時変化に起因するＳＮ比の低下を抑制する。 - 特許庁

The active region 19 has a region of carrier concentration not higher than 1×10^16 cm^-3 in the light confinement layers 43a, 47a and the quantum well structure section 45a with the total thickness of ≥270 nm.例文帳に追加

活性領域１９が、光閉じ込め層４３ａ、４７ａ並びに量子井戸構造部４５ａに総厚２７０ｎｍ以上の１×１０^１６ｃｍ^−３以下のキャリア濃度の領域を有する。 - 特許庁

Emission efficiency of the pairs of electron and hole in the emission layer can be enhanced furthermore by forming a thick barrier wall at the boundary of the emission layer and the first and second quantum wave interference layers, respectively.例文帳に追加

発光層と第１、第２の量子波干渉層との境界とに各々厚い障壁層を形成することで、発光層での電子正孔対の発生効率をより向上させることもできる。 - 特許庁

To obtain a matching processing method considering quantum errors for judging conformity by an appropriate comparison method by automatically generating a reference pattern where errors when using a three-plate type CCD camera is used are considered.例文帳に追加

３板式ＣＣＤカメラを用いた場合の誤差を考慮した基準パターンを自動生成して適切な比較の手法で良否を判断できる量子誤差を考慮したマッチング処理方法を得る。 - 特許庁

To provide an optical control switch which uses a semiconductor or nonlinear optical material, the switch being chemically stable, high in quantum efficiency, and capable of performing high-frequency operation to contribute to high-speed/large-capacity communication.例文帳に追加

半導体あるいは非線形光学材料を用いた光制御光スイッチで、化学的に安定で量子効率が高く高周波動作が可能なスイッチを提供し、高速・大容量通信に資する。 - 特許庁

An intermediate layer comprising AldGa1-dN (0.30≤d≤1) having larger band gap energy than that of a barrier layer is formed on the well layer between the barrier layer and the well layer in the active layer of the quantum well structure.例文帳に追加

量子井戸構造の活性層の井戸層と障壁層の間に障壁層よりバンドギャップエネルギーの大きいＡｌdＧａ1-dＮ（０．３０≦ｄ≦１）からなる中間層をすべての井戸層の上に形成する。 - 特許庁

Similar to the aforementioned analysis of mineral-related fuels, factor decomposition of fluctuations in overall trade balance (differences from the previous year) was conducted, using unit and quantum indices in Trade Statistics (Figure, Table 2-4-1-15).例文帳に追加

先述の鉱物性燃料の分析と同様に、貿易統計の価格指数及び数量指数を用いて、全体の貿易収支の変動（前年差）の要因分解を行った（第2-4-1-15 図表参照）。 - 経済産業省

The refractive index change element includes a structural part having a plurality of quantum dots formed of organic molecules each containing a π-conjugated system positioned in a center part and alkane chains arranged around the π-conjugated system and having a divergent energy level and a dielectric matrix in which the quantum dots are dispersed and an electron injecting part injecting electrons into the structural part.例文帳に追加

中心部に位置するπ共役系および前記π共役系の周囲に配置されるアルカン鎖を含む有機分子で形成され離散的なエネルギー準位を持つ複数の量子ドットと、前記量子ドットをその中に分散させる誘電体マトリクスとを有する構造部と、前記構造部に対して電子を注入する電子注入部とを具備することを特徴とする屈折率変化素子。 - 特許庁

The solar cell has a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer of a first compound semiconductor material and at least one quantum well layer of a second compound semiconductor material having a plurality of protrusions between the p- and n-type semiconductor layers, and one or any of a plurality of quantum well layers has protrusions different in size.例文帳に追加

太陽電池は、第一の化合物半導体材料からなるｐ型半導体層とｎ型半導体層とを有し、前記ｐ型半導体層とｎ型半導体層の間に、複数の凸部を表面に有する第二の化合物半導体材料からなる量子井戸層の少なくとも１層を含み、一つの量子井戸層または複数の量子井戸層のいずれかの層に大きさの異なる凸部を有する。 - 特許庁

A quantum state generating device is equipped with an input means of inputting two particles e^+ and e^- having no correlation in a 2-qubit system that represents one qubit by using one particle passing through one of two paths without fail and a quantum gate which generates and outputs a bell state asymptotically with a probability of 1 and uses an interferometer carrying out a measurement accompanied by no reciprocal action.例文帳に追加

量子状態生成装置に、二本の経路のどちらか一方を必ず通る一個の粒子を使って一個のｑｕｂｉｔを表現する２−ｑｕｂｉｔ系において、相関の無い二粒子ｅ^＋、ｅ^−を入力する入力手段と、漸近的に確率１でＢｅｌｌ状態を生成して出力する、相互作用を伴わない測定を実行する干渉計を用いた量子ゲートとを備える。 - 特許庁

The barrier layer of a multiple quantum well semiconductor element is respectively formed of a plurality of internal barrier layers, and the height of a hetero barrier to a hole between the barrier layer and quantum well layer is changed in a step state, from higher hetero barrier to lower hetero barrier, in the respective barrier layers along the direction from a clad layer with a first conductivity toward one with a second conductivity.例文帳に追加

多重量子井戸半導体素子の障壁層をそれぞれ複数の内部障壁層で構成し、各障壁層内において当該障壁層と量子井戸層の間のホールに対するヘテロ障壁高さを、第１の導伝性を有するクラッド層から第２の導伝性を有するクラッド層の方向に沿って、大きいヘテロ障壁高さから小さいヘテロ障壁高さへと階段状に変化させる。 - 特許庁

The semiconductor nanoparticle phosphor includes two or more emitting regions independently presents different quantum effects and a barrier region and has a laminated structure in which the two or more emitting regions are isolated by the barrier region, wherein the two or more emitting regions have the same quantum level across the barrier region.例文帳に追加

本発明の半導体ナノ粒子蛍光体は、単独では異なる量子効果を呈する２以上の発光領域と障壁領域とを有する半導体ナノ粒子蛍光体であって、前記２以上の発光領域が障壁領域によって隔てられるような積層構造を有し、前記２以上の発光領域が前記障壁領域を介して同じ量子準位を有することを特徴とする。 - 特許庁

In this state selective spectroscopic method utilizing quantum control, a target sample is irradiated with a waveform-shaped laser pulse train, and a condition wherein resonance with the target sample or absorption disappears is found, and thereby the specific quantum states are generated by using a laser pulse inducing state-selected high-speed transition without requiring information of the target sample and measurement of a state selection ratio.例文帳に追加

波系整形されたレーザーパルス列を標的試料に照射し、標的試料との共鳴又は吸収が消失する条件を見つけることで、状態選択した高速遷移を誘引するレーザーパルスを、標的試料の情報及び状態選択比の測定を必要とせずに、使用することにより特定の量子状態を生成させることからなる量子制御を利用した状態選択的分光方法。 - 特許庁

To provide a light intensity setting method in an optical communication system for achieving both ensuring security and suppressing a noise component, and an optical communication apparatus and a quantum encryption key distribution system employing the optical communication system.例文帳に追加

安全性の確保およびノイズ成分の抑制を共に達成可能な、光通信システムにおける光強度設定方法および光通信装置、それを用いた量子暗号鍵配布システムを提供する。 - 特許庁

The active layer 10 includes a quantum well layer 221 of a GaAs_(1-x3)P_x3 layer and a barrier layer 222 of an Al_x2Ga_(1-x2)As layer which are repeatedly laminated a plurality of periods alternately.例文帳に追加

活性層１０は、ＧａＡｓ_（１−ｘ３）Ｐ_ｘ３層からなる量子井戸層２２１とＡｌ_ｘ２Ｇａ_（１−ｘ２）Ａｓ層からなる障壁層２２２とを交互に複数周期繰り返し積層して構成されている。 - 特許庁

This system 100 is provided with the quantum absorber 102 provided with the first and second low energy states coupled to a common high energy state, wherein transition between the high and low energy states is induced by an electromagnetic radiation.例文帳に追加

装置〔１００〕は、共通高エネルギー状態に結合される第１及び第２の低エネルギー状態を備え、高低エネルギー状態間の遷移が電磁放射線によって誘導される量子吸収体〔１０２〕を備える。 - 特許庁

To reduce the quantum of damage occurring in an image formation means arranged in the downstream of conveyance direction or in a continuous paper on which a picture is formed in an image forming process in the case of forming a picture in one side.例文帳に追加

搬送方向下流側に配置された画像形成手段または画像が形成される連続紙が、片面に画像を形成する場合の画像形成過程において受けるダメージの量を減少する。 - 特許庁

A DC/SFQ(single flux quantum converter) 1 converts dc current into a voltage pulse (SFQ pulse), and outputs a set pulse S, at the rise time of the level signal and outputs a reset pulse R and at the fall time of the level signal.例文帳に追加

ＤＣ／ＳＦＱコンバータ１は、直流電流を電圧パルス（ＳＦＱパルス）に変換するもので、レベル信号の立上がり時にセットパルスＳを出力し、立下がり時にはリセットパルスＲを出力する。 - 特許庁

A measuring equipment using a superconducting quantum interfering element is constituted of a cooling unit 5 including a temperature detecting device 6, magnetic sensor 7, and sample setting stand 8, and a distance controller 1 for controlling them.例文帳に追加

超伝導量子干渉素子を用いた計測装置は、温度検出装置６と磁気センサ７と試料設置台８を含む冷却ユニット５と、それらをコントロールする距離制御装置１から構成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an imaging element capable of improving quantum efficiency by suppressing degradation of an organic photoelectric conversion film included in a single-plate laminate-type imaging element, and to provide the imaging element.例文帳に追加

単板式の積層型の撮像素子に含まれる有機光電変換膜の劣化を抑制することにより、量子効率の改善を図った撮像素子の製造方法、及び、撮像素子を提供することを課題とする。 - 特許庁

To determine a leader with a probability "1" within a time proportional to ZlogZ at most for an upper limit Z of the number of hosts regardless of the form of a network by sharing quantum bits having a correlative relationship between hosts in advance.例文帳に追加

予め相関関係を持つ量子ビットを各ホスト間で共有しておくことにより、ネットワークの形状によらず、ホスト数の上限Ｚに対し、高々ＺlogＺに比例する時間内に確率１でリーダを決定する。 - 特許庁

In the quantum interference device, the optical frequency of one of the two photons having optical frequencies different from each other is converted to the other optical frequency and the Bell states of the two photons (1', 2) having optical frequencies identical with each other are measured.例文帳に追加

この量子干渉装置では、光周波数の異なる２光子の一方の光周波数を他方の光周波数に変換し、光周波数が一致した２光子（１’，２）のベル状態測定を行う。 - 特許庁