「scribe」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device where a scribe line can be lessened in line width, and a chip can be lessened in size by a method, wherein the corner of the scribe line is used effectively for forming the device.例文帳に追加

スクライブラインのコーナー部を素子形成に有効利用することにより、スクライブラインの幅の縮小とチップサイズの縮小を可能とした半導体装置を提供する。 - 特許庁

The irradiation with the laser beam or the spraying of the cooling liquid is prevented by a mask in the end part of the fragile material not avoiding the disturbance of the scribe surface to stop the occurrence of a laser scribe surface.例文帳に追加

スクライブ面の乱れが不可避である材料端部においては、レーザビーム照射や冷却液噴霧をマスクによって防止し、レーザスクライブ面の発生を停止させる。 - 特許庁

In the preliminary working process, the laser beam is irradiated along the scribe intended line of the brittle material substrate, and only melting is caused without causing ablation with respect to the scribe intended line.例文帳に追加

予備加工工程は、レーザ光を脆性材料基板のスクライブ予定ラインに沿って照射し、スクライブ予定ラインに対してアブレーションを起こさずに溶融のみを生じさせる。 - 特許庁

The division process is to irradiate the scribe line with the pulse laser beam from a second main surface on the reverse side of the first main surface and divide the brittle material substrate along the scribe line.例文帳に追加

分断工程は、スクライブラインに対して、第１主面とは逆側の第２主面からパルスレーザ光を照射し、脆性材料基板をスクライブラインに沿って分断する。 - 特許庁

A scribe line 11 is formed on the surface 10a of a silicon wafer, and first dicing is performed from the back 10b side of a silicon wafer W along the scribe line 11.例文帳に追加

シリコンウエハの表面１０ａにスクライブライン１１を形成し、次いで、シリコンウエハＷの裏面１０ｂ側からスクライブライン１１に沿って、第１ダイシングを行う。 - 特許庁

Thereafter the first scribe line 52a is irradiated again with the laser beams LB to grow the vertical crack 53a so as to divide the substrate 50 along the first scribe line 52a.例文帳に追加

次いで、第１スクライブライン５２ａにレーザビームＬＢを再度照射して垂直クラック５３ａを伸展させて、第１スクライブライン５２ａで基板５０を割断する。 - 特許庁

Then the device glass mother substrate 5 and sealing glass mother substrate 6 are parted by the scribe breaking method along the scribe lines 7 to obtain individual pieces of organic EL displays 1.例文帳に追加

そして、スクライブブレイク法により、デバイスガラス母基板５および封止ガラス母基板６がスクライブ線７に沿って分断されて、有機ＥＬディスプレイ１の個片が得られる。 - 特許庁

The large-sized substrate 2 on which a plurality of first scribe lines SL1 and second scribe lines SL2 are formed to correspond to a rectangular substrate 3 is delivered by a delivery device 7.例文帳に追加

短冊状基板３に対応して複数の第１スクライブラインSL1と第２スクライブラインSL2とが形成された大板基板２を払い出し装置７により払い出す。 - 特許庁

The scribe unit of the present invention is provided with an ultrasonic vibrator that applies an ultrasonic vibration to a wheel during a scribe step such that the separated unit substrates have smooth broken surfaces.例文帳に追加

本発明のスクライブユニットは、単位基板の破断面が滑らかになるように、スクライブ工程中に、ホイールに超音波振動を印加する超音波振動子を備える。 - 特許庁

To provide a mark arrangement inspection method capable of reducing errors in arranging marks to be arranged on scribe lines such as an alignment mark and a measurement mark in designing scribe line data.例文帳に追加

スクライブラインデータの設計時に、アライメントマークや計測マークなどのスクライブライン上に配置されるマークの配置ミスを低減することができるマーク配置検査方法を提供する。 - 特許庁

After the sheet glass 11 and 14 are bonded so as to face each other via sealing materials 17, the positions corresponding to the scribe grooves are pressurized to part the scribe grooves.例文帳に追加

薄板ガラス１１、１４どうしをシール材１７を介して対向するように貼り合わせた後、スクライブ溝に対応する位置を加圧してスクライブ溝を分断する。 - 特許庁

In a scribe region 14, a pn junction 15 of a protection diode D1 is formed.例文帳に追加

スクライブ領域１４では保護ダイオードＤ１のＰＮ接合部１５を形成する。 - 特許庁

In the preliminary machining process, laser beams are irradiated along the scribe-scheduled line of the brittle-material substrate to give a thermal influence on the substrate along the scribe-scheduled line.例文帳に追加

予備工程は、レーザ光を脆性材料基板のスクライブ予定ラインに沿って照射し、スクライブ予定ラインに沿って基板に熱影響を与えるための工程である。 - 特許庁

To reduce occurrence of a metal burr without enlarging a semiconductor chip size and a scribe line width in a semiconductor wafer equipped with electrode pads for monitoring a process in a scribe line.例文帳に追加

スクライブラインにプロセスモニタ用電極パッドを備えた半導体ウエハにおいて、半導体チップサイズ及びスクライブライン幅を大きくすることなく、メタルバリの発生を低減する。 - 特許庁

Conducting film pattern are formed in a plurality of semiconductor chip regions and scribe line regions on a semiconductor substrate, and dicing is performed along the scribe line region.例文帳に追加

半導体基板上に複数の半導体チップ領域とスクライブライン領域に導電膜パターンを形成し、その後にスクライブライン領域に沿ってダイシングを行う。 - 特許庁

A second scribe line 31 is formed on a side of the one glass substrate 15 inside the strip-shaped substrate part 26, more inside than the first scribe line 29, via the separation part 30 to be separated.例文帳に追加

一方のガラス基板１５の一側の第１のスクライブライン２９より短冊状基板部２６の内側に、分離部３０を介して、第２のスクライブライン３１を形成する。 - 特許庁

The liquid crystal panel manufacturing device is provided with a scribe stage 11 equipped with the suction holes 14 to vacuum suck the liquid crystal panel at a specified position, a scribe head placed on the scribe stage 11 to notch the liquid crystal panel 13 and air permeable buffering means 12 between the scribe stage 11 and the liquid crystal panel 13.例文帳に追加

液晶パネルを所定位置に真空吸着する吸着孔１４を設けたスクライブステージ１１と、このスクライブステージ１１に設置され液晶パネル１３に切り込みを入れるスクライブヘッドとを備えた液晶パネルの製造装置であって、スクライブステージ１１と液晶パネル１３との間に通気性を有する緩衝手段１２を設けた。 - 特許庁

Then, a PSG film 112 is formed in the chip and scribe regions 121 and 124.例文帳に追加

次いで、チップ領域１２１及びスクライブ領域１２４にＰＳＧ膜１１２を形成する。 - 特許庁

A glass substrate 24 to be broken, having a scribe line, is arranged on their upper part.例文帳に追加

その上部に切断の対象となるスクライブラインを有するガラス基板２４を配置する。 - 特許庁

Thus the powder generated during the laser scribe treatment can be significantly or completely eliminated.例文帳に追加

これにより、レーザスクライブ時に生じる粉体を大幅に或いは完全に削減する。 - 特許庁

To enlarge dimensions of an evaluation element in a scribe TEG while maintaining versatility of a probe card.例文帳に追加

プローブカードの汎用性を維持しつつ、スクライブＴＥＧの評価素子を大規模化する。 - 特許庁

The first substrate main face is scribed along each of second scribe lines along the a axis.例文帳に追加

第１基板主面を、ａ軸に沿った第２スクライブラインの各々に沿ってスクライブする。 - 特許庁

After a rubbing step etc., the charge removing ring 54a in the outer circumferential part is cut along scribe lines 53Aa, 53Ba, 53Ca, and 53Da, and the substrate is cut into two upper and lower panels by one-time scribing along a scribe line 53Ea in a scribe step, and waste loss is not generated.例文帳に追加

そして、ラビング工程等の後、外周部の除電リング５４ａはスクライブ線５３Ａａ、５３Ｂａ、５３Ｃａ、５３Ｄａにより切断され、上下２枚のパネルに切断する際のスクライブ工程は、スクライブ線５３Ｅａによる１回で済み、端材もでない。 - 特許庁

Cracks are generated and proceed by the thermal impact starting from the bottom of the scribe line 6.例文帳に追加

この熱衝撃によりスクライブライン６の底を起点にして亀裂が発生し進展する。 - 特許庁

For example, a plurality of wirings 12a and 12b are formed in the scribe area of an area A.例文帳に追加

例えば、領域Ａのスクライブ領域に複数の配線１２ａ、１２ｂを形成する。 - 特許庁

To perform the scribe processing by optimizing the optical axis of laser beam on the real time basis.例文帳に追加

レーザ光の光軸をリアルタイムで最適化してスクライブ加工を行なえるようにする。 - 特許庁

To adjust the depth of the scribe line without changing the wavelength of the laser beam.例文帳に追加

レーザビームの波長を変えることなくスクライブラインの深さを調整できるようにする - 特許庁

Excluding the intersection region, the first scribe line 52a is again irradiated with the laser beam LB to stretch the vertical crack 53a, and the substrate 50 is cut at the first scribe line 52a.例文帳に追加

そして、交点領域を除いて第１スクライブライン５２ａにレーザビームＬＢを再度照射して垂直クラック５３ａを伸展させて、第１スクライブライン５２ａで基板５０を割断する。 - 特許庁

To prevent occurrence of chipping at the dividing part of a face on which a break bar abuts when a brittle material substrate having a scribe line is broken along the scribe line by using the break bar.例文帳に追加

スクライブラインを有する脆性材料基板をスクライブラインに沿ってブレイクバーを用いてブレイクする際に、ブレイクバーが当接する面の分断部分に欠けが生じないようにすること。 - 特許庁

The substrate 17 formed of the brittle material can be easily broken by jetting pressurized air immediately above the scribe line of the substrate from a nozzle, and performing the scanning along the scribe line.例文帳に追加

そして基板のスクライブラインの真上から加圧空気をノズルより噴出させ、スクライブラインに沿って走査することにより、脆性材料基板１７を容易にブレイクすることができる。 - 特許庁

The semiconductor device includes a protection film 2 formed on the element formation region 1A and on the scribe region 3 and protecting the element formation region 1A and the scribe region 3.例文帳に追加

さらに、半導体装置は、素子形成領域１Ａの上及びスクライブ領域３の上に形成され、素子形成領域１Ａ及びスクライブ領域３を保護する保護膜２を有している。 - 特許庁

In the scribing process, pulse laser beams are irradiated along the scribe-scheduled line at a scanning speed of at least 40 mm/s and at most 120 mm/s to form the scribe groove by means of ablasion machining.例文帳に追加

スクライブ工程は、パルスレーザ光をスクライブ予定ラインに沿って４０mm/s以上、１２０mm/s以下の走査速度で照射し、アブレーション加工によってスクライブ溝を形成する工程である。 - 特許庁

To provide a scribe item disposition method by which a disposition process can be automated even for a complicated scribe item disposition specification that has no agreement between the disposition order of items and disposition importance degrees.例文帳に追加

アイテムの配置順番と配置重要度が一致しないような複雑なスクライブアイテム配置仕様でも、配置処理を自動化することができるスクライブアイテムの配置方法を提供する。 - 特許庁

A scribe groove 1a having a depth of Ds is formed on the surface of a glass substrate 1 having a substrate thickness of (t), and then laser beam is irradiated along the scribe groove 1a to split the substrate 1.例文帳に追加

基板厚ｔを有するガラス製の基板１の表面に深さＤｓのスクライブ溝１ａを形成し、その後、スクライブ溝１ａに沿ってレーザ光を照射し、基板１を分割する。 - 特許庁

This laser machining method for irradiating laser beams along a scribe-scheduled line on the surface of a brittle-material substrate to form a scribe groove, includes a preliminary machining process and a scribing process.例文帳に追加

このレーザ加工方法は、脆性材料基板表面のスクライブ予定ラインに沿ってレーザ光を照射し、スクライブ溝を形成する方法であって、予備加工工程と、スクライブ工程と、を含む。 - 特許庁

As a result, the scribe line is formed while freely changing the running direction of the scribing wheel to shorten the distance enabling the scribe line to be scribed in a desired direction.例文帳に追加

こうすればスクライビングホイールの走行方向を自在に変えながらスクライブラインを形成することができ、所望の方向にスクライブできるようになるまでの距離を短くすることができる。 - 特許庁

In a scribe line, a region where interlayer insulating films 2, 4 and 6 do not exist on both sides of the scribe line and a surface of a semiconductor substrate 1 is exposed is provided, and the interlayer insulting films 2, 4 and 6 are left at a middle position of the scribe line, namely in a region held between grooves T.例文帳に追加

スクライブライン内において、スクライブラインの両側では層間絶縁膜２、４、６が存在せず半導体基板１の表面が露出する領域を設け、スクライブラインの中央位置、つまり溝Ｔの間に挟まれた領域には層間絶縁膜２、４、６を残す。 - 特許庁

Making a scribe line SL as a starting point, the InP layer 24 and the InP substrate 10a are cleaved.例文帳に追加

スクライブラインＳＬを起点として、ＩｎＰ層２４、及びＩｎＰ基板１０ａを劈開する。 - 特許庁

The first scribe line 18 is as wide as a minimum width that allows cutting of the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

第１のスクライブライン１８の幅は、半導体基板１０を切断し得る最小の幅に等しい。 - 特許庁

The notch 113a etc., is a part of a scribe groove provided to part the element 11.例文帳に追加

切欠部１１３ａ等は、素子１１を分離するために設けられたスクライブ溝の一部である。 - 特許庁

To provide an apparatus which can cut efficiently a glass panel which has scribe grooves formed by the laser light irradiation.例文帳に追加

レーザ光照射によって形成されたクライブ溝を有するガラスパネルを効率良く切断する。 - 特許庁

The cutting strength of the scribe line area 4 is made lower than those of the other area.例文帳に追加

スクライブライン領域４の切断強度が、他の領域の切断強度よりも弱くされている。 - 特許庁

Reference markers 30 are formed on the scribe lines 14 corresponding to each semiconductor chip 12.例文帳に追加

スクライブライン１４には、各半導体チップ１２に対応して基点標識３０が設けてある。 - 特許庁

A substrate 20 has a chip region 100, a scribe region 200, and an electrode pad 300.例文帳に追加

基板２０はチップ領域１００、スクライブ領域２００および電極パッド３００を備えている。 - 特許庁

The process mark that has been conventionally formed in the scribe line region is formed in the semiconductor region.例文帳に追加

従来はスクライブ線領域に形成されていたプロセスマークを半導体領域に形成する。 - 特許庁