「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(370ページ目) - Weblio英語例文検索

Two input channels are required for a stereophonic input, this invention assigns a first input channel belonging to the first layer and a 25th input channel belonging to the second layer to the stereophonic input and one fader can simultaneously regulate levels of both the input cannels.例文帳に追加

ステレオ入力に対しては２つの入力チャンネルが消費されるが、本発明では例えば図１０(b)に示すように、第１レイヤに属する第１入力チャンネルと、第２レイヤに属する第２５入力チャンネルとをステレオ入力に割り当て、１個のフェーダによって両入力チャンネルのレベルを同時に調節できるようにした。 - 特許庁

To provide a high frequency wiring board by decreasing an electric capacitance caused between an inner layer ground conductor and ground conductors at a lower side formed between both sides of a second coplanar line so as to suppress resonance and reflection of a high frequency signal between the inner layer ground conductor and the ground conductors at the lower side thereby realizing excellent transmission characteristics.例文帳に追加

内層接地導体と第２のコプレーナ線路の両側に形成された下面側の接地導体との間の電気的な容量を小さくし、内層接地導体と下面側の接地導体との間で高周波信号の共振や反射を抑制して良好な伝送特性を実現すること。 - 特許庁

To resolve the problem of memory cell region size increase and large increase of memory cell array region, in the case that the size of the memory cell region increases in the row direction, caused by the influence of the connection hole for connecting a first layer bit line and a second layer bit line in a semiconductor memory device constituted by the bit lines of two layers.例文帳に追加

２層のビット線で構成される半導体記憶装置において、第１層のビット線と第２層のビット線を接続する接続孔の影響により、メモリセル領域の行方向のサイズ大きくなる場合に、メモリセル領域のサイズが拡大し、さらにはメモリセルアレイ面積が大幅に拡大する。 - 特許庁

In a printed wiring board 200 having electrode pads 5 for surface-mounting a semiconductor device with solder balls on an insulation board 1, the electrode pads 5 are composed of a first plane conductor layer 2 and a second rugged conductor layer 4 to increase the bond area of the electrode pad 5 to the solder.例文帳に追加

絶縁基板１上に半導体装置をはんだボールで面実装するための電極パッド５を有するプリント配線板２００において、電極パッド５を平面形状の第１導電層２とその上に突起状に形成した第２導電層４から構成し、電極パッド５とはんだとの接合面積を増加させた。 - 特許庁

A heterojunction field effect semiconductor device includes an electron traveling layer 31; first and second electron supply layers 32, 33; a cap layer 34; a source electrode 8; a drain electrode 9; a gate electrode 10; an insulation film 11 made of a silicon oxide; and a p-type metal oxide semiconductor film 12.例文帳に追加

本発明に従うヘテロ接合型電界効果半導体装置は、電子走行層３１と、第１及び第２の電子供給層３２，３３と、キャップ層３４と、ソース電極８と、ドレイン電極９と、ゲート電極１０と、シリコン酸化物から成る絶縁膜１１と、ｐ型金属酸化物半導体膜１２とを有している。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor element includes: a step for forming a diffusion prevention film in a laminated structure including at least a first metal film 22A and a metal silicide film 22C containing nitrogen on a first conductive layer 21; and a step for forming a second conductive layer 23 on the diffusion prevention film.例文帳に追加

本発明に係る半導体素子の製造方法は、第１導電層（２１）上に、少なくとも第１金属膜（２２Ａ）および窒素含有の金属シリサイド膜（２２Ｃ）を含む積層構造で拡散防止膜を形成するステップと、該拡散防止膜上に第２導電層（２３）を形成するステップとを含む。 - 特許庁

The semiconductor device comprises contacted parts 36, 46 formed in an inter insulation layer 120, a first wiring 17 which is formed on the inter insulation layer and arranged at a spacing shorter than a predetermined interval with respect to the contacted part, and second and third wirings 15, 16 respectively having connection regions 50a, 60a with the contacted part.例文帳に追加

半導体装置は、層間絶縁層１２０に形成されたコンタクト部３６，４６と、層間絶縁層上に形成され、前記コンタクト部に対して所定間隔より短い間隔で配置された第１配線１７と、コンタクト部との接続領域５０ａ，６０ａを有する第２，第３配線１５，１６と、を有する。 - 特許庁

This organic EL display includes: a transparent substrate 1; a first electrode 2 formed on the transparent substrate 1; an organic light emission layer 3 formed on the first electrode 2; a second electrode 4 formed on the organic light emission layer 3; and a film 5 formed on the lower part of the transparent substrate 1 and having a two-dimensional grating pattern on the surface.例文帳に追加

透明基板１と、透明基板１上に形成される第１電極２と、第１電極２上に形成される有機発光層３と、有機発光層３上に形成される第２電極４と、透明基板１の下部に形成され、表面に２次元グレーティングパターンを有するフィルム５とから構成される。 - 特許庁

An intermediate layer (104: an adhesive layer or photopolymer uniformly adjusted in thickness) managed in thickness fluctuation to a prescribed value or below (the intermediate thickness fluctuation while going round the disk in an arbitrary radius position is 2 μmp-p or ≤±1 μm) is provided between a first recording section (L0) and a second recording section (L1).例文帳に追加

第１記録部（Ｌ０）と第２記録部（Ｌ１）との間に、厚み変動が所定値以下（任意の半径位置においてディスクを1周する間の中間層厚み変動が２μｍｐ−ｐあるいは±１μｍ以下）に管理された中間層（１０４：厚みを均一に調整した接着層あるいはフォトポリマ）を設ける。 - 特許庁

A reagent layer 2 is formed on a substrate 1 and an enzyme reagent for assaying cholesterol, a first surfactant having solubilization performance higher in high-density lipoprotein(HDL) than in lipoprotein except HDL and a second surfactant for inhibiting dissolution of lipoprotein except HDL are added to the reagent layer 2.例文帳に追加

支持体１の上に試薬層２を形成し、この試薬層２にコレステロール測定用酵素試薬と、高密度リポタンパク質（ＨＤＬ）以外のリポタンパク質に比べてＨＤＬに対する可溶化性能が高い第１の界面活性剤と、ＨＤＬ以外のリポタンパク質の溶解を阻害する第２の界面活性剤とを含有させる。 - 特許庁

The composite insulating film includes an insulating film 103 (second insulating film) containing an organic silicon borazine resin on an insulating film 102 (first insulating film) containing a siloxane resin formed on a silicon wafer 100 having a silicon base layer provided with a metal wiring layer 101.例文帳に追加

本発明の複合絶縁被膜は、金属配線層１０１が設けられたシリコン基層を有するシリコンウェハ１００上に形成されたシロキサン樹脂を含む絶縁被膜１０２（第１の絶縁被膜）の上に、有機ケイ素ボラジン系樹脂を含む絶縁被膜１０３（第２の絶縁被膜）が被着されたものである。 - 特許庁

In the display element formed by laminating a first transparent electrode controlled by a driving element, a polymer solid electrolyte layer containing a colorant and a metal ion and a second electrode in this order, the polymer solid electrolyte layer contains a blueing agent or a brightener.例文帳に追加

駆動素子により制御される第一の透明電極と、着色剤及び金属イオンを含有する高分子固体電解質層及び第二の電極をこの順に積層してなる表示素子において、前記高分子固体電解質層中にブルーイング剤または蛍光増白剤を含有することを特徴とする表示素子。 - 特許庁

The exhaust gas cleaning catalyst contains an inorganic oxide having heat resistance, a transition metal oxide catalyst layer supported on the surface of the inorganic oxide, a first catalyst having a noble metal layer and a second catalyst having a sulfate of at least one kind of an alkali metal.例文帳に追加

本発明の排ガス浄化触媒は、耐熱性を有する無機酸化物と無機酸化物の表面に担持された遷移金属の酸化物触媒層および貴金属層を有する第１の触媒と、少なくとも１種のアルカリ金属の硫酸塩を有する第２の触媒と、を含有する構成を有している。 - 特許庁

A bonding material accumulation part where the bonding material is accumulated among the thermoelectric conversion elements 3 is projected above the surface 10a of either of the first electrode layer 10 and the second electrode layer 20, and its height H is set to not more than 0.15 mm.例文帳に追加

第１電極層１０及び第２電極層２０のうちの少なくとも一方側において、接合材料が熱電変換素子３間に溜まった接合材料溜まり部の高さＨが当該一方の電極層１０の表面１０ａよりも突出し、且つ、高さＨが０．１５ミリメートル未満に設定されている。 - 特許庁

In the separator for an electrochemical element made of a two-layered porous sheet, the content of a fibrillated thermal resistance fiber of a first layer is larger than that of a second layer, cellulose is contained in any one of the layers, and the content of cellulose is 7.5-67 mass% in the entire porous sheet.例文帳に追加

２層である多孔質シートからなる電気化学素子用セパレータであって、第１層のフィブリル化耐熱性繊維の含有量が第２層よりも多く、且つ、何れか一方の層にセルロースを含有し、セルロースの含有率が多孔質シート全体に対して７．５〜６７質量％である電気化学素子用セパレータ。 - 特許庁

Then, the nano powder is heated to at least heating temperature in the first heat treatment for performing second heat treatment, thus forming the carbon layer coated transition metal nano structure having a metal core made of the transition metal of Fe, Co, or Ni and a carbon layer formed while the periphery of the metal core is coated.例文帳に追加

次いで、前記ナノ粉末を前記第１の熱処理における加熱温度以上に加熱して第２の熱処理を行い、Ｆｅ、Ｃｏ又はＮｉの遷移金属からなる金属コア及び前記金属コアの周囲を覆うようにして形成された炭素層を有する炭素層被覆遷移金属ナノ構造体を形成する。 - 特許庁

The luminescent layer is characterized by containing a luminescent layer material, and a first dopant and a second dopant satisfying the following relationships: (A) EV0>EV1 and EV0>EV2; (B) EC0≥EC2; and (C) Eg0>Eg1, Eg2.例文帳に追加

（Ａ） ＥＶ０＞ＥＶ１かつＥＶ０＞ＥＶ２（Ｂ） ＥＣ０≧ＥＣ２（Ｃ） Ｅｇ０＞Ｅｇ１，Ｅｇ２［式中、ＥＶ０、ＥＶ１、ＥＶ２はそれぞれ発光層材料、第一のドーパント、第二のドーパントの価電子レベル、ＥＣ０、ＥＣ２はそれぞれ発光層材料、第二のドーパントの伝導レベル、Ｅｇ０、Ｅｇ１、Ｅｇ２はそれぞれ発光層材料、第一のドーパント、第二のドーパントのエネルギーギャップである。 - 特許庁

The method for performing surface treatment of the rubber member comprises impregnating a rubber member with a first surface-treatment liquid containing an isocyanate component and an organic solvent to form a first impregnation layer, and sequentially treating the surface of the rubber member, without exposure to air, with a second surface-treatment liquid for partially removing the isocyanate component present in the first impregnation layer.例文帳に追加

イソシアネート成分と有機溶媒とを含む第１の表面処理液をゴム部材に含浸させて含浸層を形成した後、空気に接触させることなく連続的に、前記含浸層中のイソシアネート成分の一部を除去する第２の表面処理液で当該ゴム部材の表面を処理する。 - 特許庁

By forming a first layer metal film 3a to improve close contact with a substrate, a second metal film 3b to prevent diffusion, a third layer metal film of low resistance, and a fourth metal film 3d for protection, it is possible to achieve low-resistance and low-capacitance wiring and electrodes for external connection.例文帳に追加

基板との密着性を向上させる第１層金属膜３ａ、拡散を防止する第２金属膜３ｂ、低抵抗の第３層金属膜３ｃおよび保護のための第４金属膜３ｄを形成することで、低抵抗かつ低静電容量の配線および外部接続用電極が達成できる。 - 特許庁

The second aperture part 12 is disposed so that a tip corresponding part 121 is positioned on a domain facing to a corner part continuing to a surface part from the surface part of a bolster part 21 on an exfoliation layer 23, and that an arm corresponding part 124 is positioned on a domain other than the domain facing to the bolster part 21 on the exfoliation layer 23.例文帳に追加

第２開口部１２は、先端対応部分１２１が剥離層２３上の枕部２１の表面部から該表面部に連なる角部に対向する領域に位置し、アーム対応部分１２４が剥離層２３の枕部２１に対向する領域以外の領域に位置するように配設されている。 - 特許庁

The organic EL panel 1 is produced by disposing an organic EL element 16 which has an organic layer 5 including at least a light emitting layer held between a light transmitting first electrode and an opaque second electrode, on a light transmitting glass substrate (supporting substrate) 2, and disposing a sealing member 7 on the glass substrate 2 to cover the organic EL element 9.例文帳に追加

有機ＥＬパネル１は、少なくとも発光層を有する有機層５を透光性の第１電極と非透光性の第２電極とによって狭持した有機ＥＬ素子９を透光性のガラス基板（支持基板上）２に配設し、有機ＥＬ素子９を覆うように封止部材７をガラス基板２上に配設してなる。 - 特許庁

The first rubber layer 2 and the second rubber layer 4 comprise 100 pts.mass rubber component containing an acrylic rubber having a carboxyl group and/or an acid anhydride group as a crosslinking site, 1-30 pts.mass phenolic resin, 1-30 pts.mass silica, 0.1-5 pts.mass triazine based compound, and 0.5-10 pts.mass polyamine.例文帳に追加

第１のゴム層２及び第２のゴム層４は、架橋サイトとしてカルボキシル基及び／又は酸無水物基を有するアクリルゴムが含まれたゴム成分１００質量部、フェノール樹脂１〜３０質量部、シリカ１〜３０質量部、トリアジン系化合物０．１〜５質量部及びポリアミン０．５〜１０質量部を含有する。 - 特許庁

The dummy conductor layer comprises: a first region 21 composed of a conductor pattern having a predetermined area ratio corresponding to an area ratio of the conductor layer 11 for products; and a second region 22 disposed adjacent to an inner circumference side of the first region 21 and composed of a conductor pattern with a higher area ratio than that of the first region 21.例文帳に追加

ダミー導体層は、製品用導体層１１の面積率に対応する所定の面積率を有する導体パターンからなる第１領域２１と、第１領域２１の内周側に隣接配置され第１領域２１よりも面積率が高い導体パターンからなる第２領域２２とから構成される。 - 特許庁

The first electron mediator 20, the coenzyme dehydrogenating enzyme 30 and the second electron mediator 40 are fixed to the lower layer on the surface side of the electrode 50 by a crosslinking agent having an epoxy group and the substrate dehydrogenating enzyme 10 is fixed to the upper layer on a substrate solution side by the crosslinking agent and a water-soluble carrier.例文帳に追加

このうち、第１の電子メディエータ２０、補酵素脱水素酵素３０および第２の電子メディエータ４０は電極５０表面側の下層にエポキシ基を有する架橋剤により固定され、基質脱水素酵素１０は基質溶液側の上層に架橋剤および水溶性担体により固定される。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting device includes: a nitride semiconductor substrate 10; a nitride semiconductor layer which is formed on a first main face of the nitride semiconductor substrate 10, and has an active layer 13 generating a light; and an electrode 20 formed on a second main face of the nitride semiconductor substrate 10.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体基板１０と、窒化物半導体基板１０の第１の主面上に形成され、光を生成する活性層１３を有する窒化物半導体層と、窒化物半導体基板１０の第２の主面上に形成された電極２０とを備えている。 - 特許庁

On one surface of a semiconductor board 11 serving as the first board, an embedded oxide film 13 serving as an insulating layer having a pattern, which is removed in an area matching the movable part 20 in the one surface, is formed, and via the oxide film 13, the semiconductor board 11 and an SOI layer 12 serving as the second board are connected to each other.例文帳に追加

第１の基板としての半導体基板１１の一面に、当該一面のうち可動部２０に対応する領域では除去されたパターンを有する絶縁層としての埋め込み酸化膜１３を形成し、この酸化膜１３を介して半導体基板１１と第２の基板としてのＳＯＩ層１２とを接合する。 - 特許庁

The black shield has a support structure, a first CrOx layer which is disposed over the support structure and absorbs the incident light in a substantially reflected transmission path, and a second CrOx layer which is disposed integrally with the support structure and absorbs the incident light in a substantially non-reflected transmission path.例文帳に追加

ブラックシールドは、支持構造体と、当該支持構造体の上に堆積されて、実質的に反射された伝達パス内の入射光を吸収する第１のＣｒＯ_x層と、当該支持構造体と一体的で、実質的に反射されていない伝達パス内の入射光を吸収する第２のＣｒＯ_x層とを有する。 - 特許庁

In the case of the ferrous substrate 1, a W layer 2. the first UNCD film 3 depsited by the coaxial plasma jet gun in the vacuum on the W layer 2, and the second UNCD film 4 deposited by the coaxial plasma jet gun in hydrogen on the UNCD film 3 are laminated on the surface of the ferrous substrate 1.例文帳に追加

鉄系基材１の場合、鉄系基材１の表面にＷ層２、このＷ層２の上に真空中で同軸プラズマジェットガンにより成膜した第１のＵＮＣＤ膜３、このＵＮＣＤ膜３の上に水素中で同軸プラズマジェットガンにより成膜した第２のＵＮＣＤ膜４が積層されている。 - 特許庁

When this interposer 10 having a first non-conductive layer 11, an expansion electrode 12 and an IC chip 13 is mounted on the antenna formed sheet 20 having a second non-conductive layer 21 and an antenna 22, the interposer 10 is pressed down to the antenna formed sheet 20 side by a caulking edge 32 incorporating a heater 32.例文帳に追加

第１非導電層１１と、拡大電極１２と、ＩＣチップ１３とを有するインターポーザー１０を、第２非導電層２１と、アンテナ２２とを有するアンテナ形成済シート２０上に実装するにあたり、インターポーザー１０を、ヒータ３２が内蔵されたカシメ刃３１によりアンテナ形成済シート２０側に押圧する。 - 特許庁

The fine structural body 1A comprises a support (base layer 5) and a plurality of projections 2 formed on at least one surface of the support (base layer 5), wherein the material forming the projections 2 has a phase separation structure of a first phase 3 separated from a second phase 4.例文帳に追加

本発明は、支持体（下地層５）と、前記支持体（下地層５）の少なくとも一方の面に形成された複数の凸部２とを有する微細構造体１Ａであって、前記凸部２は、その形成材料が第１の相３と、第２の相４とに分離した相分離構造を有することを特徴とする。 - 特許庁

A thin-film transistor 80 includes: source and drain electrodes 84, 86; an active layer 88 including an oxide semiconductor; a gate electrode 82; a first insulation film 14; a second insulation film 18; and a bias electrode 81 that is provided at a side opposite to the gate electrode to the active layer and has potential fixed independently of the gate electrode.例文帳に追加

ソース・ドレイン電極８４，８６と、酸化物半導体を含む活性層８８と、ゲート電極８２と、第１の絶縁膜１４と、第２の絶縁膜１８と、活性層に対してゲート電極とは反対側に設けられており、該ゲート電極とは独立して電位が固定されるバイアス電極８１と、を有する薄膜トランジスタ８０。 - 特許庁

A first protective film 3a doped with Sc to generate predetermined excitation light by the incidence of ultraviolet light covers the dielectric layer 2, and a second protective film 3b doped with Si to emit electrons to the discharge space by the excitation light is disposed on the side closer to the discharge space than the first protective layer.例文帳に追加

誘電体層２を覆って、紫外光の入射によって所定の励起光を発生する、Ｓｃを添加した第１の保護膜３ａと，該第１の保護膜よりも放電空間側に配置され，前記励起光によって前記放電空間に電子を放出するＳｉを添加した第２の保護膜３ｂを有する。 - 特許庁

A mesh power wiring that is constituted of first power wirings 110, second power wirings 120, and mesh power wiring conducts 130 is connected to strap power wirings 140 on a third wiring layer, which is more on the substrate side than the wiring layer of the mesh power wiring, by strap power wiring contacts 150.例文帳に追加

第１の電源配線１１０、第２の電源配線１２０、およびメッシュ電源配線用コンタクト１３０によって構成されたメッシュ電源配線と、メッシュ電源配線の配線層より基板側の第３の配線層上のストラップ電源配線１４０とがストラップ電源配線用コンタクト１５０によって接続される。 - 特許庁

In the servo circuit 22, a driving signal generation part 35 feeds one of a first focus driving signal for moving the objective lens in the direction of approaching an information recording layer and a second focus driving signal for moving the objective lens in the direction of moving away from the information recording layer to the lens driving part 14.例文帳に追加

サーボ回路２２では、駆動信号生成部３５は、対物レンズを情報記録層に近づける方向へ移動させる第１のフォーカス駆動信号と、対物レンズを情報記録層から離す方向へ移動させる第２のフォーカス駆動信号との何れか一方をレンズ駆動部１４に供給する。 - 特許庁

The gate electrode of the non-linear element is connected with a scanning line or a signal line, the first wiring layer or the second wiring layer of the non-linear element for applying a potential of the gate electrode is directly connected with the gate electrode and, thereby, stable operation resulting from reduction of connection resistance and reduction in the occupancy area of the connection part are achieved.例文帳に追加

非線形素子のゲート電極を走査線又は信号線と接続し、ゲート電極の電位を印加するための非線形素子の第１配線層又は第２配線層とゲート電極の接続を直接接続することで、接続抵抗の低減による安定動作と接続部分の占有面積の縮小を図る。 - 特許庁

A substrate is removed in a selective etching agent for a material of the substrate by wet chemical etching, and a first metal contact layer 7 is applied to the back side 6 of multi-layers 2, 3, 4, 5 facing the front side of the removed substrate, and a second metal contact layer 10 is applied to the front side 8 of a hetero-substrate 9.例文帳に追加

基板を湿式化学エッチングにより基板の材料用の選択エッチング剤中で除去し、除去された基板の表側に面する多重層２、３、４、５の裏側６上に第１の金属接触層７を、またヘテロ基板９の表側８上に第２の金属接触層１０を被着する。 - 特許庁

There is provided: a cut-off door that includes a concrete panel, a first fiber-reinforced resin complex layer for coating at least a part of one surface side of the concrete panel, and a second fiber-reinforced resin complex layer for coating at least a part of the other surface side of the concrete panel; and a sluice structure having the cut-off door.例文帳に追加

コンクリートパネルと、該コンクリートパネルの一方の面側の少なくとも一部を被覆する第１繊維強化樹脂複合体層と、該コンクリートパネルの他方の面側の少なくとも一部を被覆する第２繊維強化樹脂複合体層と、を有する止水扉、並びに、該止水扉を備えた制水構造物とする。 - 特許庁

This method for producing an epitaxial structure includes a first step of providing a substrate having at least one crystal surface, a second step of arranging a carbon nanotube layer containing a plurality of voids on the crystal surface of the substrate, and a third step of growing an epitaxial layer on the crystal surface of the substrate.例文帳に追加

本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つの結晶面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板の結晶面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置する第二ステップと、前記基板の結晶面にエピタキシャル層を成長させる第三ステップと、を含む。 - 特許庁

This temper rolling mill is a two-stand temper mill, and a first stand incorporates a work roll to have a chrome plated layer formed on a roll barrel surface layer and having almost partially spherical protrusions to have surface roughness Ra of 0.3-2.0 μm and Hv of ≥1000, and a second stand incorporates a bright roll subjected to cylindrical polishing.例文帳に追加

２スタンドの調質圧延機であって、第１スタンドに表面粗さＲａが 0.3〜 2.0μm でかつＨｖ；1000以上の略部分球形状の突起を有するクロムめっき層をロールバレル表層に形成したワークロールが組み込まれ、第２スタンドに円筒研磨されたブライトロールが組み込まれている調質圧延機。 - 特許庁

The first section 216 of the printed layer 200 includes a printed mark on the outer surface, the second section 218 includes a die-cut label 224, and the third section 220 includes a die-cut release seal 226 along the border between the mark printed on the outer surface and the second section 218 adjacent to the printed mark.例文帳に追加

印刷層２００の第１区画２１６は外面に印刷された目印を含み、第２区画２１８はダイカットラベル２２４を含み、第３区画２２０は外面に印刷された目印および印刷された目印と隣接する第２区画２１８との間の境界に沿ったダイカット剥離シール２２６を含む。 - 特許庁

The film deposition method for depositing a film on a substrate to be treated includes a first process wherein a first film is deposited by ALD method on an insulation layer formed on the substrate to be treated, and a second process wherein a second film is deposited by CVD method uninterruptedly after the first process.例文帳に追加

被処理基板上に成膜を行う成膜方法であって、前記被処理基板上に形成された絶縁層上にＡＬＤ法で第１の成膜を行う第１の工程と、当該第１の工程と連続して、ＣＶＤ法で第２の成膜を行う第２の工程と、を有することを特徴とする成膜方法。 - 特許庁

A method of welding by vibration first and second components made of material having no compatibility for the vibration welding has a stage of adhering a layer of material having compatibility for the vibration welding to the surface of at least the first component before welding the first and second components by vibration.例文帳に追加

振動溶着されることに対して相容性のない材料で作られた第一および第二部品を振動溶着する方法は、第一および第二部品を振動溶着する前に、振動溶着されることに対して相容性を有する材料の層を、少なくとも第一部品の表面に接着する段階を有している。 - 特許庁

A first substrate 100 has a TFT 110 as a switch element provided for each pixel, and a reflective layer 44, which is insulated from the TFT 110 and reflects light made incident from the side of a second substrate 200 through a second electrode 250 made of ITO etc., formed on an insulating film covering the TFT 110.例文帳に追加

第１基板１００には、画素毎に設けられたスイッチ素子であるＴＦＴ１１０、ＴＦＴ１１０を覆う絶縁膜の上にＴＦＴ１１０と絶縁され、第２基板２００側からＩＴＯ等からなる第２電極２５０を透過して入射される光を反射する反射層４４を形成する。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit is provided with a microcell having a plurality of circuit elements, a first microcell power supply wire for supplying first potential to the microcell and a second microcell power supply wire arranged on the same wiring layer as the first microcell power supply wire to supply second potential to the microcell.例文帳に追加

半導体集積回路であって、回路素子を複数有するマクロセルと、前記マクロセルに第１の電位を供給する第１のマクロセル用電源配線と、前記第１のマクロセル用電源配線と同一の配線層に配置され、前記マクロセルに第２の電位を供給する第２のマクロセル用電源配線とを備える。 - 特許庁

Two-layer lens structure is obtained by arranging the respective microlenses 13 of a second microlens group arranged as one pattern which constitutes a checker in plane view on the respective microlenses 11 of a first microlens group arranged as the other pattern which constitutes a checker in plane view through a second transparent protection film 12.例文帳に追加

平面視で市松模様状を構成する一方模様として配置された第１マイクロレンズ群の各マイクロレンズ１１上に、第２透明保護膜１２を介して、平面視で市松模様状を構成する他方模様として配置された第２マイクロレンズ群の各マイクロレンズ１３が配置されて２層レンズ構造となっている。 - 特許庁