「radical source」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A high voltage pulse power source 2 connected to an AC power source 1 is connected to a radical generator 3 that generates the radical from the raw material gas.例文帳に追加

交流電源１と接続する高電圧パルス電源２を、原料ガスからラジカルを生成するラジカル発生器３と接続している。 - 特許庁

A radical beam 7 is generated with a downstream radical beam source 10 to remove contaminants from a surface 8.例文帳に追加

ダウンストリーム・ラジカル源１０を使用して、表面８から汚染物質を除去するためのラジカルのビーム７を生成する。 - 特許庁

To provide a plasma source device as a novel composite vapor deposition device usable for an ion source and a radical source, capable of forming a good quality thin film on a base board by selectively emitting only a radical of film forming species particularly at operation time as the radical source, usable in common to the ion source and the radical source, and capable of forming respective superior thin films.例文帳に追加

イオン源及びラジカル源に用いることができ、とくにラジカル源としての運用時には、成膜種のラジカルのみを選択的に放出して基板に良質の薄膜を形成し得るようにし、イオン源とラジカル源とに共用してそれぞれの良好な薄膜を形成することができる新規な複合型蒸着装置としてのプラズマ源装置を提供する。 - 特許庁

The conduit may supply radicals from the plasma radical source to a surface to be cleaned.例文帳に追加

導管は、プラズマラジカル源からクリーニングされる表面へラジカルを供給してもよい。 - 特許庁

This radical-supplying device 40 has a plasma generation region 43 where the plasma is generated by a plasma source 50 and a radical generation region 44 where the radical is generated by the plasma.例文帳に追加

このラジカル供給装置４０は、プラズマ源５０によりプラズマが生成されるプラズマ生成領域４３と、プラズマによりラジカルが生成されるラジカル生成領域４４とを有する。 - 特許庁

NEGATIVE ION SOURCE, ION BEAM ANALYSIS DEVICE, ETCHING DEVICE, OXYGEN RADICAL GENERATION DEVICE AND WASTE GAS PROCESSOR例文帳に追加

負イオン源、イオンビーム分析装置、エッチング装置、酸素ラジカル発生装置及び排ガス処理装置 - 特許庁

As the silicon source, an amino group, an amino group having a carbonized substance as a free radical, etc. are also used.例文帳に追加

シリコンソースとして、アミノ基、炭素化物を遊離基に持つアミノ基などを持つものも挙げられる。 - 特許庁

A hydrogen gas is mode to flow to a discharge chamber 56, electric discharge is caused by a radical source, and a hydrogen radical is supplied into a laser irradiation chamber 50 through a radial transport pipe 55.例文帳に追加

放電室５６に水素ガスを流し、ラジカル源で放電し、水素ラジカルをラジカル移送管５５を通してレーザー照射室５０内に供給する。 - 特許庁

An in situ radical-generating reactant is also introduced into the reactor together with a cationic ion deposition source.例文帳に追加

原位置ラジカル発生反応物がまた、カチオン性イオン堆積源と共に反応器内に導入される。 - 特許庁

As the source material 28, an organic source of TMG (trimethylgallium) or the like can be used, and as the nitrogen-containing gas, a nitrogen radical-containing gas can be used.例文帳に追加

ソース物質２８としては、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）等の有機ソースを用いてもよく、窒素含有ガスとしては、窒素ラジカルを含むガスを用いてもよい。 - 特許庁

In a radical-generating chamber 41 disposed outside the reaction chamber 10, hydrogen radicals 38 are generated by decomposing a radical source gas 36 containing hydrogen using an RF wave and the like.例文帳に追加

一方、反応室１０の外部に設けられたラジカル発生室４１において、少なくとも水素を含むラジカル源ガス３６をＲＦ波等により分解して水素ラジカル３８を生成する。 - 特許庁

Subsequently, the ZnO oxide semiconductor grows in order by applying the material source containing radical oxygen.例文帳に追加

その後、ラジカル酸素を含む材料源を照射することによりＺｎＯ系酸化物半導体を順次成長する（Ｓ５）。 - 特許庁

A plasma processing apparatus includes: a processing gas supply source 8 installed outside a vacuum chamber 12; and a radical emitter 10 for discharging processing gas supplied from the processing gas supply source 8.例文帳に追加

真空槽１２の外部に設けられた処理ガス供給源８と、処理ガス供給源８から供給された処理ガスを放電させるラジカル放出器１０とを備える。 - 特許庁

To provide a film deposition system in which the deactivation of a radical generated in a catalyst source is prevented, and the reaction between a gaseous starting material and the radical is efficiently performed so as to deposit a desired film, and a film deposition method.例文帳に追加

触媒源で発生したラジカルの失活を防いで、原料ガスとラジカルとの反応を効率よく行って所望の膜を形成することができる成膜装置及び成膜方法の提供。 - 特許庁

The radical source 5 has a feed pipe 10 including SUS and a plasma generation pipe 11 connecting to the feed pipe 10.例文帳に追加

ラジカル源５は、ＳＵＳからなる供給管１０と、供給管１０に接続するプラズマ生成管１１を有している。 - 特許庁

The liquid crystal device can suppress the reactivity of a radical to suppress the polymerization of a liquid crystal molecule 30 because even if the radical is generated in the liquid crystal molecule 30 in a liquid crystal layer 6 having received a light from a light source 107, the radical reacts with a polymerization inhibitor 31 comprising a hydroquinone having a benzene ring with a hydroxy group as a basic skeleton to eliminate the radical.例文帳に追加

光源１０７からの光を受けた液晶層６内の液晶分子３０にラジカルが発生しても、そのラジカルは、ヒドロキシ基を有するベンゼン環を基本骨格としたヒドロキノンからなる重合抑制剤３１と反応することによって消失するので、ラジカルの反応性を抑え、ひいては液晶分子３０の重合を抑えることができる。 - 特許庁

A radical is supplied to a substrate S from a source of radical 3 along the direction almost orthogonal to a machined surface of the substrate S, a neutral particle beam source 4 irradiates a neutral particle beam NB along the direction almost parallel to the machined surface of the substrate S.例文帳に追加

基板Ｓには、基板Ｓの加工面に対して略直交する方向に沿って、ラジカル源３からラジカルが供給され、基板Ｓの加工面に対して略並行な方向に沿って、中性粒子ビーム源４から中性粒子ビームＮＢが照射される。 - 特許庁

The halogenoheptafluorocyclopentane is produced by bringing 1H, 1H, 2H-heptafluorocyclopentane into contact with a halogenation agent in the presence of a radical source.例文帳に追加

ラジカル発生源存在下、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ−ヘプタフルオロシクロペンタンをハロゲン化剤に接触させて、ハロゲノヘプタフルオロシクロペンタンを製造する。 - 特許庁

A plasma treatment apparatus includes a radical ejector 10 which is prepared movably relative to a substrate 5, which discharges the treatment gas supplied from a treatment gas supply source 8 and ejects the radical of the treatment gas to the substrate 5.例文帳に追加

基板５に対して相対移動可能に設けられ、処理ガス供給源８から供給された処理ガスを放電させ、当該処理ガスのラジカルを基板５に向って放出するためのラジカル放出器１０を備える。 - 特許庁

Accordingly, the cost of facilities and power required to generate the radicals can be reduced as compared with a conventional radical source using microwaves.例文帳に追加

これにより、マイクロ波を用いた従来のラジカル源と比較して、ラジカルの生成に必要な設備および電力を低コストに抑えることができる。 - 特許庁

A buffer layer consisting of the ZnO oxide semiconductor is grown by applying a material source including radical oxygen onto the substrate (S2).例文帳に追加

そして、ラジカル酸素を含む材料源を基板に照射することによりＺｎＯ系酸化物半導体からなるバッファ層を成長する（Ｓ２）。 - 特許庁

When a silicon dioxide film is formed using the ALD method, a siloxane compound substituted with a halogen element or -NCO radical is used as a Si source.例文帳に追加

ＡＬＤ法により二酸化シリコン膜を形成するにあたってハロゲン元素または−ＮＣＯ基に置換されたシロキサン化合物をＳｉソースとして使用する。 - 特許庁

When atmosphere in the vicinity of the treatment object S is air or oxygen or water (vaporized state) is supplied from a radical source supply pipe 4 to the treatment object, and reacted with the hollow cathode plasma P of argon, oxygen is converted to an atomic oxygen and water is converted to a hydroxy radical.例文帳に追加

処理対象Ｓ近傍の雰囲気が空気であったり、或いはラジカル源供給管４から酸素又は水（気化状態）を供給すれば、アルゴンのホローカソードプラズマＰとの反応により、酸素が原子状酸素に、水がヒドロキシルラジカルになる。 - 特許庁

The cleaning structure includes a hydrogen radical source constituted to provide a gas including a hydrogen radical to at least a part of a module; and a pump constituted to carry out a pump exhaust of the gas from the module, so that a flow rate of the gas including the hydrogen radical provided through at least the part of the module may become at least 1 m/s.例文帳に追加

浄化構造は、水素ラジカル含有ガスをモジュールの少なくとも一部に提供するように構成された水素ラジカル源と、モジュールの少なくとも一部を通って提供される水素ラジカル含有ガスの流速が少なくとも１ｍ／ｓになるよう、モジュールからガスをポンプ排気するように構成されたポンプとを備えている。 - 特許庁

The method for producing a polymer includes a process for performing free radical polymerization of a composition comprising (A) a disulfide compound having a skeleton structure shown by a general formula (1), (B) a polymerizable component including at least one kind of unsaturated ethylene monomer, and (C) a free radical source.例文帳に追加

（Ａ）下記一般式（１）で表される骨格構造を有するジスルフィド化合物と、（Ｂ）少なくとも１種のエチレン性不飽和モノマーを含む重合成分と、（Ｃ）フリーラジカル源と、を含有する組成物をフリーラジカル重合する工程を含む、ポリマーの製造方法。 - 特許庁

The terminal structure of a narrow dispersion polymer having a polymer terminal structure of general formula (1) is converted by reacting the polymer with a chain transfer agent and a free radical source.例文帳に追加

一般式（１）の重合体末端構造を有する狭分散性の重合体に連鎖移動剤と遊離ラジカル源を作用させることにより末端構造を変換する。 - 特許庁

The radical source has a feed pipe 10 including SUS and a cylinder-like plasma generation pipe 11 including thermal decomposition boron nitride (PBN) connecting to the feed pipe 10.例文帳に追加

ラジカル源は、ＳＵＳからなる供給管１０と、供給管１０に接続する熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）からなる円筒状のプラズマ生成管１１を有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor plasma processing device that can enhance etching uniformity, by compensating a radical-side concentration phenomenon which is a weakness of an inductively coupled plasma source.例文帳に追加

本発明の誘導結合プラズマ源の短所であるラジカル側面集中現象を補ってエッチング均一度を高めることができる半導体プラズマ処理装置に関する。 - 特許庁

The optical element is irradiated with a UV radiation beam from a radiation source LA for mask pattern projection or a radiation source 7 exclusive for purge whereby the beam of radiation decomposes oxygen and produces an oxygen radical which cleans the optical element very effectively.例文帳に追加

マスクパターン投影用の線源ＬＡからの、またはパージ専用線源７からのＵＶ放射線ビームをこの光学要素に照射するので、この放射線が酸素を分解して酸素ラジカルを作り、それらが非常に効果的に光学要素をクリーニングする。 - 特許庁

The organic thin-film transistor has a gate electrode, a gate insulating film, an organic semiconductor film, a source electrode, and a drain electrode on a substrate, wherein a gate insulating film, obtained from a photocurable composition containing a polysiloxane compound having a radical polymerizable group and an optical radical generating agent, is used as the gate insulating film.例文帳に追加

基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、有機半導体膜、ソース電極、及びドレイン電極を備える有機薄膜トランジスタにおいて、当該ゲート絶縁膜として、ラジカル重合性基を有するポリシロキサン化合物と光ラジカル発生剤とを含有する光硬化性組成物から得られたゲート絶縁膜を用いる。 - 特許庁

To provide a ceramic nanoparticle or a colloidal water dispersion including the same which is a medical effective ingredient for effectively exerting a free radical erasing performance against the free radicals in living bodies, particularly hydrogen peroxide being a free radical generation source, and which exerts an innovative effect in its use in various fields, and also to provide a method for production thereof.例文帳に追加

生体内ラジカル、特にラジカル発生源となる過酸化水素などに対し効果的にラジカル消去能を発揮することができる医薬の有効成分となる他、凡ゆる分野において利用され、夫々の分野で画期的な効果を発揮するナノセラミック微粒子とナノコロイド水を提供し、その製造方法を提唱すること - 特許庁

In this process, a mixture comprising at least one monomer, at least one free radical source, and a controlling agent having a thiocarbonyl group is polymerized and a post-treatment such as removing its thio part from the polymer and the like is carried out.例文帳に追加

１以上のモノマーと、少なくとも１つのフリーラジカルソースと、チオカルボニル基を有する制御剤とからなる混合物を重合し、ポリマーからチオ部を分離する等の後処理を行なう。 - 特許庁

A substrate cleaning apparatus has a remote source to remotely energize a hydrogen-containing gas to form an energized gas having a first ratio of ionic hydrogen-containing species to radical hydrogen-containing species.例文帳に追加

基板洗浄装置は、イオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との第一比率を有する活性ガスを形成するために水素含有ガスを遠隔励起するリモートソースを有する。 - 特許庁

Odor component, harmful gas, and floating germs adhering to the photocatalyst applied panel 2 are decomposed and removed by hydroxy radical and super-oxide anion generated on the photocatalyst surface by irradiation of light from the light source 3.例文帳に追加

光触媒塗布パネル２に付着した臭い成分、有害ガス、浮遊菌は、光源３から光が照射され光触媒表面上に発現したヒドロキシラジカル、スーパーオキサイドアニオンにより分解除去される。 - 特許庁

The present invention relates to a hair coloring and bleaching composition which comprises (i) at least one source of peroxycarbonate ion, (ii) at least one alkalizing agent, preferably a source of ammonium ion, and (iii) at least one radical scavenger and has a pH of up to 9.5.例文帳に追加

ｉ）ペルオキシ一炭酸イオンの少なくとも１つの供給源、ｉｉ)少なくとも１つのアルカリ化剤、好ましくはアンモニウムイオンの供給源、及びｉｉｉ）少なくとも１つのラジカルスカベンジャーを含む毛髪着色及び漂白組成物に関し、その際前記組成物は９．５までのｐＨを有する。 - 特許庁

In the method for forming the film coated with porous titanium oxide thin film, a winding device for winding up the polymer film substrate is provided and titanium metal or titanium oxide is evaporated from an evaporation source arranged under the substrate and simultaneously the substrate is irradiated with an oxygen radial and a rare-gas ion from a radical beam generation source and an ion beam generation source to deposit the titanium oxide thin film onto the substrate.例文帳に追加

ポリマーフィルム基材を巻き取る巻取装置を備え、その基材の下方に設置された蒸発源から金属チタンあるいは酸化チタンを蒸発させ、同時にラジカルビーム発生源及びイオンビーム発生源から酸素ラジカルおよび希ガスイオンを照射し、前記基材上で酸化チタン薄膜を形成することを特徴とする多孔性酸化チタン薄膜被覆フィルムの形成方法である。 - 特許庁

The method for synthesizing the resin involves regulating the boiling point of (D) an organic solvent so as to be ≥120°C in the polymerization of a system comprising (A) an ethylenically unsaturated monomer, (B) a radical source, (C) a molecular weight regulator of a thiocarbonylthio compound, and (D) the organic solvent.例文帳に追加

（Ａ）エチレン性不飽和モノマー、（Ｂ）ラジカル発生源、（Ｃ）チオカルボニルチオ化合物の分子量制御剤、および（Ｄ）有機溶媒を含んだ系の重合において、（Ｄ）有機溶媒の沸点が１２０℃以上である、樹脂の合成法。 - 特許庁

The alcohol can be oxidized by a process in which a primary or secondary alcohol is reacted with an oxygen-containing gas in the presence of a catalyst composition containing (i) a stable free nitroxyl radical derivative, (ii) a nitrate source, (iii) a bromide source, and (iiii) a carboxylic acid, thereby obtaining an aldehyde or a ketone.例文帳に追加

アルコールは、（ｉ）安定なニトロキシルフリーラジカル誘導体、（ｉｉ）硝酸塩源、（ｉｉｉ）臭化物源及び（ｉｉｉｉ）カルボン酸を含有する触媒組成物の存在で第一アルコール又は第二アルコールを酸素含有ガスと反応させる方法によって酸化されることができ、それによりアルデヒド又はケトンが得られる。 - 特許庁

The high frequency power source 116 feeds electric power to the radical generating device 115, perfectly covers a sealed metallic vessel and an insulated electrode with dielectrics, introduces gas containing a reactive gas from a gas introduction part, applies high frequency electric power to the space between the metallic vessel and the electrode to cause discharge, and releases the radical of the reactive gas caused by the discharge.例文帳に追加

高周波電源１１６はラジカル発生装置に電力を供給し、密閉された金属容器と絶縁された電極を誘電体で完全に被覆し、ガス導入部から反応性ガスを含むガスを導入し、金属容器と電極間に高周波電力を印加して放電を起こし、放電によって生じた反応性ガスのラジカルを放出可能とする。 - 特許庁

By the action of the switching circuit 2b controlled by the control circuit 4, a high voltage output to be charged between the electrodes of the radical generator 3 from the high voltage pulse power source 2 is converted to an intermittent high voltage pulse output of highly frequently repeating pulse generation and pulse suspension.例文帳に追加

制御回路４の制御で、スイッチング回路２ｂの動作により、高電圧パルス電源２からラジカル発生器３の電極間に供給する高電圧出力を、高繰り返しパルスの発生とパルスの休止がある間欠高電圧パルス出力にする。 - 特許庁

This method for producing a fluorinated alcohol of the formula: H(CFR1CF2)nCH2OH [(n) is 1 or 2; when (n) is 1, R1 is F or CF3, or when (n) is 2, R1 is F] comprises reacting methanol with tetrafluoroethylene or hexafluoropropylene in the presence of a radical-generating source.例文帳に追加

メタノール及びテトラフルオロエチレン若しくはヘキサフルオロプロピレンをラジカル発生源の存在下に反応させて下記式（１） Ｈ（ＣＦＲ^1ＣＦ_2）_nＣＨ_2ＯＨ （１） 〔ｎ＝１または２であって、ｎ＝１のときＲ^1はＦまたはＣＦ_3を示し、ｎ＝２のときＲ^1はＦを示す。 - 特許庁

The hydrogen radical feeding mechanism 40 includes a vessel 51 for generating hydrogen radicals, a hydrogen gas feeding mechanism 42 for feeding hydrogen gas in the vessel 51, a catalyst wire 53 provided in the vessel 51, a variable DC power source 56 for heating the catalyst wire 53, and a hydrogen radical introducing pipe 43 for introducing the hydrogen radicals generated by the contact of the hydrogen gas with the catalyst wire 53 heated in the vessel 51 into the chamber 1.例文帳に追加

水素ラジカル供給機構４０は、水素ラジカルを生成する容器５１と、容器５１内に水素ガスを供給する水素ガス供給機構４２と、容器５１内に設けられた触媒ワイヤ５３と、触媒ワイヤ５３を加熱する可変直流電源５６と、容器５１内で加熱された触媒ワイヤ５３に水素ガスが接触して生成した水素ラジカルをチャンバ１に導入する水素ラジカル導入配管４３とを有する。 - 特許庁

A two-step method of polymerizing a composition containing a free radical photoinitiator includes the sequential steps of exposing the composition to a first radiation source having a maximum spectral output occurring at a wavelength of longer than 300 nm and, thereafter, exposing the composition to a second radiation source having a maximum spectral output occurring at a wavelength of 200-280 nm.例文帳に追加

フリーラジカル光開始剤を含有する組成物を重合させる二段法が、３００ｎｍより大きい波長で起こる最大スペクトル出力を有する第１の放射線源に前記組成物を露光する工程と、その後、２００〜２８０ｎｍの波長で起こる最大スペクトル出力を有する第２の放射線源に前記組成物を露光する工程と、の順次の工程を含む。 - 特許庁

This device is provided with a chamber 100 for introducing a wafer, radical source 102 capable of supplying radicals into the chamber 100, beam source 104 capable of supplying ion beams or plasmas into the chamber 100, wafer stage 106 capable of supporting and fixing the wafer led into the chamber 100 and neutralizer 108 capable of neutralizing electric charges inside the chamber 100 ionized by the ion beams, plasmas or radicals.例文帳に追加

ウエハが導入されるチャンバ１００と、チャンバ１００内にラジカルを供給できるラジカルソース１０２と、チャンバ１００内にイオンビームまたはプラズマを供給できるビームソース１０４と、チャンバ１００内に導入されるウエハを支持して固定できるウエハステージ１０６及び前記イオンビーム、プラズマまたはラジカルによりイオン化されたチャンバ１００内の電荷を中和できる中和器１０８を含む。 - 特許庁

The apparatus for decomposing and removing the volatile organic compound is provided with a flow passage (a), the ultraviolet irradiation means (b) arranged in the flow passage, a catalyst means (c) provided in the periphery of the ultraviolet irradiation means, and a means (d) for supplying the gas of a halogen radical generation source.例文帳に追加

本発明は、流通路（ａ）、該流通路内に配置された紫外線照射手段（ｂ）、該紫外線照射手段の周囲に設けられた触媒手段（ｃ）、及びハロゲンラジカル発生源ガスを供給する手段（ｄ）を設けた揮発性有機化合物の分解除去装置である。 - 特許庁