「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(374ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, the coil 23 is wound around the tooth covering unit 32 from the projection guide unit 35 and is wound, in a manner such that a second layer coil line 42 of the coil 23 does not abut against the root 23b of the leading wire 23s.例文帳に追加

そして、コイル２３は、突出案内部３５からティース被覆部３２に巻回され、該コイル２３の第２層コイル線４２が引き出し線２３ｓの根本部分２３ｂと接触しないように巻回される。 - 特許庁

When the conductive layer is viewed in a plane, a circumference of the first end region 22 is not surrounded with the wiring region 26, and a circumference of the second end region 24 is not surrounded with the wiring region 26.例文帳に追加

導電層を平面視したときに、第１端部領域２２の周囲が配線領域２６によって取囲まれておらず、かつ、第２端部領域２４の周囲が配線領域２６によって取囲まれていない。 - 特許庁

A first active region 9a and a second active region 9b include central top surfaces 9t of a (100) crystal plane and inclined edge surfaces 9e extending from the central top surfaces 9t to the device isolation layer 14.例文帳に追加

第１活性領域９ａ及び第２活性領域９ｂは（１００）面の中心上面９ｔ及び中心上面９ｔから素子分離膜１４に向けて延びる傾斜エッジ面９ｅを有する。 - 特許庁

The stamp material layer of a cupola hearth 22 consists of first layers 24a and 24b on the upper surface side formed of a material high in corrosion resistance, and second layers 26a and 26b on the under surface side formed of a material high in heat insulation property.例文帳に追加

キュポラ炉床２２におけるスタンプ材層は上面側の耐食性の高い素材にて構成された第１層24a, 24bと下面側の断熱性の高い素材にて構成された第２層26a, 26bとから構成される。 - 特許庁

An intermediate layer 42 refers to a managed table and determines whether a command received by a communication unit 41 is a command directed to a first operating system 43 or a command directed to a second operating system 44.例文帳に追加

中間層４２は、通信部４１で受信されたコマンドを、管理しているテーブルを参照し、第１オペレーティングシステム４３に対するコマンドであるか、第２オペレーティングシステム４４に対するコマンドであるかを判定する。 - 特許庁

The rewiring 40 has a center line average roughness of 100 nm or more on its surface joined with the second insulating layer 32 and the solder bump 55 strides over the rewiring 40 not electrically connected with the solder bump.例文帳に追加

再配線４０は、第２の絶縁層３２との接合面において１００ｎｍ以上の中心線平均粗さを有し、はんだバンプ５５は、該はんだバンプに電気的に接続されない再配線４０に跨る。 - 特許庁

A multilayer structure has a semiconductor element 15 which is mounted on a first major surface 11a and a conductive layer 13 which is arranged on a second major surface 11b of a substrate 11 and recedes from a side surface 11s of the substrate 11.例文帳に追加

積層構造体は、第１主面１１ａに搭載された半導体素子１５と、基板の第２主面１１ｂに設けられ、基板１１の側面１１ｓから後退した導電層１３と、を有する。 - 特許庁

Further, the magnetic random access memory includes a second selection transistor including the first diffusion region and a third diffusion region which are formed in the active region 12, and first wiring electrically connected to the first pinned layer.例文帳に追加

さらに、アクティブ領域１２に形成された前記第１の拡散領域及び第３の拡散領域を有する第２の選択トランジスタと、固定層に電気的に接続された第１の配線とを備える。 - 特許庁

The surface of the first substrate divided or groove-formed, which is opposed to the first metal layer, is irradiated with laser to separate the first substrate and to form a second electrode on at least part of an exposed surface of a laminated film.例文帳に追加

分断または溝形成された第１基板の、第１メタル層と反対側の面から、レーザを照射して、第１基板を剥離し、露出した積層膜の表面の少なくとも一部に第２電極を形成する。 - 特許庁

To provide an organic light emitting element for securing an excellent electrical connection between an auxiliary wiring layer and a second electrode without using a mask for painting pixels for identification and provide a manufacturing method of the above element and a display.例文帳に追加

画素塗り分け用マスクを用いずに補助配線層と第２電極との良好な電気的接続を確保することが可能な有機発光素子およびその製造方法ならびに表示装置を提供する。 - 特許庁

A contact plug 112 is formed at a contact hole formed in the first interlayer insulating film 104, and an upper layer wiring 113 is formed in a wiring groove formed in the second interlayer insulating film 105.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜１０４に形成された接続孔には接続プラグ１１２が形成されていると共に、第２の層間絶縁膜１０５に形成された配線溝には上層配線１１３が形成されている。 - 特許庁

The second semiconductor elements 26, 27 are formed on the substrate 1 and include a gate insulating film 15 composed of the same layer as the intermediate insulating film 15 and gate electrodes 16e, 16f that are formed on the gate insulating film 15.例文帳に追加

第２の半導体素子２６、２７は、基板１上に形成され、中間絶縁膜１５と同一層からなるゲート絶縁膜１５と、ゲート絶縁膜１５上に形成されたゲート電極１６ｅ、１６ｆとを含む。 - 特許庁

In a fourth step, the first insulating layer 131 is bonded onto a second insulating adhesive 132a, and both of them are heated and pressed, thus performing the flip-chip bonding of the semiconductor chip 110 to the interposer 120.例文帳に追加

第４の工程で、第１の絶縁層１３１を第２の絶縁性接着剤１３２ａ上に貼り合わせ、両者を加熱加圧することで半導体チップ１１０をインターポーザ１２０にフリップチップ接合させる。 - 特許庁

In such a semiconductor device, propagation of noise between the first and second element formation areas 20, 30 can be suppressed by a depletion layer configured between the PNP junction or the NPN junction.例文帳に追加

このような半導体装置では、ＰＮＰ接合またはＮＰＮ接合の間に構成される空乏層により、第１、第２素子形成領域２０、３０の間でノイズが伝播することを抑制することができる。 - 特許庁

Besides, at least, either of the first surface or the second surface includes a formed mirror surface layer.例文帳に追加

第１コアは第１面を有し、第２コアは第２面を有し、第１面と第２面とは成型空間を挟んで対向していて、第１面と第２面のうちの少なくとも一つに形成されている鏡面層とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a multi-layered fiber-reinforced sheet containing a permeable fiber-reinforced thermoplastic core layer with the first surface and the second surface for an automobile inner structure-constructing element as an embodiment.例文帳に追加

例示としての実施形態の場合には、第１の面と第２の面を有する浸透性繊維強化熱可塑性コア層を含む自動車内部構造構成要素用の多層繊維強化シートを提供すること。 - 特許庁

Then, the second resist film 14 is separated, a contact/seed layer 15 is deposited on surfaces of the anodized film 6 and the metal film 5, and a conductor pattern 8 is formed on the anodized film 6 to serve as an upper electrode.例文帳に追加

次いで、第２のレジスト膜１４を剥離し、陽極酸化膜６及び金属被膜５の表面に密着／シード層１５を被着し、陽極酸化膜６上に上部電極となる導体パターン８を形成する。 - 特許庁

First and second portions 17a and 17b of an active layer 17 formed on the arrangement of the steps 25 are respectively grown on the faces 25a and 25b of the step 25 and generate light of different luminous wavelengths.例文帳に追加

ステップ２５の配列上に形成された活性層１７の第１及び第２の部分１７ａ、１７ｂは、それぞれ、ステップ２５の面２５ａ、２５ｂ上に成長され、また異なる発光波長の光を発生する。 - 特許庁

A first target 2, a second target 3, a moderate layer 4, and a third target 5 are successively formed from the axial center part of a center axis of a cylindrical radioactive waste treating target 1 to the radial outside of the center axis.例文帳に追加

円柱形状の放射性廃棄物処理用ターゲット１の中心軸の軸心部から第一ターゲット２、第二ターゲット３、モデレート層４、及び第三ターゲット５を前記中心軸の径方向外側に順次形成する。 - 特許庁

For example, in a semiconductor element, formation of a channel (current path) in vicinity of a bottom surface (first surface) of the oxide semiconductor layer and formation of a channel in vicinity of a top surface (second surface) are independently controlled.例文帳に追加

例えば、当該半導体素子は、当該酸化物半導体層の下面（第１の面）近傍におけるチャネル（電流経路）の形成と、上面（第２の面）近傍におけるチャネルの形成とを独立して制御する。 - 特許庁

Then, after removing the non-reacting Ni-Pt alloy film therefrom, a second heat treatment having a higher heat-treatment temperature than the one of the first heat treatment is so performed as to form the Pt addition Ni silicide layer 33 of PtNiSi phase.例文帳に追加

続いて未反応のニッケル−白金合金膜を除去した後、１回目の熱処理よりも熱処理温度が高い２回目の熱処理を行い、ＰｔＮｉＳｉ相の白金添加ニッケルシリサイド層３３を形成する。 - 特許庁

The first and second rollers 15, 16 are relatively rotated in association with an axial reciprocating movements via cam mechanisms 25, 29 to smooth the ink I layer transferred to the roller 15.例文帳に追加

これらの第１の振りローラー１５と第２の振りローラー１６は、カム機構２５，２９を介して軸方向への往復移動を伴って相対回転し、第１の振りローラー１５に転写されたインキＩの層を均すようになっている。 - 特許庁

The gas diffusion layer 3 for the fuel cell is composed of a first particle material 4 being high-hardness carbon particles, and a second particle material 5 obtained by performing granulation from a mixture of carbon particles (a) and a resin (b).例文帳に追加

燃料電池用のガス拡散層３を、高硬度のカーボン粒子である第１の粒子材料４と、カーボン粒子ａと樹脂ｂの混合体から造粒して得られた第２の粒子材料５とで構成する。 - 特許庁

A threshold voltage in a V-T curve representing relationships between a voltage applied to the liquid crystal layer of the first region (SPa) and the transmission differs from a threshold voltage in a V-T curve of the second region (SPb).例文帳に追加

第１領域（ＳＰａ）の液晶層に印加される電圧と透過率との関係を示すＶ−Ｔ曲線におけるしきい値電圧は第２領域（ＳＰｂ）のＶ−Ｔ曲線におけるしきい値電圧と異なる。 - 特許庁

Then, the periphery of the outer periphery surface at the projecting end section at the side of the electrode section 122 of the heater element 12 is completely sealed by a second filling layer 312 filled into a ceramic holder 13.例文帳に追加

そして、ヒータ素子１２の電極部１２２側の突出する端部の外周面は、セラミックホルダ１３内に充填された第二充填層３１２によって、その周囲を完全に封着されるようになっている。 - 特許庁

To avoid or alleviate the problem caused by a contrast loss, that is induced by radiations reflected first from the dark part of a mask and second from the other absorbing layer in a lithographic apparatus.例文帳に追加

第１にマスクの暗部で反射され、第２にリソグラフィ装置中の他の吸収層によって反射される放射によって引き起こされるコントラストの損失による問題の回避または軽減を提供すること。 - 特許庁

The separation layer 3 is ablated to separate the element 5 from the first substrate 1, by emitting a laser beam Lh from a first substrate 1 side, in the decompressed atmosphere, and is transferred onto the second substrate 7.例文帳に追加

減圧雰囲気内において、第１の基板１側からレーザ光Ｌｈを照射することにより、剥離層３をアブレーションさせて素子５を第１の基板１上から剥離し、第２の基板７上に移載する。 - 特許庁

A thermal expansion coefficient in a first region 11 is lower than that in a second region 12 other than the first region 11 in an insulating layer contacting with at least one face of the electron device 2.例文帳に追加

電子素子２の少なくとも１面と接している絶縁層において、第１領域１１の熱膨張係数は、第１領域１１以外の領域である第２領域１２の熱膨張係数より低くなっている。 - 特許庁

A gate electrode is formed over the gate insulating film to overlap with at least a part of the semiconductor layer, and a pixel portion of the gate insulating film and the second base insulating film is doped with at least one conductive type impurities.例文帳に追加

そして、半導体層の少なくとも一部に重なるゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、画素部のゲート絶縁膜及び前記第２の下地絶縁膜に少なくとも一導電型の不純物を添加する。 - 特許庁

The frequency of photolithography is reduced by obliquely depositing an electrode layer on the partition walls 3 to coat the partition walls 3 and forming a second electrode 7 to be disposed on the partition wall side by an electrode forming step.例文帳に追加

そして、電極形成工程により、隔壁３に電極層を斜方蒸着して隔壁３を被覆し、隔壁側に配置される第２電極７を形成することにより、フォトリソグラフィーの回数を減らすようにする。 - 特許庁

To provide a heat treatment method of steel member which can suppress the generation of an abnormal carburized layer and, at the same time, can suppress quench distortion in regard to the heat treatment method having a first hardening method and a second hardening method.例文帳に追加

第１焼入れ工程と第２焼入れ工程とを有する熱処理方法において、浸炭異常層の生成を抑制するとともに、焼入れ歪みを抑制できる鋼部材の熱処理方法を提供する。 - 特許庁

A boundary region 10C between both of them is set to a two-stage structure of a first level difference section 31 in a p-type cladding layer 13 and a second level difference section 33 straddling over a pn junction section 14 with a flat section 32 in between.例文帳に追加

両者の間の境界領域１０Ｃを、平坦部３２を間にして、ｐ型クラッド層１３内の第１段差部３１と、ｐｎ接合部１４をまたぐ第２段差部３３との２段構造とする。 - 特許庁

By setting recording start power of a second layer or after and write-once start power recording power at write-once using the calculated adjustment coefficient, data are recorded in all the recording areas of the optical disk by optimal recording power.例文帳に追加

算出した調整係数を用いて第二層以降の記録開始パワー、ならびに追記時の追記開始パワー記録パワーを設定することにより、光ディスクの全記録領域において最適な記録パワーで記録できる。 - 特許庁

The first flange part 4b and the second flange part 4d is connected to each other to communicate with a ventilating space provided under the heat insulting layer 2, and lead to the outdoor space through a clearance between the outer pipe 4c and inner pipe 4a of the drain pipe 4.例文帳に追加

そして、この第１のフランジ部と第２のフランジ部との間を、断熱層の下に設けられた通気空間に連通させるとともに、排水管の外管と内管との間から屋外空間に通じるものとする。 - 特許庁

The light-emitting layer contains a parent material of a compound composed of a second group element and a 16th group element or a 12th group element and a 16th group element, and an impurity element of an emission center.例文帳に追加

発光層は、第２族の元素と第１６族の元素を含む化合物または第１２族の元素と第１６族の元素を含む化合物である母体材料と発光中心である不純物元素とを含んでいる。 - 特許庁

Here, a center line of the first convex lens 5 and a center position of the opening 3 substantially conform each other, and the center line of the second convex lens 6 and a center position of the light-reflecting layer 4 substantially conform each other.例文帳に追加

ここで、第１の凸レンズ５の中心線と開口部３の中心位置とが実質的に一致し、第２の凸レンズ６の中心線と光反射層４の中心位置とが実質的に一致している。 - 特許庁

Consequently, when an opened end 24 of the atmospheric passage 21 is opened for the atmosphere, fuel vapor flowing out from the second storage chamber 42 of a canister 30 by diffusion is absorbed by the adsorbent layer 51.例文帳に追加

これにより、大気通路２１の開放端２４が大気に開放されているとき、キャニスタ３０の第二収容室４２から拡散により流出した燃料蒸気は吸着剤層５１により吸着される。 - 特許庁

Along a magnetic layer formed over the circumference of the side edge of a conveying belt, there are arranged in order from an upstream as viewed in the traveling direction of the conveying belt: a first write head 18; a read head 19; and a second write head 20.例文帳に追加

搬送ベルトの側縁部に周に渡り形成された磁性層に沿って、搬送ベルトの移動方向上流側から順に、第１書込みヘッド１８、読込みヘッド１９、第２書込みヘッド２０が配置されている。 - 特許庁

Motor/generator MG1, MG2 are coaxially arranged in a center of a case 1 as a composite current two layer motor, first and second planetary gear groups G1, G2 are coaxially arranged on the right side of the motor/generator, and a third planetary gear group G3 is also coaxially arranged on the left side thereof respectively.例文帳に追加

モータ/ジェネレータMG1,MG2を複合電流二層モータとしてケース1の中央に同軸配置し、その右側に第1および第2遊星歯車組G1,G2を、左側に第3遊星歯車組G3をそれぞれ同軸配置する。 - 特許庁

A magnetic pole layer 12 of a magnetic head comprises a first part 12A, a second part 12B and a third part 12C arranged sequentially from a medium facing surface side along the direction vertical to a medium facing surface ABS.例文帳に追加

磁気ヘッドの磁極層１２は、媒体対向面ＡＢＳに垂直な方向に沿って媒体対向面側から順に配置された第１の部分１２Ａ、第２の部分１２Ｂおよび第３の部分１２Ｃを有している。 - 特許庁

A wipe 100 comprises the first surface 102, the second surface 103 and an absorptive dry layer 101 on the first surface 102, and is used for cleaning the genital and anal area.例文帳に追加

第１表面１０２及び第２表面（１０３）を有し、第１表面１０２上に配置された好ましくは吸収乾燥層１０１を有する、特に性器及び肛門領域を清潔にするためのワイプ１００に関する。 - 特許庁

On a second inter-layer film 20 on a SOI substrate 2 with which a pair of X-detection elements D_X are provided on a surface 21, inter-element wiring 43 is laid which connects these X-detection elements D_X.例文帳に追加

表面２１に一対のＸ−検出素子Ｄ_Ｘが設けられたＳＯＩ基板２上の第２層間膜２０上に、これらＸ−検出素子Ｄ_Ｘ間を接続する素子間配線４３を敷設する。 - 特許庁

Then, a punch 4 is caused to approach the dice 2, and at the conduction part 84 of the square rod 8, the insulating coat layer 82 of a pair of second side surfaces 802 which are parallel to each other, being orthogonal to the first side surface 801, are removed.例文帳に追加

そして、ダイス２にパンチ４を接近させて、角線８の導通部８４において第１側面８０１に直交する互いに平行な一対の第２側面８０２の絶縁被膜層８２を除去する。 - 特許庁

A layer pattern 10, on which a region 7a to be partitioned of a panel 7 is exposed, is formed at least on a principal surface of the panel 7 constructed by bonding a TFT substrate 1 (a first substrate) and a counter substrate 2 (a second substrate) to each other.例文帳に追加

ＴＦＴ基板（第１基板）１と対向基板（第２基板）２とを貼り合わせてなるパネル７の少なくとも一主面上に、パネル７の分割領域７ａを露出させた層パターン１０を形成する。 - 特許庁

The saturation magnetization of a developer is from 20 Am^2/kg to 40 Am^2/kg, and the surface roughness of each resin layer of the first developer carrier 3a and the second developer carrier 3b is set in a predetermined range.例文帳に追加

また、現像剤の飽和磁化が２０Ａｍ^2／ｋｇ以上、４０Ａｍ^2／ｋｇ以下であって、第１現像剤担持体３ａ及び第２現像剤担持体３ｂの樹脂層の表面粗さを所定の範囲に設定する。 - 特許庁