「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(372ページ目) - Weblio英語例文検索

A second wiring circuit board 2 comprises: a plurality of conductive patterns 2a formed in parallel on a base insulating layer 21 formed of, for example, polyimide; second connection terminals 2b which are each provided on the ends of the plurality of conductive patterns 2a; and a plurality of first dummy terminals 2c electrically independent from the conductive patterns 2a.例文帳に追加

第２の配線回路基板２は、例えばポリイミドからなるベース絶縁層２１上に並列的に形成された複数の導体パターン２ａ、複数の導体パターン２ａの端部上にそれぞれ設けられた第２の接続端子２ｂおよび導体パターン２ａから電気的に独立した複数の第２のダミー端子２ｃを備える。 - 特許庁

In this configuration, heat radiation efficiency on the second substrate side on which the light emission unit is placed can be improved without interrupting light from the light emitting device 100, since the heat diffusion plates connected to the heat radiation plate for allowing light diverged from the phosphor layer to pass through is formed on the second substrate.例文帳に追加

かかる構成によれば、放熱板と連結されて、蛍光層から発散した光を透過させる熱拡散板が第２基板上に形成されるので、発光装置１００からの光を遮断することなしに、発光ユニットが配置された第２基板側の放熱効率を改善することができる。 - 特許庁

There are provided: steps S2, S3 for forming the green sheet by applying mixed dielectric paste containing a first resin and a second one that can be polymerizable to the first one on a support and by polymerizing the first and second resins; and a step S4 for forming an electrode pattern layer on the surface of the green sheet.例文帳に追加

第１の樹脂及び前記第１の樹脂と重合可能な第２の樹脂を含む混合誘電体ペーストを支持体上に塗布し、第１及び第２の樹脂を重合させることによりグリーンシートを形成するステップ（Ｓ２，Ｓ３）と、グリーンシートの表面に電極パターン層を形成するステップ（Ｓ４）とを備える。 - 特許庁

This liquid crystal device 1 includes a first substrate having a pixel electrode 14, a second substrate disposed opposite to the first substrate, a liquid crystal layer held between the first substrate and the second substrate, and a depression type pixel transistor 13 for switching an electric signal supplied to a pixel electrode 14.例文帳に追加

本発明の液晶装置１は、画素電極１４を有する第１基板と、第１基板に対向して配置された第２基板と、第１基板と第２基板との間に挟持された液晶層と、画素電極１４に供給される電気信号をスイッチングするデプレッション型の画素トランジスタ１３と、を備えている。 - 特許庁

A capacitor 50 consisting of a first electrode 16, a dielectric film 17, and a second electrode 18 is formed on the first surface 11a of a semiconductor layer 11 while a transistor 23 consisting of a source region 23a, a drain region 23b, and a gate electrode 23c is formed on a second surface 11b opposed to the first surface 11a.例文帳に追加

半導体層１１の第１の表面１１ａに、第１の電極１６、誘電体膜１７、及び第２の電極１８からなるキャパシタ５０を形成し、第１の表面１１ａに対向する第２の表面１１ｂに、ソース領域２３ａ、ドレイン領域２３ｂ及びゲート電極２３ｃからなるトランジスタ２３を形成する。 - 特許庁

Between the first and second inner tubes 21, 22, a hollow heat insulating layer 25 is secured preventing intrusion of exhaust gas from the upstream side, by fixing the upstream end of the first inner tube 21 to an upstream contact part 23a of a reduced part 23 of the second inner tube 22 at an upstream end of the double inner tube.例文帳に追加

第１内管２１と第２内管２２との間には、二重内管の上流側端部において第１内管２１の上流側端部と第２内管２２の縮径部２３の上流側接触部２３ａとを固着することで上流側からの排気ガスの進入を不能とした中空断熱層２５が確保されている。 - 特許庁

When the first housing 1 is united with a second housing 2, an elastic contact terminal 4a attached to the electrical components (a receiver) 4 contacts elastically a predetermined conductor layer 31 of a printed-wiring board (printed board) 3 attached to the second housing 2, allowing both of them to be electrically connected with each other.例文帳に追加

そして、第１の筐体１を第２の筐体２に合体したとき、電気部品（レシーバ）４に取付けた弾性を有する接触端子４ａが第２の筐体２に取付けられた印刷配線板（プリント基板）３の所定の導体層３１に弾性的に接触し、両者が互いに電気的に接続されるようにする。 - 特許庁

In the electro-optical device, plural pixel electrodes (9a) are disposed on the side opposed to a liquid crystal layer (50) of a first substrate (10) and a first pixel electrodes group to be inverse-driven in a first period and a second pixel electrodes group to be inverse-driven in a second period complementary to the first period are included.例文帳に追加

電気光学装置において、複数の画素電極（９ａ）は、第１基板（１０）の液晶層（５０）に対向する側に配置されており、第１周期で反転駆動されるための第１画素電極群及び該第１周期と相補の第２周期で反転駆動されるための第２画素電極群を含む。 - 特許庁

This is the string-like electrochemical device in which storage elements 1 equipped with a first electrode 10, a second electrode 20, and an electrolyte layer 30 that is arranged between the first electrode 10 and the second electrode 20 and that has ion conductivity are continued in a string shape in a plurality of numbers, and electrically connected mutually in series or in parallel.例文帳に追加

第１の電極１０と、第２の電極２０と、第１の電極１０及び第２の電極２０間に配置されたイオン伝導性を有する電解質層３０と、を備える蓄電素子１が、紐状に複数連続して互いに直列又は並列に電気的に接続されている、紐状電気化学デバイス。 - 特許庁

The polarization means includes: an electric contact (7) formed on the pad (5); an electric contact (8) formed on the first face or second face of the structure (1); and a gate (3) formed on a second region of the first face, separated from the first face by an insulating layer (4) and composed of a conductive material.例文帳に追加

前記分極手段は、前記パッド(5)上に設けられた電気コンタクト(7)、当該構造(1)の第1面又は第2面上に設けられた電気コンタクト(8)、及び、前記第1面の第2領域上に備えられ、かつ絶縁層(4)によって前記第1面から分離された、伝導性材料からなるゲート(3)、を有する。 - 特許庁

First signal layers 2 and 42, translucent films 4 and 44, middle layers 6 and 46, reflection films 10 and 50 and second signal layers 8 and 48 are formed in order, and the one-side readable 2-layer optical disk having signal pits on the translucent film sides of the first signal layers 2 and 42 and on the reflection film sides of the second signal layers 8 and 48 is produced.例文帳に追加

第１信号層２，４２と半透明膜４，４４と中間層６，４６と反射膜１０，５０と第２信号層８，４８とを順次形成し、第１信号層２，４２の半透明膜側と第２信号層８，４８の反射膜側にそれぞれ信号ピットを有する片面読み取り型２層式光ディスクを作製した。 - 特許庁

A first to third insulation films 41-43, laminated on a semiconductor layer 24a serving as a base, have openings 26 for emitters, the first and third films 41, 43 are different from the second film 42, with respect to etching characteristics, and the third film 43 is thicker than the first and second films 41, 42.例文帳に追加

ベースである半導体層２４ａ上に積層されている第一〜第三の絶縁膜４１〜４３にエミッタ用の開口２６が設けられており、第一及び第三の絶縁膜４１、４３と第二の絶縁膜４２とでエッチング特性が異なっており、第三の絶縁膜４３が第一及び第二の絶縁膜４１、４２よりも厚い。 - 特許庁

In a first wiring layer, a first electrode 16, which has a plurality of teeth part 15 protruding in an interdigital shape from an electrode base 14 of a first electrode wiring 11, and a second electrode 26, which has a plurality of teeth parts 25 protruding in a comb shape from the electrode base 24 of a second electrode wiring 21, are provided.例文帳に追加

第１の配線層において、第１の電極配線１１の電極基部１４から櫛形状に突出した複数の歯部１５を有する第１の電極１６と、第２の電極配線２１の電極基部２４から櫛形状に突出した複数の歯部２５を有する第２の電極２６とが、設けられている。 - 特許庁

In the CSP type semiconductor device having the stress relaxation layer 5, a recessed groove 12 that is formed by removing one portion of a first insulating film 14 and is arranged so that the second bonding pad arrangement region can be surrounded is formed between the formation region of the first bonding pad 2 and the arrangement region of a second bonding pad 8.例文帳に追加

応力緩和層５を有するＣＳＰタイプの半導体装置において、第１ボンディングパッド２形成領域と第２ボンディングパッド８配列領域との間に、第１絶縁膜４の一部を除去することにより形成され、かつ第２ボンディングパッド配列領域を取り囲むように配列された凹溝１２を形成する。 - 特許庁

After that, the polyaryl ether film 18 is selectively etched, the viahole 24a extending the surface of a first wiring layer 16 is opened, second thermal treatment is performed at 350°C for 5 minutes, and water content absorbed in the second interlayer insulating film 22 is discharged by exposure to the outside air when a semiconductor base substance is transferred to sputtering equipment.例文帳に追加

その後、ポリアリールエーテル膜１８を選択的にエッチングし第１配線層１６表面にまで達するビアホール２４ａを開口した後、温度３５０℃、５分間の第２の熱処理を施し、半導体基体をスパッタ装置に搬送する際の外気暴露によって第２層間絶縁膜２２に吸収された水分を放出する。 - 特許庁

The first and second electrodes are composed of first and second high-aspect vias 110, 120, respectively, extended over a layer where a via 130 formed in the other region 300 and wiring 132 formed on the via while being connected to the via in a lamination direction of the substrate.例文帳に追加

第１の電極および第２の電極は、それぞれ、基板の積層方向において、他の領域３００に形成されたビア１３０および当該ビア上に当該ビアに接続して設けられた配線１３２が形成された層にわたって延在する第１の高アスペクトビア１１０および第２の高アスペクトビア１２０により構成される。 - 特許庁

In a package formed by laminating conductor lines for signals and a dielectric where a conductor layer is arranged, when the package and the LD are not connected to ground, a first and a second conductor lines works as signal input terminals, and when the package and the LD are connected to ground, the second conductor line works as a signal input terminal and the conductor is connected to a case for grounding.例文帳に追加

信号用の導体線路と、導体層が設けられた誘電体を積層して成るパッケージにおいて、パッケージとＬＤとの非接地時に、第１、第２の導体線路が信号入力端子を成し、パッケージとＬＤとの接地時に、第２の導体線路が信号入力端子を成すとともに、導体をケースに接地する。 - 特許庁

Further, the element has a plurality of second conductivity-type semiconductor layers (53A, 53B) formed in the first conductivity-type semiconductor substrate (52) or the semiconductor layer and separated at the isolation region (55), and an antireflection film (57) formed on a light-receiving region (61), including the isolation region and a plurality of second conductivity-type semiconductor layers.例文帳に追加

また、第１導電型の半導体基板（５２）または半導体層に形成され、分離領域（５５）で分離された複数の第２導電型の半導体層（５３Ａ，５３Ｂ）と、分離領域及び複数の第２導電型の半導体層を含む受光領域）６１）上に形成された反射防止膜（５７）を有する。 - 特許庁

In the junction material 4, a first metal joined material 1 and a second metal joined material 2 are joined, wherein the material 2 consists of a material or materials selected from a group composed of nickel, palladium, platinum and aluminum, and a solid solution phase including the constituent element of the second metal joined material and tin exists in the cross-sectional fine structure of a joined layer 3.例文帳に追加

接合体４は、第１金属被接合材１と、ニッケル、パラジウム、白金及びアルミニウムからなる群より選択される材料よりなる第２金属被接合材２とが接合され、接合層３の断面微細構造に、第２金属被接合材構成元素と錫とを含む固溶体相が存在する。 - 特許庁

In the electric double-layer capacitor for which a laminate cell 9 is housed between a metal case 1 and a blind cylindrical insulating case 4 incorporating a first lead terminal 2 and a second lead terminal 3, notched parts 4a and 4b are provided on the pull-out parts of the first lead terminal 2 and second lead terminal 3 of the blind cylindrical insulating case 4.例文帳に追加

積層セル９を金属ケース１と第一のリード端子２および第二のリード端子３を組み込んだ有底円筒絶縁ケース４との間に収容した電気二重層コンデンサにおいて、有底円筒絶縁ケース４の第一のリード端子２および第二のリード端子３の引出し部に切欠き部４ａ、４ｂを設けた。 - 特許庁

A data recording medium has a first recording carrier 2 of only reproduction type having light transmissivity and a second recording carrier 3 of recording type provided with a recording layer by which data can be recorded by light beam irradiation and the second recording carrier 3 is joined with the surface opposite to the surface of the first recording carrier 2 in which the light beam is made incident.例文帳に追加

光透過性を有する再生専用型の第１の記録担体２と、光ビームの照射によってデータの記録を可能とした記録層が設けられた記録型の第２の記録担体３とを有し、第２の記録担体３は、第１の記録担体の２光ビームが入射される面とは反対側の面に接合される。 - 特許庁

The EL light-emitting part 7 which is constituted by laminating a first electrode 4, an EL luminous layer 5, and a second electrode 6 to order is sealed wholly including the peripheral part between a first film-like substrate 2 and a second film-like substrate 10, and a light transparent pattern 11 is laminated on the bottom face of the film-like substrate 2.例文帳に追加

第１の電極４、ＥＬ発光層５、および第２の電極６とが順に積層されて構成されたＥＬ発光部７を、第１のフィルム状基材２と第２のフィルム状基材１０間に、周縁部を含む全体で封止し、かつ、フィルム状基材２の下面に光透過性パターン１１が積層された構造とした。 - 特許庁

In the card, a first board 5, a second board 6 provided on the rear surface of the first board 5 and a heat sensitive printing layer 3 provided on the front surface of the first board 5 and heated with a thermal head are provided under the condition that the thermal expansion coefficient of the first board 5 is set to be larger than that of the second board 6.例文帳に追加

第１基板５と、前記第１基板５の裏面に設けられた第２基板６と前記第１基板５の表面に設けられ、サーマルヘッドにより加熱される感熱印刷層３とを設け、前記第１基板５の熱膨張係数は、前記第２基板６の熱膨張係数より大きい様に、設けられた。 - 特許庁

In a perpendicular magnetic recording medium, at least a first non-magnetic interlayer, a second non-magnetic interlayer, and a magnetic recording layer are stacked sequentially on a non-magnetic substrate, the first non-magnetic interlayer being formed from a Co-Cr-Ru-W alloy and the second non-magnetic interlayer being formed from an Ru-based alloy.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体において、非磁性基板上に少なくとも、第１非磁性中間層、第２非磁性中間層、および磁気記録層が順次積層され、前記第１非磁性中間層をＣｏＣｒＲｕＷ合金から形成し、かつ前記第２非磁性中間層をＲｕ基合金から形成する。 - 特許庁

In this manufacturing method, a first resist pattern 7 having an aperture 7a for exposing source/drain regions 5, 6 to expose the upper surface of a gate electrode 2 is formed and a second resist pattern 8 having the second apertures 8d, 8e, 8c for defining source/drain electrodes 10, 11 and upper layer wiring 9 is laminated on a first resist pattern.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域５，６を表出する開口７ａを有しゲート電極２上面を表出する第一のレジストパターン７を形成し，その上にソース・ドレイン電極１０，１１及び上層配線９を画定する第二の開口８ｄ，ｅ，ｃを有する第二のレジストパターン８を積層する。 - 特許庁

The method is characterized by including: a first shape forming step for forming a first shape 104, which is acquired by reducing a second shape 107 and substantially similar thereto, in a resist layer 103 on a substrate 101; and a shape extension step for extending the size of the first shape 104 to the extent to become the second shape 107.例文帳に追加

第２の形状１０７を縮小して略相似する第１の形状１０４を基板１０１上のレジスト層１０３に形成する第１形状形成工程と、第１の形状１０４の大きさを第２の形状１０７になるまで拡大する形状拡大工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

An optical fiber ribbon 1 is composed of a plurality of first coated optical fibers 3, arranged in parallel and an adhesion tape 5 collectively coupling only a one-side face side of the plurality of the first coated optical fibers 3 of second directions orthogonal to a first parallel direction connecting the plurality of the second coated optical fibers 3 with an adhesive layer 7.例文帳に追加

光ファイバテープ心線１は、並列に配置した複数の光ファイバ素線３と、この複数の光ファイバ素線３を結ぶ並列の第１方向に直交する第２方向の前記複数の光ファイバ素線３の一側面側のみを接着剤層７で一括連結する接着テープ５と、から構成されている。 - 特許庁

A TFT 110 which is a switching element disposed by each of pixels and a reflecting layer 44 which is insulated from the TFT 110 and reflects the light made incident by transmitting a second electrode 250 consisting of ITO, etc., from a second substrate 200 side onto insulating films covering the TFT 110 are formed on a first substrate 100.例文帳に追加

第１基板１００には、画素毎に設けられたスイッチ素子であるＴＦＴ１１０、ＴＦＴ１１０を覆う絶縁膜の上にＴＦＴ１１０と絶縁され、第２基板２００側からＩＴＯ等からなる第２電極２５０を透過して入射される光を反射する反射層４４を形成する。 - 特許庁

After a semiconductor layer is formed on a substrate (step S1), a first insulating film and a first gate electrode are formed in regions for forming low voltage P type and N type TFTs (step S2) and then a second insulating film and a second gate electrode are formed in regions for forming high voltage P type and N type TFTs (step S3).例文帳に追加

基板上に半導体層を形成した後（ステップＳ１）、低電圧用Ｐ型，Ｎ型ＴＦＴを形成する領域に第１の絶縁膜および第１のゲート電極を形成し（ステップＳ２）、高電圧用Ｐ型，Ｎ型ＴＦＴを形成する領域に第２の絶縁膜および第２のゲート電極を形成する（ステップＳ３）。 - 特許庁

The optical waveguide 1 is configured such that the first optical path crosses a second optical path that connects the node 121 and the mirrors, and further comprises a low refractive index layer 145 having lower refractive index than the core unit 14, and extended along the second optical path in vicinity of the crossing core unit 14.例文帳に追加

この光導波路１は、接続点１２１とミラーとをつなぐ第２の光路と第１の光路とが交差するよう構成されており、コア部１４の交差の位置近傍に第２の光路に沿って延在するよう設けられたコア部１４より屈折率の低い低屈折率層１４５を有している。 - 特許庁

The electrochemical cell 1 includes a built-in gas passage to flow a first gas and includes a first electrode in contact with the first gas, a solid electrolyte layer, a second electrode which is exposed to the outside surface of the electrochemical cell and is in contact with a second gas, and a conduction part 5 which is in electrical conduction with the first electrode.例文帳に追加

電気化学セル１が、第一のガスを流すガス流路を内蔵しており、第一のガスと接触する第一の電極、固体電解質層、電気化学セルの外表面に露出して第二のガスと接触する第二の電極、および第一の電極と電気的に導通する導電部５を備えている。 - 特許庁

This vibration control sheet 13 for floor material is formed of a three-layer structure by providing a second sheet member 13b formed of a metal plate between a first sheet member 13a and a second sheet member 13b formed by mixing metal powder of 10 to 95 wt.% with binder of 90 to 5 wt.% and forming the mixture in sheet shape.例文帳に追加

床材用制振シート１３は、１０〜９５重量％の金属粉末と９０〜５重量％のバインダーとを混合してシート状に形成してなる第１シート部材１３ａ及び第３シート部材１３ｃの間に、金属板にて形成された第２シート部材１３ｂを介在させた三層構造からなる。 - 特許庁

This semiconductor device includes first and second wiring layers L4, L5 each having a hollow structure and stacked vertically so as to be adjacent to each other on a semiconductor substrate S, a dummy pattern P formed in the first wiring structure L4 and not working as a signal line, and a conductive pattern P formed in the second wiring layer L5.例文帳に追加

本発明の例に係る半導体装置は、半導体基板Ｓ上に互いに上下に隣接してスタックされる中空構造の第１及び第２配線層Ｌ４，Ｌ５と、第１配線層Ｌ４内に形成され、信号線として機能しないダミーパターンＰと、第２配線層Ｌ５内に形成される導電パターンＰとを備える。 - 特許庁

Next, an etching mask 42 which includes a first and second portions 42a and 42b disposed at a predetermined spacing along an optical waveguide and whose length in a direction of the optical waveguide of the second portion 42b is shorter than the length in a direction of an optical waveguide of the first portion 42a is formed on the first active layer 30a.例文帳に追加

次に、光導波路方向に沿って所定の間隔で配置された第１部分４２ａと第２部分４２ｂを有し、第２部分４２ｂの光導波路方向における長さが第１部分４２ａの光導波路方向における長さより短いエッチングマスク４２を第１活性層３０ａ上に形成する。 - 特許庁

The first theory was rejected because there are foundations of later periods, and the second one is also currently denied because the fact of destruction by fire was proven by the layer of burned soil on the second-period foundation, however, it became clear that the third-period foundation was rebuilt in a bigger size. 例文帳に追加

前者の考えについては各遺構面が存在することによって否定された。後者については、第2期遺構面上に堆積する焼土層によって焼失の事実は証明されたものの、第3期の遺構がさらに規模を拡大して再建されていることが明らかとなり、現在では否定されている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The semiconductor device has first level conductor layers 111-115 and a second level conductor layer 101 formed on a semiconductor substrate, an interlayer insulation film interposed between the first and second level conductor layers, and a plurality of through holes 121, 122 formed by opening the interlayer insulation film and applying the conductor therein.例文帳に追加

半導体基板上に形成された第１のレベルの導体層１１１〜１１５および第２のレベルの導体層１０１と、それらの第１、第２のレベルの導体層の間に介在する層間絶縁膜と、層間絶縁膜を開口して形成され、導電体が埋め込まれた同一レベルの複数のスルーホール１２１、１２２とを有する。 - 特許庁

On the silicon substrate 21, a first conductivity type accumulation layer 31, which has an impurity concentration higher than that of the silicon substrate 21, is formed at the side of the second main surface 21b, and irregularities 10 are formed in a region opposite to at least the semiconductor region 23 on the second main surface 21b.例文帳に追加

シリコン基板２１には、第２主面２１ｂ側にシリコン基板２１よりも高い不純物濃度を有する第１導電型のアキュムレーション層３１が形成されていると共に、第２主面２１ｂにおける少なくとも半導体領域２３に対向する領域に不規則な凹凸１０が形成されている。 - 特許庁

To improve an integration degree by reducing use frequency of a second wiring layer and improving a degree of freedom on signal wiring between cells in a semiconductor integrated circuit designed, in such a way that a plurality of cells are arranged in orthogonal first direction and second direction and a plurality of cells are wired.例文帳に追加

直交する第１の方向及び第２の方向に複数のセルを配置し、複数のセル間を配線することにより設計される半導体集積回路において、第２層目の配線層の使用頻繁を低くしてセル間の信号配線の自由度を高めることにより、集積度を向上させる。 - 特許庁

The master disk for optical disk has a substrate 10 having a polished surface, a first underlayer 11 formed on the polished surface of the substrate 10, a second underlayer 12 formed on the substrate 10 so as to cover the first underlayer 11 and an inorganic resist layer 13 formed on the second underlayer 12.例文帳に追加

表面を研磨した基板１０と、基板１０の研磨した面上に形成された第１下地層１１と、基板１０上に、第１下地層１１を覆うように形成された第２下地層１２と、第２下地層１２上に形成された無機レジスト層１３とを有する光ディスク用原盤である。 - 特許庁

The multilayer capacitor 1 includes a laminate 4 with a dielectric layer 9 laminated, first and second terminal electrodes 5 and 6 disposed on a side surface of the laminate 4, first and second connection conductors 7 and 8 disposed on the side surface of the laminate 4, and first to fourth inner conductors 10 to 40 disposed in the laminate 4.例文帳に追加

積層コンデンサ１は、誘電体層９が積層された積層体４と、積層体４の側面に配置された第１及び第２の端子電極５，６と、積層体４の側面に配置された第１及び第２の接続導体７，８と、積層体４内に配置された第１〜第４の内部導体１０〜４０とを備えている。 - 特許庁

The display apparatus has a liquid crystal material 11 held between a first transparent substrate 12 disposed in a front light 5 side and a second transparent substrate 13 opposing to the first substrate, wherein a transflective layer 18 is formed in the liquid crystal material side of the second transparent substrate 13 to allow images in similar colors to be observed through the front and the back faces.例文帳に追加

フロントライト５の側に配置された第１透明基板１２とこれに対向する第２透明基板１３との間に液晶材１１を挟持したもので、第２透明基板１３の液晶材側の面に半透過反射層１８を形成して、表裏から同様の色彩の画像を観察できるようにする。 - 特許庁

The semiconductor layer 2, in plane view, includes a first area 2c piled on the gate electrode 4, a second area which is adjacent to the outside of the first area 2c and is piled on the side wall films 6a, and a third area which is adjacent to the outside of the second area and is directly connected with the source electrode 7 or the drain electrode 8.例文帳に追加

半導体層２は、平面視において、ゲート電極４と重なる第１領域２ｃと、第１領域２ｃの外側に隣接し、かつサイドウォール膜６ａと重なる第２領域と、第２領域の外側に隣接し、かつソース電極７またはドレイン電極８と直接接続されている第３領域とを含む。 - 特許庁

A turbine engine component 50 includes a first side 64 and an opposite second side 66, at least one capillary 84 positioned adjacent to an external surface 88 of at least one of the first and second sides, and at least one composite layer 90 securing the at least one capillary to the component.例文帳に追加

タービンエンジン部品（５０）は、第１の側部（６４）と、相対する第２の側部（６６）と、前記第１および第２の側部のうちの少なくとも１つの外面（８８）に隣接して配置された少なくとも１つの毛細管（８４）と、少なくとも１つの前記毛細管を前記部品に固定する複合材層（９０）とを有する。 - 特許庁

A cord reinforcing layer 22 is formed outside a tire of a carcass 14 installed to a pneumatic tire 10 in such a manner that a first end 28 is positioned in a first region A1 between a vertical line L1 and a vertical line L2 and a second end 30 is positioned in a second region A2 between a vertical line L3 and a vertical line L4.例文帳に追加

空気入りタイヤ１０に設けられたカーカス１４のタイヤ外側には、第一端部２８が垂線Ｌ１と垂線Ｌ２との間の第一領域Ａ１に位置し、第二端部３０が垂線Ｌ３と垂線Ｌ４との間の第二領域Ａ２に位置するように、コード補強層２２が設けられている。 - 特許庁

An actuator comprises a fixing part, an oscillation part oscillatably supported by the fixing part, and an operation part that is supported by the oscillation part and has first and second electrodes formed on both respective surfaces or one surface of a deformable layer, and keeps the first electrode at a constant potential and controls the potential of the second electrode variable.例文帳に追加

アクチュエータは、固定部と、その固定部に振動可能に支持される振動部と、その振動部によって支持され、変形可能層の両面にそれぞれ又は片面に形成された第１及び第２電極を有する作動部とを有し、第１電極を一定電位に保持するとともに第２電極の電位を可変に制御する。 - 特許庁