「quantum」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

To simultaneously increase both the external differential quantum efficiency and θ horizontally in the characteristics of a semiconductor laser.例文帳に追加

半導体レーザの特性における外部微分量子効率およびθ水平の両方を同時に大きくすることができる半導体レーザおよびその製法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a quantum dot used for a semiconductor light emitting device capable of lengthening the wavelength of an emitted wavelength, and also forming it on an inexpensive substrate.例文帳に追加

安価な基板上に作製可能であり、発光波長の長波長化が可能な半導体発光素子に用いられる量子ドットの形成方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a sufficient cooling temperature in a cooling APD module for use in quantum encryption communication, and to prevent the deterioration of the characteristics of an APD module etc.例文帳に追加

量子暗号化通信に使用する冷却型ＡＰＤモジュールにおいて、十分な冷却温度を得ること、及びＡＰＤモジュール等の特性劣化を防止する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting element by which the inner quantum efficiency of the nitride semiconductor light emitting element including a multilayer film structure can be improved.例文帳に追加

多層膜構造を含む窒化物半導体発光素子の内部量子効率を改善することができる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To securely solve a desired element component in a quantum dot by changing a gas flow sequence by a liquid drop epitaxy method using metal organic vapor phase epitaxy.例文帳に追加

有機金属気相成長法を用いた液滴エピタキシー法によるガスフローシーケンスの変更により、量子ドット中に所望の元素成分を確実に固溶させる。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing semiconductor laser capable of suppressing damages generated in the crystal of a multiple quantum well layer, and easily forming a mode-transforming region.例文帳に追加

多重量子井戸層の結晶において損傷発生を抑制してモード変換領域を容易に形成できる半導体レーザーの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting device and its manufacturing method which achieve high density and high quality with the quantum dots emitting light within a wavelength region of 1.3 μm.例文帳に追加

１．３μｍ波長領域で発光する量子ドットの高密度化及び高品質化を実現する半導体発光素子およびその製造方法を目的とする。 - 特許庁

To easily eliminate an influence of polarization condition without performing complicated polarization control in a quantum key delivery system using a photon detector dependent on polarization.例文帳に追加

偏波依存性のある光子検出器を用いる量子鍵配送システムにおいて、複雑な偏波制御をすることなく、簡便に偏波状態の影響を除けるようにすること。 - 特許庁

To provide a compound that absorbs light in a wide region and has an extremely high quantum efficiency of photocurrent generation and a photoelectric conversion element having a high conversion efficiency.例文帳に追加

広い領域の光を吸収でき、光電流発生の量子効率が極めて高い化合物、および、変換効率の高い光電変換素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for selectively forming a 3-dimensional quantum dot optical path to manufacture an IR photodetector having an improved spectral sensitivity and reproducibility.例文帳に追加

改善されたスペクトル感度と再現性を有するＩＲ光検出器を製造するための、３次元量子ドット光路を選択的に形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a measuring device capable of measuring stably a wideband signal in a signal detector using a superconducting quantum interference element which is a highly sensitive magnetic sensor.例文帳に追加

高感度磁気センサーである超伝導量子干渉素子を用いた信号検出器において，広帯域の信号を安定に測定できる測定装置を提供すること。 - 特許庁

The quantum dots are dispersed in an air flow, charged with a charging unit 2, and heat-treated in an electric furnace 3 while controlling the heating temperature.例文帳に追加

次いで気流中に分散した量子ドットを帯電器２で帯電させた後、電気炉３では気流中に分散した量子ドットを加熱温度を制御しながら熱処理する。 - 特許庁

The color image forming method characterized in that the quantum efficiency η of an electrophotographic photoreceptor has the dependence on an electric field expressed by the following general formula (1) and n is ≤0.3.例文帳に追加

該電子写真感光体の量子効率ηが下記一般式（１）で表わされる電場依存性を有し、ｎが０．３以下である事を特徴とするカラー画像形成方法。 - 特許庁

To provide a light source device structure, which is equipped with a light emitting element dipped in a liquid, where the structure can be improved in the required light distribution characteristics and external quantum efficiency.例文帳に追加

発光素子を液体に浸漬した光源装置において、所望の配光特性を得ることができ、しかも、外部量子効率が高い構造を提供する。 - 特許庁

Particularly, these processes are effective in manufacturing a semiconductor light emitting element which has a selectively grown clad layer, guide layer, and active layer, where the active layer is a multi-quantum well.例文帳に追加

特に、選択成長されたクラッド層、ガイド層及び活性層を有し、活性層が多重量子井戸とされた半導体発光素子の製造において有効である。 - 特許庁

To provide a system for optimizing an entanglement state which is applicable to industry, and a quantum information and communications technology using such a kind of system based on an optical fiber or the like.例文帳に追加

工業上利用可能なエンタングルメント状態の最適化を行うシステム、及びそのようなシステムを利用した光ファイバなどによる量子情報通信技術の提供。 - 特許庁

At least the barrier layer included in the first quantum well active layer, the first guide layer, and the second guide layer have an Al molar ratio of more than 0.47 and 0.60 or less.例文帳に追加

少なくとも第１量子井戸活性層を構成するバリア層、第１ガイド層及び第２ガイド層の各々のＡｌ組成は、０．４７よりも大きく且つ０．６０以下である。 - 特許庁

In an EDS detector, if the X-ray quantum is absorbed by photo-ionization of an inner shell, all residual X-ray energies contribute to the kinetic energy of an excited photoelectron. 例文帳に追加

EDS検出器の中では、もしX線量子が内殻の光子イオン化によって吸収されると、すべての残余のX線エネルギーは、励起される光電子の運動エネルギーに寄与する。 - 科学技術論文動詞集

To provide an organic electroluminescent element, particularly a white organic electroluminescent element, which has high external extraction quantum efficiency, excellent heat resistance, and a long light-emitting life.例文帳に追加

外部取り出し量子効率が高く、耐熱性に優れ、かつ発光寿命が長い有機エレクトロルミネッセンス素子、特に白色有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。 - 特許庁

The inner stripe nitride laser diode structure is provided with a multiple-quantum well layer and first and second surfaces, and is provided with a waveguide layer where the first surface is in contact with the multiple- quantum well layer, and a current-blocking layer entering the second surface of the waveguide layer and divided into two portions by a stripe groove.例文帳に追加

本インナーストライプ窒化物レーザダイオード構造は、多量子ウェル層と、第１及び第２の表面を有し、前記第１の表面が前記多量子ウェル層に接触している導波層と、前記導波層の第２の表面内に突入していて、ストライプ溝によって２つの部分に分割されている電流ブロッキング層とを備えている。 - 特許庁

This device has a heterostructure composed of a first nonmagnetic barrier layer 2, a first ferromagnetic quantum well layer 4, a second nonmagnetic barrier layer 6, a second ferromagnetic quantum well layer 8, a third nonmagnetic barrier layer 10 laminated one above another.例文帳に追加

非磁性体の第１障壁層２と、強磁性体の第１量子井戸層４と、非磁性体の第２障壁層６と、強磁性体の第２量子井戸層８と、非磁性体の第３障壁層１０とが積層されたヘテロ構造を有し、強磁性体の第１量子井戸層４及び第２量子井戸層８は伝導を担うキャリアのドブロイ波長より十分薄い層である。 - 特許庁

The manufacturing method of the flash memory retains the environmental atmosphere of the semiconductor substrate before forming the quantum dot clean by an organic gaseous substance removing means, in the manufacturing method of the flash memory which forms an insulating film on the semiconductor substrate and forms the quantum dot on the insulating film as the floating gate.例文帳に追加

本発明のフラッシュメモリの製造方法は、半導体基板上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に量子ドットをフローティングゲートとして形成するフラッシュメモリの製造方法において、前記量子ドット形成前までの前記半導体基板の環境雰囲気を、有機ガス状物質除去手段にて清浄に保つことを特徴とする。 - 特許庁

This magnetic substance is formed by making electrons movable between adjacent quantum dots and including the flat-band structure, in which energy diffusion of electrons hardly depends on wave number, in an electron energy band by locating the semiconductor quantum dots, with which the area of high energy potential is formed around the periphery and the electrons are contained, on grid points.例文帳に追加

格子点上に、周囲にエネルギーポテンシャルの高い領域が形成され電子が閉じ込められた半導体量子ドットを配置することにより、隣接した量子ドット間を電子が移動可能であり、電子のエネルギー分散が波数依存性をほとんど持たないフラットバンド構造が電子エネルギーバンドに含まれるようにすることにより磁性体が形成される。 - 特許庁

A vertical micro resonator hose length of half the wavelength of light-mission wavelength is formed by a pair of multilayer reflection layers 3 and 7, a quantum well layer 5 is provided at its center so that it is present at an antinode position of standing wave of optical wave, and a resonator QED(cavity quantum electrodynamics) effect enhances natural release.例文帳に追加

１対の多層反射層３，７によって共振器長が発光波長が１／２波長の垂直微小共振器を形成し、その中央に量子井戸層５設けることにより、光波の定在波の腹の位置に量子井戸層５が存在するようになし、共振器ＱＥＤ効果によって自然放出が増強される構造とする。 - 特許庁

A vertical micro resonator hose length of half the wavelength of light-mission wavelength is formed by a pair of multilayer reflection layers 3 and 10, a quantum well layer 6 is provided at its center so that it is present at an antinode position of standing wave of optical wave, and a resonator QED(cavity quantum electrodynamics) effect enhances natural release.例文帳に追加

１対の多層反射層３，１０によって共振器長が発光波長が１／２波長の垂直微小共振器を形成し、その中央に量子井戸層６設けることにより、光波の定在波の腹の位置に量子井戸層６が存在するようになし、共振器ＱＥＤ効果によって自然放出が増強される構造とする。 - 特許庁

A vertical micro resonator hose length of half the wavelength of light-mission wavelength is formed by a pair of multilayer reflection layers 3 and 10, a quantum well layer 7 is provided at its center so that it is present at an antinode position of standing wave of optical wave, and a resonator QED(cavity quantum electrodynamics) effect enhances natural release.例文帳に追加

１対の多層反射層３，１０によって共振器長が発光波長が１／２波長の垂直微小共振器を形成し、その中央に量子井戸層７設けることにより、光波の定在波の腹の位置に量子井戸層７が存在するようになし、共振器ＱＥＤ効果によって自然放出が増強される構造とする。 - 特許庁

The quantum computer (1a) includes light supply means (13, 17) for supplying laser beams, a means (11) for generating two-dimensionally a plurality of near field light beams on at least one plane from the laser beams received from the light supply means and the quantum bits (25, 31) formed by trapping atoms respectively in the proximity field light beams.例文帳に追加

量子計算機（１ａ）は、レーザ光を供給する光供給手段（１３、１７）と、光供給手段から受けたレーザ光により少なくとも１つの平面上に２次元状に複数の近接場光を発生させる手段（１１）と、各近接場光に原子をトラップすることにより構成された量子ビット（２５、３１）とを備える。 - 特許庁

To solve the problem that almost no reaction mechanisms of highly practicable organic molecules such as photochromic molecules with quantum beams have been made clear and that no promising proposals have been made concerning next-generation recording systems that enhance recording density by leaps and bounds though utilization of quantum beams having a wavelength of a pattern size or less is inevitable as light used for densification.例文帳に追加

高密度化のために用いる光は、その波長がパターンサイズ以下の量子ビームの利用が必須となるが、フォトクロミック分子など実用性の高い有機分子の量子ビームによる反応機構はほとんど解明されておらず、記憶密度を飛躍的に向上させる次世代の記録システムに関する有力な提案はなされていない。 - 特許庁

The non-volatile SONSNOS memory comprises first and second insulating films stacked on a channel of a substrate, first and second dielectric films formed between the upper part of the first insulating film and the lower part of the second insulating film, and a group IV semiconductor film, silicon quantum dots, or metal quantum dots, inserted between the first dielectric film and the second dielectric film.例文帳に追加

基板のチャンネル上に積層される第１及び第２絶縁膜と、第１絶縁膜の上部と第２絶縁膜の下部に形成される第１及び第２誘電膜、並びに第１及び第２誘電膜間に介設されるIV族半導体膜、シリコン量子ドット、または金属量子ドットを含む非揮発性ＳＯＮＳＮＯＳメモリ。 - 特許庁

The second Josephson transfer line circuit (105) is connected between the first and third Josephson transfer line circuits (104), (106), includes a Josephson junction element and a superconducting inductor, and outputs input single fluxoid quantum pulses at a uniform pulse interval by slowing or delaying the transfer of inputted single fluxoid quantum pulses as compared with the first and third Josephson transfer line circuits (104), (106).例文帳に追加

第２のジョセフソン転送ライン回路は、第１及び第３のジョセフソン転送ライン回路の間に接続され、ジョセフソン接合素子及び超電導インダクタを含み、第１及び第３のジョセフソン転送ライン回路に比べて入力単一磁束量子パルスを鈍化又は遅延して転送することによりそのパルス間隔を均一化して出力する。 - 特許庁

The white light emitting diode comprises: an ultraviolet light emitting diode; a mixed fluorescent material layer, which is formed on an upper surface of the ultraviolet light emitting diode, including a green fluorescent material and a blue fluorescent material; and a red light emission quantum dot layer, which is formed on an upper surface of the mixed fluorescent material layer, including red light emission quantum dot.例文帳に追加

紫外発光ダイオードと、前記紫外発光ダイオードの上面に形成された、緑色蛍光体と青色蛍光体とを含む混合蛍光体層と、前記混合蛍光体層の上面に形成された、赤色発光量子ドットを含む赤色発光量子ドット層と、を含むことを特徴とする、白色発光ダイオードである。 - 特許庁

The group III-V quantum dots are grown and formed on the group III-V compound semiconductor having the lattice constant in the lattice mismatching rate of 3% or less to the lattice constant of the group III-V quantum dots, by irradiating molecular beams of group V elements forming the group III-V dots under the condition of 10^-7Torr in terms of the number of digits.例文帳に追加

ＩＩＩ—Ｖ族量子ドットの格子定数に対して３％以下の格子不整合率の格子定数であるＩＩＩ—Ｖ族化合物半導体上に、ＩＩＩ—Ｖ族量子ドットを構成するＶ族元素の分子線を桁数にして１０^-7Ｔｏｒｒの条件において照射することによって、ＩＩＩ—Ｖ族量子ドットを成長させて形成する。 - 特許庁

To provide an aqueous near-infrared fluorescent material with high quantum yield which emits near-infrared light and is used in an in vivo imaging technique, and to provide a multimodal aqueous near-infrared fluorescent material with high quantum yield which is used in a multimodal in vivo imaging technique using an optical (fluorescence) imaging, MRI, SPECT, etc.例文帳に追加

近赤外光を発光し生体内イメージング法において用いることができる、量子収率の高い水溶性近赤外蛍光材料、さらには、光（蛍光）イメージング、ＭＲＩ、ＳＰＥＣＴなどを用いるマルチモーダル生体内イメージング法において用いることができる、量子収率の高いマルチモーダル水溶性近赤外蛍光材料を提供すること。 - 特許庁

First and second semiconductor lasers 10 and 20 comprising buffer layers 11 and 21, clad layers 12 and 22, quantum well active layers 13 and 23 and clad layers 14 and 24 laminated on a substrate 1 while having a stripe structure are integrated on the same substrate, and the quantum well active layer near a resonator end face is disordered by impurity diffusion.例文帳に追加

基板１上に積層されたバッファ層１１、２１、クラッド層１２、２２、量子井戸活性層１３、２３、およびクラッド層１４、２４を備え、ストライプ構造を有する第一および第二半導体レーザ１０、２０が同一基板上に集積化され、共振器端面近傍における量子井戸活性層は不純物拡散により無秩序化されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory which is reduced in the amount of an organic gaseous substance in an environmental atmosphere and capable of manufacturing a quantum dot having a size and/or density within an optimum range, in the manufacturing method the a flash memory which forms the quantum dot on the insulating film of a semiconductor substrate as a floating gate.例文帳に追加

本発明は、半導体基板の絶縁膜上に、フローティングゲートとして量子ドットを形成するフラッシュメモリの製造方法において、環境雰囲気中の有機ガス状物質を低減し、適正範囲内のサイズ及び／又は密度の量子ドットの製造が可能となるフラッシュメモリの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A vertical micro-resonator is formed of a pair of multilayer reflection layers 3 and 9 for a hall wavelength for light-emitting wavelength, in resonator length, and a quantum well layer 7 is provided at its center, thus the quantum well layer 7 is present at the antinode of the standing wave of the optical wave, with natural output enhanced due to the resonator QED effect.例文帳に追加

１対の多層反射層３，９によって共振器長が発光波長が１／２波長の垂直微小共振器を形成し、その中央に量子井戸層７設けることにより、光波の定在波の腹の位置に量子井戸層７が存在するようになし、共振器ＱＥＤ効果によって自然放出が増強される構造とする。 - 特許庁

To perform highly precise analysis of a phenomenon such as a hot carrier whose variance like energy distribution is effective, for example, by connecting the forms where not only an average but a variance are saved in the connecting part of the classic system and the quantum system in the solving method of acting the classic system and the quantum system as a couple in a particle simulation.例文帳に追加

粒子シミュレーションにおける、古典的な系と量子的な系をカップルさせて解く方法において、古典的な系と量子的な系の接続部で、平均値だけでなく、分散も保存するような形で接続することにより、例えばエネルギー分布のような分散が効いて来るホットキャリアのような現象の解析を高精度化する。 - 特許庁

A vertical micro resonator is formed of a pair of multi-layer reflection layers 3 and 10 for a half wavelength for light-emitting wavelength, in resonator length, and a quantum well layer 7 is provided at its center, thus the quantum well layer 7 is present at the antinode of the standing wave of an optical wave, with natural output enhanced due to the resonator QED effect.例文帳に追加

１対の多層反射層３，１０によって共振器長が発光波長が１／２波長の垂直微小共振器を形成し、その中央に量子井戸層７設けることにより、光波の定在波の腹の位置に量子井戸層７が存在するようになし、共振器ＱＥＤ効果によって自然放出が増強される構造とする。 - 特許庁

In a semiconductor light emitting element having an active layer 3 including a strained quantum well layer 2, and a clad layer 4 for confining light and a carrier formed on a semiconductor substrate 1, the thickness of the strained quantum well layer 2 is larger than a critical film thickness h_c when a single layer film is grown on a substrate of an infinite thickness.例文帳に追加

半導体基板１上に、歪み量子井戸層２を含む活性層３と、光とキャリアを閉じ込めるクラッド層４とが形成されている半導体発光素子において、前記歪み量子井戸層２の厚さは、無限大の厚さの基板上に単層膜を成長するとした場合の臨界膜厚ｈ_ｃよりも厚いことを特徴とする。 - 特許庁

The magnetic random access memory cell 100 comprises an insulating substrate 110, an electrically conductive base line 130 provided on the insulating substrate, at least one magnetic quantum dot 150 attached to the base line, and an electrically conductive top line 160 provided across at least one magnetic quantum dot in a direction transverse to the base line.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリセル１００は、絶縁性基板１１０と、この絶縁性基板上に設けられる導電性のベースライン１３０と、このベースラインに取り付けられる少なくとも１つの磁気量子ドット１５０と、ベースラインを横切る方向に少なくとも１つの量子ドットのところで交差して設けられる導電性のトップライン１６０を有する。 - 特許庁

In the quantum well active layer 107, two compressive strain quantum well layers of InGaAsP and two barrier layers are arranged alternately such that an n-side barrier layer is present on the lower guide layer 105 side and a p-side barrier layer is present on the upper guide layer 109 side.例文帳に追加

上記量子井戸活性層１０７は、ＩｎＧａＡｓＰからなる２層の圧縮歪量子井戸層および２層の障壁層が交互に配置され、下ガイド層１０５側にｎ側障壁層を有するようにかつ上ガイド層１０９側にｐ側障壁層を有するように積層されており、ｎ側障壁層の厚さをホールがトンネルしにくい１３０Åとする。 - 特許庁

To dispense with coupling circuits for exclusive use used to be conventionally necessary among qubit devices respectively, and facilitate packaging of solid-state qubit devices and quantum operation among qubits, by performing coupling between arbitrary two qubit devices with a microwave pulse train having a different frequency, when the solid-state qubit devices are used for a quantum computer.例文帳に追加

固体量子ビット素子を量子コンピュータに用いる場合に、任意の２つの量子ビット素子間の結合を異なる周波数をもつマイクロ波パルス列で行うことにより、従来量子ビット素子間それぞれに必要であった専用の結合用回路を不要とし、固体量子ビット素子の実装及び量子ビット間の量子演算を容易にする。 - 特許庁

The element is formed by controlling the light signal light by using another control light, disposing the photonic crystals 61, disposing the quantum dots in the high dielectric sections of the photonic crystals 61, setting the energy levels of the quantum dots and the dielectric bands of the photonic crystals at the wavelength region of the control light and setting the air bands of the photonic crystals at the wavelength region of the signal light.例文帳に追加

本願発明は、光信号光を他の制御光を用いて制御し、フォトニック結晶６１を配し、該フォトニック結晶６１の高誘電体部に量子ドットを配し、制御光の波長域に量子ドットのエネルギ準位及びフォトニック結晶の誘電体バンドを設定し、信号光の波長域にフォトニック結晶のエアーバンドを設定する。 - 特許庁

In a light emitting element having a single layer light emitting layer, the light emitting layer is sandwiched by a first quantum wave interference layer comprising first layers and second layers having a wider band width than the first layer laid in layers at a multiplex period, and a second quantum wave interference layer comprising third layers and fourth layers having a wider band width than the third layer laid in layers at a multiplex period.例文帳に追加

単層の発光層を有する発光素子において、発光層を第１層と第１層よりもバンド幅の広い第２層とを多重周期で積層した第１の量子波干渉層と第３層と第３層よりもバンド幅の広い第４層とを多重周期で積層した第２の量子波干渉層とで挟んだ構成とする。 - 特許庁

The quantum cryptography communication apparatus includes a first communication means 103 for transmitting and receiving a communication signal composed of relatively strong pulsed light between the transmitter 101 and the receiver 102, and a second communication means 104 for transmitting and receiving a relatively weak quantum cryptography signal during the off of the communication signal between the transmitter 101 and the receiver 102.例文帳に追加

量子暗号通信装置は、送信機１０１と受信機１０２との間において、比較的強いパルス光からなる通信信号を送受信する第１通信手段１０３と、送信機１０１と受信機１０２との間において、通信信号がオフの期間に、比較的弱い量子暗号信号を送受信する第２通信手段１０４とを備える。 - 特許庁