「sRAM」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent occurrence of a single event of a semiconductor logic circuit such as an inverter, an SRAM, and a data latch circuit.例文帳に追加

インバータ、ＳＲＡＭ、データラッチ回路などの半導体論理回路のシングルイベント現象を防止する。 - 特許庁

This constitution can distribute a peak of the current flowing in the SRAM macro 100 that is required for the precharge.例文帳に追加

それにより、ＳＲＡＭマクロ１００に流れ込む、プリチャージに要する電流のピークを分散させる。 - 特許庁

A semiconductor device is constituted so that an SRAM part and a logic circuit part can be formed on the same semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体装置は、ＳＲＡＭ部と、ロジック回路部と、を同一の半導体基板に形成している。 - 特許庁

Thus, the CPU can use all 8Mbit spaces of a third SRAM for writing and reading.例文帳に追加

これにより、ＣＰＵは第３のＳＲＡＭの８Ｍｂｉｔ全空間を書き込み／読み出し可能となる。 - 特許庁

The coordinates of a region, set as a wiring limiting region, are decided from an SRAM layout (S2).例文帳に追加

ＳＲＡＭマクロのレイアウトから配線制限領域に設定する領域の座標を決定する（Ｓ２）。 - 特許庁

DISTRIBUTED DECODING SYSTEM AND METHOD FOR IMPROVING DENSITY OF STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM)例文帳に追加

スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）の密度を向上させるための分散型復号化システムおよび方法 - 特許庁

A semiconductor device includes an SRAM cell formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

一実施の形態による半導体装置は、半導体基板上に形成されたＳＲＡＭセルを有する。 - 特許庁

To suppress random variation in transistor characteristics which becomes remarkable by downsizing, in a memory such as an SRAM etc.例文帳に追加

ＳＲＡＭ等のメモリにおける、微細化で顕著になるトランジスタ特性のランダムばらつきを抑制する。 - 特許庁

To provide an SRAM (Static Random Access Memory) using a carbon nanotube (CNT) thin film.例文帳に追加

炭素ナノチューブ（ＣＮＴ：Ｃａｒｂｏｎ ＮａｎｏＴｕｂｅ）薄膜を利用したＳＲＡＭを提供する。 - 特許庁

The display device preferentially stores SA corresponding to transmission of an image of high importance to an SRAM.例文帳に追加

表示装置は、重要度の高い画像伝送に対応するＳＡをＳＲＡＭに優先的に保持する。 - 特許庁

For example, a test of the flash memory chip 3 is performed during a data holding period of a hold-test of the SRAM chip 2.例文帳に追加

たとえばＳＲＡＭチップ２のホールドテストのデータ保持期間内にフラッシュメモリチップ３のテストを行なう。 - 特許庁

To enlarge the operation margin of a memory cell of a flip-flop type such as a static type random access memory (SRAM).例文帳に追加

スタティック型ランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）のようなフリップフロップ型のメモリセルの動作マージンを拡大する。 - 特許庁

To provide an SRAM for optimizing sense amplifier start-up timing and reducing access time.例文帳に追加

センスアンプ起動タイミングの最適化を図り、アクセスタイムの短縮化を図ることができるＳＲＡＭを提供する。 - 特許庁

A base current Ib2 is caused to flow to the transistor 42 through a 2nd control transistor 46 with the 2nd control signal only when the CPU 22 and the SRAM 29 operate, and the transistor 42 is controlled so that the power supply current can be supplied to the SRAM 29 up to the maximum operation current of the SRAM 29.例文帳に追加

この第２の制御信号でＣＰＵ２２およびＳＲＡＭ２９の動作時のみ第２の制御トランジスタ４６を介してトランジスタ４２にベース電流Ｉｂ２を流し、ＳＲＡＭ２９の最大動作電流まで電源電流をＳＲＡＭ２９に供給できるようにトランジスタ４２を制御する。 - 特許庁

During a period in which SRAM-held data are supplied to the pixel to perform static display, supply of the XVDD to the X driver is suspended by turning off the continuity of the FET 52 by using an SRAM mode signal.例文帳に追加

そして、ＳＲＡＭ保持データを画素に供給して静的な表示を行う期間中は、ＳＲＡＭモード信号によりＦＥＴ５２の導通をオフすることにより、ＸドライバへのＸＶＤＤの供給を停止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which can shorten a bit line in a multiport SRAM memory cell and an associative storage, and has a low power consumption type SRAM memory cell whose margin to dispersion in manufacturing is improved.例文帳に追加

マルチポートＳＲＡＭメモリセルや連想メモリにおいてビット線を短くでき、かつ製造上のばらつきに対するマージンを向上した低消費電力型ＳＲＡＭメモリセルを有する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

An REC 5 being an LSI(large scaled integrated circuit) for performing a processing operation for pixel data rotation rotates pixel data (lease) written in an SRAM 6 at each 90° inside, and writes the obtained pixel data in the SRAM 6.例文帳に追加

画素データ回転用の処理動作を行うＬＳＩ（大規模集積回路）であるＲＥＣ５は、ＳＲＡＭ６に書き込んだ画素データ（リース）を９０度毎に内部で回転させ、得られた画素データをＳＲＡＭ６に書き込む。 - 特許庁

Data of the SRAM 5 are inputted in an error correcting circuit 7 at a PI sequence unit and then parity of the SRAM 6 is inputted in the error correcting circuit 7 and corrected data and parity are written in the SRAMs 5 and 6.例文帳に追加

ＳＲＡＭ５のデータがＰＩ系列単位で誤り訂正回路７に入力され次にＳＲＡＭ６のパリティが入力され、誤り箇所についてはＳＲＡＭ５，６に正しいデータやパリティが書き込まれる。 - 特許庁

The SDRAM control part 9 continuously writes the data accumulated in the SRAM 5/6 in the SRAM, and sets the SDRAM 18 to a self-refresh mode while the writing of data to the SDRAM 18 is not carried out.例文帳に追加

ＳＤＲＡＭ制御部９は、ＳＲＡＭ５・６に蓄積されたデータをＳＲＡＭに連続して書き込むと共に、ＳＤＲＡＭ１８へのデータの書き込みが行われていない間はＳＤＲＡＭ１８をセルフリフレッシュモードに設定する。 - 特許庁

When the access request to the following SRAM 122 can be executed in the access non-permission section, order of the access requests of the FIFO memory 201 is exchanged such that the access request to the SRAM 122 becomes the head.例文帳に追加

アクセス不可区間に後続のＳＲＡＭ１２２へのアクセス要求を実行可能ならば当該ＳＲＡＭ１２２へのアクセス要求が先頭に来るようにＦＩＦＯメモリ２０１のクセス要求の順位を入れ替える。 - 特許庁

Thus, by using the 6-TR SRAM provided with six transistors as a SRAM for the LCD driver, the size of the chip of the LCD driver can be reduced, and therefore, power consumption can be decreased as well.例文帳に追加

これにより、ＬＣＤドライバのＳＲＡＭとして６つのトランジスタを備える６−ＴＲ ＳＲＡＭを使用することによって、ＬＣＤドライバのチップのサイズを小さくでき、したがって電力消費も減らしうる。 - 特許庁

When detecting that any different signal exists in the output signals, the selection chip 200 performs the reconfiguration of one of the SRAM type FPGA 101 and the SRAM type FPGA 102 or both of them.例文帳に追加

選択チップ２００は、出力された信号の中に異なるものがあることを検出すると、ＳＲＡＭ型ＦＰＧＡ１０１とＳＲＡＭ型ＦＰＧＡ１０２のいずれかまたは両方を再コンフィグレーションする。 - 特許庁

To provide SRAM having an asymmetric silicide film in which cell ratio is increased without changing sizes of a transmission transistor and a drive transistor forming the SRAM, and to provide a method for fabricating the same.例文帳に追加

ＳＲＡＭを構成する伝送トランジスターと駆動トランジスターの大きさを変更させずに、セルレシオを増加させることのできる非対称シリサイド膜を有するＳＲＡＭの構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A V-scan generator 62 of a scan convert IC 61 generates a signal denoting corresponding vertical scanning timing on the basis of horizontal scanning timing denoted by a REF signal and outputs the signal to an SDRAM controller 63 and an SRAM controller 66.例文帳に追加

スキャンコンバートＩＣ６１のＶスキャンジェネレータ６２は、REF信号が示す水平走査タイミングに基づき、対応する垂直走査タイミングを示す信号を発生してSDRAMコントローラ６３およびSRAMコントローラ６６に出力する。 - 特許庁

An FAT information writing part 122 reads the FAT information recorded on a hard disk HD and writes it to the SRAM 7, since the FAT information is not yet recorded on the SRAM when the hard disk mounting device is shipped.例文帳に追加

出荷状態では、ＳＲＡＭ７にはＦＡＴ情報が記録されていないので、ＦＡＴ情報書込部１２２がハードディスクＨＤに記録されているＦＡＴ情報を読み込み、これをＳＲＡＭ７に書き込む。 - 特許庁

The check flag is a flag which is turned off when electric power supply to the SRAM is stopped (before t22, after t26).例文帳に追加

チェックフラグはＳＲＡＭへの電力供給が停止されると「オフ」になるフラグである（ｔ２２以前、ｔ２６以降）。 - 特許庁

A high speed operating SRAM 3 and a low speed operating flash memory 4 are packaged in a stacked CSP2.例文帳に追加

スタックドＣＳＰ２は高速動作するＳＲＡＭ３と低速動作するフラッシュメモリ４とがパッケージされている。 - 特許庁

To provide a DRAM type multi-port memory having a same interface as that of a SRAM.例文帳に追加

本発明は、ＳＲＡＭと同様のインターフェースを有したＤＲＡＭ型のマルチポートメモリを提供することを目的とする。 - 特許庁

This SRAM cell is provided with first and second active regions disposed in a semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明よるこのＳＲＡＭセルは、半導体基板に配置された第１及び第２活性領域を備える。 - 特許庁

To reduce the size of a built-in SRAM for decoding an MPE-FEC frame of a DVB-H system.例文帳に追加

ＤＶＢ−ＨシステムのＭＰＥ−ＦＥＣフレームのデコーディングのための内蔵ＳＲＡＭのサイズを小さくする。 - 特許庁

Thereby, since the short side of the SRAM cell becomes short, the size of the short side of the semiconductor chip becomes short.例文帳に追加

これにより、ＳＲＡＭセルの短辺の寸法が短くなるので、半導体チップの短辺の寸法も短くなる。 - 特許庁

Read/write operation of data of a memory cell is controlled based on a timing signal ICL generated in a SRAM.例文帳に追加

メモリセルのデータのリード・ライト動作をＳＲＡＭで発生するタイミング信号ＩＣＬに基づいて制御する。 - 特許庁

A p well 12, an n well 14 and an n well 16 are formed in the semiconductor board of the SRAM part 3.例文帳に追加

ＳＲＡＭ部３の半導体基板内には、ｐウェル１２、ｎウェル１４、ｎウェル１６が形成されている。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory having similar constitution to a SRAM and also having high integration, high reliability, and high speed characteristics.例文帳に追加

ＳＲＡＭに類似の構成を持ち、高集積・高信頼性かつ高速の強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

The HDD 1 of this embodiment shares and uses one SRAM 318 in these two error corrections.例文帳に追加

本形態のＨＤＤ１は、この二つのエラー訂正において一つのＳＲＡＭ３１８を共有して使用する。 - 特許庁

The memory interface is provided with interface memories(SRAM) for temporarily holding data belonging to various kinds of processors.例文帳に追加

メモリ・インタフェースは、種々のプロセッサに属するデータを一時的に保持するためのインタフェース・メモリ（ＳＲＡＭ）を有する。 - 特許庁

A memory cell matrix 11 of a SRAM 10 includes memory cells C0a, C0b connected to the same pair of bit lines BL0z, BL0x.例文帳に追加

ＳＲＡＭ１０のメモリセルマトリックス１１は、同じビット線対ＢＬ０ｚ，ＢＬ０ｘに接続されたメモリセルＣ０ａ，Ｃ０ｂを含む。 - 特許庁

The FGT50 is diode-connected at SRAM block standby, and electrically connected to the SRAM_VSS line.例文帳に追加

ＦＧＴ５０は、ＳＲＡＭブロックのスタンバイ時、ダイオード接続され、ＳＲＡＭ＿ＶＳＳ線と電気的に接続される。 - 特許庁

An SRAM 30 is used as a pixel buffer to copy and hold the partial area of an image in a frame buffer 16.例文帳に追加

ＳＲＡＭ３０を画素バッファとして用いて、フレームバッファ１６内の画像の部分領域をコピーして保持する。 - 特許庁

The different SiN films 4 are formed on driver/access/load transistors in the SRAM memory cell.例文帳に追加

たとえば、ＳＲＡＭメモリセルにおけるドライバ／アクセス／ロードトランジスタ上に各々異なるＳｉＮ膜４が形成される。 - 特許庁

To provide a SRAM cell which provides at least improved read-out margin even under low power source voltage.例文帳に追加

低電源電圧下においても、少なくとも読出マージンを改善することのできるＳＲＡＭセルを提供する。 - 特許庁

To simplify a dummy circuit in a synchronous SRAM having a timing adjusting function utilizing dummy memory cells.例文帳に追加

ダミーメモリセルを利用したタイミング調整機能を有する同期式ＳＲＡＭにおけるダミー回路を簡素化する。 - 特許庁

A first transistor TR2 is provided between a true node A of a SRAM memory cell 102 and the true bit line (BLT).例文帳に追加

第１トランジスタＴＲ２は、ＳＲＡＭメモリセル１０２の真ノードＡと真ビットライン（ＢＬＴ）の間に設けられる。 - 特許庁

An effective application of the detection circuit is use in redundancy repair latches used for an SRAM.例文帳に追加

本発明の検出回路の有効な応用例に、ＳＲＡＭに用いられる冗長修復ラッチへの利用がある。 - 特許庁

A copy processing part 4 copies the data stored in the flash memory 20 to the SRAM 18 at the time of power supply.例文帳に追加

コピー処理部４は、電源投入時にフラッシュメモリ２０に記憶されたデータをＳＲＡＭ１８にコピーする。 - 特許庁