「quantum」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

Each of the first and third Josephson transfer line circuits (104), (106) includes a Josephson junction element and a superconducting inductor to transfer an inputted single fluxoid quantum pulse.例文帳に追加

第１及び第３のジョセフソン転送ライン回路は、ジョセフソン接合素子及び超電導インダクタを含み、入力された単一磁束量子パルスを転送する。 - 特許庁

To convert a wavelength of broad band signal light by using four-wave mixing in a wavelength conversion device with a nonlinear medium containing a quantum dot.例文帳に追加

量子ドットを含む非線形媒質を有する波長変換装置において、広帯域の信号光を光四波混合を使って波長変換する。 - 特許庁

To provide a Ca-containing α-sialon phosphor having a fluorescence peak wavelength of 602-605 nm and showing higher external quantum efficiency than conventional phosphors.例文帳に追加

６０２〜６０５ｎｍの蛍光ピーク波長を有する、従来よりも外部量子効率が高いＣａ含有α型サイアロン蛍光体を提供する。 - 特許庁

The wavelength λ_p and the incident angle α_p of pumping light are specified so that the pumping light may be absorbed primarily inside a quantum well.例文帳に追加

ポンピング光の吸収が主として量子井戸内で行われるようにポンピング光の波長λ_Ｐおよび入射角α_Ｐが選定されている。 - 特許庁

If temporary registers are used, then, in order to avoid the corruption of the quantum heap, it has to be assured that the register is empty before it is deallocated. 例文帳に追加

テンポラリレジスタが使われるならば、量子ヒープのくずれを避けるために、そのレジスタは割当て解除の前に空になっていることを保証する必要がある。 - コンピューター用語辞典

By quantum loss communication using a bit commitment based on the random number, a message is transmitted from the transmitter terminal 10 to the receiver terminal 30.例文帳に追加

かかる乱数に基づくビットコミットメントを用いた量子紛失通信によって送信者端末１０から受信者端末３０にメッセージを送信する。 - 特許庁

This twisting direction is reverse to the twisting direction of the two optical fibers 10 connected to the input sections of the quantum dot optical amplifier 1.例文帳に追加

このねじれの方向は、量子ドット光増幅器１の入力部に接続された２本の光ファイバ１０のねじれの方向と逆方向である。 - 特許庁

To improve a light-emitting efficiency by improving injected/diffused state of holes in a quantum well structure (MQW structure, SQW structure) of a light-emitting element.例文帳に追加

発光素子の量子井戸構造（ＭＱＷ構造、ＳＱＷ構造）における正孔の注入・拡散状態を改善し、発光効率を改善すること。 - 特許庁

To enable a waveguide photodetector to be kept high in response speed, enhanced in quantum efficiency, and improved in coupling tolerance for an optical fiber both in the horizontal and the vertical direction.例文帳に追加

応答速度を確保しつつ、量子効率を向上させ、また、光ファイバとの水平方向および垂直方向の結合トレランスを向上させる。 - 特許庁

A quantum of radiation interacts to create an excitation of a crystal such as phonon, plasmon or excitation with consequent loss or gain of energy. 例文帳に追加

放射線の量子は相互作用して、フォノン、プラズモンなどの結晶の励起または、結果として起こるエネルギーの損失または獲得を伴う励起を生成する。 - 科学技術論文動詞集

A nitride semiconductor light-emitting element comprises: an n-side nitride semiconductor 20; an active layer 30 that is formed on the n-side nitride semiconductor 20 and has a quantum well structure including a quantum well layer 32 and a barrier layer 31; and a p-side nitride semiconductor 40 formed on the active layer 30.例文帳に追加

この窒化物半導体発光素子は、ｎ側窒化物半導体２０と、ｎ側窒化物半導体２０上に形成され、量子井戸層３２および障壁層３１を含む量子井戸構造を有する活性層３０と、活性層３０上に形成されたｐ側窒化物半導体４０とを備えている。 - 特許庁

The light-emitting element includes an active layer 5 on the board 2, the active layer having a quantum well structure made by sandwiching a quantum well layer 21 between barrier layers 23 and 52.例文帳に追加

本発明に係る発光素子は、基板２上に、量子井戸層２１をバリア層２３，５２で挟んで積層させた量子井戸構造の活性層５を具備する発光素子であって、基板２の格子定数は、量子井戸層２１の格子定数と、少なくとも１つのバリア層５２の格子定数の間の値であることを特徴とする。 - 特許庁

A simulation method for a semiconductor device has a step for determing a Fermi energy of the semiconductor device when assuming that it has no potential and the neutrality condition of its charge is satisfied, and ignoring any quantum many-body effect in it; and a step for using the Fermi energy to determine the ionization rates of its donor and acceptor when considering the quantum many-body effect in it.例文帳に追加

電位が無く、かつ電荷の中性条件が成立すると仮定し、量子多体効果を無視した場合のフェルミエネルギーを求めるステップと、前記フェルミエネルギーを用いて、量子多体効果を考慮したドナーおよびアクセプターのイオン化率を求めるステップと、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a quantum well type optical detector so designed that only by adding a simple alteration to a structure of the quantum well type optical detector for selectively operating a plurality of laminated MQW layers, and optical absorption in a non-selected MQW layer is not influenced by light incident on a selected MQW layer.例文帳に追加

量子井戸型光検知器に関し、積層された複数のＭＱＷ層を選択的に動作させる量子井戸型光検知器の構造に簡単な改変を加えるのみで、選択したＭＱＷ層への光入射が非選択のＭＱＷ層に於ける光吸収が影響を与えないようにする。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element which shows high external quantum efficiency, has a low dark current value, suppresses deterioration in the external quantum efficiency when the element is subjected to heat treatment, reduces an increase of the dark current and is excellent in heat resistance, and to provide an image pickup element equipped with such the photoelectric conversion element.例文帳に追加

高い外部量子効率を示し、かつ、暗電流値が低く、素子を加熱処理した場合にも、外部量子効率の低下を抑え、暗電流の増加幅を小さくすることが可能な、耐熱性に優れた光電変換素子及びそのような光電変換素子を備えた撮像素子を提供すること。 - 特許庁

The image detector 1 has such transistor structure as quantum dot 12 is integrated, and performs micro/macro conversion to detect absorbing of a single photon by a macro observation value such as increase of current in the channel of a transistor based on decrease of a single photon in the quantum dot 12.例文帳に追加

本発明の画像検出装置１は、量子ドット１２を集積したトランジスタ構造を有し、単一光子の吸収の有無を、上記量子ドット１２中の１個の電子の減少に基づく上記トランジスタのチャンネル中の電流の増加というマクロ的な観測量によって検知するミクロ／マクロ変換を行うようになっている。 - 特許庁

When the information recording medium 11, having the visible information patterns 12, is loaded on or transmitted to a predetermined position, the information patterns 12 is irradiated with excited light H1, with energy higher than that of the band gap of a semiconductor quantum dot to be issued from a light-emitting diode 13 to thermally expand the semiconductor quantum dot.例文帳に追加

可視の情報パターン１２を有する情報記録媒体１１が所定位置に載置され又は送り込まれると、発光ダイオード１３から発行する半導体量子ドットのバンドギャップよりもエネルギーが高い励起光Ｈ１を情報パターン１２に照射し半導体量子ドットを熱膨張させる。 - 特許庁

An optical transmitter 1 comprises a source 1 for generating a pair of quantum tangle photons, a means 3 performing phase modulation of 0 or π at a predetermined time interval for the pair of quantum tangle photons, a separation means 4, and a first storage means for recording modulation data and modulation time.例文帳に追加

光送信機１は、量子もつれ光子対を出力する量子もつれ光子対発生源１と、該量子もつれ光子対に対して、所定の時間間隔で０またはπの位相変調を行う位相変調手段３と、分離手段４と、変調データと変調時刻とを記録する第１の記憶手段とを備える。 - 特許庁

To provide a material for solid solution semiconductor light emitting element for manufacturing a light emitting element which emits light in an ultraviolet visible wavelength region, is variable in wavelength and operates near room temperature, especially the light emitting element having a lattice matching double hetero-junction structure, a quantum well structure, and a quantum dot structure; and to provide the light emitting element.例文帳に追加

本発明は、紫外可視波長領域で発光し、波長可変で室温付近で動作する発光素子、特に格子整合型ダブルヘテロ接合構造、量子井戸構造および量子ドット構造の発光素子を製作可能な固溶半導体発光素子用材料および発光素子を提供する。 - 特許庁

On a sapphire substrate 11, a GaN buffer layer 12, an n-type GaN contact layer 13, an n-type InGaN quantum well active layer 14, a p-type AlGaN sublimation preventing layer 15, and a p-type GaN contact layer 16 are laminated sequentially and the quantum well active layer 14 has a well layer sandwiched by a pair of partition wall layers.例文帳に追加

サファイア基板１１上に、ＧａＮバッファ層１２、ｎ型ＧａＮコンタク層１３、ｎ型ＩｎＧａＮ量子井戸活性層１４、ｐ型ＡｌＧａＮ昇華防止層１５、ｐ型ＧａＮコンタクト層１６が順次積層されており、量子井戸活性層１４は、一対の障壁層にて挟まれた井戸層を有している。 - 特許庁

In computing a quantum level of an exciton made up of an electron and a hole confined within a semiconductor microstructure such as a quantum well, respective wave functions ψ_e and ψ_h for an electron and hole about which a many-body mutual effect among charged-particles is taken into consideration, and their energy E_e and E_h are computed (Step S101).例文帳に追加

量子井戸などの半導体微細構造内に閉じ込められた電子及び正孔からなる励起子の量子準位の演算において、荷電粒子間の多体相互作用効果が考慮された電子及び正孔のそれぞれの波動関数ψ_ｅ、ψ_ｈ、及びそのエネルギーＥ_ｅ、Ｅ_ｈを演算する（ステップＳ１０１）。 - 特許庁

This method for manufacturing the quantum element composed, by providing the quantum box on the substrate comprises the process of forming the hyperfine particles of a semiconductor or a metal whose particle diameter is 100 nm or less outside the substrate and the process of attaching a plurality of the hyperfine particles onto the substrate.例文帳に追加

基板上に量子箱を設けてなる量子素子の製造方法において、粒子径が１００ｎｍ以下の半導体または金属の超微粒子をあらかじめその基板上以外で形成する工程、およびその超微粒子をその基板上に複数付着する工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A light emitting element includes a metal fine structure 18 standing alone as an island in the vicinity of a quantum well layer 6 formed of an InGaN material, wherein an emission wavelength of light discharged from the quantum well layer 6 is substantially equal to a surface plasmon oscillation of the metal fine structure 18.例文帳に追加

ＩｎＧａＮ系材料により形成された量子井戸層６の近傍に、島状に独立した金属微細構造１８を有し、前記量子井戸層６から発射される光の発光波長と、前記金属微細構造１８の表面プラズモン振動と、が概ね一致することを特徴とする発光素子である。 - 特許庁

The quantum computer (57) has a trench-isolated channel area (2) formed on a silicon-germanium layer doped with boron, and the layer has narrow channel areas (7, 8, 9) forming a tunnel barrier and wide channel areas (10, 11) forming 1st and 2nd quantum dots (10, 11).例文帳に追加

量子コンピュータ（５７）は、ボロンをドープ処理したシリコン−ゲルマニウム層内に形成したトレンチ隔離したチャンネル領域（２）を備えており、前記層がトンネル障壁を形成する幅狭のチャンネル領域（７，８，９）と、第１及び第２の量子ドット（１０，１１）を形成する幅広のチャンネル領域（１０，１１）とを有する。 - 特許庁

Control unitary transformation is realized through which a quantum bit is expressed by direction of polarization of light, a polarized optical pulse train expressing a quantum bit string is sequentially inputted, and magnitude of polarization rotation and phase difference acting on a certain optical pulse is decided based on a measurement result of the polarization for the optical pulse train inputted prior to it.例文帳に追加

量子ビットを光の偏光方向で表し、量子ビットの列を表す偏光した光パルス列を順次入力し、ある光パルスに作用する偏光回転および位相差の大きさを、それ以前に入力された光パルス列の偏光の測定結果を元に決定することにより、制御ユニタリ変換を実現する。 - 特許庁

A vertical light-emitting diode (VLED) die includes a metal base (base) 12, a mirror 14 on the metal base, a p-type semiconductor layer 16 on the mirror, a multiple quantum well (MQW) layer 18 on the p-type semiconductor layer configured to emit light, and an n-type semiconductor layer 20 on the multiple quantum well (MQW) layer.例文帳に追加

垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイは、金属ベース（基部）１２と、金属ベース上のミラー１４と、ミラー上のｐ型半導体層１６と、光を放出するように構成された、ｐ型半導体層上の多重量子井戸（ＭＱＷ）層１８と、多重量子井戸（ＭＱＷ）層上のｎ型半導体層２０と、を含む。 - 特許庁

A quantum encryption section 11 uses an optical signal passing through a transmission line to make communication of quantum encryption, and rates a common bit 16, and a common key encryption section 15 uses the common bit 16 having high security for a key to encrypt a plain text into an encrypted text at a high-speed or decrypt an encrypted text into a plain text at a high speed.例文帳に追加

量子暗号化部１１は、伝送路を通過する光信号を用いて量子暗号の通信を行い、共有ビット１６を生成し、共通鍵暗号化部１５は、安全性の高い共有ビット１６を鍵として平文を高速に暗号文に暗号化し、または、暗号文を高速に平文に復号する。 - 特許庁

This light emitting element 1 has at least a positive electrode 3, a luminescent layer 5 containing the quantum dot 11, and a negative 4 in this order, and density of the quantum dot 11 in the thickness direction of the luminescent layer 5 becomes small as it goes toward the negative electrode side from the positive electrode side.例文帳に追加

少なくとも、陽極３と、量子ドット１１を含有する発光層５と、陰極４とをその順で有する発光素子１であって、発光層５の厚さ方向における量子ドット１１の密度が陽極側から陰極側に向かって小さくなるように構成して、上記課題を解決した。 - 特許庁

Each material and each thickness of the barrier layer 21 and the quantum well layer 22 is selectively set so that electrons can pass through the barrier layer 21 by a tunnel effect, and that the X level of the barrier layer 21 which is present in a Γ mini-band and the Γlevel of the quantum well layer 22 can be turned into a resonating state.例文帳に追加

障壁層２１と量子井戸層２２の各材料と各厚さを、電子が障壁層２１をトンネル効果により通過可能であり、Γミニバンド中に障壁層２１のＸ準位が存在して障壁層２１のＸ準位と量子井戸層２２のΓ準位とが共鳴状態となるように選択設定される。 - 特許庁

A calculation base axis evaluating section 14 determines whether to adopt the set matrix V_j based on fidelity obtained by correcting quantum error caused by symmetric noise with respect to a state of no quantum error, wherein the symbol E* represents a set symbol, which means "belong to".例文帳に追加

..,n} ,n≧2〕番目の物理量子ビットQ_jの計算基底軸の回転を示す2×2のユニタリー行列V_jを設定し、計算基底軸評価部１４が、量子誤りの無い状態に対する、対称性のあるノイズによる量子誤りを訂正した後の状態のフィデリティに基づいて、設定された行列V_jを採用するか否かを判定する。 - 特許庁

The semiconductor quantum dot sensitized solar cell is equipped with a metal oxide n-type semiconductor film such as titanium oxide formed on the transparent electrode side; semiconductor quantum dots having a diameter of 6 nm or less such as Cds or Pbs carried on the n-type semiconductor; an inorganic liquid electrolyte such as a polysulfide aqueous solution; and a counter electrode.例文帳に追加

透明電極側に形成された酸化チタンなどの金属酸化物ｎ型半導体膜と、このｎ型半導体膜に担持されたＣｄＳ、ＰｂＳなどの直径６ｎｍ以下の半導体量子ドットと、多硫化物水溶液などの無機系液体電解質と、対極とを備えていることを特徴とする。 - 特許庁

Nitrogen is used for a carrier gas for growing the crystal of a well layer with a GaN/AlGaN or AlGaN/AlGaN quantum well structure and/or a substance including In is simultaneously supplied for the crystal growth so as to provide a compression strains to the well layer thereby controlling the magnitude and/or the sign of the quantum well structure.例文帳に追加

ＧａＮ／ＡｌＧａＮまたはＡｌＧａＮ／ＡｌＧａＮ量子井戸構造の井戸層の結晶成長において、キャリアガスとして窒素を使用すること、および／またはＩｎを含む物質を同時供給することにより井戸層に圧縮性歪みを付与することにより、量子井戸構造の歪みの大きさおよび／または符号を制御する。 - 特許庁

For the method of measuring quantum efficiency of the electroluminescent element and the system used for the same, using the data of brightness L0(j) of the electroluminescent element at the front of the element and the data of spectrum E(l, θ) and radiation pattern I(θ) at the observation angle λ, the quantum efficiency ΦEL is calculated in accordance with the formula (1).例文帳に追加

電界発光素子の、素子正面での輝度Ｌ_0 （ｊ）のデータと、観測角θにおけるスペクトルＥ（λ，θ）及び放射パターンＩ（θ）のデータとから、下記式（１）に従い量子効率ΦＥＬを計算する、電界発光素子の量子効率を測定する方法及びそれに用いるシステムである。 - 特許庁

Moreover, in an example of a multiple quantum well structure, the semiconductor light emitting device has an active layer including a multiple quantum well structure of a band structure, shown in Fig. 1 (b), in which InN well layers 48A to 48C are sandwiched by GaN barrier layers 46A to 46D, respectively.例文帳に追加

また、本半導体発光素子は、多重量子井戸構造の例では、ＧａＮ障壁層４６Ａ〜ＤとＧａＮ障壁層４６Ａ〜Ｄの各障壁層間にそれぞれ挟まれたＩｎＮ井戸層４８Ａ〜Ｃと有する、図１（ｂ）に示すようなバンド構造の多重量子井戸構造からなる活性層を備えている。 - 特許庁

A GaN buffer layer 12, an n-type GaN contact layer 13, an n-type InGaN quantum well active layer 14, a p-type AlGaN sublimation preventing layer 15, and a p-type GaN contact layer 16 are laminated successively on a sapphire substrate 11, where the quantum well active layer 14 is equipped with a well layer sandwiched inbetween a pair of barrier layers.例文帳に追加

サファイア基板１１上に、ＧａＮバッファ層１２、ｎ型ＧａＮコンタク層１３、ｎ型ＩｎＧａＮ量子井戸活性層１４、ｐ型ＡｌＧａＮ昇華防止層１５、ｐ型ＧａＮコンタクト層１６が順次積層されており、量子井戸活性層１４は、一対の障壁層にて挟まれた井戸層を有している。 - 特許庁

The method for forming the quantum dots on the surface 10a of a substrate 10 includes a catalyst-layer forming step for forming a catalyst layer 12 containing catalyst materials in a plurality of regions that correspond to the quantum dots by physically evaporating the catalyst material on the surface 10a.例文帳に追加

この製造方法は、基材１０の表面１０ａ上に量子ドットを製造する方法であって、表面１０ａ上に触媒材料を物理蒸着することにより、触媒材料を含む触媒層１２を量子ドットに対応する複数の領域に形成する触媒層形成工程を含む。 - 特許庁

An AC current acting like power supply for the superconducting amplifier circuit is applied as a master clock signal to the single flux quantum circuit and the semiconductor circuit, the operations of the circuits are synchronous with the master clock signal, and the single flux quantum circuit comprises a clock signal multiplier circuit, a distribution circuit and a storage circuit.例文帳に追加

超電導増幅回路の電源となる交流電流をマスタクロック信号として単一磁束量子回路と半導体回路へ入力し、各回路の動作をマスタクロック信号に同期させると同時に、単一磁束量子回路を、クロック信号逓倍回路および分配回路、記憶回路で構成する。 - 特許庁

Accordingly, since signal charges being trapped in the valley of the potential on the interface becomes fewer, it is expected that quantum efficiency will not be reduced much, even after irradiation.例文帳に追加

従って、信号電荷が界面での電位の谷にトラップされることが少なくなるので、照射後においても量子効率はあまり低下しないと考えられる。 - 特許庁

The method for manufacturing the Si semiconductor device having the quantum well structure comprises steps of forming an Si insulating layer 120 on an Si substrate 110, and further forming a thin metal layer 130 having a thickness of 10 nm or less on the layer 120.例文帳に追加

Ｓｉ系基板１１０の上にＳｉ系絶縁層１２０を形成し、さらにその上に、厚みが１０ｎｍ以下の薄い金属層１３０を形成する。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing a single-electron transistor, where the size of a quantum point can be reduced to a level of a few tens of nm exceeding the limit of an electron beam lithography.例文帳に追加

電子線リソグラフィーの限界を超えて量子点のサイズを数十ｎｍの水準まで縮小することが可能な単電子トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescence element assuring higher external extracting efficiency of quantum and longer light emitting life span, and also to provide a display device and a lighting device provided with the organic electroluminescence element.例文帳に追加

外部取り出し量子効率が高く、発光寿命が長い有機エレクトロルミネッセンス素子、及び該有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた表示装置、照明装置を提供する。 - 特許庁

To realize an infrared light receiving element, which prevents drop of sensitivity, controls leakage current at the surface of quantum well layer and reduces dark current, and to provide a method of manufacturing the same element.例文帳に追加

感度低下を防止し量子井戸層表面でのリーク電流を抑制し暗電流の低減が可能な赤外受光素子及びその製造方法を実現する。 - 特許庁

To provide a method and a device with which a sender and a receiver encipher and transmit an optional quantum state without sharing a previously and mutually entangled pair of qubits.例文帳に追加

送信者、受信者が予めもつれ合った対のqubitを共有すること無しに、任意の量子状態を暗号化して伝送する方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor storage device 1 comprises an SOI substrate 11, quantum dots 21, interpoly insulating films 27, line patterns 29, an interlayer dielectric 301, and a bit line 31.例文帳に追加

半導体記憶装置１は、ＳＯＩ基板１１と、量子ドット２１と、インターポリ絶縁膜２７と、ラインパターン２９と、層間絶縁膜３０１と、ビット線３１とを備える。 - 特許庁

One to fifteen layers of a unit layer, which is formed as above, are laminated making their quantum dots align with each other into a multilayered structure which serves as a light emitting layer.例文帳に追加

以上のようにして形成した単位層を、量子ドットの位置を一致させるように１〜１５層重ねた多重構造を作成することにより発光層を形成する。 - 特許庁