「s electron」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The solvent S contains an electron donator such as triethanolamine.例文帳に追加

溶液Ｓは、トリエタノールアミン等の電子供与体を含む。 - 特許庁

The center axis of the inner surface is substantially perpendicular to the electron impact surface S.例文帳に追加

上記内面の中心軸は、電子衝突面Ｓにほぼ垂直である。 - 特許庁

The electron emission time constant t_s^th (t_i, T) of the priming electron is calculated by overlap integral of energy state density of the electron emission source and a window function.例文帳に追加

電子放出源のエネルギー状態密度とウインドウ関数の重なり積分によりプライミング電子の電子放出時定数ｔ_s^th（ｔ_ｉ，Ｔ）を算出する。 - 特許庁

This electron beam device is equipped with an optical system 10 forming an electron beam emitted from an electron gun 11 in a plurality of electron beams and scanning the electron beams on a sample S for irradiation; and a plurality of detectors 21 for detecting secondary electrons emitted from the sample by irradiation of the electron beams.例文帳に追加

電子銃１１から放出された電子線を複数の電子ビームに形成し、電子ビームで試料Ｓ上を走査して照射する光学系１０と、電子ビームの照射により試料から放出された二次電子を検出する複数の検出器２１とを備えている。 - 特許庁

The electron beam apparatus also comprises a partition plate S, that separates the electron gun chamber 1 from a plurality of electron optical systems Y and has holes 8, through which a plurality of electron beams can pass.例文帳に追加

電子線装置は、電子銃部１と複数の電子光学系Ｙとの間を仕切ると共に複数の電子ビームが通過可能な孔８を有する仕切板Ｓを更に備える。 - 特許庁

The secondary-electron detection signal is digitized and transferred to efficiently obtain a high-quality electron-beam image with a high S/N ratio.例文帳に追加

また、二次電子検出信号をデジタル化してから転送し、高効率に高ＳＮ比で良質な電子線画像を取得する。 - 特許庁

The surface potential Vs of the photoreceptor sample S is measured by discriminating a boundary (|Vacc|=|Vs|) between a secondary electron image and an inverted electron image.例文帳に追加

２次電子像と反転電子像の境界（｜Ｖａｃｃ｜＝｜Ｖｓ｜）を識別することにより感光体試料Ｓの表面電位Ｖｓを計測する。 - 特許庁

The surface analyzer 1 includes an electron beam lens barrel 3 for irradiating a sample S surface with primary electron beams, and the spin detector 5.例文帳に追加

また、表面分析装置１は、試料Ｓ表面に１次電子線を照射する電子線鏡筒３と、上記スピン検出器５と、を有する。 - 特許庁

To obtain an imaged picture signal having high S/N by shortening an electron multiplication drive time.例文帳に追加

電子増倍駆動時間の短時間化を図り高Ｓ／Ｎの撮像画像信号を得る。 - 特許庁

A photoreceptor sample S to which an electron beam is radiated in a charged particle optical system 10 is irradiated.例文帳に追加

荷電粒子光学系１０で電子ビームを放射した感光体試料Ｓに照射する。 - 特許庁

When a locus of implantation ions is calculated by the Monte Carlo method to generate an ion implantation distribution, an electron stopping power S_e with respect to implantation ions is expressed by a combination of an electron stopping power S_eL of the Lindhard model, and an electron stopping power S_e-mB, corresponding to a modification of the electron stopping power S_eB of the Bethe model.例文帳に追加

注入イオンの軌跡をモンテカルロ法によって計算してイオン注入分布を発生させる際に、前記注入イオンに対する電子阻止能Ｓ_ｅを、リントハルトモデルの電子阻止能Ｓ_ｅＬと、ベーテモデルの電子阻止能Ｓ_ｅＢを修正した修正電子阻止能Ｓ_ｅ-ｍＢとの組合せにより表す。 - 特許庁

Especially, the of the electrical conductance of the electron source and the hole source are desirably 10^-8 to 10^2 S/cm.例文帳に追加

特に、電子源とホール源の導電度は好ましくは、１０^−８〜１０^２Ｓ／ｃｍである。 - 特許庁

At this time, the electron scattered by the sample S is interrupted by the aperture member 31, which allows the sample S to be observed with high resolution.例文帳に追加

このとき、試料Ｓによる散乱電子が絞り部材３１によって遮断されるため、高分解能で試料Ｓを観察することができる。 - 特許庁

An S is a sample cross-section desired to be obtained by an operator, in Fig. (c), and the sample cross-section S is observed thereafter by a scanning electron microscope or the like.例文帳に追加

図９（ｃ）において、Ｓはオペレーターが得たかった試料断面であり、この試料断面Ｓは後で走査電子顕微鏡などで観察される。 - 特許庁

To provide an electron microscope control device capable of controlling the intensity and/or acceleration voltage of an electron beam applied to a sample to a low value and enabling acquisition of an electron microscope image having a high S/N ratio.例文帳に追加

試料に対して照射する電子ビームの強度や加速電圧を低く抑え、かつ高いＳ／Ｎの電子顕微鏡画像を得ることを可能とする電子顕微鏡制御装置を提供する。 - 特許庁

To measure a high S/N ratio and high space resolution elastic scattering electron image, an element image formed with characteristic X-rays and an element image formed by an electron beam energy spectrum in an electron microscope device having an element image generating function.例文帳に追加

元素像を生成する機能を有する電子顕微鏡において、高Ｓ／Ｎかつ高空間分解能の弾性散乱電子像や特性Ｘ線による元素像や電子線エネルギー分光による元素像を測定できるようにする。 - 特許庁

The scanning electron microscope is constructed so as to emit high-energy charged particles from an electron source 2 and irradiate the high-energy charged particles on a sample S by reducing the speed of the high-energy charged particles between an objective lens 6 of an electron gun 1 and the sample.例文帳に追加

電子源２から高エネルギーの荷電粒子を放出し、この高エネルギーの荷電粒子を電子銃１の対物レンズ６と試料との間で減速させて試料Ｓに照射する構成とする。 - 特許庁

In addition, by bringing the sample S close to the electron-permeable membrane (collodion membrane) 132, electrons R (and secondary electrons) reflected from the sample S by radiation of the electron beam B are detected by using an upper reflected electron detector 304 on the high vacuum side and a lower reflected electron detector 306 on the atmospheric-pressure side (and a secondary electron detector 302 on the high vacuum side).例文帳に追加

さらに、試料Ｓを電子透過膜（コロジオン膜）１３２に近づけて、電子線Ｂの照射による試料Ｓからの反射電子Ｒ（および二次電子）を、高真空側の上部反射電子検出器３０４と大気圧側の下部反射電子検出器３０６（ならびに高真空側の二次電子検出器３０２）を用いて検出する。 - 特許庁

On a sample holder 20 for an electron microscope, the electron beam that transmits through a sample S supported by a grid 28 and passes through an aperture member 31 with a main body portion 21 attached to a sample stand of a scanning electron microscope is irradiated on a secondary electron generating surface 32, resulting in a secondary electron being generated from the secondary electron generating surface 32.例文帳に追加

電子顕微鏡用試料ホルダ２０においては、走査型電子顕微鏡の試料台に本体部２１が取り付けられた状態で、グリッド２８によって支持された試料Ｓを透過し且つ絞り部材３１を通過した電子線が２次電子発生面３２に照射され、それにより、２次電子発生面３２から２次電子が発生させられる。 - 特許庁

The alloying prevention layer 13 has an electron conductivity of 10^6 S/m or more and comprises a material which is not reactive with sulfide.例文帳に追加

この合金化防止層13は、電子伝導度が10^6S/m以上で、かつ硫化物と反応しない材料からなる。 - 特許庁

Continuously, the substrate S for the diffraction optical element is prepared, and a diffraction optical element pattern is drawn by electron beam exposure after resist film formation.例文帳に追加

続いて、この回折光学素子用の基板Ｓを用意し、レジスト成膜後に電子ビーム露光により回折光学素子パターンを描画する。 - 特許庁

The electron-accepting compound B contains a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxy group and the following: -S-, -SO_2-, -SO_2NH- or -OCH_2CH_2O-.例文帳に追加

電子受容性化合物Ｂは、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、−Ｓ−、−ＳＯ_２−、−ＳＯ_２ＮＨ−、又は、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−を含む。 - 特許庁

An npn laminatedstructure 9 is formed in the source part on the electron supply layer 4, and a source electrode S is formed on the laminated structure 9.例文帳に追加

電子供給層４上のソース部分にｎｐｎ積層構造９が形成され、積層構造９上にソース電極Ｓが形成されている。 - 特許庁

The characteristic X-rays generated from the sample S by electron beams EB are detected by the X-ray detecting element 1 located directly under the sample in high sensitivity.例文帳に追加

電子線ＥＢにより試料Ｓから発生した特性Ｘ線は、試料の直下にあるＸ線検出素子１により高感度で検出される。 - 特許庁

A potential is applied to the back of a photosensor sample S, and an electron beam is scanned in a charged particle optical system 10.例文帳に追加

感光体試料Ｓに対して裏面に電位を加えて、荷電粒子光学系１０で電子ビームを走査する。 - 特許庁

The electron beam (e) scans the surface of the assessment sample S in any arbitrary direction such as in a diametric direction, for example, using a scan coil 4 as needed.例文帳に追加

電子線ｅは必要に応じ走査コイル４で評価試料Ｓの面上を任意の方向、例えば直径方向に走査される。 - 特許庁

The fullerene compound is represented by formula (1) (wherein Fs are each independently fullerene or a fullerene derivative; Ms are each independently Co, Rh or Ir; Ws are each independently S or Se; and A is a tetravalent electron-donating group).例文帳に追加

下記一般式（１）で表されるフラーレン化合物、および、該フラーレン化合物を含む光電変換材料。 - 特許庁

A sample S is scanned by using a movable stage 202 (in particular, a scanner 204) instead of running an electron beam B.例文帳に追加

また、電子線Ｂを走査する代わりに、可動ステージ２０２（特にスキャナ２０４）を用いて試料Ｓを走査する。 - 特許庁

While the X-ray free electron laser (XFEL) facility “LCLS” already in operation is 3.7 km long, Japan’s “SACLA” with better performance only runs 700 meters overall. 例文帳に追加

米国で既に稼働しているX線自由電子レーザー（XFEL）施設「LCLS」は全長3.7kmであるのに対して、それを超える性能を持った日本の「SACLA」はわずか全長700ｍ。 - 経済産業省

When each luminance signal transmitted from a pair of reflection electron detectors is respectively set as L and R and a luminance signal transmitted from a secondary electron detector as S, an adjusted value Lc of L and an adjusted value Rc of R are respectively calculated by using a primary homogeneous expression of L, R, and S.例文帳に追加

走査型電子顕微鏡装置によると、１対の反射電子検出器からの輝度信号をそれぞれＬ、Ｒ、２次電子検出器からの輝度信号をＳとするとき、それぞれＬ、Ｒ及びＳの１次同次式を用いてＬの調整値Ｌｃ及びＲの調整値Ｒｃを演算する。 - 特許庁

Specifically, the insulation layer is constructed by arranging the low-band-gap metal oxide (low-band-gap oxygen s-electron-excited type metal oxide insulation material) between the high-band-gap metal oxides (high-band-gap oxygen s-electron-excited type metal oxide insulation materials).例文帳に追加

具体的に説明すると、高バンドギャップ金属酸化物（高バンドギャップ酸素ｓ電子励起型金属酸化物絶縁材料）間に、低バンドギャップ金属酸化物（低バンドギャップ酸素ｓ電子励起型金属酸化物絶縁材料）を配置して絶縁層を構成する。 - 特許庁

To provide an electron gun whose parameters (Vd, bias, focusing) are adjusted by modification introduced into a main lens without affecting the length of the electron gun or its mechanical-S.例文帳に追加

電子銃の長さ又はその機械的—Ｓに影響を与えることなく、パラメータ（Ｖd、バイアス、集束）が主レンズに導入される変更により調整される電子銃。 - 特許庁

θ is the angle between the diagonal axis of a screen and the horizontal axis, and S is the interval between the electron beam passing holes of an electron gun.例文帳に追加

θ′＝θ±｛４．３＋（Ｓ／３．８）｝゜ ここで、θは前記スクリーンの対角軸が水平軸となす角度であり、Ｓは前記電子銃の電子ビーム通過孔間の間隔である。 - 特許庁

An assessment sample S is irradiated with an electron beam (e) radiated from an electron gun 2 inside the vacuum container 8 of a contamination assessment apparatus 1, while narrowing its beam diameter approximately to 100 μm in an electronic lens 3.例文帳に追加

汚染評価装置１の真空容器８内において電子銃２から放射される電子線ｅを、電子レンズ３でビーム径を１００μｍ程度に絞って評価試料Ｓ上に真円状に照射する。 - 特許庁

To realize still faster image formation with improvement of S/N ratio by enabling speeding up and delayed storage concerning an electron beam image formation device which forms images by applying electron beams on a sample.例文帳に追加

本発明は、電子ビームをサンプルに照射して画像を生成する電子ビーム画像生成装置に関し、高速化および遅延蓄積可能にしてＳ／Ｎ比を向上させて更らなる高速画像生成を実現することを目的とする。 - 特許庁

To provide an electron microscope with which a quantitative element image with high S/N and an electron beam energy loss spectrum with high energy accuracy and high energy resolution can be measured.例文帳に追加

本発明の目的は、高Ｓ／Ｎで定量的な元素像や、エネルギー精度やエネルギー分解能の高い電子線エネルギー損失スペクトルを計測することに関する。 - 特許庁

An electron optical lens barrel 3 is mounted on an upper end part of a specimen chamber 2, and electron beam EB is irradiated on an observed surface S1 of a specimen S put on a driving stage 4.例文帳に追加

試料室２の上端部には電子光学鏡筒３が配置され、駆動ステージ４上に載置された試料Ｓの被観察面Ｓ１に電子ビームＥＢが照射される。 - 特許庁

Because the electron gun 1-9 is actuated within the space charge restricted area, shot noises become smaller, and the S/N ratio of the detected signal becomes larger, even when the radiated amount of the primary electron beam is made smaller.例文帳に追加

電子銃１−９を空間電荷制限領域で動作させたので、ショット雑音が小さくなり、一次電子線の照射量を少なくしても検出信号のＳ／Ｎ比が大きくなる。 - 特許庁

To provide an electron-spectroscope device, an electron spectroscope and a sample analysis method which are capable of conducting gas reaction treatment in an analytical laboratory and further obtaining a spectrum having a superior S/N ratio in a short time even if it is conducted in such a case.例文帳に追加

試料のガス反応処理を分析室で行え、その場合でも、Ｓ／Ｎ比の良いスペクトルを短時間に得ることができる電子分光装置および電子分光器ならびに試料分析方法を提供する。 - 特許庁

To obtain the state analysis of a sample in a two-dimensional image with an improved S/N ratio by the amount of irradiation of electron rays for restraining damage by irradiating the sample with electron rays.例文帳に追加

試料への電子線照射ダメージが抑えられる電子線照射量で、Ｓ／Ｎが良く試料の状態分析を２次元イメージとして得る。 - 特許庁

To enable to obtain an S/N ratio of a secondary electron detecting signal of a desired size, even when a radiation amount of a primary electron beam is reduced in order not to damage electric characteristics of a substrate.例文帳に追加

基盤の電気特性を損なわないために一次電子線の照射量を少なくしても、所望の大きさの二次電子検出信号のＳ／Ｎ比が得られるようにする。 - 特許庁

In the cold cathode electron source, the relative dielectric constants of substrate portions exposed between a cathode electrode K including an emitter E causing field electron emission and gate electrodes G1 and G2 controlling electron emission from the emitter E is lower than that of the substrate S.例文帳に追加

本冷陰極電子源は、電界電子放出するエミッタＥを備えたカソード電極Ｋと該エミッタＥからの電子放出を制御するゲート電極Ｇ１，Ｇ２との間に露出する基板部分の比誘電率が当該基板Ｓの比誘電率より低い。 - 特許庁

Inside an analysis chamber 3, an electron beam irradiation part 4 is provided to generate electron beams B made to irradiate a sample S, an X-ray spectral detector 5 which spectrally detects X rays R generated from the sample, an electron detector 6 which detects electrons E generated from the sample and the like.例文帳に追加

分析室３の内部には試料Ｓに照射するための電子ビームＢを発生する電子線照射部４や試料から発生するＸ線Ｒを分光して検出するＸ線分光検出部５、試料から発生する電子Ｅを検出する電子検出部６などを備えている。 - 特許庁

(In the formula, Ai1 shows the minimum energy at which a secondary electron emission coefficient of the structure supporter becomes 1, and As shows an initial emission energy of secondary electrons emitted from the structure supporter.).例文帳に追加

θ＝０．３ｔａｎ^-1（１／ｋ）〜２．０ｔａｎ^-1（１／ｋ） ｋ＝（０．５×（Ａ_i1／Ａ_s −１））^0.5 、Ａ_i1は前記構造支持体の二次電子放出係数が１となる最小エネルギー、Ａ_s は前記構造支持体から放出される二次電子の初期放出エネルギー - 特許庁

The device is provided with a data signal wiring d inside a rear substrate SUB1 and a scanning signal wiring s formed with an insulating layer INS in-between, and an electron source ELS is formed at a crossing part between the data signal wiring d and the scanning signal wiring s.例文帳に追加

背面基板ＳＵＢ１の内面にデータ信号配線d、絶縁層ＩＮＳを介して形成された走査信号配線ｓを有し、データ信号配線dと走査信号配線ｓの交差部に電子源ＥＬＳが形成されている。 - 特許庁